JP2013135037A - 超音波洗浄方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】安定して高いパーティクル除去率が得られる超音波洗浄方法を提供する。
【解決手段】超音波洗浄方法は、気体が溶存された液体に超音波を照射することにより液体中の洗浄対象物を洗浄するための超音波洗浄方法であって、以下の工程を有している。第1の溶存気体濃度を有する液体に超音波が照射される。液体に超音波を照射した状態で、液体中の溶存気体濃度が第1の溶存気体濃度から第1の溶存気体濃度よりも低い第2の溶存気体濃度に変化される。第1の溶存気体濃度から第2の溶存気体濃度まで液体中の溶存気体濃度が変化する間、液体に超音波を照射することによりソノルミネッセンスが発生する。
【選択図】図4

Description

本発明は、超音波洗浄方法に関し、特に気体が溶存された液体に超音波を照射することにより液体中の洗浄対象物を洗浄するための超音波洗浄方法に関するものである。
従来、シリコンウエハ等の基板の製造プロセスにおいて、半導体デバイスの欠陥の原因となる有機物、金属不純物、パーティクル(微粒子)及び自然酸化膜等を当該基板から除去することを目的として、浸漬式や枚葉式などの基板の洗浄プロセスが行われている。
基板の洗浄プロセスでは、その目的に応じて様々な種類の洗浄方法が使用されている。特に、浸漬式の洗浄方法によりパーティクル等の異物を除去する場合には、洗浄槽内に収容された洗浄液中に基板を浸漬し、基板を浸漬した洗浄液にメガソニックと呼ばれる周波数が1MHz付近の超音波を照射する方法が用いられている。一般に、周波数が1MHz付近の超音波を使用すると、基板へのダメージを減少しつつ、基板表面上のサブミクロンサイズの微小パーティクルに対する洗浄効果を増大することができると考えられている。
ここで、洗浄液中の溶存気体の濃度がパーティクルなどの異物の除去効率に影響を与えることが知られている。たとえば、洗浄液として超純水を用い、当該超純水にメガソニックを照射して基板からパーティクルを除去する場合、基板からのパーティクル除去率は洗浄液中の溶存窒素濃度に影響を受けることが分かっている。より具体的には、洗浄液中の溶存気体濃度が所定範囲内であると、基板からのパーティクル除去率が相対的に高くなる(特許文献1および2)。したがって、洗浄プロセスにおいて洗浄液中の溶存窒素濃度などの溶存気体濃度をモニタリングし、洗浄液中の溶存気体濃度を一定の範囲内となるように制御すれば、理論的にはパーティクルを効果的に除去することが可能となる。
一方、洗浄液に超音波を照射した際に発生する微弱な発光挙動(ソノルミネッセンス)と基板のパーティクル除去挙動には何らかの関係があるとの報告がある(非特許文献1および2)。
特開平10−109072号公報 特開2007−250726号公報
"Behaviour of a Well Designed Megasonic Cleaning System",Solid State Phenomena Vols.103−104 (2005) pp.155−158 "Megasonics: a cavitation driven process",Solid State Phenomena Vols.103−104 (2005) pp.159−162
発明者のこれまでの基板の超音波洗浄に関する研究において、同一の溶存気体濃度、同一の超音波照射条件であってもパーティクル除去率が高い場合と低い場合があった。また、仮に高いパーティクル除去率が得られる状態が実現できたとしても、その状態を連続的に維持することが困難であった。
本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであり、安定して高いパーティクル除去率が得られる超音波洗浄方法を提供することを目的とする。
発明者らは、溶存気体濃度とソノルミネッセンスとの関係につてい鋭意研究した結果、同一の溶存気体濃度および同一の超音波照射条件であってもソノルミネッセンスが発生する場合と発生しない場合があることを見出した。また、パーティクル除去率とソノルミネッセンスの発生とに関連があり、ソノルミネッセンスが発生する場合はパーティクル除去率が高く、ソノルミネッセンスが発生しない場合はパーティクル除去率が低いことを見出した。さらに、最終的な溶存気体濃度が同一であっても、最初に高い溶存気体濃度で超音波照射を開始した後に、超音波照射を継続した状態で溶存気体濃度を低減させる方が、最初から一定の溶存気体濃度で超音波洗浄するよりも、パーティクル除去率が高いことを見出した。
ここで、最初に高い溶存気体濃度で超音波照射を開始した後に、超音波照射を継続した状態で溶存気体濃度を低減させた場合に、パーティクル除去率が高くなるメカニズムについて説明する。
まず、超純水に超音波を照射すると、キャビテーションにより溶存していた気泡が析出し、微細な気泡が発生し、その微細気泡が超音波振動や破裂などを起こし、その作用でウェハ表面のパーティクルが除去される。溶存気体濃度が極端に低い場合(脱気水に近い状態)では、溶存気体が少ないために微細な気泡の発生が少なく、パーティクル除去能力が小さい。溶存気体濃度が高すぎると、気泡が発生しやすくなり、微細気泡だけでなく大きな気泡も大量に発生してくる。大きな気泡は洗浄に有効な振動や破裂を起こしにくく、その上、大きな気泡自体が超音波伝播の妨げになるため、パーティクル除去能力が低くなる。
