JP2013134801A - フラッシュメモリの検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】欠陥を有するフラッシュメモリを選んで、利用可能なフラッシュメモリを回収する方法を提供する。
【解決手段】フラッシュメモリの検査方法は、フラッシュメモリに検査コマンドを入力し、フラッシュメモリに対して書き、読み、比較のうちの少なくとも１つを行うステップ（Ｓ１１）と、検査コマンドを実行した後に正常な状態又は異常な状態であるブロック、ページ、セルのうちの少なくとも１つを得るステップ（Ｓ１２）と、フラッシュメモリの分布リストへブロック、ページ、セルのうちの少なくとも１つを標記するステップ（Ｓ１３）と、フラッシュメモリの分布リストに基づき、正常な状態で標記されているブロック、ページ、セルのうちの少なくとも１つを使用するステップ（Ｓ１４）とを含む。
【選択図】図１

Description

本発明はフラッシュメモリの検査方法に関し、特に、欠陥を有するフラッシュメモリを選んで、利用可能なフラッシュメモリを回収する方法に関する。

現在、メモリ領域（ブロック、ページ及びセルを含む）を有するフラッシュメモリは、時間の経過に伴い劣化したり損壊したりし、フラッシュメモリを使用する電子装置が使用できなくなることがある。

例えば、フラッシュメモリを使用する電子製品（例えば、スマートフォン、デジタルカメラ、メモリカードなど）は、２、３年使用すると欠陥が生じるため、回収システムにより当該電子製品を製造したメーカが回収するのが一般的である。製品を回収したメーカは、電子製品を分解し、まだ使用可能なユニット（例えば、ＬＣＤ表示パネル、プリント回路基板、フラッシュメモリ（例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ）など）を回収するとともに、再度、組み立てて検査してから包装し、ローエンド電子製品の再生品又は新品として再び販売する。しかし、例えばフラッシュメモリの場合、回収した後に、一部のメモリ領域しか正常に作動しないことが分かることがある。例えば、元々６４Ｇのメモリ領域を有するフラッシュメモリが、一定期間経過した後、１０Ｇのメモリ領域が損壊してしまうことがあり、この場合、正常な状態で使用できないために、６４Ｇのフラッシュメモリ全体を廃棄しなければならないことがある。

そのため、元々メモリ領域が６４Ｇであるフラッシュメモリを回収し、選択、検出、処理などの再構成過程を行うと、例えば、３２Ｇ、１６Ｇ、８Ｇ、４Ｇ、２Ｇ、１Ｇなどの規格化されたメモリ容量又は非規格化されたメモリ容量のフラッシュメモリを得ることができ、コストを下げて環境汚染を防止することができる。

本発明の目的は、フラッシュメモリに対して選択、検出及び処理を行って検査し、フラッシュメモリ中の依然として正常な状態で使用可能なメモリ領域（例えば、メモリブロック、メモリページ及びメモリセル）を回収するフラッシュメモリの検査方法を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明の第１の形態によれば、欠陥を有するフラッシュメモリを選択し、使用可能なフラッシュメモリを回収し、前記フラッシュメモリがブロック、ページ及びセルを含むフラッシュメモリの検査方法であって、前記フラッシュメモリに検査コマンドを入力し、前記フラッシュメモリに対して書き、読み、比較のうちの少なくとも１つを行うステップ（ａ）と、前記検査コマンドを実行した後に正常な状態又は異常な状態である前記ブロック、前記ページ、前記セルのうちの少なくとも１つを得るステップ（ｂ）と、前記フラッシュメモリの分布リストへ前記ブロック、前記ページ、前記セルのうちの少なくとも１つを標記するステップ（ｃ）と、前記フラッシュメモリの前記分布リストに基づき、正常な状態で標記されている前記ブロック、前記ページ、前記セルのうちの少なくとも１つを使用するステップ（ｄ）と、を含むことを特徴とするフラッシュメモリの検査方法が提供される。

