JP2013135072A

JP2013135072A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Info

Publication number: JP2013135072A
Application number: JP2011284218A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Korenaga; 哲雄是永
Original assignee: Panasonic Corp
Current assignee: Panasonic Corp
Priority date: 2011-12-26
Filing date: 2011-12-26
Publication date: 2013-07-08

Abstract

【課題】複数の真空チャンバで同じプラズマ処理を行うことが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、配設された基板３０ａ及び３０ｂに対してプラズマ処理を行う２つの真空チャンバ２ａ及び２ｂと、２つの真空チャンバ２ａ及び２ｂのそれぞれに設けられた電極部と、２つの真空チャンバ２ａ及び２ｂに真空排気配管６３ａ及び６３ｂを介して接続され、２つの真空チャンバ２ａ及び２ｂ内を真空排気する単一の真空ポンプ６１と、真空排気配管６３ａ及び６３ｂに設けられ、２つの真空チャンバ２ａ及び２ｂと単一の真空ポンプ６１とを断接することで２つの真空チャンバ２ａ及び２ｂのいずれを真空ポンプ６１と接続するかを切り換える真空バルブ６２と、２つの真空チャンバ２ａ及び２ｂ内にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給部４と、電極部に高周波電圧を印加する高周波電源部３とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。

電子部品が実装される基板の洗浄やエッチング等の表面処理として、プラズマ処理が知られている。そして、このようなプラズマ処理を行う装置としては、プラズマ処理装置が知られている。プラズマ処理装置では、減圧雰囲気の処理室（真空チャンバ）内に基板が配設され、処理室内で放電を行わせることによりプラズマを発生させ、発生したプラズマのエッチング作用により、基板の表面処理が行われる。

例えば、特許文献１には、複数の真空チャンバを備えたプラズマ処理装置が開示されている。この構成においては、それぞれの真空チャンバに対応する複数の真空ポンプが備えられている。これにより、一方の真空チャンバがプラズマ処理中に、他方の真空チャンバに対応する真空ポンプが独立して他方の真空チャンバの真空排気を行うことができる。

特許第３７３７８９７号公報

ところで、プラズマ処理装置では、真空チャンバの圧力が高過ぎてもまた低過ぎても、プラズマが発生しないため、真空チャンバの圧力は適切な所定値とする必要がある。

しかしながら、複数の真空チャンバを備えたプラズマ処理装置では、複数の真空チャンバは異なる別々の真空ポンプにて真空排気が行われるが、各真空ポンプは使用状態などによりその性能は微妙に異なる。従って、一の真空チャンバについてその圧力を適切な所定値とする真空排気条件を導出し、その真空排気条件で他の真空チャンバの真空排気を行ったとしても、他の真空チャンバの圧力は一の真空チャンバの圧力と微妙に異なる。その結果、一の真空チャンバと他の真空チャンバとで同じプラズマ処理を行うことができず、極端な場合には他の真空チャンバの圧力が適切な所定値とならずに他の真空チャンバでプラズマ処理を行うことができない。

そこで、本発明は、かかる問題点に鑑み、複数の真空チャンバで同じプラズマ処理を行うことが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るプラズマ処理装置は、被処理物がそれぞれ配設され、配設された前記被処理物に対してプラズマ処理を行う２つの真空チャンバと、前記２つの真空チャンバのそれぞれに設けられた電極部と、前記２つの真空チャンバに真空排気配管を介して接続され、前記２つの真空チャンバ内を真空排気する単一の真空ポンプと、前記真空排気配管に設けられ、前記２つの真空チャンバと前記単一の真空ポンプとを断接することで前記２つの真空チャンバのいずれを前記真空ポンプと接続するかを切り換える真空バルブと、前記２つの真空チャンバ内にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給部と、前記電極部に高周波電圧を印加する高周波電源部とを備えることを特徴とする。

ここで、前記プラズマ処理装置は、さらに、前記真空バルブを制御する制御部を備え、前記制御部は、前記２つの真空チャンバのうちの一の真空チャンバと前記真空ポンプとを接続して前記一の真空チャンバを前記プラズマ処理が可能な所定の圧力とした後、前記２つの真空チャンバのうちの他の真空チャンバと前記真空ポンプとを接続して前記他の真空チャンバを前記所定の圧力とするように前記真空バルブを制御してもよい。