このような理由から、洗浄に効果のある微細な気泡が多く発生する条件でパーティクル除去能力が高くなり、その最適溶存濃度は中間的な濃度範囲のところに存在するものと考えられる。
しかしながら、今回の研究において、その中間的な濃度範囲における同じ溶存気体濃度であっても、ソノルミネッセンスが起こらない状態と起こる状態が存在することを見出した。詳しく観察すると、ソノルミネッセンスが起こらない状態においては、微細な気泡が発生していないことが分かった。ソノルミネッセンスを起こすためには、この微細気泡を発生させるためのきっかけを作ってやることが必要だということが分かった。
溶存気体濃度が高い状態は、超音波照射による気泡が発生しやすい状態である。溶存気体濃度が高い状態で超音波照射を開始することで、ソノルミネッセンスの発生を誘発する。そして、溶存気体濃度が高い状態のまま溶存気体濃度を下げていくと、微細気泡発生を継続させたまま目的の溶存気体濃度に持って行くことが可能になる。このようにして、洗浄能力の高い目的の溶存気体濃度の範囲において、安定的に微細気泡の発生を継続させることが可能になり、結果として高いパーティクル除去率が得られると考えられる。
本発明に係る超音波洗浄方法は、気体が溶存された液体に超音波を照射することにより液体中の洗浄対象物を洗浄するための超音波洗浄方法であって、以下の工程を有している。第1の溶存気体濃度を有する液体に超音波が照射される。液体に超音波を照射した状態で、液体中の溶存気体濃度が第1の溶存気体濃度から第1の溶存気体濃度よりも低い第2の溶存気体濃度に変化される。第1の溶存気体濃度から第2の溶存気体濃度まで液体中の溶存気体濃度が変化する間、液体に超音波を継続照射することによりソノルミネッセンスが持続発生する。
本発明に係る超音波洗浄方法によれば、最初に高い溶存気体濃度で超音波照射を開始した後に、超音波照射を継続した状態で溶存気体濃度を低減する。これにより、最初から一定の溶存気体濃度で超音波洗浄するよりも、高いパーティクル除去率を得ることができる。また、本発明に係る超音波洗浄方法によれば、幅広い溶存気体濃度の範囲でソノルミネッセンス状態を発生させることができるので、安定的に高いパーティクル除去率が得られる。
上記の超音波洗浄方法において、溶存気体濃度が第1の溶存気体濃度になった時点で超音波照射を開始してもよい。
上記の超音波洗浄方法において、第1の溶存気体濃度よりも低い第3の溶存気体濃度を有する液体に超音波照射を開始してもよい。
上記の超音波洗浄方法において、液体に超音波を照射した状態で、液体中の溶存気体濃度を第3の溶存気体濃度から第1の溶存気体濃度に変化させる工程とをさらに有していてもよい。
上記の超音波洗浄方法において好ましくは、第3の溶存気体濃度から第1の溶存気体濃度に変化させる工程は、第3の溶存気体濃度よりも高い溶存気体濃度を有する液体を洗浄対象物が収容されている洗浄槽に添加することにより行われる。
上記の超音波洗浄方法において好ましくは、気体は窒素であり、第2の溶存気体濃度は4ppm以上10ppm以下である。
本発明によれば、安定して高いパーティクル除去率が得られる超音波洗浄方法を提供することができる。
本実施の形態1に係る超音波洗浄装置を示す模式図である。 本実施の形態2に係る超音波洗浄装置を示す模式図である。 ソノルミネッセンスを観測するときの装置構成の一例である。 本実施の形態1に係る超音波洗浄方法を示すフロー図である。 本実施の形態1に係る超音波洗浄方法における溶存気体濃度と時間との関係を示す図である。 本実施の形態2に係る超音波洗浄方法を示すフロー図である。 本実施の形態2に係る超音波洗浄方法における溶存気体濃度と時間との関係を示す図である。 本発明例1に係る超音波洗浄方法を示すフロー図である。 本発明例1に係る超音波洗浄方法における溶存気体濃度と時間との関係を示す図である。 本発明例2に係る超音波洗浄方法を示すフロー図である。 本発明例2に係る超音波洗浄方法における溶存気体濃度と時間との関係を示す図である。 比較例に係る超音波洗浄方法を示すフロー図である。 比較例に係る超音波洗浄方法における溶存気体濃度と時間との関係を示す図である。 (a) 比較例の方法に係る溶存窒素濃度と発光状態との関係を示す図である。(b) 本発明例の方法に係る溶存窒素濃度と発光状態との関係を示す図である。
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照符号を付しその説明については繰り返さない。
(実施の形態1)
本実施の形態1の超音波洗浄方法が適用される超音波洗浄装置100は、図1に示すように、超純水などの洗浄液を内部に保持する洗浄槽20と、この洗浄槽20に洗浄液を供給する供給手段10と、洗浄槽20を収容する間接水槽21と、間接水槽21の底部に設置され、超音波を照射するための照射手段30と、洗浄槽20の内部に供給された洗浄液中の溶存窒素濃度をモニタリングするためのモニタリング手段40とを備える。供給手段10は、窒素ガスを溶存させた超純水を洗浄槽20に供給するための第1供給弁11と、脱気された超純水を当該洗浄槽20に供給するための第2供給弁12とを有する。