また、前記ステップ（ａ）は、前記検査コマンドに基づき、前記ブロック、前記ページ、前記セルのうちの少なくとも１つを所定数値を有する状態にリセットするステップを含むことが好ましい。

また、前記ステップ（ｂ）は、前記ブロック、前記ページ、前記セルのうちの少なくとも１つの状態と、前記所定数値とを比較して比較結果を得るステップを含むことが好ましい。

また、前記ステップ（ｃ）は、前記比較結果に基づき、前記ブロック、前記ページ、前記セルのうちの少なくとも１つを標記するステップを含むことが好ましい。

また、前記検査コマンドは消去コマンドであることが好ましい。

また、前記所定数値は０ｘＦＦであることが好ましい。

また、前記ステップ（ｂ）は、前記ブロック、前記ページ、前記セルのうちの少なくとも１つを順次得るかランダムに得ることが好ましい。

また、前記ステップ（ｂ）を行った後に、前記セルを修復する最大訂正数を有する誤り訂正符号ユニットにより異常な状態であるセルを修復するステップ（ｅ）と、前記誤り訂正符号ユニットにより、前記異常な状態であるセルのセル訂正数を計算するステップ（ｆ）と、を行うことが好ましい。

また、前記ステップ（ｆ）を行った後に、前記最大訂正数に対する前記セル訂正数の比率を判断し、前記比率が所定の許容比率より小さい場合、前記異常な状態であるセルを修復し、前記フラッシュメモリの前記分布リストに正常な状態で標記するステップ（ｇ）を行うことが好ましい。

また、ステップ（ｇ）を行った後に、比率が所定の許容比率より大きい場合、前記異常な状態であるセルを修復し、前記フラッシュメモリの前記分布リストに異常な状態で標記するステップ（ｈ）を行うことが好ましい。

また、前記所定の許容比率は５０％であることが好ましい。

また、前記ステップ（ａ）を行う前に、コントロールユニットから前記フラッシュメモリへ消去コマンド及びプログラムコマンドを送り、前記フラッシュメモリのステータスピンに、レディ状態又はビジー状態を発生させるステップ（ｉ）と、前記正常な状態である前記ブロック、前記ページ、前記セルのうちの少なくとも１つを有する前記フラッシュメモリがレディ状態かビジー状態であることを判断するステップ（ｊ）と、を行うことが好ましい。

また、前記ステップ（ｉ）は、前記フラッシュメモリへ前記消去コマンド及び前記プログラムコマンドを送り、所定の前記レディ時間が経過した後、前記フラッシュメモリにより前記消去コマンド及び前記プログラムコマンドの実行が完了したことを確認するステップを含むことが好ましい。

また、前記フラッシュメモリがすでに実行した前記消去コマンド及び前記プログラムコマンドの標記フラッグを受け取るステップ（ｋ）と、前記標記フラッグに基づき、前記フラッシュメモリが回収したものであるか否かを再び判断するステップ（ｌ）と、をさらに含むことが好ましい。

また、前記ステップ（ｌ）を行った後に、前記フラッシュメモリが回収したものであると判断した場合、延長レディ時間を遅延させた後、前記フラッシュメモリが次の検査コマンドの受け取りを待つステップを行うことが好ましい。

また、前記ステップ（ｉ）は、前記レディ状態又は前記ビジー状態が高電位又は低電位に維持される場合に、前記レディ状態か前記ビジー状態であるかを判断せずに、一定の遅延時間の後に、前記レディ状態又は前記ビジー状態を再び得ることが好ましい。

また、前記ステップ（ｂ）を行った後に、前記異常な状態であるブロックに隣接した複数のブロックに対して再びステップ（ｂ）を行い、前記ブロック間に発生した影響を検査するステップ（ｍ）を行うことが好ましい。

また、前記ステップ（ｂ）を行った後に、前記異常な状態であるページに隣接した複数のページに対して再びステップ（ｂ）を行い、前記ページグループにより複数のページに発生した影響を検査するステップ（ｎ）を行うことが好ましい。

