KR101992460B1 - 그라운딩 유닛 및 이를 포함하는 플라즈마 기판 처리장치 - Google Patents

그라운딩 유닛 및 이를 포함하는 플라즈마 기판 처리장치 Download PDF

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KR101992460B1
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김주만
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Abstract

본 발명은 챔버 내부에서 발생 가능한 플라즈마의 불균형을 해소할 수 있는 그라운딩 유닛 및 이를 포함하는 플라즈마 기판 처리장치를 제공하기 위하여, 기판의 공정공간을 형성하는 챔버 및 상기 공정공간 상부에 배치되는 상부전극 및 상기 공정공간 하부에 배치되며, 상기 기판이 안착되는 하부전극 및 상기 챔버 상부에서 상기 상부전극과 연결되며, 상기 챔버 내부에서 발생되는 플라즈마의 불균형이 해소되도록 상기 상부전극을 영역별로 접지시킬 수 있는 복수 개의 릴레이를 포함한다. 이에, 챔버 내부에서 발생되는 플라즈마를 영역별로 제어하여 챔버 내부에서 발생될 수 있는 플라즈마의 불균형을 해소할 수 있는 바, 공정효율이 향상될 뿐만 아니라 양질의 기판을 제조할 수 있는 효과가 있다.

Description

그라운딩 유닛 및 이를 포함하는 플라즈마 기판 처리장치{GROUNDING UNIT, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS USING PLASMA}
본 발명은 그라운딩 유닛 및 이를 포함하는 플라즈마 기판 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 기반으로 기판 처리를 수행하는 그라운딩 유닛 및 이를 포함하는 플라즈마 기판 처리장치에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 기판 처리장치는 챔버 내부로 반입된 기판을 플라즈마를 이용하여 처리한다. 이러한 플라즈마 기판 처리장치는 증착, 에칭 또는 이온 주입 등의 다양한 방식으로 기판의 처리를 수행한다.
여기서, 플라즈마 기판 처리장치는 유도결합 플라즈마(ICP: Inductively Coupled Plasma), 용량 결합 플라즈마(CCP: Capacitively Coupled Plasma) 및 개선 용량 결합 플라즈마(ECCP: Enhanced Capacitively Coupled Plasma) 등과 같이 다양한 발생 방식으로 기판 처리 챔버 내부에 플라즈마를 발생시킨다.
다만, 기판의 대면적화에 따라 기판 처리 챔버가 대형화되고 있어, 기판 처리 챔버 내부에서 발생되는 플라즈마의 밀도가 영역별로 상이해질 수 있었다. 이에, 기판 처리에 대한 공정효율이 저하될 뿐만 아니라, 양질의 기판을 제조하기 어려운 문제점이 있었다.
대한민국 공개특허공보 제10-2012-0090646호(플라즈마를 이용한 기판처리장치, 2012.08.17.)
본 발명의 목적은 챔버 내부에서 발생 가능한 플라즈마의 불균형을 해소할 수 있는 그라운딩 유닛 및 이를 포함하는 플라즈마 기판 처리장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마 기판 처리장치는 기판의 공정공간을 형성하는 챔버 및 상기 공정공간 상부에 배치되는 상부전극 및 상기 공정공간 하부에 배치되며, 상기 기판이 안착되는 하부전극 및 상기 챔버 상부에서 상기 상부전극과 연결되며, 상기 챔버 내부에서 발생되는 플라즈마의 불균형이 해소되도록 상기 상부전극을 영역별로 접지시킬 수 있는 복수 개의 릴레이를 포함한다.
상기 상부전극은 단일로 마련되고, 상기 상부전극과 상기 복수 개의 릴레이는 직렬 연결될 수 있다.
상기 복수 개의 릴레이는 자체 L값이 계산되어 상기 챔버에 기설정된 개수만큼 배치될 수 있다.
상기 플라즈마 기판 처리장치는 상기 플라즈마의 밀도가 저하되는 영역이 발생될 때에, 상기 플라즈마의 밀도가 저하된 영역에 대응되는 릴레이를 동작시켜 해당 영역의 플라즈마 밀도를 상승시킬 수 있다.
상기 복수 개의 릴레이는 함께 또는 개별적으로 상기 상부전극을 접지시킬 수 있다.
상기 복수 개의 릴레이는 진공 릴레이(Vacuum Relay)로 마련될 수 있다.
