JP2013115319A - 記憶素子、記憶装置 - Google Patents

記憶素子、記憶装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2013115319A
JP2013115319A JP2011261854A JP2011261854A JP2013115319A JP 2013115319 A JP2013115319 A JP 2013115319A JP 2011261854 A JP2011261854 A JP 2011261854A JP 2011261854 A JP2011261854 A JP 2011261854A JP 2013115319 A JP2013115319 A JP 2013115319A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
magnetization
storage
magnetic
oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011261854A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Uchida
裕行 内田
Masakatsu Hosomi
政功 細見
Hiroyuki Omori
広之 大森
Kazuhiro Bessho
和宏 別所
Yutaka Higo
豊 肥後
Tetsuya Asayama
徹哉 浅山
Kazuaki Yamane
一陽 山根
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2011261854A priority Critical patent/JP2013115319A/ja
Priority to CN201280057904.7A priority patent/CN103946974A/zh
Priority to US14/358,645 priority patent/US9553255B2/en
Priority to PCT/JP2012/006976 priority patent/WO2013080436A1/ja
Publication of JP2013115319A publication Critical patent/JP2013115319A/ja
Priority to US15/371,863 priority patent/US9917248B2/en
Priority to US16/811,534 priority patent/USRE49364E1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/80—Constructional details
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3909—Arrangements using a magnetic tunnel junction
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
    • H10B61/10—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having two electrodes, e.g. diodes or MIM elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
    • H10B61/20—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
    • H10B61/20—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors
    • H10B61/22—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors of the field-effect transistor [FET] type
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