また、前記ステップ（ａ）を行う前に、前記フラッシュメモリの伝送ポートが高電位又は低電位を維持しているかに基づき、前記伝送ポートが間違ったページのデータを得たと判断するステップ（ｏ）を行うことが好ましい。

また、前記ステップ（ｂ）を行った後に、誤り訂正符号ユニットにより前記異常な状態であるセルを修復した数を監視し、前記セルの数の変化量に基づいて前記ブロック、前記ページ、前記セルのうちの少なくとも１つが正常な状態か異常な状態であるかを標記するステップ（ｐ）を行うことが好ましい。

また、前記ステップ（ｄ）を行った後に、検査をしてからステップ（ａ）〜（ｄ）を再び行い、正常な状態で標記された前記ブロック、前記ページ、前記セルのうちの少なくとも１つが漏電により異常な状態に変化することを防ぐステップ（ｑ）を行うことが好ましい。

本発明のフラッシュメモリの検査方法は、以下（１）〜（４）の効果を有する。
（１）従来技術と異なり、選択、検出及び処理を行うことにより、部分的な欠陥により継続して使用することができないフラッシュメモリを再構成して制御し、使用可能なメモリ領域を回収することにより、環境汚染を防止し、コストを下げることができる。
（２）選択、検出及び処理が行われたフラッシュメモリ内のブロック、ページ及びセルの状態を外部の電子機器内のメモリ制御ユニットへ提供する。メモリ制御ユニットは、フラッシュメモリ内の状態により、動的に調整及び構成を行うことにより、フラッシュメモリの使用寿命を延ばし、電子機器を操作するときの安定性と、データを保存するときの安全性とを高める。本発明の検査方法は、電子機器がスリープ状態下で単独で実行したり、電子機器がデータにアクセスすると同時に実行したりすることができる。例えば、フラッシュメモリは、ホスト又はコントローラによりコマンドを送ってプログラムしたりデータを読み取ったりするとき、フラッシュメモリの誤り訂正符合ユニットに対して監視を行い、ホスト又はコントローラが正常なメモリ領域へ動的にアクセスすることができる。
（３）漏電などによりフラッシュメモリが損壊することを防ぐことができる。
（４）少なくとも２回以上の確認動作を行うことにより、前回の検査で正常なブロック、ページ及びセルと判断されたメモリ領域に、異常な状態であるメモリ領域が隣接している場合、正常なメモリ領域を再び検査し、正常なメモリ領域が異常なメモリ領域の干渉により悪影響を受けて異常な状態になることを防ぐことができる。

本発明の第１実施形態によるフラッシュメモリの検査方法を示す流れ図である。 図１のフラッシュメモリの構造を示す模式図である。 図１のフラッシュメモリをリセットした後の状態を示す模式図である。 図１のフラッシュメモリを順次検査するときの状態を示す模式図である。 図１のフラッシュメモリをランダムに検査するときの状態を示す模式図である。 本発明の第２実施形態によるフラッシュメモリの検査方法を示す流れ図である。 本発明の第３実施形態によるフラッシュメモリの検査方法を示す流れ図である。 本発明の第４実施形態によるフラッシュメモリの検査方法を示す流れ図である。 本発明の第５実施形態によるフラッシュメモリの検査方法を示す流れ図である。 本発明の第６実施形態によるフラッシュメモリの検査方法を示す流れ図である。 図１０のフラッシュメモリの検査方法を行うときの状態を示す構造図である。 本発明の第７実施形態によるフラッシュメモリの検査方法を示す流れ図である。 図１２のフラッシュメモリの検査方法を行うときの状態を示す構造図である。 本発明の第８実施形態によるフラッシュメモリの検査方法を示す流れ図である。 本発明の第９実施形態によるフラッシュメモリの検査方法を示す流れ図である。