상기 상부전극과 상기 하부전극은 개선 용량 결합 플라즈마(ECCP: Enhanced Capacitively Coupled Plasma)를 발생시킬 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 그라운딩 유닛은 챔버 내부에 배치된 상부전극을 접지하는 그라운딩 유닛에 있어서, 상기 챔버 상부에서 상기 상부전극과 연결되며, 상기 챔버 내부에서 발생되는 플라즈마의 불균형이 해소되도록 상기 상부전극을 영역별로 접지시킬 수 있는 복수 개의 릴레이를 포함한다.
상기 상부전극은 단일로 마련되고, 상기 상부전극과 상기 복수 개의 릴레이는 직렬 연결될 수 있다.
상기 복수 개의 릴레이는 자체 L값이 계산되어 상기 챔버에 기설정된 개수만큼 배치될 수 있다.
상기 그라운딩 유닛은 상기 플라즈마의 밀도가 저하되는 영역이 발생될 때에, 상기 플라즈마 밀도가 저하된 영역에 대응되는 릴레이를 동작시켜 해당 영역의 플라즈마 밀도를 상승시킬 수 있다.
상기 복수 개의 릴레이는 함께 또는 개별적으로 상기 상부전극을 접지시킬 수 있다.
상기 복수 개의 릴레이는 진공 릴레이(Vacuum Relay)로 마련될 수 있다.
상기 상부전극과 상기 하부전극은 개선 용량 결합 플라즈마(ECCP: Enhanced Capacitively Coupled Plasma)를 발생시킬 수 있다.
본 발명에 따른 그라운딩 유닛 및 이를 포함하는 플라즈마 기판 처리장치는 챔버 내부에서 발생되는 플라즈마를 영역별로 제어하여 챔버 내부에서 발생될 수 있는 플라즈마의 불균형을 해소할 수 있는 바, 공정효율이 향상될 뿐만 아니라 양질의 기판을 제조할 수 있는 효과가 있다.
이상과 같은 본 발명의 기술적 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리장치의 챔버 상부면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리장치의 챔버 바닥을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리장치의 하부전극과 전원공급유닛의 연결을 나타낸 도면이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리장치의 하부전극과 전원공급유닛의 연결을 나타낸 도면이다.
도 6은 본 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리방법을 나타낸 순서도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 실시예는 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 위하여 과장되게 표현된 부분이 있을 수 있으며, 도면 상에서 동일 부호로 표시된 요소는 동일 요소를 의미한다.
도 1은 본 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리장치(100, 이하, 처리장치라 칭한다.)는 챔버(200)를 포함한다.
챔버(200)는 기판(S) 처리를 위한 공정 공간(200a)이 내부에 형성된다. 그리고 챔버(200)의 일측에는 게이트 밸브(210)가 마련되어, 기판(S)의 반입 및 반출 경로를 형성할 수 있다. 다만, 이는 본 실시예를 설명하기 위한 것으로 챔버(200)는 하부 챔버와, 하부 챔버로부터 승강되는 상부 챔버로 마련되어 기판(S)의 반입 및 반출 경로를 형성할 수 있다.
그리고 챔버(200)에는 챔버(200) 내부를 배기하여 공정 공간(200a)에 진공 분위기가 형성되도록 하는 배기홀(미도시)이 형성된다. 배기홀은 챔버(200) 외부에 마련된 진공펌프와 연결되어, 챔버(200) 내부가 배기되는 경로를 형성한다.
한편, 챔버(200)는 챔버(200) 내부에 개선 용량 결합 플라즈마(ECCP: Enhanced Capacitively Coupled Plasma)를 발생시키기 위한 플라즈마 발생유닛(300)이 마련된다. 이러한 플라즈마 발생유닛(300)은 상부전극(310) 및 하부전극(320)을 포함할 수 있다.
상부전극(310)은 챔버(200) 내부 상측에 배치되고, 하부전극(320)은 상부전극(310)에 대향되도록 챔버(200) 내부 하측에 배치된다. 여기서, 상부전극(310)과 하부전극(320)은 각각 평판 형태로 마련될 수 있으며, 하부전극(320)의 상부에는 기판(S)이 지지될 수 있다. 여기서, 상부전극(310)은 처리장치(100)의 출력단을 형성할 수 있으며, 하부전극(320)은 처리장치(100)의 입력단을 형성할 수 있다.