第1供給弁11は、図示しない第1タンクに接続されている。第1タンクには窒素ガスを溶存させた超純水が貯留されている。また、第2供給弁12は、図示しない脱気水製造装置に接続されている。脱気水製造装置には超純水が供給され、脱気膜を介して超純水中の溶存気体を取り除くことができる。窒素ガスを溶存させた超純水と脱気された超純水とは、第1供給弁11および第2供給弁12の下流側において第1供給弁11および第2供給弁12に接続された配管が合流して1本の配管となることにより混合される。なお、第1供給弁11および第2供給弁12の下流側に混合槽(図示せず)を設置してもよい。この場合、当該混合槽において窒素ガスを溶存させた超純水および脱気された超純水を完全に混合することができる。
そして、混合された超純水は、上述した第1供給弁11および第2供給弁12の下流側に接続され、洗浄槽20内に配置された配管を介して液導入管23に供給される。液導入管23は洗浄槽20の底面の外周端部近傍に配置されている。なお、第1供給弁11と第2供給弁12との開度を調節することにより、洗浄槽20の内部に導入される超純水の溶存窒素濃度および供給量を制御することができる。
液導入管23には、図示しないノズルが複数個配置されている。当該ノズルを介して、液導入管23から洗浄槽20の内部へと洗浄液である超純水が供給される。ノズルは、液導入管23の延在方向に沿って複数個、互いに間隔を隔てて配置されている。また、当該ノズルは、洗浄液を洗浄槽20のほぼ中央部(洗浄対象であるウエハWが保持されている領域)に向けて洗浄液を噴射するように設置されている。
洗浄槽20は、その内部にウエハWを保持するための保持部22が配置されている。ウエハWとしては、たとえば半導体ウエハを用いることができる。洗浄槽20の内部において、保持部22によりウエハWを保持した状態で、上述した混合超純水からなる洗浄液が液導入管23から洗浄槽20内部に供給される。
液導入管23は、上述したように、洗浄槽20の下部(底壁近傍あるいは底壁と側壁との接続である底壁の外周部に位置する領域)に配置されている。液導入管23からは、所定量の洗浄液(混合超純水)が洗浄槽20の内部へと供給される。洗浄槽20の内部は当該洗浄液により満たされ、また所定量の洗浄液が洗浄槽20の上部からオーバーフローするように、洗浄液の供給量は調整されている。これにより、図1に示すようにウエハWが洗浄槽20内の洗浄液に浸漬された状態になる。
間接水槽21には、上述した供給手段10とは異なる媒体の供給ライン(図示せず)が接続されている。当該供給ラインから媒体としての水が間接水槽21の内部に供給される。そして、間接水槽21に貯留された水に、上述した洗浄槽20の少なくとも底壁が接触した状態となっている。なお、間接水槽21に対しても供給ラインから所定量の水が供給され続けることにより、間接水槽21から水が一定量オーバーフローしている状態となる。
照射手段30は、間接水槽21の底壁に接続された状態で設置されている。照射手段30は、超音波を間接水槽21内の水に照射する。照射された超音波は、間接水槽21内の水、洗浄槽20の当該水と接触した部分(たとえば底壁)を介して、洗浄槽20内の洗浄液およびウエハWへと照射される。
ここで、照射手段30は、たとえば周波数20kHz以上2MHz以下、ワット密度0.05W/cm2以上7.0W/cm2以下の超音波を発振することができる。このように超音波を洗浄液およびウエハWに照射することにより、当該洗浄液に浸漬されたウエハWを効率的に洗浄することができる。なお、照射手段30から照射される超音波としては、好ましくは周波数範囲が400kHz以上1MHz以下である超音波を用いる。
モニタリング手段40は、洗浄槽20の内部から所定量の洗浄液を抽出する抽出管41と、抽出管41に接続され、溶存窒素濃度計43に洗浄液を導入するためのポンプ42と、ポンプ42の下流側に接続された溶存窒素濃度計43とを含む。溶存窒素濃度計43からは洗浄液における溶存窒素濃度の測定データが超音波洗浄装置の制御装置や外部表示装置などへ出力される。溶存窒素濃度計43としては、任意の構成の装置を用いることができるが、たとえば洗浄液に含まれる溶存気体成分を高分子膜を介して受容器に導入し、この受容器内の熱伝導度の変化に基づいて当該気体成分の濃度を計算する測定装置を用いることができる。
洗浄槽20は、たとえば厚みが3.0mmの石英ガラスにより構成される。洗浄槽20は任意の形状とすることができるが、たとえば洗浄槽20として、内寸が幅270mm×奥行き69mm×高さ270mmの角型水槽を用いる。洗浄槽20の容量は5リットルである。
なお、洗浄槽20の底壁を構成する石英ガラスの板材の厚さは、照射手段30から出射される超音波の周波数に応じて適宜調整することが好ましい。たとえば、照射手段30から出射される超音波の周波数が950kHzである場合には、底壁を構成する板材の厚みは3.0mmであることが好ましい。また、照射手段30から出射される超音波の周波数が750kHzである場合には、底壁を構成する板材の厚みはたとえば4.0mmであることが好ましい。