以下、本発明の実施例について図に基づいて説明する。なお、これによって本発明が限定されるものではない。

（第１実施形態）
図１を参照する。図１に示すように、本発明の第１の実施形態によるフラッシュメモリの検査方法は、欠陥を有するフラッシュメモリを選択し、使用可能なフラッシュメモリを回収することにある。図２を参照する。図２に示すように、フラッシュメモリ２は、ブロック２２、ページ２４、セル２６などのメモリ領域を少なくとも含む。セル２６は、正常なセル２６２及び異常なセル２６４を含む。ここで、正常なセル２６２は、正常なデータ提供を行うアクセスと定義する一方、異常なセル２６４は、異常なデータ提供を行うアクセスと定義する。

第１実施形態のフラッシュメモリの検査方法は、ステップＳ１１から開始する。ステップＳ１１では、フラッシュメモリ２に検査コマンドＴＣを入力し、フラッシュメモリ２に対して書き、読み、比較のうちの少なくとも１つを行う。例えば、検査コマンドは消去コマンド（ＥＲＡＳＥ ｃｏｍｍａｎｄ）でもよい。第１実施形態のフラッシュメモリ２は、検査コマンドＴＣに基づき、所定数値を有する状態にブロック２２、ページ２４及びセル２６をリセットする。例えば、この所定数値は０ｘＦＦでもよい。

図３を併せて参照する。図３に示すように、フラッシュメモリ２は、検査コマンドＴＣ（例えば、消去コマンド）を受け取った後、フラッシュメモリ２内のブロック２２中に位置するページ２４の正常なセル２６２内の内容は０ｘＦＦにリセットされるが、異常なセル２６４内の内容は０ｘＦＦにリセットされない。

続いて、ステップＳ１２において、検査コマンドＴＣを実行し、少なくとも１つが正常な状態か異常な状態であるブロック２２、ページ２４、セル２６を得る。言い換えれば、ブロック２２、ページ２４及びセル２６の状態を検査し、メモリ領域が正常であるか異常であるかを判断する。

続いて、ステップＳ１２において、ブロック２２、ページ２４、セル２６のうちの少なくとも１つの状態を順次得たりランダムに得たりするステップを含む。その順序は、フラッシュメモリ２内のメモリ領域１０１〜１１２の配列順序に基づき、メモリ領域１０１から順次検査を行う。続いて、メモリ領域の状態を完全に把握するまでメモリ領域１０２からメモリ領域１１２まで検査を行う（図４参照）。さらに、ランダム方式により、フラッシュメモリ２が特定の行為（ｂｅｈａｖｅ）又はパターン（ｐａｔｔｅｒｎ）を有するとき、特定の検査ルートによりメモリ領域の状態を得る（例えば、検査ルートは、奇数のメモリ領域１０１，１０３，１０５内の状態を検査する）（図５参照）。

例えば、前述の例に続き、ステップＳ１２では、ブロック２２、ページ２４、セル２６のうちの少なくとも１つの状態及び所定数値を比較し、比較結果を得る。即ち、消去コマンドを受け取った後、セル２６が０ｘＦＦにリセットされ、セル２６内の内容が０ｘＦＦであるか否かを検出し、セル２６が正常なセル２６２又は異常なセル２６４であるかを判断する。

続いてステップＳ１３において、ブロック２２、ページ２４、セル２６のうちの少なくとも１つをフラッシュメモリの分布リストに標記する。言い換えれば、ステップＳ１２を行った後、セル２６が正常なセル２６２であるか異常なセル２６４であるかを判断し、フラッシュメモリの分布リストに正常なセル２６２及び異常なセル２６４をそれぞれ標記する。

その後、ステップＳ１４において、フラッシュメモリの分布リスト内で正常な状態と標記されているブロック、ページ、セルのうちの少なくとも１つを使用する。言い換えれば、外部のコントローラ（ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）又はホスト（ｈｏｓｔ）は、フラッシュメモリの分布リストにより正常なメモリ領域を読取り、異常なメモリ領域を読取ることを防ぐことができる。

（第２実施形態）
図６を参照する。図６に示すように、本発明の第２実施形態によるフラッシュメモリの検査方法は、ステップＳ１２を行った後にステップＳ６１を行ってもよい。ステップＳ６１において、誤り訂正符号（Ｅｒｒｏｒ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｎｇ Ｃｏｄｅ：ＥＣＣ）ユニットにより異常な状態であるセルを修復する。誤り訂正符号ユニットは、セルに対して修復を行う最大の訂正数を有する。