한편, 상부전극(310)에는 그라운딩 유닛(400)이 연결될 수 있다. 그라운딩 유닛(400)은 상부전극(310)을 접지시킬 뿐만 아니라, 그라운딩 유닛(400)의 제어에 따라 챔버(200) 내부에서 발생되는 플라즈마를 제어할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 그라운딩 유닛(400)에 대하여 상세히 설명하도록 한다. 다만, 상술된 구성요소에 대해서는 상세한 설명을 생략하고 동일한 참조부호를 부여하여 설명하도록 한다.
도 2는 본 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리장치의 챔버 상부면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 그라운딩 유닛(400)은 복수 개의 릴레이(410)를 포함할 수 있다. 여기서, 릴레이(410)는 내구성을 위해 진공 릴레이(Vacuum Relay)로 마련될 수 있으나, 이는 본 실시예를 설명하기 위한 것으로 릴레이(410)의 종류를 한정하지는 않는다.
이러한 복수 개의 릴레이(410)는 챔버(200) 상측벽 외면에 복수 개로 나열될 수 있으며, 각각이 상부전극(310)의 상부에 연결될 수 있다. 그리고 복수 개의 릴레이(410)는 상부전극(310)의 전면적에 대응되도록 챔버(200) 상부벽 외면에서 상호 이격 배치될 수 있다.
이러한 복수 개의 릴레이(410)는 상부전극(310)과 직렬로 연결되어, 단일의 상부전극(310)을 영역별로 접지시킬 수 있다. 여기서, 복수 개의 릴레이(410)는 On/Off동작에 따라 상부전극(310)의 일영역 또는 복수의 영역이 함께 또는 개별적으로 접지되거나 접지 상태를 해제하도록 할 수 있다.
이러한 복수 개의 릴레이(410)는 종래의 진공 가변 캐패시터(VVC: Vacuum Variable Capacitor)의 역할을 대신한다. 일반적으로, 개선 용량 결합 플라즈마의 발생에서는 상부전극(310)과 연결되는 복수 개의 진공 가변 캐패시터를 사용하여, 영역별로 플라즈마의 밀도를 제어할 수 있었다.
그러나 복수 개의 진공 가변 캐패시터를 이용하더라도 플라즈마의 밀도 변화가 크지 않아 챔버(200) 내부에서의 플라즈마 밀도차를 해소하기에는 무리가 있었다.
이에, 복수 개의 릴레이(410)는 챔버(200)의 설계 단계에서부터 자체 L값이 계산되어, 필요한 개수만큼의 릴레이(410)가 챔버(200) 상부벽에 배치될 수 있다. 이에, 플라즈마 밀도가 저하되는 영역이 발생된다면 해당 영역에 배치된 릴레이(410)를 동작시켜 플라즈마 밀도가 저하된 영역에 해당하는 상부전극(310)의 일영역이 접지되도록 한다. 이에, 접지된 해당 영역의 플라즈마 밀도가 상승하게 되고, 이를 기반으로 전체 플라즈마의 밀도차를 해소할 수 있다.
한편, 다시 도 1을 참조하면, 하부전극(320)에는 전원공급유닛(500)이 연결될 수 있다. 전원공급유닛(500)은 하부전극(320)으로 RF전원을 공급하여, 하부전극(320)과 상부전극(310) 사이에 개선 용량 결합 플라즈마가 발생되도록 한다. 여기서, 하부전극(320)에는 복수 개의 전원 공급부(511, 512)가 연결될 수 있으며 복수 개의 전원 공급부(511, 512)로부터 하부전극(320)으로 공급되는 RF전원은 상호 다른 주파수를 가질 수 있으나, 이를 한정하지는 않는다.
이러한 전원공급유닛(500)은 복수 개의 전원 공급부(511, 512)로부터 제공되는 RF전원을 하부전극(320)으로 공급한다. 여기서, 전원공급유닛(500)은 RF전원을 분기시켜, 분기된 RF전원이 하부전극(320)의 영역별로 공급되도록 할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 전원공급유닛(500)에 대하여 상세히 설명하도록 한다. 다만, 상술된 구성요소에 대해서는 상세한 설명을 생략하고 동일한 참조부호를 부여하여 설명하도록 한다.
도 3은 본 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리장치의 챔버 바닥을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 4는 본 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리장치의 하부전극과 전원공급유닛의 연결을 나타낸 도면이다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 전원공급유닛(500)은 전원공급라인(520) 및 분기모듈(530)을 포함할 수 있다.