    • H10B63/84—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays arranged in a direction perpendicular to the substrate, e.g. 3D cell arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/80—Constructional details
    • H10N50/85—Magnetic active materials
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/82—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of the magnetic field applied to the device

Abstract

【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。
そして、上記記憶層は非磁性体と酸化物が積層された積層構造層を含み、上記層構造の積層方向に電流を流すことにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われる。
【選択図】図３

Description

本開示は、複数の磁性層を有し、スピントルク磁化反転を利用して記録を行う記憶素子及び記憶装置に関する。
特開２００３−１７７８２号公報 米国特許第６２５６２２３号明細書 特開２００８−２２７３８８号公報
Physical Review B, 54, 9353(1996) Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 159, L1(1996) Nature Materials., 5, 210(2006)
モバイル端末から大容量サーバに至るまで、各種情報機器の飛躍的な発展に伴い、これを構成するメモリやロジックなどの素子においても高集積化、高速化、低消費電力化など、さらなる高性能化が追求されている。特に半導体不揮発性メモリの進歩は著しく、大容量ファイルメモリとしてのフラッシュメモリは、ハードディスクドライブを駆逐する勢いで普及が進んでいる。一方、コードストレージ用さらにはワーキングメモリへの展開を睨み、現在一般に用いられているＮＯＲフラッシュメモリ、ＤＲＡＭなどを置き換えるべくＦｅＲＡＭ（Ferroelectric Random Access Memory）、ＭＲＡＭ（Magnetic Random Access Memory）、ＰＣＲＡＭ（Phase-Change Random Access Memory）などの開発が進められている。これらのうち一部はすでに実用化されている。
なかでもＭＲＡＭは、磁性体の磁化方向によりデータ記憶を行うために高速かつほぼ無限（１０15回以上）の書換えが可能であり、すでに産業オートメーションや航空機などの分野で使用されている。ＭＲＡＭはその高速動作と信頼性から、今後コードストレージやワーキングメモリへの展開が期待されているものの、現実には低消費電力化、大容量化に課題を有している。これはＭＲＡＭの記録原理、すなわち配線から発生する電流磁界により磁化を反転させるという方式に起因する本質的な問題である。
この問題を解決するための一つの方法として、電流磁界によらない記録、すなわち磁化反転方式が検討されている。なかでもスピントルク磁化反転に関する研究は活発である（例えば、特許文献１、２、３、非特許文献１、２参照）。
スピントルク磁化反転の記憶素子は、ＭＲＡＭと同じくＭＴＪ（Magnetic Tunnel Junction）およびＴＭＲ（Tunneling Magnetoresistive)素子により構成されている場合が多い。
この構成は、ある方向に固定された磁性層を通過するスピン偏極電子が、他の自由な（方向を固定されない）磁性層に進入する際にその磁性層にトルクを与えること（これをスピントランスファトルクとも呼ぶ）を利用したもので、あるしきい値以上の電流を流せば自由磁性層が反転する。０／１の書換えは電流の極性を変えることにより行う。
この反転のための電流の絶対値は０．１μｍ程度のスケールの素子で１ｍＡ以下である。しかもこの電流値が素子体積に比例して減少するため、スケーリングが可能である。さらに、ＭＲＡＭで必要であった記録用電流磁界発生用のワード線が不要であるため、セル構造が単純になるという利点もある。
