JP2013120079A - プローブカード用のバンプ付きメンブレンシート、プローブカード及びプローブカード用のバンプ付きメンブレンシートの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プローブカードを、ウェーハの半導体チップに対応した複数の貫通穴3を有するフレーム板1と、配線基板23と、貫通穴3に対応する大きさを有し、フレーム板1の貫通穴3又は貫通穴3周辺に固定した異方導電膜5と、貫通穴3に対応する大きさを有し、フレーム板1の貫通穴3周辺に固定した接点膜7と、から構成する。接点膜7を、絶縁膜15と絶縁膜15内および裏面に形成した導電電極19と、絶縁膜15のハーフエッチングにより露出させた電極体の先端側のメッキにより形成したバンプ17と、から構成し、鋭い先端を持つバンプ17を異方導電膜5の導電路11により配線基板23の端子に電気的に接続する。
【選択図】図2A
Description
さらに、バンプに偏った圧力が印加されても、バンプの底面(底面の外周)と、導電電極の傾斜面とにより絶縁膜を挟み込む構造であり、しかも、バンプ表面層は電極体の表面の上側の広い範囲と接合しているので、バンプは上下方向にも横方向にもしっかりと絶縁膜に対して固定されることとなる。したがって、バンプが抜けたり折れたりするなどして損傷することがなく、強度の問題による歩留り低下を少なくできるメリットがある。
接点膜7の製造の第2の工程として、銅箔37にレジスト39を貼り、ウェーハに形成された半導体チップの電極パッドに対応した又は電極パッドと同じ位置に導電電極を形成すべく、フォトマスクを用いてレジスト39にパターンを形成する(図5参照)。さらに第3の工程として、貼合せシート33を銅エッチング液に浸し、レジスト39に形成したパターンをマスクとして銅箔37に丸穴40を形成する(図6参照)。次に第4の工程として、レジスト39を剥離し、ヒドラジンを主成分とするポリイミドエッチング液に貼合せシート33を浸し、銅箔37をマスクとし、銅箔37の丸穴40に対応してポリイミドシート35に裏面側から導電電極穴(メッキ穴)41を形成する(メッキ穴形成ステップ、図7参照)。この場合、ポリイミドの持つ異方性により、シート面に対して角度(X、ここでは50°)にてすり鉢状にエッチングが進行するが、ポリイミドエッチング液に長時間浸すことにより導電電極穴41の先端を鋭く、例えば尖って形成し、全体として円錐又は角錐(断面三角形状)になるようにする。この角度はポリイミドの結晶構造により異なる値を持つが、例えば角度(X)がシート面に対して50°の場合、レジスト39に形成したパターンの丸穴直径を56μmとすれば、導電電極穴41の底部(裏面開口部)の直径は56μm、導電電極穴41の先端までの高さは33.3μmとなる。次に第5の工程として、図8に示すように貼合せシート33の裏面より銅のスパッタを施し、導電電極穴41に銅の薄膜43を形成する。次に第6の工程として、銅箔37にレジスト45を塗布し、フォトマスクを用いてレジスト45に導電電極のパターンを形成した上で、薄膜43をメッキ電極としてニッケルメッキを行い、ポリイミドシート35の厚さ程度もしくはレジスト45の中程に至るまで導電電極穴41にニッケルメッキを成長させ、電極体46(下側が導電電極19となる)を形成する(電極体形成ステップ、図9参照)。ここでレジスト45に形成された導電電極の形成部は、導電電極穴41の底部よりも大きい。次に第7の工程として、レジスト45を剥離し、貼合せシート33の表面側よりポリイミドシート35をエッチング液に浸し、ポリイミドシート35の厚さが20μmとなるまでハーフエッチングを行って電極体46の先端側を露出させる(露出ステップ、図10参照、ただし図10等では銅の薄膜43を特に区別して表示していない)。先に示したように導電電極穴41の先端までの高さを33.3μmに形成すれば、露出させた部分の高さは13.3μmとなる。ポリイミドシート35のハーフエッチングにより絶縁膜15又は絶縁膜15の集合体が形成される。次に第8の工程として、図11に示すように銅箔37を電極として電極体46の先端側の露出した部分に対しニッケルメッキを施しバンプ17を形成する(バンプ形成ステップ)。形成されるバンプ17は、電極体46の露出した部分の表面に対応する表面を有し、円錐形状又は断面三角形状となるが、具体的には、例えば、先端角部がR形状となっている断面三角形状、先端角部が円弧形状又は小さい円弧形状(曲率半径の小さい円弧形状)となっている断面三角形状又は先端角部が小さな丸みを帯びた断面三角形状となるが、先端角部の鋭さは失われない。
形成されたバンプ17及び導電電極19の形状を図13、図14を用いて詳細に示すが、図13はバンプ17形成時のメッキ厚が5μmの詳細であり(図11及び図12の詳細)、ポリイミドシート35のハーフエッチングにより、電極体46の先端側を露出させてから、電極体46の先端側の露出部48に対して行うニッケルメッキは、露出部48の表面に対し垂直に成長していくため、先端個所以外では、露出部48の表面に沿った均一な厚みのメッキ部50を形成するが、先端個所では露出部48の先端を中心とする球状にメッキ部50を形成し、バンプ17は、バンプ先端が断面小さい円弧形状となっている断面三角形状となる。さらに図14は、バンプ17形成時のメッキ厚が10μmの詳細であり(図11でメッキ厚を10μmとした場合)、図13と同様に先端個所では露出部48の先端を中心とする球状にメッキ部50を形成し、バンプ17は、バンプ先端が図13より大きな円弧形状となっている断面三角形状となる。