JP2013122088A - 金属担持処理方法、生産方法、金属担持素地及び金属担持処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 素地に対して、大気圧プラズマ処理を行い、金属担持処理を行う。具体的には、素地に対して、例えばアルゴンと水素の混合ガスをプラズマ化したものを照射する。プラズマ中の電子が衝突してSi−Cの結合を切断し、Siダングリングボンドが生成される(ステップSTFF1)。次に、生成されたダングリングボンドがプラズマ中の水素ラジカルと結合し、SiがSi−Hとして水素終端される(ステップSTFF2)。そして、水素終端された素地を、例えば、Cuの水溶液に浸漬する等すると、HとCuの置換反応が進行し、Cuシリサイドが形成される(ステップSTFF3)。そこを触媒核として無電解Cuめっきが実現する。
【選択図】 図1
Description
Claims (8)
- 無機材料に金属を担持させる金属担持処理方法であって、
前記無機材料に対して大気圧プラズマ処理を行って、大気圧プラズマ照射された前記無機材料と前記金属とを結合させて、前記無機材料に前記金属を担持させる担持ステップを含む金属担持処理方法。 - 前記担持ステップにおいて、前記大気圧プラズマ処理によって前記無機材料と前記大気圧プラズマ処理の気体中の物質とが結合し、さらに、前記物質と前記金属とを置換して、前記無機材料と前記金属とを結合させる、請求項1記載の金属担持処理方法。
- 前記無機材料は、SiCであり、
前記担持ステップにおいて、前記大気圧プラズマ処理によってSiダングリングボンドを生成し、Siダングリングボンドと前記大気圧プラズマ処理の気体中の物質とが結合する、請求項2に記載の金属担持処理方法。 - 前記金属は、触媒となる金属であり、
前記金属を触媒として成膜処理を行う成膜ステップを含む、請求項1から3のいずれかに記載の金属担持処理方法。 - 前記無機材料を含む素地について、
前記素地の抵抗が低い場合にはバイアス電圧を印加せず、
前記素地の抵抗が高い場合にはバイアス電圧を印加して、
電流の偏りをなくして、前記大気圧プラズマ処理を行う、請求項1から4のいずれかに記載の金属担持処理方法。 - 無機材料に金属を担持させることにより、金属担持素地を生産する生産方法であって、
前記無機材料に対して大気圧プラズマ処理を行って、大気圧プラズマ照射された前記無機材料と前記金属とを結合させて、前記無機材料に前記金属を担持させて、前記金属担持素地を生成するステップを含む金属担持素地を生産する生産方法。 - 無機材料に金属を担持させることにより生産された金属担持素地であって、
前記無機材料に対して大気圧プラズマ処理を行って未結合手を生成し、前記未結合手と前記金属とを結合させることにより生産された金属担持素地。 - 無機材料に金属を担持させる金属担持処理装置であって、
前記無機材料に対して大気圧プラズマ処理を行って、大気圧プラズマ照射された前記無機材料と前記金属とを結合させて、前記無機材料に前記金属を担持させる担持手段を備える金属担持処理装置。
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