続いて、ステップＳ６２において、誤り訂正符号ユニットにより異常な状態であるセルを修復するセル訂正数を計算する。

ステップＳ６１及びステップＳ６２を行った後、ステップＳ６３をさらに行う。ステップＳ６３において、最大訂正数に対するセル訂正数の比率を判断し、当該比率が所定の許容比率より小さい場合、異常な状態であるセルを修復し、フラッシュメモリの分布リストに正常な状態で標記する。もし所定の許容比率が５０％である場合、訂正したセル訂正数は、誤り訂正符号ユニットが許容する訂正の最大訂正数が半分の比率であることを表す。例えば、最大訂正数が４８個の場合、訂正する必要がある異常なセルの数は２４個であることが計算結果から分かる。訂正する必要のあるセルの数が最大訂正数の半分より少ない場合、誤り訂正符号ユニットにより訂正された異常なセルは、フラッシュメモリの分布リスト中に、使用可能な正常なセルとして標示される。

もしステップＳ６３の状態でない場合、ステップＳ６４を実行し、比率が所定の許容比率よりも大きい場合、異常な状態であるセルを修復し、フラッシュメモリの分布リストに異常な状態で標記する。そのため、ステップＳ６４において、異常な状態であるセルの数が所定の許容比率より大きい場合、異常なセルは依然として誤り訂正符号ユニットにより訂正を行うが、フラッシュメモリ中のデータ伝送のアクセスの安定性及び正確性を確保するために、ステップＳ６４において、フラッシュメモリの分布リストに異常な状態であると標記されたセルであると判断する。

（第３実施形態）
図７を参照する。図７に示すように、本発明の第３実施形態によるフラッシュメモリの検査方法は、ステップＳ１１を行う前にステップＳ７１を行う。ステップＳ７１において、コントロールユニットは、フラッシュメモリ２へ消去コマンド（ＥＲＡＳＥ ｃｏｍｍａｎｄ）及びプログラムコマンド（ｐｒｏｇｒａｍｍｉｎｇ ｃｏｍｍａｎｄ）を送り、フラッシュメモリ２のステータスピン（ｓｔａｔｕｓ ｐｉｎ）（例えば、Ｒ／Ｂのピン）にレディ（ｒｅａｄｙ）又はビジー（ｂｕｓｙ）の状態を発生させる。他の実施形態では、コントロールユニットからフラッシュメモリ２へ消去コマンド及びプログラムコマンドを送り、フラッシュメモリ２のＩ／Ｏのステータスピンに、対応したアドレス（ａｄｄｒｅｓｓ）の状態が発生する。

続いてステップＳ７２において、レディ又はビジーの状態であるか否かを判断し、正常なブロック２２、ページ２４、セル２６のうちの少なくとも１つを有するフラッシュメモリ２を検査する。

ステップＳ７２の報告結果に基づき、ステップＳ１１〜Ｓ１４を続いて行い、フラッシュメモリ２に対して書き、読み、比較を行ってより正確な２回目の判断を行い、ステップＳ１１〜Ｓ１４により、ステップＳ７１及びステップＳ７２においてコントロールユニットが検査して得た結果の正確性を高める。

（第４実施形態）
図８を参照する。図８に示すように、本発明の第４実施形態によるフラッシュメモリの検査方法は、前述の実施形態と略同じステップを有する以外に、ステップＳ７１を行った後にステップＳ８１を行ってもよい。ステップＳ８１において、フラッシュメモリへ消去コマンド及びプログラムコマンドを送った後、所定のレディ時間が経過すると、フラッシュメモリにより消去コマンド及びプログラムコマンドの実行を完了する。例えば、所定のレディ時間を数秒又は数十秒にし、これらのコマンドがフラッシュメモリの検査を完了させるのに十分な時間が確保できるようにする。