以下、スピントルク磁化反転を利用したＭＲＡＭを、ＳＴ−ＭＲＡＭ（Spin Torque-Magnetic Random Access Memory）と呼ぶ。スピントルク磁化反転は、またスピン注入磁化反転と呼ばれることもある。高速かつ書換え回数がほぼ無限大であるというＭＲＡＭの利点を保ったまま、低消費電力化、大容量化を可能とする不揮発メモリとして、ＳＴ−ＭＲＡＭに大きな期待が寄せられている。
ＳＴ−ＭＲＡＭの記憶素子に用いる強磁性体として、さまざまな材料が検討されているが、一般に面内磁気異方性を有するものよりも垂直磁気異方性を有するものの方が低電力化、大容量化に適しているとされている。これは垂直磁化の方がスピントルク磁化反転の際に超えるべき閾値が低く、また垂直磁化膜の有する高い磁気異方性が大容量化により微細化した記憶素子の熱安定性を保持するのに有利なためである。
ところで、高密度な記憶素子を実現するためには、記憶保持が安定かつ低電流でなされることが必須である。しかしながら、一般的に垂直磁気異方性を有する記憶素子は記録電流に寄与するダンピング定数が高いことが知られており、記録電流の低減に不利である。
そこで本開示では、磁気特性を整え、記録電流を低減する比較的容易な方法を提案し、安定かつ低電流で記録可能なＳＴ−ＭＲＡＭとしての記憶素子を提供することを目的とする。
本開示の記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。そして、上記記憶層は非磁性体と酸化物が積層された積層構造層を含み、上記層構造の積層方向に電流を流すことにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われる。
また、本開示の記憶装置は、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶素子と、互いに交差する２種類の配線とを備え、上記記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備え、上記層構造の積層方向に電流を流すことにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われるとともに、上記記憶層は、非磁性体と酸化物が積層された積層構造層を含む。そして上記２種類の配線の間に上記記憶素子が配置され、上記２種類の配線を通じて、上記記憶素子に上記積層方向の電流が流れる。
本開示の記憶素子によれば、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、この記憶層に対して、中間層を介して磁化固定層が設けられており、積層方向に流れる電流に伴って発生するスピントルク磁化反転を利用して記憶層の磁化を反転させることにより情報の記録が行われるので、積層方向に電流を流すことで情報の記録を行うことができる。このとき、記憶層は、非磁性体と酸化物が積層された積層構造層を含んでいることから、記憶層の磁化の向きを反転させるために必要となる書き込み電流値を低減することができる。
一方で、垂直磁化膜の有する強い磁気異方性エネルギのために記憶層の熱安定性を十分に保つことができる。
反転電流の低減と熱安定性の確保を両立させる観点で注目されているのが、垂直磁化膜を記憶層に用いた構造である。例えば非特許文献３によれば、Ｃｏ／Ｎｉ多層膜などの垂直磁化膜を記憶層に用いることにより、反転電流の低減と熱安定性の確保を両立できる可能性が示唆されている。
垂直磁気異方性を有する磁性材料には希土類−遷移金属合金（ＴｂＣｏＦｅなど）、金属多層膜（Ｃｏ／Ｐｄ多層膜など）、規則合金（ＦｅＰｔなど）、酸化物と磁性金属の間の界面異方性の利用（Ｃｏ／ＭｇＯなど）等いくつかの種類がある。
しかしＳＴ−ＭＲＡＭにおいて大きな読み出し信号を与える高磁気抵抗変化率を実現するためにトンネル接合構造を採用することを考え、さらに耐熱性や製造上の容易さを考慮すると、界面磁気異方性を利用した材料、すなわちトンネルバリアであるＭｇＯ上にＣｏもしくはＦｅを含む磁性材料を積層させたものが有望である。
しかしながら、界面磁気異方性を起源とする垂直磁気異方性は、結晶磁気異方性や一イオン異方性等と比較し、異方性エネルギが小さい上に、磁性層厚が厚くなるに従って低下する。
そこで本開示では、記憶層の強磁性材料はＣｏ−Ｆｅ−Ｂ層とし、酸化物と非磁性層の積層構造が記憶層に含まれるように形成する。これにより記憶層における異方性を高める。