먼저, 전원공급라인(520)은 챔버(200) 외측에 배치된다. 여기서, 전원공급라인(520)에는 복수 개의 전원 공급부(511, 512)가 함께 연결되어, 복수 개의 전원 공급부(511, 512)로부터 상이한 주파수를 갖는 RF전원이 함께 또는 선택적으로 인가될 수 있다.
그리고 분기모듈(530)은 전원공급라인(520)과 하부전극(320)을 연결하여, 전원공급라인(520)을 통해 제공되는 RF전원을 단일의 하부전극(320)에 영역별로 제공할 수 있다. 이러한 분기모듈(530)은 분기라인(531) 및 매칭부(532)를 포함할 수 있다.
분기라인(531)은 복수 개로 마련되어 전원공급라인(520)으로부터 제공되는 RF전원이 하부전극(320)의 영역별로 제공되도록 한다. 예컨대, 분기라인(531)은 제1 분기라인(531a), 제2 분기라인(531b), 제3 분기라인(531c), 제4 분기라인(531d), 제5 분기라인(531e), 제6 분기라인(531f) 및 제7 분기라인(531g)을 포함할 수 있다.
먼저, 제1 분기라인(531a)은 전원공급라인(520)의 상단에 연결되며, 이때 대략 중심영역이 전원공급라인(520)과 연결되어 전원공급라인(520)으로부터 제공되는 RF전원이 분기되는 경로를 형성한다.
그리고 제2 분기라인(531b)과 제3 분기라인(531c)은 제1 분기라인(531a)의 일단과 타단에 각각 중심영역이 연결되어 제1 분기라인(531a)으로부터 제공되는 RF전원을 분기시킨다.
그리고 제4 분기라인(531d)은 제2 분기라인(531b)의 일단과 제2 분기라인(531b)의 일단에 대응되는 하부전극(320)의 일영역을 연결하고, 제5 분기라인(531e)은 제2 분기라인(531b)의 타단과 제2 분기라인(531b)의 타단에 대응되는 하부전극(320)의 일영역을 연결한다.
그리고 제6 분기라인(531f)은 제3 분기라인(531c)의 일단과 제3 분기라인(531c)의 일단에 대응되는 하부전극(320)의 일영역을 연결하고, 제7 분기라인(531g)은 제3 분기라인(531c)의 타단과 제3 분기라인(531c)의 타단에 대응되는 하부전극(320)의 일영역을 연결한다.
이때, 제4 분기라인(531d), 제5 분기라인(531e), 제6 분기라인(531f) 및 제7 분기라인(531g)에 의해 임의로 구획된 하부전극(320)의 일영역(이하, 전극영역이라 칭한다.)은 대략 정사각형 형태로 구획되는 것이 바람직하며, 기판(S) 및 하부전극(320)의 형태에 따라 2*2, 및 2*3등과 같이 복수의 전극영역(320a)으로 형성될 수 있다.
한편, 본 실시예에서 분기라인(531)에 의해 임의로 구획된 전극영역(320a)을 정사각형으로 구획한 이유는 하부전극(320)으로 RF전극이 인가될 경우에 장변 측 중심의 플라즈마 밀도가 상대적으로 높아져 플라즈마 밀도가 영역별로 상이해지기 때문이다.
이에, 본 실시예서의 분기라인(531)은 전극영역(320a)을 정사각형 형태로 구획하여 각각의 전극영역(320a)으로 RF전극이 공급되도록 하는 바, 챔버(200) 내부에서 발생될 수 있는 플라즈마 밀도차를 해소할 수 있는 이점이 있다. 다만, 이는 본 실시예를 설명하기 위한 것으로, 전극영역(320a)의 형태를 정사각형으로 한정하는 것은 아니며 전극영역(320a)은 매칭부(532)의 배치구조에 따라 직사각형 형태를 포함한 다양한 형태로 임의 분할될 수 있다.
한편, 매칭부(532)는 복수의 전극영역(320a)을 각각 제어하기 위하여 복수 개로 마련될 수 있다. 본 실시예서는 전극영역(320a)이 4개로 구획되는 바, 매칭부(532)는 제1 매칭부(532a), 제2 매칭부(532b), 제3 매칭부(532c) 및 제4 매칭부(532d)로 마련될 수 있다.