洗浄槽20に供給手段10から供給される洗浄液(混合超純水)の量は5リットル/分であってもよい。また、照射手段30から照射される超音波の周波数は上述の950kHzと750kHzであってもよく、出力は1200W(ワット密度5.6W/cm2)であってもよい。また、照射手段30における振動板の輻射面のサイズは80mm×270mmであってもよい。
図3を参照して、ソノルミネッセンス(発光現象)を観測する装置構成について説明する。まず、超音波発生装置1と発光検出装置60とを暗室50の内部に配置する。発光検出装置60は画像処理装置61に接続されている。ここで、発光検出装置60として用いるイメージインテンシファイアユニット(極微弱光検知増倍ユニット)とは、極微弱な光を検知・増倍して、コントラストのついた像を得るための装置である。当該ユニットとして、具体的には、浜松ホトニクス製イメージインテンシファイア(V4435U−03)を使用したユニットを用いることができる。当該ユニットは、光電面の材質がCs−Teであり、感度波長範囲が160〜320nmであり、また、最高感度波長が250nmである。なお、超音波を水に照射した際の発光は、水の分解により発生するヒドロキシラジカル(OHラジカル)によるものと考えられており、当該発光の波長は309nm付近の紫外領域であるとされる。したがって、ここでは上記波長を感度波長範囲に持つ光電面材質(Cs−Te)を有するイメージインテンシファイアユニットを使用した。なお、発光検出装置60として光電子増倍管を用いてもよい。なお、装置の条件については、たとえば超音波周波数、超音波強度、溶液を保持する水槽デザイン、溶液の供給量などの条件が挙げられる。
次に、本実施の形態に係る超音波洗浄方法について説明する。
図4および図5を参照して、本実施の形態の超音波洗浄方法について説明する。本実施の形態の超音波洗浄方法は、窒素などの気体が溶存された液体に超音波を照射することにより液体中に浸漬されているウエハW(洗浄対象物)を洗浄するための方法であって、主に以下の工程を有している。
まず、溶存気体濃度を第1の溶存気体濃度に調整する工程(S11)が実施される。たとえば、図1に示した洗浄装置を用いて、窒素ガスを溶存させた超純水と脱気された超純水とを混合して、第1の溶存気体濃度を有する液体を準備する。この時点での液体の溶存気体濃度は第1の溶存気体濃度(C1)である。この時点では液体に対して超音波が照射されておらず、ソノルミネッセンスは発生していない。
次に、超音波照射を開始する工程(S12)が実施される。超音波照射が開始されるときの液体の溶存気体濃度は、第1の溶存気体濃度である。図1に示した超音波を照射するための照射手段30によって、液体に対して超音波が照射される。超音波が照射されると、ソノルミネッセンスが発生する。ソノルミネッセンスは、図3で示したようなイメージインテンシファイアや光電子倍増管により検知することができる。
次に、溶存気体濃度を第1の溶存気体濃度(C1)から第2の溶存気体濃度(C2)へ変化させる工程(S13)が実施される。溶存気体濃度の変化は、たとえば、図1に示した超音波洗浄装置100の第1供給弁11を調節することで窒素ガスが溶存された超純水の供給量を減少させることにより行うことができる。また、超音波洗浄装置100の第2供給弁12を調節することで窒素ガスが溶存されていない超純水の供給量を増加させることにより行うことができる。さらに、第1供給弁11および第2供給弁12の双方を調整することによって、液体の溶存気体濃度を調整することもできる。液体中の溶存気体濃度が第1の溶存気体濃度(C1)から第2の溶存気体濃度(C2)まで変化している間、液体に超音波が継続的に照射される。また、液体に超音波が照射されている間、ソノルミネッセンス発生状態が継続する。液体の溶存気体濃度が第2の溶存気体濃度になってから、その液体の中に洗浄対象物であるウエハWが配置される。ウエハWの洗浄が終了するまで暫く超音波照射は継続される。
次に、超音波照射を停止する工程(S14)が実施される。これによりウエハWの洗浄が終了する。超音波照射を停止する前にウエハWを取り出してもよい。超音波照射が停止すると、ソノルミネッセンスは発生しなくなる。
ここで、第1の溶存気体濃度(C1)と第2の溶存気体濃度(C2)の決定方法について説明する。たとえば、溶存気体濃度の異なる洗浄液を準備し、洗浄液に洗浄対象物であるウエハWが浸漬される。その後、洗浄液の溶存気体濃度以外は同じ条件で洗浄液に超音波を照射してウエハWを洗浄する。その際、単純に超音波の照射を開始しただけではソノルミネッセンスが発生しない溶存気体濃度では、本発明の方法によりソノルミネッセンスを発生させてやる必要がある。その結果、最も洗浄効率が高い洗浄液の溶存気体濃度を最適溶存気体濃度とし、その濃度が第2の溶存気体濃度として決定される。ウエハWの洗浄は最終的には第2の溶存気体濃度を有する液体において行われるため、第2の溶存気体濃度は最適溶存気体濃度に近い濃度であることが好ましい。しかしながら、第2の溶存気体濃度は、ソノルミネッセンスが発生する濃度であれば最適溶存気体濃度でなくても構わない。第1の溶存気体濃度は、第2の溶存気体濃度よりも高い濃度として決定される。