また、本開示の記憶装置の構成によれば、２種類の配線を通じて、記憶素子に積層方向の電流が流れ、スピントランスファが起こることにより、２種類の配線を通じて記憶素子の積層方向に電流を流してスピントルク磁化反転による情報の記録を行うことができる。
また、上記記憶層の熱安定性は十分に保つことができるため、記憶素子に記録された情報を安定に保持し、かつ記憶装置の微細化、信頼性の向上、低消費電力化を実現することが可能になる。
本開示によれば、高い垂直磁気異方性を有する記憶素子が得られるため、情報保持能力である熱安定性を充分に確保して、特性バランスに優れた記憶素子を構成することができる。
これにより、動作エラーをなくして、記憶素子の動作マージンを充分に得ることができる。従って、安定して動作する、信頼性の高いメモリを実現することができる。
また、書き込み電流を低減して、記憶素子に書き込みを行う際の消費電力を低減することが可能になる。
従って、記憶装置全体の消費電力を低減することが可能になる。
本開示の実施の形態の記憶装置の構造図である。 実施の形態の記憶装置の断面図である。 実施の形態の記憶素子の層構造を示す図である。 実施の形態の記憶素子の実験用試料の積層構造部を示す図である。 実施の形態の記憶素子の積層構造部（試料１〜５）の違いによる磁気異方性の温度変化の実験結果の図である。 実施の形態の記憶素子の積層構造部（試料３、６、７）の違いによる磁気異方性の温度変化の実験結果の図である。 実施の形態の磁気ヘッド適用例の説明図である。
以下、本開示の実施の形態を次の順序で説明する。
＜１．実施の形態の記憶装置の構成＞
＜２．実施の形態の記憶素子の概要＞
＜３．実施の形態の具体的構成＞
＜４．実験＞
＜５．変形例＞
＜１．実施の形態の記憶装置の構成＞

まず、本開示の実施の形態となる記憶装置の構成について説明する。
実施の形態の記憶装置の模式図を、図１及び図２に示す。図１は斜視図、図２は断面図である。
図１に示すように、実施の形態の記憶装置は、互いに直交する２種類のアドレス配線（例えばワード線とビット線）の交点付近に、磁化状態で情報を保持することができるＳＴ−ＭＲＡＭによる、例えば記憶素子３が配置されて成る。
即ち、シリコン基板等の半導体基体１０の素子分離層２により分離された部分に、各記憶装置を選択するための選択用トランジスタを構成する、ドレイン領域８、ソース領域７、並びにゲート電極１が、それぞれ形成されている。このうち、ゲート電極１は、図中前後方向に延びる一方のアドレス配線（ワード線）を兼ねている。
ドレイン領域８は、図１中左右の選択用トランジスタに共通して形成されており、このドレイン領域８には、配線９が接続されている。
そして、ソース領域７と、上方に配置された、図１中左右方向に延びるビット線６との間に、スピントルク磁化反転により磁化の向きが反転する記憶層を有する記憶素子３が配置されている。この記憶素子３は、例えば磁気トンネル接合素子（ＭＴＪ素子）により構成される。
図２に示すように、記憶素子３は２つの磁性層１５、１７を有する。この２層の磁性層１５、１７のうち、一方の磁性層を磁化Ｍ１５の向きが固定された磁化固定層１５として、他方の磁性層を磁化Ｍ１７の向きが変化する磁化自由層即ち記憶層１７とする。
また、記憶素子３は、ビット線６と、ソース領域７とに、それぞれ上下のコンタクト層４を介して接続されている。
これにより、２種類のアドレス配線１、６を通じて、記憶素子３に上下方向の電流を流して、スピントルク磁化反転により記憶層１７の磁化Ｍ１７の向きを反転させることができる。
このような記憶装置では、選択トランジスタの飽和電流以下の電流で書き込みを行う必要があり、トランジスタの飽和電流は微細化に伴って低下することが知られているため、記憶装置の微細化のためには、スピントランスファの効率を改善して、記憶素子３に流す電流を低減させることが好適である。
また、読み出し信号を大きくするためには、大きな磁気抵抗変化率を確保する必要があり、そのためには上述のようなＭＴＪ構造を採用すること、すなわち２層の磁性層１５、１７の間に中間層をトンネル絶縁層（トンネルバリア層）とした記憶素子３の構成にすることが効果的である。
このように中間層としてトンネル絶縁層を用いた場合には、トンネル絶縁層が絶縁破壊することを防ぐために、記憶素子３に流す電流量に制限が生じる。すなわち記憶素子３の繰り返し書き込みに対する信頼性の確保の観点からも、スピントルク磁化反転に必要な電流を抑制することが好ましい。なお、スピントルク磁化反転に必要な電流は、反転電流、記憶電流などと呼ばれることがある。