また、前記制御部は、前記一の真空チャンバと前記真空ポンプとを接続する時間と、前記他の真空チャンバと前記真空ポンプとを接続する時間とが同じになるように前記真空バルブを制御してもよい。

本態様によれば、複数の真空チャンバで同じプラズマ処理を行うことが可能なプラズマ処理装置を実現することができる。

また、本発明の一態様に係るプラズマ処理方法は、プラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、前記プラズマ処理装置は、被処理物がそれぞれ配設される２つの真空チャンバと、前記２つの真空チャンバのそれぞれに設けられた電極部と、前記２つの真空チャンバに真空排気配管を介して接続された単一の真空ポンプとを備え、前記２つの真空チャンバのうちの一の真空チャンバと前記真空ポンプとを接続して前記一の真空チャンバを真空排気する第１真空排気工程と、真空排気された前記一の真空チャンバにプラズマ発生用ガスを供給し、前記一の真空チャンバ内の電極部に高周波電圧を印加することで、前記一の真空チャンバ内に配設された被処理物に対してプラズマ処理を行う第１プラズマ処理工程と、前記２つの真空チャンバのうちの他の真空チャンバと前記真空ポンプとを接続して前記他の真空チャンバを真空排気する第２真空排気工程と、真空排気された前記他の真空チャンバにプラズマ発生用ガスを供給し、前記他の真空チャンバ内の電極部に高周波電圧を印加することで、前記他の真空チャンバ内に配設された被処理物に対してプラズマ処理を行う第２プラズマ処理工程とを含むことを特徴とする。

ここで、前記第１真空排気工程では、前記一の真空チャンバを前記プラズマ処理が可能な所定の圧力とし、前記第２真空排気工程では、前記一の真空チャンバ内の被処理物にプラズマ処理を行った後、前記他の真空チャンバを前記所定の圧力としてもよい。

また、前記第１真空排気工程における前記一の真空チャンバを真空排気する時間と、前記第２真空排気工程における前記他の真空チャンバを真空排気する時間とが同じであってもよい。

本態様によれば、複数の真空チャンバで同じプラズマ処理を行うことが可能なプラズマ処理方法を実現することができる。

本発明によれば、複数の真空チャンバで同じプラズマ処理を行うことが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を実現できるという効果が奏される。

本発明の実施の形態のプラズマ処理装置の構成を示す断面図である。同実施の形態のプラズマ処理装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。同実施の形態のプラズマ処理装置の動作における真空チャンバ内の圧力変化を示す図である。プラズマ処理装置の動作における真空チャンバ内の圧力変化を示す図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。本発明は、特許請求の範囲だけによって限定される。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、本発明の課題を達成するのに必ずしも必要ではないが、より好ましい形態を構成するものとして説明される。また、図面において、実質的に同一の構成、動作、および効果を表す要素については、同一の符号を付す。

図１は、本発明の実施の形態のプラズマ処理装置の構成を示す断面図である。

このプラズマ処理装置は、被処理物としての基板３０ａ及び３０ｂがそれぞれ配設され、配設された基板３０ａ及び３０ｂに対してプラズマ処理を行うための２つの真空チャンバ２ａ及び２ｂと、２つの真空チャンバ２ａ及び２ｂのそれぞれに設けられた電極部としての第１高周波電極２８ａ及び２８ｂ並びに第２高周波電極２９ａ及び２９ｂと、２つの真空チャンバ２ａ及び２ｂに真空排気配管６３ａ及び６３ｂを介して接続され、２つの真空チャンバ２ａ及び２ｂ内を真空排気する単一の真空ポンプ６１と、真空排気配管６３ａ及び６３ｂに設けられ、２つの真空チャンバ２ａ及び２ｂと単一の真空ポンプ６１とを断接することで２つの真空チャンバ２ａ及び２ｂのいずれを真空ポンプ６１と接続するかを切り換える真空バルブ６２と、２つの真空チャンバ２ａ及び２ｂ内にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給部４と、電極部に高周波電圧を印加する高周波電源部３とを備える。