続いてステップＳ８２において、フラッシュメモリがすでに実行して完了した消去コマンド及びプログラムコマンドの標記フラッグ（ｍａｒｋｅｄ ｆｌａｇ）を受け取る。続いてステップＳ８３において、この標記フラッグに基づき、このフラッシュメモリが回収されたものであるか否かを判断した後にステップＳ８４及びステップＳ８５を行う。ステップＳ８４において、フラッシュメモリが回収されたものでないと判断した場合、このフラッシュメモリは、次の検査コマンドを受信することを待つ。ステップＳ８５において、フラッシュメモリが回収されたものであると判断した場合、延長するレディ時間を遅延させた後、フラッシュメモリが次の検査コマンドを受け取るのを待つ。言い換えれば、フラッシュメモリが回収したものであるとき、より適宜な延長レディ時間を付加的に与えて検査結果を待つことにより、より正確な検査結果を得る。

（第５実施形態）
図９を参照する。図９に示すように、本発明の第５実施形態によるフラッシュメモリの検査方法において、ステップＳ７１を行った後、ステップＳ９１をさらに行ってもよい。ステップＳ９１において、コントロールユニットがフラッシュメモリ２へ消去コマンド及びプログラムコマンドを送った後、フラッシュメモリ２のステータスピン（例えば、Ｒ／Ｂ又はＩ／Ｏポート）において、高電位（ｐｕｌｌ ｈｉｇｈ）又は低電位（ｐｕｌｌ ｌｏｗ）を常に維持すると、レディ又はビジーの状態を判断することを行わずに、一定の遅延時間の後に、レディ又はビジーの状態を再び得る。

（第６実施形態）
図１０を参照する。図１０に示すように、本発明の第６実施形態によるフラッシュメモリの検査方法において、ステップＳ１２を行った後にステップＳ１０１をさらに行ってもよい。ステップＳ１０１において、異常な状態が発生したブロックに隣接した複数のブロックに対してステップＳ１２を実行し、ブロック間に発生した影響を検査する。

図１１を参照する。図１１には、ブロックＢＡ〜ＢＩが示されている。ブロックＢＥが異常なブロックであることが検出されると、ブロックＢＥに隣接したブロックＢＢ，ＢＤ，ＢＨ，ＢＦを判断する。これらブロックＢＢ，ＢＤ，ＢＨ，ＢＦは、前回に正常なブロックであると判断された可能性があるものである。

（第７実施形態）
図１２を参照する。図１２に示すように、ステップＳ１２を行った後にステップＳ１２１を行ってもよい。ステップＳ１２１において、異常な状態が発生したページに隣接した複数のページに再びステップＳ１２を行い、ページグループ（ｐａｇｅ ｇｒｏｕｐ）により複数のページに発生した影響を検査する。

例えば、図１３を参照する。図１３には、ページＰＡ〜ＰＩが示されている。図１３に示すように、検査したページＰＢが異常なページであると判断すると、ページグループ（例えば、ＰＡ、ＰＢ、ＰＣがページグループであると定義する）により、ページＰＢがページグループのページＰＡ，ＰＣと同じであると再び判断する。これらページＰＡ，ＰＣは、前回に正常なページであると判断された可能性があるものである。

（第８実施形態）
図１４を参照する。図１４に示すように、本発明の第８実施形態によるフラッシュメモリの検査方法において、ステップＳ１２を行った後にステップＳ１４１を行ってもよい。このステップＳ１４１において、誤り訂正符号ユニットにより異常な状態であるセルを修復した数を監視し、セルの数の変化量に基づいてブロック、ページ、セルのうちの少なくとも１つが正常な状態か異常な状態であるかを標記する。言い換えると、例えば、コマンドを読み取るときに、誤り訂正符号ユニット内の訂正する数を監視することにより、異常な状態が発生したか否かを判断する（例えば、毎回訂正する数が増えたり減ったりする）。もし異常な状態が発生した場合、フラッシュメモリに不安定なブロック、ページ及びセルが存在することを表す。