次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態の洗浄方法では、最初に高い溶存気体濃度で超音波照射を開始した後に、超音波照射を継続した状態で溶存気体濃度を低減する。これにより、一定の溶存気体濃度で洗浄するよりも、高いパーティクル除去率を得ることができる。また、本実施の形態の方法では、幅広い溶存気体濃度の範囲でソノルミネッセンス状態を発生させることができるので、安定的に高いパーティクル除去率が得られる。
(実施の形態2)
本実施の形態2の超音波洗浄方法が適用される超音波洗浄装置200について、図2を用いて説明する。超音波洗浄装置200は高い溶存気体濃度を有する液体を供給するための第3供給弁13を有している点において超音波洗浄装置100と異なっており、その他の部分は超音波洗浄装置100とほぼ同じである。
次に、本実施の形態2の超音波洗浄方法について、図6および図7を参照して説明する。
まず、溶存気体濃度を第3の溶存気体濃度に調整する工程(S21)が実施される。たとえば、図2に示した洗浄装置を用いて、窒素ガスを溶存させた超純水と脱気された超純水とを混合して、第3の溶存気体濃度を有する液体を準備する。この時点での液体の溶存気体濃度は第3の溶存気体濃度(C3)である。この時点では液体に対して超音波が照射されておらず、ソノルミネッセンスは発生していない。第3の溶存気体濃度は、上述した第1の溶存気体濃度よりも低い濃度である。第3の溶存気体濃度は、上述した第2の溶存気体濃度と同じ程度であってもよい。また、第3の溶存気体濃度は、第2の溶存気体濃度よりも高くても低くてもよい。
次に、超音波照射を開始する工程(S22)が実施される。超音波照射が開始されるときの液体の溶存気体濃度は、第3の溶存気体濃度である。ウエハWが浸漬された液体に対して、たとえば図2に示した超音波を照射するための照射手段30によって、液体に対して超音波が照射される。実施の形態1とは異なり、超音波が照射されても、この段階ではソノルミネッセンスが発生するとは限らない。本実施の形態2では、超音波照射を開始した時点において、ソノルミネッセンスが発生していない。
次に、溶存気体濃度を第3の溶存気体濃度(C3)から第1の溶存気体濃度(C1)へ変化させる工程(S23)が実施される。溶存気体濃度の変化は、たとえば、図2に示した洗浄装置の第3供給弁13を調節し、高い溶存気体濃度を有する液体がウエハWが収容されている洗浄槽20に供給されることにより行われる。液体の溶存気体濃度が第3の溶存気体濃度(C3)から第1の溶存気体濃度(C1)に変化している間、液体に対して超音波が継続的に照射される。液体の溶存気体濃度が第3の溶存気体濃度(C3)である時点ではソノルミネッセンスが発生しておらず非発光状態であるが、第3の溶存気体濃度(C3)から第1の溶存気体濃度(C1)になる途中でソノルミネッセンスが発生し発光状態になる。
次に、溶存気体濃度を第1の溶存気体濃度(C1)から第2の溶存気体濃度(C2)へ変化させる工程(S24)が実施される。溶存気体濃度の変化は、実施の形態1で説明した場合と同様に、図2に示した超音波洗浄装置200の第1供給弁11および第2供給弁12を調節することによって準備することができる。液体中の溶存気体濃度が第1の溶存気体濃度(C1)から第2の溶存気体濃度(C2)まで変化している間、液体に超音波が継続的に照射される。また、液体に超音波が照射されている間、ソノルミネッセンス発生状態が継続する。液体の溶存気体濃度が第2の溶存気体濃度になってから、その液体の中に洗浄対象物であるウエハWが配置される。洗浄対象物の洗浄が終了するまで暫く超音波照射は継続される。
次に、超音波照射を停止する工程(S25)が実施される。これによりウエハWの洗浄が終了する。超音波照射を停止する前にウエハWを取り出してもよい。超音波照射が停止すると、ソノルミネッセンスは発生しなくなる。
本実施の形態の作用効果は、実施の形態1の作用効果と同様である。
本実験の目的は、本発明に係る洗浄方法と比較例に係る洗浄方法とを用いてウエハWを洗浄し、ウエハWに付着しているパーティクルの除去率の違いを検証することである。
まず、本実験に用いられる洗浄装置について図1を用いて説明する。
実験に用いられる洗浄槽20として、厚みが3.0mmの石英ガラスにより構成された角型水槽を使用した。水槽の、内寸を幅270mm×奥行き69mm×高さ270mmとした。底壁を構成する板材の厚みを4.0mmとした。洗浄槽20の容量を5リットルとした。
洗浄槽20に供給手段10から供給される洗浄液(混合超純水)の量は5リットル/分とした。また、照射手段30から照射される超音波の周波数を750kHzとし、出力を1200W(ワット密度5.6W/cm2)とした。また、照射手段30における振動板の輻射面のサイズを80mm×270mmとした。照射手段30から出射される超音波は洗浄槽20の底面全体に照射される。
窒素ガスを溶存させた超純水の供給量を調節する第1供給弁11と脱気水の供給量を調節する第2供給弁12を操作することにより、窒素が溶存された超純水を5リットル/分で洗浄槽20に供給した。溶存窒素濃度はモニタリング手段40により水槽内の超純水をサンプリングして測定した。
次に、パーティクル除去率の測定に用いられる洗浄対象物について説明する。