プラズマ処理装置は、さらに、真空バルブ６２を制御する制御部７を備え、制御部７は、一の真空チャンバと真空ポンプ６１とを接続して一の真空チャンバをプラズマ処理が可能な所定の圧力とした後、他の真空チャンバと真空ポンプ６１とを接続して他の真空チャンバを所定の圧力とするように真空バルブ６２を制御する。このとき、制御部７は、一の真空チャンバと真空ポンプ６１とを接続する時間と、他の真空チャンバと真空ポンプ６１とを接続する時間とが同じになるように真空バルブ６２を制御する。

以下、本実施の形態に係るプラズマ処理装置について詳細に説明する。

図１のプラズマ処理装置は、例えばベアチップを直接ワイヤボンディングする際に、ボンディングにおけるボンディングパッドとボンディングワイヤとの接合強度を向上させるため、基板のボンディングパッドを乾式で洗浄するプラズマ洗浄装置である。

図１のプラズマ洗浄装置は、内部にプラズマが発生し、導入した基板３０ａが処理（洗浄）される真空チャンバ２ａと、内部にプラズマが発生し、導入した基板３０ｂが処理される真空チャンバ２ｂと、一対の真空チャンバ２ａ及び２ｂに交互に高周波電圧を印加する高周波電源部３と、一対の真空チャンバ２ａ及び２ｂにプラズマ発生用ガスであるアルゴンガス及びリークのための窒素ガスを交互に供給するガス供給部４と、各真空チャンバ２ａ及び２ｂ内を真空状態にする真空吸引部５と、真空吸引部５及び高周波電源部３を制御する制御部７とを備えている。

真空チャンバ２ａは、真空容器である箱状のチャンバ本体２１ａと、チャンバ本体２１ａの前面に設けられたフランジ状の蓋体２２ａとを有している。蓋体２２ａは、チャンバ本体２１ａに対し進退自在に構成されている。また、蓋体２２ａの内側には、２枚の基板３０ａが載置されるトレイ２７ａが取り付けられており、トレイ２７ａは蓋体２２ａと共に進退する。蓋体２２ａが後退すると、チャンバ本体２１ａが開放されると共に基板３０ａを載置したトレイ２７ａが引き出される。一方、蓋体２２ａが前進すると、トレイ２７ａがチャンバ本体２１ａに押し込まれると共にチャンバ本体２１ａが閉塞される。

真空チャンバ２ａ内には、高周波電源部３に接続された第１高周波電極２８ａと、アースされた第２高周波電極２９ａとが設けられている。第１高周波電極２８ａは、トレイ２７ａがチャンバ本体２１ａに押し込まれた状態でトレイ２７ａの下方に配設されている。一方、第２高周波電極２９ａは、チャンバ本体２１ａを構成するケーシングにより構成されている。

なお、図示しないが、チャンバ本体２１ａと蓋体２２ａとの間には、真空チャンバ２ａの気密性を保持すべく、Ｏリング等のシール部材が介在している。

真空チャンバ２ｂは、真空容器である箱状のチャンバ本体２１ｂと、チャンバ本体２１ｂの前面に設けられたフランジ状の蓋体２２ｂとを有している。蓋体２２ｂは、チャンバ本体２１ｂに対し進退自在に構成されている。また、蓋体２２ｂの内側には、２枚の基板３０ｂが載置されるトレイ２７ｂが取り付けられており、トレイ２７ｂは蓋体２２ｂと共に進退する。蓋体２２ｂが後退すると、チャンバ本体２１ｂが開放されると共に基板３０ｂを載置したトレイ２７ｂが引き出される。一方、蓋体２２ｂが前進すると、トレイ２７ｂがチャンバ本体２１ｂに押し込まれると共にチャンバ本体２１ｂが閉塞される。

真空チャンバ２ｂ内には、高周波電源部３に接続された第１高周波電極２８ｂと、アースされた第２高周波電極２９ｂとが設けられている。第１高周波電極２８ｂは、トレイ２７ｂがチャンバ本体２１ｂに押し込まれた状態でトレイ２７ｂの下方に配設されている。一方、第２高周波電極２９ｂは、チャンバ本体２１ｂを構成するケーシングにより構成されている。