（第９実施形態）
図１５を参照する。図１５に示すように、本発明の第９実施形態によるフラッシュメモリの検査方法において、ステップＳ１４を行った後にステップＳ１５１を行ってもよい。ステップＳ１５１において、検査を行って一定時間が経過した後、ステップＳ１１〜Ｓ１４を再び行い、正常な状態に標記されたブロック、ページ、セルのうちの少なくとも１つが漏電により異常な状態になることを防ぐ。

当該分野の技術を熟知するものが理解できるように、本発明の好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではない。本発明の主旨と範囲を逸脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って、本発明の特許請求の範囲は、このような変更や修正を含めて広く解釈されるべきである。

２ フラッシュメモリ
２２ ブロック
２４ ページ
２６ セル
２６２ 正常なセル
２６４ 異常なセル
ＴＣ 検査コマンド
１０１〜１１２ メモリ領域

Claims (21)

1. 欠陥を有するフラッシュメモリを選択し、使用可能なフラッシュメモリを回収し、前記フラッシュメモリがブロック、ページ及びセルを含むフラッシュメモリの検査方法であって、
   前記フラッシュメモリに検査コマンドを入力し、前記フラッシュメモリに対して書き、読み、比較のうちの少なくとも１つを行うステップ（ａ）と、
   前記検査コマンドを実行した後に正常な状態又は異常な状態である前記ブロック、前記ページ、前記セルのうちの少なくとも１つを得るステップ（ｂ）と、
   前記フラッシュメモリの分布リストへ前記ブロック、前記ページ、前記セルのうちの少なくとも１つを標記するステップ（ｃ）と、
   前記フラッシュメモリの前記分布リストに基づき、正常な状態で標記されている前記ブロック、前記ページ、前記セルのうちの少なくとも１つを使用するステップ（ｄ）と、を含むことを特徴とするフラッシュメモリの検査方法。
2. 前記ステップ（ａ）は、前記検査コマンドに基づき、前記ブロック、前記ページ、前記セルのうちの少なくとも１つを所定数値を有する状態にリセットするステップを含むことを特徴とする請求項１に記載のフラッシュメモリの検査方法。
3. 前記ステップ（ｂ）は、前記ブロック、前記ページ、前記セルのうちの少なくとも１つの状態と、前記所定数値とを比較して比較結果を得るステップを含むことを特徴とする請求項２に記載のフラッシュメモリの検査方法。
4. 前記ステップ（ｃ）は、前記比較結果に基づき、前記ブロック、前記ページ、前記セルのうちの少なくとも１つを標記するステップを含むことを特徴とする請求項３に記載のフラッシュメモリの検査方法。
5. 前記検査コマンドは消去コマンドであることを特徴とする請求項４に記載のフラッシュメモリの検査方法。
6. 前記所定数値は０ｘＦＦであることを特徴とする請求項５に記載のフラッシュメモリの検査方法。
7. 前記ステップ（ｂ）は、前記ブロック、前記ページ、前記セルのうちの少なくとも１つを順次得るかランダムに得ることを特徴とする請求項１又は２に記載のフラッシュメモリの検査方法。
8. 前記ステップ（ｂ）を行った後に、
   前記セルを修復する最大訂正数を有する誤り訂正符号ユニットにより異常な状態であるセルを修復するステップ（ｅ）と、
   前記誤り訂正符号ユニットにより、前記異常な状態であるセルのセル訂正数を計算するステップ（ｆ）と、を行うことを特徴とする請求項１に記載のフラッシュメモリの検査方法。
9. 前記ステップ（ｆ）を行った後に、
   前記最大訂正数に対する前記セル訂正数の比率を判断し、前記比率が所定の許容比率より小さい場合、前記異常な状態であるセルを修復し、前記フラッシュメモリの前記分布リストに正常な状態で標記するステップ（ｇ）を行うことを特徴とする請求項８に記載のフラッシュメモリの検査方法。
10. ステップ（ｇ）を行った後に、