洗浄対象物としては、直径200mmのP型シリコンウエハが用いられた。P型シリコンウエハのミラー面に二酸化ケイ素粒子をスピンコートにより付着させた。付着量は、110nm以上の粒子で2000〜3000個であった。
次に、パーティクル除去率の測定方法について説明する。
二酸化ケイ素粒子が付着されたウエハを水槽内に浸漬し10分間洗浄した。その後、ウエハをスピンドライヤーで2分間乾燥した。パーティクル除去率は、洗浄後に減少したパーティクルの個数を洗浄前のウエハに付着していたパーティクルの個数で除した値をパーセント表示したものとして求められる。なお、パーティクル付着量測定には、日立DECO製LS6500を使用した。
(本発明例1)
本発明例1に係る洗浄方法について、図8および図9を参照して説明する。
まず、溶存窒素濃度が14ppmに調整された液体が準備される(S41)。超音波が液体に照射される前の段階では、ソノルミネッセンスは観測されない(非発光状態)。次に、溶存窒素濃度が14ppmの状態で超音波照射を開始した(S42)。超音波照射が開始されると、ソノルミネッセンスが発生する(発光状態)。ソノルミネッセンスの発生はイメージインテンシファイアユニットにより確認された。その後、液体の溶存窒素濃度を14ppmから6ppmに調整した(S43)。溶存窒素濃度の調整は、図1に示す超音波洗浄装置100の、窒素ガスを溶存させた超純水の供給量を調節する第1供給弁11と脱気水の供給量を調節する第2供給弁12を操作して、溶存窒素濃度6ppmの超純水5リットル/分を洗浄槽20に供給することにより行われた。溶存窒素濃度を14ppmから6ppmに徐々に変化させている間、超音波は液体に継続的に照射された。超音波が照射されている間、ソノルミネッセンスが継続的に発生していた。この状態において、当該液体に洗浄対象物である二酸化ケイ素粒子が付着したウエハWを浸漬し、10分間の洗浄を実施し、その後ウエハWをスピンドライヤーで2分間乾燥した。
(本発明例2)
本発明例2に係る洗浄方法について、図10および図11を参照して説明する。
まず、溶存窒素濃度が6ppmに調整された液体が準備される(S51)。溶存窒素濃度の調整は、図2に示す超音波洗浄装置200の、窒素ガスを溶存させた超純水の供給量を調節する第1供給弁11と脱気水の供給量を調節する第2供給弁12を操作して、溶存窒素濃度6ppmの超純水5リットル/分を洗浄槽20に供給することにより行われた。次に、溶存窒素濃度が6ppmの状態で超音波照射を開始した(S52)。超音波照射を開始した時点では、ソノルミネッセンスは観測されなかった。次に、超音波照射を継続したまま、溶存窒素濃度が15ppmである超純水を洗浄槽20に添加した(S53)。溶存窒素濃度が15ppmである超純水は、15ppmの超純水供給ラインから水槽へとつながる第3供給弁13を開くことにより、5リットル/分の流量で洗浄槽20に供給された。モニタリング手段40により水槽内の超純水をサンプリングして溶存窒素濃度を測定したところ、いったん10ppmを超えて発光が開始した。溶存窒素濃度が15ppmである超純水の供給を続けると、洗浄槽20中の液体の溶存窒素濃度は14ppmに到達した。その後、第3供給弁を閉じることで15ppmの超純水の供給を停止した。しばらくすると、洗浄槽20内の液体の溶存窒素濃度は6ppmになった。溶存窒素濃度が6ppmに戻っても発光状態は継続していた。この状態において、当該液体に洗浄対象物である二酸化ケイ素粒子が付着したウエハWを浸漬し、10分間の洗浄を実施し、その後ウエハWをスピンドライヤーで2分間乾燥した。
(比較例)
比較例に係る洗浄方法について、図12および図13を用いて説明する。
まず、溶存窒素濃度が6ppmに調整された液体が準備される(S31)。溶存窒素濃度の調整は、窒素ガスを溶存させた超純水の供給量を調節する第1供給弁11と脱気水の供給量を調節する第2供給弁12を操作することで、溶存窒素濃度6ppmの超純水を、5リットル/分で洗浄槽20に供給することで行われた。その後、超音波照射が開始された(S32)。超音波照射は、溶存窒素濃度が6ppmの条件下で、上記本発明例1および本発明例2と同じ条件で超音波を照射することにより行われた。超音波が照射された状態でイメージインテンシファイアユニットによる観察をしたところ、非発光状態であることが確認された。この状態において、当該液体に洗浄対象物である二酸化ケイ素粒子が付着したウエハWを浸漬し、10分間の洗浄を実施し、その後ウエハWをスピンドライヤーで2分間乾燥した。
次に、パーティクル除去率の結果を表1を用いて説明する。
Figure 2013135037
表1に示すように、比較例の洗浄方法によるパーティクル除去率は18.8%であった。一方、本発明例1の洗浄方法によるパーティクル除去率は30.5%であった。また、本発明例2の洗浄方法によるパーティクル除去率は30.6%であった。本発明例1および2のパーティクル除去率は、比較例のパーティクル除去率よりも高かった。また、本発明例1および2では発光(ソノルミネッセンス)が観測されたが、比較例では発光(ソノルミネッセンス)が観測されなかった。
この実験により、本発明に係る洗浄方法はパーティクル除去率を向上させることが示された。また、パーティクル除去率が高い場合は、発光(ソノルミネッセンス)が観測され、パーティクル除去率が低い場合には、発光(ソノルミネッセンス)が観測されないことも確認された。