なお、図示しないが、チャンバ本体２１ｂと蓋体２２ｂとの間には、真空チャンバ２ｂの気密性を保持すべく、Ｏリング等のシール部材が介在している。

高周波電源部３は、高周波電源３１と、自動整合器３２ａ及び３２ｂと、電源切り替え器３３とを有している。電源切り替え器３３は、制御部７の指令により、一対の真空チャンバ２ａ及び２ｂへの高周波電源の供給を交互に切り替える。自動整合器３２ａは、真空チャンバ２ａに印加した高周波の反射波による干渉を防止するものであり、自動整合器３２ｂは、真空チャンバ２ｂに印加した高周波の反射波による干渉を防止するものである。

なお、図１では、一対の真空チャンバ２ａ及び２ｂに対し別々の自動整合器３２ａ及び３２ｂを対応させているが、各真空チャンバ２ａ及び２ｂに対し１台の同じ自動整合器を対応させるようにしてもよい。

ガス供給部４は、アルゴンガスボンベ（図外）及び窒素ガスボンベ（図外）と各真空チャンバ２ａ及び２ｂとに接続された一対のガス導入管４３ａ及び４３ｂを有している。ガス導入管４３ａは、アルゴンガス及び窒素ガスを真空チャンバ２ａに供給し、ガス導入管４３ｂは、アルゴンガス及び窒素ガスを真空チャンバ２ｂに供給する。ガス導入管４３ａ及び４３ｂには、それぞれ電磁弁で構成された切替バルブが介設され、この切替バルブによりアルゴンガス及び窒素ガスのガス量が制御される。

真空吸引部５は、真空ポンプ６１と、真空ポンプ６１と各真空チャンバ２ａ及び２ｂとを接続する真空排気配管６３ａ及び６３ｂと、真空バルブ（切替弁）６２と、圧力調整バルブ６４とを有している。真空バルブ６２は、制御部７の指令により、一対の真空チャンバ２ａ及び２ｂと真空ポンプ６１との接続を交互に切り替える。

真空バルブ６２が真空チャンバ２ａと真空ポンプ６１とを接続した状態では、圧力調整バルブ６４を介して真空排気配管６３ａと真空ポンプ６１とが連通され、真空チャンバ２ａ内の真空引きが行われるが、真空排気配管６３ｂと真空ポンプ６１とは遮断され、真空チャンバ２ｂ内の真空引きは行われない。一方、真空バルブ６２が真空チャンバ２ｂと真空ポンプ６１とを接続した状態では、圧力調整バルブ６４を介して真空排気配管６３ｂと真空ポンプ６１とが連通され、真空チャンバ２ｂ内の真空引きが行われるが、真空排気配管６３ａと真空ポンプ６１とは遮断され、真空チャンバ２ａ内の真空引きは行われない。

制御部７は、真空バルブ６２に制御信号を送信することにより真空バルブ６２の切り替えを制御し、真空チャンバ２ａ及び２ｂのいずれかを真空ポンプ６１と接続するかを制御する。また、制御部７は、電源切り替え器３３に制御信号を送信することにより電源切り替え器３３の切り替えを制御し、真空チャンバ２ａ及び２ｂのいずれかに高周波電源を供給するかを制御する。

なお、図１では、真空バルブ６２及び電源切り替え器３３に対し１つの同じ制御部７を対応させているが、真空バルブ６２及び電源切り替え器３３に対し別々の制御部７を対応させるようにしてもよい。

上記構成を有するプラズマ処理装置において、真空容器である真空チャンバ２ａにアルゴンなどのプラズマ発生用ガスを充填し、第１高周波電極２８ａ及び第２高周波電極２９ａの間に電圧を印加することで充填されたプラズマ発生用ガスに高周波電圧を印加することで、真空チャンバ２ａ内にプラズマを発生させる。真空チャンバ２ａ内に発生したプラズマのプラスに帯電したイオンは、マイナスに帯電したボンディングパッドに向かって加速され、基板３０ａのボンディングパッドの表面の粒子（例えばニッケル成分）を叩き出すことにより、基板３０ａのボンディングパッドが洗浄される。