また記憶装置は不揮発メモリ装置であるから、電流によって書き込まれた情報を安定に記憶する必要がある。つまり、記憶層の磁化の熱揺らぎに対する安定性（熱安定性）を確保する必要がある。
記憶層の熱安定性が確保されていないと、反転した磁化の向きが、熱（動作環境における温度）により再反転する場合があり、書き込みエラーとなってしまう。
本記憶装置における記憶素子３（ＳＴ−ＭＲＡＭ）は、従来のＭＲＡＭと比較して、スケーリングにおいて有利、すなわち体積を小さくすることは可能であるが、体積が小さくなることは、他の特性が同一であるならば、熱安定性を低下させる方向にある。
ＳＴ−ＭＲＡＭの大容量化を進めた場合、記憶素子３の体積は一層小さくなるので、熱安定性の確保は重要な課題となる。
そのため、ＳＴ−ＭＲＡＭにおける記憶素子３において、熱安定性は非常に重要な特性であり、体積を減少させてもこの熱安定性が確保されるように設計する必要がある。
＜２．実施の形態の記憶素子の概要＞

つぎに本開示の実施の形態となる記憶素子の概要について説明する。
本開示の実施の形態は、前述したスピントルク磁化反転により、記憶素子の記憶層の磁化の向きを反転させて、情報の記録を行うものである。
記憶層は、強磁性層を含む磁性体により構成され、情報を磁性体の磁化状態（磁化の向き）により保持するものである。
図３は記憶素子３、２０の層構造の例を示すものである。
記憶素子３は、例えば図３Ａに一例を示す層構造とされ、少なくとも２つの強磁性体層としての記憶層１７、磁化固定層１５を備え、またその２つの磁性層の間の中間層１６を備える。
記憶層１７は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される。
磁化固定層１５は、記憶層１７に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する。
中間層１６は、非磁性体であって、記憶層１７と磁化固定層１５の間に設けられる。
そして記憶層１７、中間層１６、磁化固定層１５を有する層構造の積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層１７の磁化の向きが変化して、記憶層１７に対して情報の記録が行われる。
ここでスピントルク磁化反転について簡単に説明する。
電子は２種類のスピン角運動量をもつ。仮にこれを上向き、下向きと定義する。非磁性体内部では両者が同数であり、強磁性体内部では両者の数に差がある。ＳＴ−ＭＲＡＭを構成する２層の強磁性体である磁化固定層１５及び記憶層１７において、互いの磁気モーメントの向きが反方向状態のときに、電子を磁化固定層１５から記憶層１７への移動させた場合について考える。
磁化固定層１５は、高い保磁力のために磁気モーメントの向きが固定された固定磁性層である。
磁化固定層１５を通過した電子はスピン偏極、すなわち上向きと下向きの数に差が生じる。非磁性層である中間層１６の厚さが充分に薄く構成されていると、磁化固定層１５の通過によるスピン偏極が緩和して通常の非磁性体における非偏極（上向きと下向きが同数）状態になる前に他方の磁性体、すなわち記憶層１７に電子が達する。
記憶層１７では、スピン偏極度の符号が逆になっていることにより、系のエネルギを下げるために一部の電子は反転、すなわちスピン角運動量の向きをかえさせられる。このとき、系の全角運動量は保存されなくてはならないため、向きを変えた電子による角運動量変化の合計と等価な反作用が記憶層１７の磁気モーメントにも与えられる。
電流すなわち単位時間に通過する電子の数が少ない場合には、向きを変える電子の総数も少ないために記憶層１７の磁気モーメントに発生する角運動量変化も小さいが、電流が増えると多くの角運動量変化を単位時間内に与えることができる。
角運動量の時間変化はトルクであり、トルクがあるしきい値を超えると記憶層１７の磁気モーメントは歳差運動を開始し、その一軸異方性により１８０度回転したところで安定となる。すなわち反方向状態から同方向状態への反転が起こる。
磁化が同方向状態にあるとき、電流を逆に記憶層１７から磁化固定層１５へ電子を送る向きに流すと、今度は磁化固定層１５で反射される際にスピン反転した電子が記憶層１７に進入する際にトルクを与え、反方向状態へと磁気モーメントを反転させることができる。ただしこの際、反転を起こすのに必要な電流量は、反方向状態から同方向状態へと反転させる場合よりも多くなる。