本実験の目的は、本発明に係る洗浄方法と比較例に係る洗浄方法とを用いて液体の溶存窒素濃度を調整したときの、発光(ソノルミネッセンス)状態と最終的な溶存窒素濃度との関係を調べることである。
本発明例では、まず溶存窒素濃度が15ppmである液体を準備する。この液体に対して超音波照射を開始する。超音波の周波数は750kHzであり、出力は1200Wである。この状態からイメージインテンシファイアユニットで発光の有無を観察する。その後、溶存窒素濃度を、15ppmから1ppmステップ毎に低減させていきながら各溶存窒素濃度条件で発光の有無を観察した。
比較例では、溶存窒素濃度が0ppm〜15ppmまでの液体を準備した。溶存窒素濃度は0ppmから15ppmまで1ppmステップ毎に調整し、合計16種類の液体を準備した。その後、それぞれの液体に対して超音波照射を開始した。超音波の条件は本発明例と同じである。それぞれの液体に超音波照射を行いながら、イメージインテンシファイアユニットで発光の有無を観察した。
本実験の結果を、図14を用いて説明する。
比較例の結果を図14(a)に示し、本発明例の結果を図14(b)に示す。図14(a)に示すように、直接目的の溶存窒素濃度に調整した液体を用いた場合、溶存窒素濃度が10ppm以上15ppm以下の範囲で発光状態が確認された。一方、図14(b)に示すように、まず最初に高い溶存窒素濃度に調整しておき、その後溶存窒素濃度を低減させて目的とする溶存窒素濃度に調整した液体を用いた場合、溶存窒素濃度が4ppm以上15ppm以下の範囲で発光状態が確認された。つまり、最終的な溶存窒素濃度が同じでも、溶存窒素濃度の調整の方法によって液体の発光状態が変わることが確認された。また、実施例1で確認されたように、パーティクル除去率は発光状態でウエハWを洗浄したときの方が非発光状態でウエハWを洗浄したときよりも高くなる。つまり、本発明例の洗浄方法の方が比較例の洗浄方法よりも、広い溶存窒素濃度範囲で高いパーティクル除去率を得ることできる。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態および実施例ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
10 供給手段、11 第1供給弁、12 第2供給弁、13 第3供給弁、20 洗浄槽、21 間接水槽、22 保持部、23 液導入管、30 照射手段、40 モニタリング手段、41 抽出管、42 ポンプ、43 溶存窒素濃度計、50 暗室、60 発光検出装置、61 画像処理装置、100,200 超音波洗浄装置、W ウエハ。

Claims (5)

  1. 気体が溶存された液体に超音波を照射することにより前記液体中の洗浄対象物を洗浄するための超音波洗浄方法であって、
    第1の溶存気体濃度を有する前記液体に超音波を照射する工程と、
    前記液体に超音波を照射した状態で、前記液体中の溶存気体濃度を前記第1の溶存気体濃度から前記第1の溶存気体濃度よりも低い第2の溶存気体濃度に変化させる工程とを備え、
    前記第1の溶存気体濃度から前記第2の溶存気体濃度まで前記液体中の前記溶存気体濃度が変化する間、前記液体に超音波を照射することによりソノルミネッセンスが発生する、超音波洗浄方法。
  2. 前記溶存気体濃度が前記第1の溶存気体濃度になった時点で超音波照射を開始する、請求項1に記載の超音波洗浄方法。
  3. 前記第1の溶存気体濃度よりも低い第3の溶存気体濃度を有する前記液体に超音波照射を開始する工程と、
    前記液体に超音波を照射した状態で、前記液体中の前記溶存気体濃度を前記第3の溶存気体濃度から前記第1の溶存気体濃度に変化させる工程とをさらに備えた、請求項1に記載の超音波洗浄方法。
  4. 前記第3の溶存気体濃度から前記第1の溶存気体濃度に変化させる工程は、前記第3の溶存気体濃度よりも高い前記溶存気体濃度を有する液体を前記洗浄対象物が収容される洗浄槽に添加することにより行われる、請求項3に記載の超音波洗浄方法。
  5. 前記気体は窒素であり、前記第2の溶存気体濃度は4ppm以上10ppm以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の超音波洗浄方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5872382B2 (ja) * 2012-05-24 2016-03-01 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトSiltronic AG 超音波洗浄方法
CN114054428A (zh) * 2021-12-22 2022-02-18 福州大学 利用高速摄影机辅助拍摄超声波空化气泡的研究方法
CN114871210B (zh) * 2022-07-08 2022-10-28 深圳市帝迈生物技术有限公司 样本分析仪的清洗方法、样本分析仪及其控制装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10109072A (ja) * 1996-10-04 1998-04-28 Puretetsuku:Kk 高周波洗浄装置