このような構成では、ポリイミドシート35(ハーフエッチングにより絶縁膜15又は絶縁膜15の集合体となっている)を、断面台形状の導電電極19と、メッキ部50により直径が太くなったバンプ17とにより挟み込む構造となり、バンプ17および導電電極19がポリイミドシート35又は絶縁膜15にしっかり固定される。このメッキは5μmから10μmの厚さが望ましく、メッキ厚が5μmより薄いとこの固定強度が弱くなり、メッキ厚が10μmより厚いとバンプ先端の円弧形状が大きくなるためバンプ先端の鋭さが減少してしまう。最後に銅箔37をエッチングにより除去し、図3における長方形状部分を裁断し、分割して接点膜7を形成する。図12に示すように、この中より選別した良品の接点膜7に接着剤21を塗布し、実装機を用いて異方導電膜5が形成されたフレーム板1の各貫通穴3に図2のように搭載し(図2Aでは特に銅箔37を区別して表示していない)、さらにフレーム板1全体を配線基板23の上又は表面側に配置することによりプローブカードを完成させる。
ここでは、第1の従来形態のバンプ、短絡部および裏面電極部の形成手法に較べ、残渣の残りやすいポリイミドに加工した穴径が大きいためメッキが容易となり、歩留りよくバンプおよび導電電極を形成することができる。すなわち、レーザによりポリイミドシートに開けた小口径の穴は加工に伴って発生する残渣によりメッキの成長不良が発生しやすく、バンプに不良が発生するおそれがある。
17、107 バンプ
19、109 導電電極
35 ポリイミドシート(絶縁シート)
46 電極体
101 メンブレンバンプ(バンプ付きメンブレンシート)
105 ポリイミドシート(絶縁膜)
Claims (9)
- 絶縁膜と、ウェーハに形成された半導体チップの電極パッドに電気的に接触するように前記絶縁膜の表面に設けられたバンプと、このバンプから前記絶縁膜内を通って前記絶縁膜の裏面側まで延びる導電電極と、を備えたプローブカード用のバンプ付きメンブレンシートであって、
前記導電電極の前記絶縁膜内に位置する部分は、断面形状が前記絶縁膜の表面に向って幅が狭くなる台形状であり、前記バンプは断面三角形状に形成されて前記導電電極の上面よりも広い底面を有している、ことを特徴とするプローブカード用のバンプ付きメンブレンシート。 - 前記導電電極は、前記絶縁膜の裏面から突出する裏面側端部を有し、この裏面側端部は、前記導電電極の前記絶縁膜内に位置する部分の底面よりも広く形成されている、ことを特徴とする請求項1記載のプローブカード用のバンプ付きメンブレンシート。
- 請求項1又は2記載のプローブカード用のバンプ付きメンブレンシートと、このバンプ付きメンブレンシートの前記導電電極と電気的に接続される端子を有する配線基板と、を備えたことを特徴とするプローブカード。
- 前記バンプ付きメンブレンシートは前記ウェーハに対応した大きさを有している、ことを特徴とする請求項3記載のプローブカード。
- 前記半導体チップに対応する貫通穴が複数形成されたフレーム板をさらに備え、前記バンプ付きメンブレンシートは、前記貫通穴に対応した大きさを有し、前記フレーム板の表面側の前記貫通穴周辺に支持されている、ことを特徴とする請求項3記載のプローブカード。
- 前記貫通穴に対応した大きさに形成され、前記貫通穴又は前記貫通穴周辺に支持された弾性膜及びこの弾性膜内に相互に絶縁された状態で形成された、厚み方向に延びる複数の導電路を有する異方導電膜をさらに備え、前記導電電極と前記配線基板の前記端子とは、この導電路を介して電気的に接続される、ことを特徴とする請求項5記載のプローブカード。
- 絶縁膜と、ウェーハに形成された半導体チップの電極パッドに電気的に接触するように前記絶縁膜の表面に設けられたバンプと、このバンプから前記絶縁膜内を通って前記絶縁膜の裏面側まで延びる導電電極と、を備えたプローブカード用のバンプ付きメンブレンシートの製造方法であって、
前記絶縁膜を形成するための絶縁シートを準備する準備ステップと、
準備した前記絶縁シートに、前記半導体チップの前記電極パッドに対応するように、裏面側から断面三角形のメッキ穴を形成するメッキ穴形成ステップと、
形成した前記メッキ穴にメッキして、このメッキ穴に対応した形状を有し、下側が前記導電電極を構成する電極体を形成する電極体形成ステップと、
前記電極体の、前記導電電極を構成する部分よりも上側が前記絶縁シートから断面三角形状に突出して露出するように、前記絶縁シートの表面側をハーフエッチングする露出ステップと、
前記絶縁シートをハーフエッチングして形成した前記絶縁膜から突出する断面三角形状の前記電極体の表面にメッキして、この電極体の表面に沿った表面を有する前記バンプを形成するバンプ形成ステップと、を備えることを特徴とするプローブカード用のバンプ付きメンブレンシートの製造方法。 - 前記バンプは断面三角形状に形成される、ことを特徴とする請求項7記載のプローブカード用のバンプ付きメンブレンシートの製造方法。
- 前記電極体形成ステップでは、前記絶縁シートの裏面から突出し、前記絶縁シート内に位置する部分の底面よりも広い裏面側端部が設けられるように前記電極体を形成する、ことを特徴とする請求項7又は8記載のプローブカード用のバンプ付きメンブレンシートの製造方法。
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