同様に、空容器である真空チャンバ２ｂにアルゴンなどのプラズマ発生用ガスを充填し、第１高周波電極２８ｂ及び第２高周波電極２９ｂの間に電圧を印加することで充填されたプラズマ発生用ガスに高周波電圧を印加することで、真空チャンバ２ｂ内にプラズマを発生させる。真空チャンバ２ｂ内に発生したプラズマのプラスに帯電したイオンは、マイナスに帯電したボンディングパッドに向かって加速され、基板３０ｂのボンディングパッドの表面の粒子を叩き出すことにより、基板３０ｂのボンディングパッドが洗浄される。

以上のように、本実施の形態のプラズマ処理装置によれば、真空チャンバ２ａ及び２ｂについて同じ１つの真空ポンプ６１で真空排気することができるので、プラズマ処理の開始時点の内部の圧力を揃えることができる。よって、複数の真空チャンバで同じプラズマ処理を行うことが可能なプラズマ処理装置を実現することができる。

図２は、本実施の形態に係るプラズマ処理装置の動作（プラズマ処理方法）を説明するためのタイミングチャートである。図３は、同プラズマ処理方法における真空チャンバ２ａ及び２ｂ内の圧力変化を示す図である。なお、図３（ａ）は図２のｔ_２以降の真空チャンバ２ａ内の圧力変化を示し、図３（ｂ）は図２のｔ_７以降の真空チャンバ２ｂ内の圧力変化を示している。

このプラズマ処理方法は、図１のプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、２つの真空チャンバ２ａ及び２ｂのうちの一の真空チャンバと真空ポンプ６１とを接続して一の真空チャンバを真空排気する第１真空排気工程と、真空排気された一の真空チャンバにプラズマ発生用ガスを供給し、一の真空チャンバ内の電極部に高周波電圧を印加することで、一の真空チャンバ内に配設された被処理物に対してプラズマ処理を行う第１プラズマ処理工程と、２つの真空チャンバ２ａ及び２ｂのうちの他の真空チャンバと真空ポンプ６１とを接続して他の真空チャンバを真空排気する第２真空排気工程と、真空排気された他の真空チャンバにプラズマ発生用ガスを供給し、他の真空チャンバ内の電極部に高周波電圧を印加することで、他の真空チャンバ内に配設された被処理物に対してプラズマ処理を行う第２プラズマ処理工程とを含む。

ここで、第１真空排気工程では、一の真空チャンバをプラズマ処理が可能な所定の圧力とし、第２真空排気工程では、一の真空チャンバ内の被処理物にプラズマ処理を行った後、他の真空チャンバを前記所定の圧力とする。このとき、第１真空排気工程における一の真空チャンバを真空排気する時間（ｔ＝ｔ_２〜ｔ_３）と、第２真空排気工程における他の真空チャンバを真空排気する時間（ｔ＝ｔ_７〜ｔ_９）とが同じである。

以下、本実施の形態に係るプラズマ処理方法について詳細に説明する。

図２のプラズマ処理方法では、まず、真空チャンバ２ａに基板３０ａが搬入される（ｔ＝ｔ_１〜ｔ_２）。具体的には、トレイ２７ａに基板３０ａが載置された蓋体２２ａがチャンバ本体２１ａ内に押し込まれ、チャンバ本体２１ａが蓋体２２ａで閉塞される。

次に、真空チャンバ２ａ内が真空排気される（ｔ＝ｔ_２〜ｔ_３）。具体的には、制御部７の指令の下、真空バルブ６２により真空チャンバ２ａと真空ポンプ６１とを接続することでプラズマが発生可能な所定の真空値となるまで真空チャンバ２ａが真空排気される。

次に、真空チャンバ２ａ内でプラズマが発生され、基板３０ａがプラズマ処理される（ｔ＝ｔ_３〜ｔ_５）。具体的には、ガス供給部４により真空チャンバ２ａ内にアルゴンなどのプラズマ発生用ガスを供給して真空チャンバ２ａ内をプラズマ発生用ガスで充填する。その後、制御部７の指令の下、電源切り替え器３３により第２高周波電極２９ａと高周波電源３１とを接続することで充填されたプラズマ発生用ガスに高周波電圧が印加され、真空チャンバ２ａ内に発生したプラズマにより基板３０ａがプラズマ処理される。

次に、真空チャンバ２ｂに基板３０ｂが搬入される（ｔ＝ｔ_４〜ｔ_７）。具体的には、トレイ２７ｂに基板３０ｂが載置された蓋体２２ｂがチャンバ本体２１ｂ内に押し込まれ、チャンバ本体２１ｂが蓋体２２ｂで閉塞される。