먼저, 제1 매칭부(532a)는 제1 분기라인(531a)과 제4 분기라인(531d) 사이에서 제2 분기라인(531b)에 마련될 수 있고, 제2 매칭부(532b)는 제1 분기라인(531a)과 제5 분기라인(531e) 사이에서 제2 분기라인(531b)에 마련될 수 있다. 그리고 제3 매칭부(532c)는 제1 분기라인(531a)과 제6 분기라인(531f) 사이에서 제3 분기라인(531c)에 마련될 수 있고, 제4 매칭부(532d)는 제1 분기라인(531a)과 제7 분기라인(531g)의 사이에서 제3 분기라인(531c)에 마련될 수 있다.
이러한 매칭부(532)는 각각이 진공 가변 캐패시터로 마련될 수 있어 하부전극(320) 상부에서 발생되는 플라즈마의 밀도를 영역별로 제어 가능하도록 한다. 즉, 챔버(200) 내부에서 발생되는 플라즈마의 밀도가 저하되는 영역이 발생된다면, 해당 영역의 하측에 배치된 매칭부(532)를 제어하여, 플라즈마 밀도가 저하된 영역의 플라즈마 상태를 변화시킨다. 이에, 해당 영역의 플라즈마 밀도가 상승하게 되고, 이를 기반으로 전체 플라즈마의 밀도차를 해소할 수 있다.
한편, 본 실시예서는 하부전극(320)이 단일로 마련되는 것을 설명하고 있다. 그러나 이는 본 실시예를 설명하기 위한 것으로 하부전극(320)은 도 5와 같이 복수 개로 분할될 수 있다.
또한, 본 실시예서는 하부전극(320)이 4개의 전극영역(320a)으로 임의 구획되고, 각각의 영역에 대응되도록 4개의 매칭부(532)가 마련되는 것을 설명하고 있다. 그러나 이는 본 실시예를 설명하기 위한 것으로 전극영역(320a)과 매칭부(532)의 개수를 한정하지는 않으며, 전극영역(320a)과 매칭부(532)의 개수를 변화될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 플라즈마 처리방법에 대하여 상세히 설명하도록 한다. 다만, 상술된 구성요소에 대해서는 상세한 설명은 생략하고 동일한 참조부호를 부여하여 설명하도록 한다.
도 6은 본 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리방법을 나타낸 순서도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리방법은 로봇 암(미도시)에 의해 챔버(200) 내부로 기판(S)이 반입된다(S100). 이후, 챔버(200)는 폐쇄되고 챔버(200) 내부에는 기판(S) 처리를 위한 공정 분위기가 형성된다.
이후, 하부전극(320)을 통해 RF전원이 인가되고 복수 개의 릴레이(410) 중 적어도 하나 이상이 동작되면, 하부전극(320)과 상부전극(310) 사이에서는 개선 용량 결합 플라즈마가 발생되어 기판(S)에 대한 처리가 수행되도록 할 수 있다(S200).
여기서, 플라즈마의 불균형, 예컨대 밀도차가 발생된다면 작업자는 그라운딩 유닛(400) 또는 매칭부(532)를 제어하여 플라즈마를 영역별로 제어할 수 있다(S300). 다만, 이하에서는 그라운딩 유닛(400)의 제어 및 매칭부(532)의 제어를 구분하여 설명하나, 이는 본 실시예를 설명하기 위한 것으로 그라운딩 유닛(400) 및 매칭부(532)의 제어는 함께 수행될 수 있다.
먼저, 작업자는 그라운딩 유닛(400)을 제어하여 플라즈마의 밀도차를 해소할 수 있다. 즉, 챔버(200) 내부에서 발생된 플라즈마의 일영역이 낮은 밀도로 형성되어 플라즈마의 불균형이 발생된다면, 작업자는 낮은 밀도를 갖는 플라즈마 영역의 상부에 배치된 릴레이(410)를 작동시킨다. 이에 작동된 릴레이(410) 하측에 형성된 플라즈마의 밀도가 상승되며 플라즈마의 전체 균형이 유지되도록 한다.
또한, 복수의 영역에서 플라즈마가 낮은 밀도로 형성된다면 해당 영역들의 상부에 위치한 복수 개의 릴레이(410)를 작동시켜 플라즈마의 전체 균형이 유지되도록 할 수 있다.