    比率が所定の許容比率より大きい場合、前記異常な状態であるセルを修復し、前記フラッシュメモリの前記分布リストに異常な状態で標記するステップ（ｈ）を行うことを特徴とする請求項８に記載のフラッシュメモリの検査方法。
11. 前記所定の許容比率は５０％であることを特徴とする請求項９又は１０に記載のフラッシュメモリの検査方法。
12. 前記ステップ（ａ）を行う前に、
    コントロールユニットから前記フラッシュメモリへ消去コマンド及びプログラムコマンドを送り、前記フラッシュメモリのステータスピンに、レディ状態又はビジー状態を発生させるステップ（ｉ）と、
    前記正常な状態である前記ブロック、前記ページ、前記セルのうちの少なくとも１つを有する前記フラッシュメモリがレディ状態かビジー状態であることを判断するステップ（ｊ）と、を行うことを特徴とする請求項１に記載のフラッシュメモリの検査方法。
13. 前記ステップ（ｉ）は、前記フラッシュメモリへ前記消去コマンド及び前記プログラムコマンドを送り、所定の前記レディ時間が経過した後、前記フラッシュメモリにより前記消去コマンド及び前記プログラムコマンドの実行が完了したことを確認するステップを含むことを特徴とする請求項１２に記載のフラッシュメモリの検査方法。
14. 前記フラッシュメモリがすでに実行した前記消去コマンド及び前記プログラムコマンドの標記フラッグを受け取るステップ（ｋ）と、
    前記標記フラッグに基づき、前記フラッシュメモリが回収したものであるか否かを再び判断するステップ（ｌ）と、をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載のフラッシュメモリの検査方法。
15. 前記ステップ（ｌ）を行った後に、
    前記フラッシュメモリが回収したものであると判断した場合、延長レディ時間を遅延させた後、前記フラッシュメモリが次の検査コマンドの受け取りを待つステップを行うことを特徴とする請求項１４に記載のフラッシュメモリの検査方法。
16. 前記ステップ（ｉ）は、前記レディ状態又は前記ビジー状態が高電位又は低電位に維持される場合に、前記レディ状態か前記ビジー状態であるかを判断せずに、一定の遅延時間の後に、前記レディ状態又は前記ビジー状態を再び得ることを特徴とする請求項１２に記載のフラッシュメモリの検査方法。
17. 前記ステップ（ｂ）を行った後に、
    前記異常な状態であるブロックに隣接した複数のブロックに対して再びステップ（ｂ）を行い、前記ブロック間に発生した影響を検査するステップ（ｍ）を行うことを特徴とする請求項１に記載のフラッシュメモリの検査方法。
18. 前記ステップ（ｂ）を行った後に、
    前記異常な状態であるページに隣接した複数のページに対して再びステップ（ｂ）を行い、前記ページグループにより複数のページに発生した影響を検査するステップ（ｎ）を行うことを特徴とする請求項１に記載のフラッシュメモリの検査方法。
19. 前記ステップ（ａ）を行う前に、
    前記フラッシュメモリの伝送ポートが高電位又は低電位を維持しているかに基づき、前記伝送ポートが間違ったページのデータを得たと判断するステップ（ｏ）を行うことを特徴とする請求項１に記載のフラッシュメモリの検査方法。
20. 前記ステップ（ｂ）を行った後に、
    誤り訂正符号ユニットにより前記異常な状態であるセルを修復した数を監視し、前記セルの数の変化量に基づいて前記ブロック、前記ページ、前記セルのうちの少なくとも１つが正常な状態か異常な状態であるかを標記するステップ（ｐ）を行うことを特徴とする請求項１に記載のフラッシュメモリの検査方法。
21. 前記ステップ（ｄ）を行った後に、
    検査をしてからステップ（ａ）〜（ｄ）を再び行い、正常な状態で標記された前記ブロック、前記ページ、前記セルのうちの少なくとも１つが漏電により異常な状態に変化することを防ぐステップ（ｑ）を行うことを特徴とする請求項１に記載のフラッシュメモリの検査方法。

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