次に、真空チャンバ２ａ内が大気開放される（ｔ＝ｔ_５〜ｔ_６）。具体的には、真空チャンバ２ａ内が大気圧（Ｐ_ａ）に昇圧されるまで、ガス供給部４により真空チャンバ２ａ内に窒素ガスが供給される。

次に、真空チャンバ２ａから基板３０ａが搬出される（ｔ＝ｔ_６〜ｔ_８）。具体的には、トレイ２７ａに基板３０ａが載置された蓋体２２ａがチャンバ本体２１ａから引き出される。

次に、真空チャンバ２ｂ内が真空排気される（ｔ＝ｔ_７〜ｔ_９）。具体的には、制御部７の指令の下、真空バルブ６２により真空チャンバ２ｂと真空ポンプ６１とを接続することでプラズマが発生可能な所定の真空値となるまで真空チャンバ２ｂが真空排気される。

次に、真空チャンバ２ｂ内でプラズマが発生され、基板３０ｂがプラズマ処理される（ｔ＝ｔ_９〜ｔ_１０）。具体的には、ガス供給部４により真空チャンバ２ｂ内にアルゴンなどのプラズマ発生用ガスを供給して真空チャンバ２ｂ内をプラズマ発生用ガスで充填する。その後、制御部７の指令の下、電源切り替え器３３により第２高周波電極２９ｂと高周波電源３１とを接続することで充填されたプラズマ発生用ガスに高周波電圧が印加され、真空チャンバ２ｂ内に発生したプラズマにより基板３０ｂがプラズマ処理される。

次に、真空チャンバ２ｂ内が大気開放される（ｔ＝ｔ_１０〜ｔ_１１）。具体的には、真空チャンバ２ｂ内が大気圧（Ｐ_ａ）に昇圧されるまで、ガス供給部４により真空チャンバ２ｂ内に窒素ガスが供給される。

最後に、真空チャンバ２ｂから基板３０ｂが搬出される（ｔ＝ｔ_１１〜ｔ_１２）。具体的には、トレイ２７ｂに基板３０ｂが載置された蓋体２２ａがチャンバ本体２１ｂから引き出される。

ここで、図２のプラズマ処理方法では、ｔ＝ｔ_２〜ｔ_５の期間、つまり真空チャンバ２ａ内が真空排気され、基板３０ａがプラズマ処理されている期間において、真空バルブ６２により真空チャンバ２ａと真空ポンプ６１とが接続される。そして、ｔ＝ｔ_５以降の期間、つまり基板３０ａのプラズマ処理が終了して以降の期間において、真空バルブ６２が切り替えられ、ｔ＝ｔ_７〜ｔ_１０の期間において、つまり真空チャンバ２ｂ内が真空排気され、基板３０ｂがプラズマ処理されている期間において、真空バルブ６２により真空チャンバ２ｂと真空ポンプ６１とが接続される。

従って、真空チャンバ２ａ及び２ｂは同じ１つの真空ポンプ６１で真空排気されるので、図３に示されるように、真空チャンバ２ａ及び２ｂについて、それぞれのプラズマ処理開始までの真空排気時間を同じにすることで、プラズマ処理（図３のｋ）の開始時点（図３のｔ_３及びｔ_９）での内部の圧力を同じ圧力Ｐ_ｐにすることができる。

これに対して、真空チャンバ２ａ及び真空チャンバ２ｂが異なる真空ポンプで異なる時間だけ真空排気され場合、例えば図４に示されるように、プラズマ処理（図４のｋ）の開始時点（図４のｔ_３及びｔ_９）において、真空チャンバ２ａ内部の圧力は圧力Ｐ_ｐになるのに対し、真空チャンバ２ｂ内部の圧力は圧力Ｐ_ｍ（≠Ｐ_ｐ）になる。

以上のように、本実施の形態のプラズマ処理方法によれば、真空チャンバ２ａ及び真空チャンバ２ｂについてプラズマ処理の開始時点の内部の圧力を揃えることができる。よって、複数の真空チャンバで同じプラズマ処理を行うことが可能なプラズマ処理方法を実現することができる。

