JP2013125113A - 液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液晶表示装置は、第1基板11、第2基板12、第1配向膜15、第2配向膜16、誘電率異方性が負の液晶材料17からなり、第1基板及び第2基板を挟んで各々の吸収軸が略直交する第1偏光板21及び第2偏光板22が配置され、第1基板と第1偏光板の間又は第2基板と第2偏光板の間の少なくとも一方に視角補償板23,24が配置され、第1配向膜と第2配向膜は、それぞれ一軸配向処理が施され、かつ配向処理の方向が互いに逆方向となるように配置されており、それぞれ液晶層に対して89.8°以上90°未満のプレティルト角を発現させるものであり、液晶層は、その層厚dと屈折率異方性Δnの積であるリターデーションの値が800nm〜900nmの範囲内に設定されている。
【選択図】図1
Description
本発明に係る具体的態様は、高デューティで駆動した場合にも高コントラストかつ良好な視野角特性を有する垂直配向型の液晶表示装置の製造技術を提供することを他の目的の1つとする。
実施例として、以下のような条件でドットマトリクス表示部とセグメント表示部の両方を備える液晶表示装置を作製した。ソーダライムガラスからなる一対の基板を用意し、各々の一面上に、ドットマトリクス表示部およびセグメント表示部に対応した形状の電極を形成した。具体的には、インジウム錫酸化物膜(ITO膜)を基板上に成膜し、これをフォトリソグラフィ技術によってパターニングした。さらに、各基板の一面に絶縁膜(SiO2膜)を成膜した。
比較例として、以下のような条件でドットマトリクス表示部とセグメント表示部の両方を備える液晶表示装置を作製した。ソーダライムガラスからなる一対の基板を用意し、各々の一面上に、ドットマトリクス表示部およびセグメント表示部に対応した形状の電極を形成した。具体的には、インジウム錫酸化物膜(ITO膜)を基板上に成膜し、これをフォトリソグラフィ技術によってパターニングした。さらに、各基板の一面に絶縁膜(SiO2膜)を成膜した。
比較例として、以下のような条件でドットマトリクス表示部とセグメント表示部の両方を備える液晶表示装置を作製した。ソーダライムガラスからなる一対の基板を用意し、各々の一面上に、ドットマトリクス表示部およびセグメント表示部に対応した形状の電極を形成した。具体的には、インジウム錫酸化物膜(ITO膜)を基板上に成膜し、これをフォトリソグラフィ技術によってパターニングした。さらに、各基板の一面に絶縁膜(SiO2膜)を成膜した。
12:下側基板(第2基板)
13:上側電極
14:下側電極
15、16:配向膜
17:液晶層
21:上側偏光板(第1偏光板)
22:下側偏光板(第2偏光板)
23、24:視角補償板
100:基板
101:配向膜
102:ステージ
103:ラビングローラー
104:ラビング布
Claims (7)
- 第1基板及び第2基板と、
前記第1基板の一面に設けられた第1配向膜と、
前記第2基板の一面に設けられた第2配向膜と、
誘電率異方性が負の液晶材料からなり、前記第1基板の一面と前記第2基板の一面の間に配置された液晶層と、
前記第1基板及び前記第2基板を挟んで配置され、各々の吸収軸が略直交するように配置された第1偏光板及び第2偏光板と、
前記第1基板と前記第1偏光板の間又は前記第2基板と前記第2偏光板の間の少なくとも一方に配置された視角補償板、
を含み、
前記第1配向膜と前記第2配向膜は、それぞれ一軸配向処理が施され、かつ当該一軸配向処理の方向が互いに逆方向となるように相対的に配置されており、それぞれが前記液晶層に対して89.8°以上90°未満のプレティルト角を発現させるものであり、
前記液晶層は、その層厚dと屈折率異方性Δnの積であるリターデーションΔn・dの値が800nm〜900nmの範囲内に設定されている、
液晶表示装置。 - 前記液晶層は、前記第1基板と前記第2基板の間に配置された後に前記液晶材料の相転移温度よりも15℃以上高い温度で熱処理されたものである、請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記一軸配向処理がラビング処理であり、かつラビングローラーの回転数を700rpm以上、前記第1配向膜及び前記第2配向膜のそれぞれと前記ラビングローラーとの相対的な移動速度を100mm/秒に設定して行われたものである、請求項1又は2に記載の液晶表示装置。
- 前記第1配向膜と前記第2配向膜のそれぞれは、ポリアミック酸を焼成して得られるものであり、それぞれのイミド化率が50%以上である、請求項1〜3の何れか1項に記載の液晶表示装置。
- 第1基板と第2基板の各一面に配向膜を形成する工程と、
前記第1基板と前記第2基板の各々の前記配向膜に一軸配向処理を行う工程と、
前記第1基板と前記第2基板を、各一面を対向させて貼り合わせる工程と、
前記第1基板と前記第2基板の間に誘電率異方性が負の液晶材料を注入することによって液晶層を形成する工程と、
前記液晶層に対して前記液晶材料の相転移温度よりも15℃以上高い温度で熱処理を行う工程と、
前記第1基板と前記第2基板の外側に偏光板及び視角補償板を配置する工程と、
を含み、
前記配向膜の各々は、前記一軸配向処理の方向が互いに逆方向となるように相対的に配置され、それぞれが前記液晶層に対して89.8°以上90°未満のプレティルト角を発現させ、
前記液晶層は、その層厚dと屈折率異方性Δnの積であるリターデーションΔn・dの値が800nm〜900nmの範囲内に設定される、
液晶表示装置の製造方法。 - 前記一軸配向処理がラビング処理であり、かつラビングローラーの回転数を700rpm以上、前記第1配向膜及び前記第2配向膜のそれぞれと前記ラビングローラーとの相対的な移動速度を100mm/秒に設定して行われたものである、請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記配向膜の各々は、ポリアミック酸を焼成して得られるものであり、それぞれのイミド化率が50%以上である、請求項5又は6に記載の液晶表示装置。
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