한편, 작업자는 매칭부(532)를 제어하여 플라즈마의 밀도차를 해소할 수 있다. 즉, 챔버(200) 내부에서 발생된 플라즈마의 일영역이 낮은 밀도로 형성되어 플라즈마의 불균형이 발생된다면, 작업자는 낮은 밀도를 갖는 플라즈마 영역의 하부에 배치된 매칭부(532)를 제어하여, 해당 전극영역(320a)을 통해 제공되는 RF전원을 변화시킨다. 이에, 전극영역(320a)의 상측에 형성된 플라즈마의 밀도가 상승되며 플라즈마의 전체 균형이 유지되도록 한다.
또한, 복수의 영역에서 플라즈마가 낮은 밀도로 형성된다면 해당 영역들의 하부에 배치된 복수 개의 매칭부(532)를 제어하여 플라즈마의 전체 균형이 유지되도록 할 수 있다.
이와 같이, 전원공급유닛 및 이를 포함하는 플라즈마 기판 처리장치는 챔버 내부에서 발생되는 플라즈마를 영역별로 제어하여 챔버 내부에서 발생될 수 있는 플라즈마의 불균형을 해소할 수 있는 바, 공정효율이 향상될 뿐만 아니라 양질의 기판을 제조할 수 있는 효과가 있다.
앞에서 설명되고, 도면에 도시된 본 발명의 일 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.
100 : 플라즈마 기판 처리장치
200 : 챔버
300 : 플라즈마 발생유닛
400 : 그라운딩 유닛
500 : 전원공급유닛

Claims (14)

  1. 기판의 공정공간을 형성하는 챔버;
    상기 공정공간 상부에 배치되는 상부전극;
    상기 공정공간 하부에 배치되며, 상기 기판이 안착되는 하부전극; 및
    상기 챔버 상부에서 상기 상부전극과 연결되며, 상기 챔버 내부에서 발생되는 플라즈마의 불균형이 해소되도록 상기 상부전극을 영역별로 접지시킬 수 있는 복수 개의 릴레이를 포함하고,
    상기 상부전극은 단일로 마련되고,
    상기 상부전극과 상기 복수 개의 릴레이는 직렬 연결되는 플라즈마 기판 처리장치.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 복수 개의 릴레이는
    자체 L값이 계산되어 상기 챔버에 기설정된 개수만큼 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 기판 처리장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 플라즈마의 밀도가 저하되는 영역이 발생될 때에, 상기 플라즈마의 밀도가 저하된 영역에 대응되는 릴레이를 동작시켜 해당 영역의 플라즈마 밀도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 기판 처리장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 복수 개의 릴레이는
    함께 또는 개별적으로 상기 상부전극을 접지시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 기판 처리장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 복수 개의 릴레이는
    진공 릴레이(Vacuum Relay)로 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 기판 처리장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 상부전극과 상기 하부전극은
    개선 용량 결합 플라즈마(ECCP: Enhanced Capacitively Coupled Plasma)를 발생시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 기판 처리장치.
  8. 챔버 내부에 배치된 상부전극을 접지하는 그라운딩 유닛에 있어서,
    상기 챔버 상부에서 상기 상부전극과 연결되며, 상기 챔버 내부에서 발생되는 플라즈마의 불균형이 해소되도록 상기 상부전극을 영역별로 접지시킬 수 있는 복수 개의 릴레이를 포함하고,
    상기 상부전극은 단일로 마련되고,
    상기 상부전극과 상기 복수 개의 릴레이는 직렬 연결되는 그라운딩 유닛.
  9. 삭제
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 복수 개의 릴레이는
    자체 L값이 계산되어 상기 챔버에 기설정된 개수만큼 배치되는 것을 특징으로 하는 그라운딩 유닛.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 플라즈마의 밀도가 저하되는 영역이 발생될 때에, 상기 플라즈마 밀도가 저하된 영역에 대응되는 릴레이를 동작시켜 해당 영역의 플라즈마 밀도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 그라운딩 유닛.
  12. 제8 항에 있어서,
    상기 복수 개의 릴레이는
    함께 또는 개별적으로 상기 상부전극을 접지시키는 것을 특징으로 하는 그라운딩 유닛.
  13. 제8 항에 있어서,
    상기 복수 개의 릴레이는
    진공 릴레이(Vacuum Relay)로 마련되는 것을 특징으로 하는 그라운딩 유닛.
  14. 제8 항에 있어서,
    상기 플라즈마는
    개선 용량 결합 플라즈마(ECCP: Enhanced Capacitively Coupled Plasma)인 것을 특징으로 하는 그라운딩 유닛.
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