磁気モーメントの同方向状態から反方向状態への反転は直感的な理解が困難であるが、磁化固定層１５が固定されているために磁気モーメントが反転できず、系全体の角運動量を保存するために記憶層１７が反転する、と考えてもよい。このように、０／１の記録は、磁化固定層１５から記憶層１７の方向またはその逆向きに、それぞれの極性に対応する、あるしきい値以上の電流を流すことによって行われる。
情報の読み出しは、従来型のＭＲＡＭと同様、磁気抵抗効果を用いて行われる。すなわち上述の記録の場合と同様に膜面垂直方向に電流を流す。そして、記憶層１７の磁気モーメントが、磁化固定層１５の磁気モーメントに対して同方向であるか反方向であるかに従い、素子の示す電気抵抗が変化する現象を利用する。
磁化固定層１５と記憶層１７の間の中間層１６として用いる材料は金属でも絶縁体でも構わないが、より高い読み出し信号（抵抗の変化率）が得られ、かつより低い電流によって記録が可能とされるのは、中間層として絶縁体を用いた場合である。このときの素子を強磁性トンネル接合（Magnetic Tunnel Junction：ＭＴＪ）と呼ぶ。
スピントルク磁化反転によって、磁性層の磁化の向きを反転させるときに、必要となる電流の閾値Ｉｃは、磁性層の磁化容易軸が面内方向であるか、垂直方向であるかによって異なる。
本実施の形態の記憶素子３、２０は垂直磁化型であるが、従前の面内磁化型の記憶素子の場合における磁性層の磁化の向きを反転させる反転電流をＩｃ＿ｐａｒａとする。
同方向から逆方向に反転させる場合、
Ｉｃ＿ｐａｒａ＝（Ａ・α・Ｍｓ・Ｖ／ｇ（０）／Ｐ）（Ｈｋ＋２πＭｓ）
となり、逆方向から同方向に反転させる場合、
Ｉｃ＿ｐａｒａ＝−（Ａ・α・Ｍｓ・Ｖ／ｇ（π）／Ｐ）（Ｈｋ＋２πＭｓ）
となる。
なお、同方向、逆方向とは、磁化固定層の磁化方向を基準としてみた記憶層の磁化方向である。平行、反平行とも呼ばれる。
一方、本例のような垂直磁化型の記憶素子の反転電流をＩｃ＿ｐｅｒｐとすると、同方向から逆方向に反転させる場合、
Ｉｃ＿ｐｅｒｐ＝（Ａ・α・Ｍｓ・Ｖ／ｇ（０）／Ｐ）（Ｈｋ−４πＭｓ）
となり、逆方向から同方向に反転させる場合、
Ｉｃ＿ｐｅｒｐ＝−（Ａ・α・Ｍｓ・Ｖ／ｇ（π）／Ｐ）（Ｈｋ−４πＭｓ）
となる。
ただし、Ａは定数、αはダンピング定数、Ｍｓは飽和磁化、Ｖは素子体積、Ｐはスピン分極率、ｇ（０）、ｇ（π）はそれぞれ同方向時、逆方向時にスピントルクが相手の磁性層に伝達される効率に対応する係数、Ｈｋは磁気異方性である。
上記各式において、垂直磁化型の場合の（Ｈｋ−４πＭｓ）と面内磁化型の場合の（Ｈｋ＋２πＭｓ）とを比較すると、垂直磁化型が低記憶電流化により適していることが理解できる。
ここで、反転電流Ｉｃ０は熱安定性の指標Δとの関係で表すと次の（数１）により表される。
Figure 2013115319
但しｅは電子の電荷、ηはスピン注入効率、バー付きのｈは換算プランク定数、αはダンピング定数、ｋBはボルツマン定数、Ｔは温度である。
本実施の形態では、磁化状態により情報を保持することができる磁性層（記憶層１７）と、磁化の向きが固定された磁化固定層１５とを有する記憶素子を構成する。
メモリとして存在し得るためには、書き込まれた情報を保持することができなければならない。情報を保持する能力の指標として、熱安定性の指標Δ（＝ＫＶ／ｋＢＴ）の値で判断される。このΔは（数２）により表される。
Figure 2013115319
ここで、Ｈｋは実効的な異方性磁界、ｋBはボルツマン定数、Ｔは温度、Ｍｓは飽和磁化量、Ｖは記憶層の体積、Ｋは異方性エネルギである。
実効的な異方性磁界Ｈｋには、形状磁気異方性、誘導磁気異方性、結晶磁気異方性等の影響が取り込まれており、単磁区の一斉回転モデルを仮定した場合、これは保磁力と同等となる。
熱安定性の指標Δと電流の閾値Ｉｃとは、トレードオフの関係になることが多い。そのため、メモリ特性を維持するには、これらの両立が課題となることが多い。
記憶層の磁化状態を変化させる電流の閾値は、実際には、例えば記憶層１７の厚さが２ｎｍであり、平面パターンが直径１００ｎｍ円形のＴＭＲ素子において、百〜数百μＡ程度である。
これに対して、電流磁場により磁化反転を行う通常のＭＲＡＭでは、書き込み電流が数ｍＡ以上必要となる。