以上、本発明のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。本発明の要旨を逸脱しない範囲内で当業者が思いつく各種変形を施したものも本発明の範囲内に含まれる。また、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、複数の実施の形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。

例えば、上記実施の形態において、プラズマ処理装置はプラズマ洗浄装置であるとしたが、基板にビアホール等を形成する際に、基板に対してエッチング加工を行うドライエッチング装置であっても構わない。

本発明は、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に利用でき、特に複数の真空チャンバを備えたプラズマ処理装置等に利用することができる。

２ａ、２ｂ真空チャンバ
３高周波電源部
４ガス供給部
５真空吸引部
２１ａ、２１ｂチャンバ本体
２２ａ、２２ｂ蓋体
２７ａ、２７ｂトレイ
２８ａ、２８ｂ第１高周波電極
２９ａ、２９ｂ第２高周波電極
３０ａ、３０ｂ基板
３１高周波電源
３２ａ、３２ｂ自動整合器
３３電源切り替え器
４３ａ、４３ｂガス導入管
６２真空バルブ
６３ａ、６３ｂ真空排気配管
６４圧力調整バルブ

Claims

被処理物がそれぞれ配設され、配設された前記被処理物に対してプラズマ処理を行う２つの真空チャンバと、
前記２つの真空チャンバのそれぞれに設けられた電極部と、
前記２つの真空チャンバに真空排気配管を介して接続され、前記２つの真空チャンバ内を真空排気する単一の真空ポンプと、
前記真空排気配管に設けられ、前記２つの真空チャンバと前記単一の真空ポンプとを断接することで前記２つの真空チャンバのいずれを前記真空ポンプと接続するかを切り換える真空バルブと、
前記２つの真空チャンバ内にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給部と、
前記電極部に高周波電圧を印加する高周波電源部とを備える
プラズマ処理装置。
前記プラズマ処理装置は、さらに、前記真空バルブを制御する制御部を備え、
前記制御部は、前記２つの真空チャンバのうちの一の真空チャンバと前記真空ポンプとを接続して前記一の真空チャンバを前記プラズマ処理が可能な所定の圧力とした後、前記２つの真空チャンバのうちの他の真空チャンバと前記真空ポンプとを接続して前記他の真空チャンバを前記所定の圧力とするように前記真空バルブを制御する
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
前記制御部は、前記一の真空チャンバと前記真空ポンプとを接続する時間と、前記他の真空チャンバと前記真空ポンプとを接続する時間とが同じになるように前記真空バルブを制御する
請求項２に記載のプラズマ処理装置。
プラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、
前記プラズマ処理装置は、
被処理物がそれぞれ配設される２つの真空チャンバと、
前記２つの真空チャンバのそれぞれに設けられた電極部と、
前記２つの真空チャンバに真空排気配管を介して接続された単一の真空ポンプとを備え、
前記２つの真空チャンバのうちの一の真空チャンバと前記真空ポンプとを接続して前記一の真空チャンバを真空排気する第１真空排気工程と、
真空排気された前記一の真空チャンバにプラズマ発生用ガスを供給し、前記一の真空チャンバ内の電極部に高周波電圧を印加することで、前記一の真空チャンバ内に配設された被処理物に対してプラズマ処理を行う第１プラズマ処理工程と、
前記２つの真空チャンバのうちの他の真空チャンバと前記真空ポンプとを接続して前記他の真空チャンバを真空排気する第２真空排気工程と、
真空排気された前記他の真空チャンバにプラズマ発生用ガスを供給し、前記他の真空チャンバ内の電極部に高周波電圧を印加することで、前記他の真空チャンバ内に配設された被処理物に対してプラズマ処理を行う第２プラズマ処理工程とを含む
プラズマ処理方法。
前記第１真空排気工程では、前記一の真空チャンバを前記プラズマ処理が可能な所定の圧力とし、
前記第２真空排気工程では、前記一の真空チャンバ内の被処理物にプラズマ処理を行った後、前記他の真空チャンバを前記所定の圧力とする
請求項４に記載のプラズマ処理方法。
前記第１真空排気工程における前記一の真空チャンバを真空排気する時間と、前記第２真空排気工程における前記他の真空チャンバを真空排気する時間とが同じである
請求項５に記載のプラズマ処理方法。