JP2000350282A (ja) * 1999-06-01 2000-12-15 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 超音波洗浄制御装置及び超音波洗浄制御方法
JP2004022572A (ja) * 2002-06-12 2004-01-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および不活性ガス濃度制御方法
JP2005288302A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Kansai Coke & Chem Co Ltd 酸化チタン複合木質炭化物を用いた液体の処理方法
JP2007250726A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置、プログラム、および記録媒体
WO2008050832A1 (fr) * 2006-10-27 2008-05-02 Tokyo Electron Limited Appareil et procédé de nettoyage de substrat, programme et support d'enregistrement
JP2009032710A (ja) * 2007-07-24 2009-02-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2011183300A (ja) * 2010-03-08 2011-09-22 Hitachi Kokusai Denki Engineering:Kk 超音波洗浄装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3893869A (en) * 1974-05-31 1975-07-08 Rca Corp Megasonic cleaning system
JP2002316027A (ja) * 2001-04-19 2002-10-29 Ebara Corp ガス溶解水製造装置、およびその方法、超音波洗浄装置、およびその方法
JP4036626B2 (ja) * 2001-09-27 2008-01-23 シャープ株式会社 超音波洗浄方法および超音波洗浄装置
JP2003234320A (ja) * 2002-02-06 2003-08-22 Nec Electronics Corp 基板の洗浄方法、洗浄薬液、洗浄装置及び半導体装置
US7443079B2 (en) * 2004-09-17 2008-10-28 Product Systems Incorporated Method and apparatus for cavitation threshold characterization and control
JP4934079B2 (ja) * 2008-02-28 2012-05-16 信越半導体株式会社 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10109072A (ja) * 1996-10-04 1998-04-28 Puretetsuku:Kk 高周波洗浄装置
JP2000350282A (ja) * 1999-06-01 2000-12-15 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 超音波洗浄制御装置及び超音波洗浄制御方法
JP2004022572A (ja) * 2002-06-12 2004-01-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および不活性ガス濃度制御方法
JP2005288302A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Kansai Coke & Chem Co Ltd 酸化チタン複合木質炭化物を用いた液体の処理方法
JP2007250726A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置、プログラム、および記録媒体
WO2008050832A1 (fr) * 2006-10-27 2008-05-02 Tokyo Electron Limited Appareil et procédé de nettoyage de substrat, programme et support d'enregistrement
JP2009032710A (ja) * 2007-07-24 2009-02-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2011183300A (ja) * 2010-03-08 2011-09-22 Hitachi Kokusai Denki Engineering:Kk 超音波洗浄装置

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