従って、ＳＴ−ＭＲＡＭの場合には、上述のように書き込み電流の閾値が充分に小さくなるため、集積回路の消費電力を低減させるために有効であることが分かる。
また、通常のＭＲＡＭで必要とされる、電流磁界発生用の配線が不要となるため、集積度においても通常のＭＲＡＭに比較して有利である。
そして、スピントルク磁化反転を行う場合には、記憶素子に直接電流を流して情報の書き込み（記録）を行うことから、書き込みを行うメモリセルを選択するために、記憶素子を選択トランジスタと接続してメモリセルを構成する。
この場合、記憶素子に流れる電流は、選択トランジスタで流すことが可能な電流（選択トランジスタの飽和電流）の大きさによって制限される。
記録電流を低減させるためには、上述のように垂直磁化型を採用することが望ましい。また垂直磁化膜は一般に面内磁化膜よりも高い磁気異方性を持たせることが可能であるため、上述のΔを大きく保つ点でも好ましい。
垂直異方性を有する磁性材料には希土類−遷移金属合金（ＴｂＣｏＦｅなど）、金属多層膜（Ｃｏ／Ｐｄ多層膜など）、規則合金（ＦｅＰｔなど）、酸化物と磁性金属の間の界面異方性の利用（Ｃｏ／ＭｇＯなど）等いくつかの種類があるが、希土類−遷移金属合金は加熱により拡散、結晶化すると垂直磁気異方性を失うため、ＳＴ−ＭＲＡＭ用材料としては好ましくない。
また金属多層膜も加熱により拡散し、垂直磁気異方性が劣化することが知られており、さらに垂直磁気異方性が発現するのは面心立方の（１１１）配向となっている場合であるため、ＭｇＯやそれに隣接して配置するＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＢなどの高分極率層に要求される（００１）配向を実現させることが困難となる。Ｌ１０規則合金は高温でも安定であり、かつ（００１）配向時に垂直磁気異方性を示すことから、上述のような問題は起こらないものの、製造時に５００℃以上の十分に高い温度で加熱する、あるいは製造後に５００℃以上の高温で熱処理を行うことで原子を規則配列させる必要があり、トンネルバリア等積層膜の他の部分における好ましくない拡散や界面粗さの増大を引き起こす可能性がある。
これに対し、界面磁気異方性を利用した材料、すなわちトンネルバリアであるＭｇＯ上にＣｏ系あるいはＦｅ系材料を積層させたものは上記いずれの問題も起こり難く、このためＳＴ−ＭＲＡＭの記憶層材料として有望視されている。
しかしながら、他の材料と同様、微細素子の高密度化のためには記憶装置全体のさらなる消費電力の低減、特に書き込み電流の低減が必要とされる。
これの解答として、本開示において筆者らは、図３Ｂに示すように記憶層１７に非磁性体と酸化物が積層された積層構造層を含むように形成する構造を考案した。
これにより、高い垂直磁気異方性を有する記憶素子２０が得られ、情報保持能力である熱安定性を充分に確保して、特性バランスに優れた記憶素子２０を構成することができる。
また、動作エラーをなくして、記憶素子２０の動作マージンを充分に得ることができ、安定して動作する、信頼性の高いメモリを実現することができる。
また、書き込み電流を低減して、記憶素子２０に書き込みを行う際の消費電力を低減することが可能になる。
従って、記憶装置全体の消費電力を低減することが可能になる。
さらに、選択トランジスタの飽和電流値を考慮して、記憶層１７と磁化固定層１５との間の非磁性の中間層１６として、絶縁体から成るトンネル絶縁層を用いて磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子を構成する。
トンネル絶縁層を用いて磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子を構成することにより、非磁性導電層を用いて巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子を構成した場合と比較して、磁気抵抗変化率（ＭＲ比）を大きくすることができ、読み出し信号強度を大きくすることができるためである。
そして特に、このトンネル絶縁層としての中間層１６の材料として、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を用いることにより、磁気抵抗変化率（ＭＲ比）を大きくすることができる。
また、一般に、スピントランスファの効率はＭＲ比に依存し、ＭＲ比が大きいほど、スピントランスファの効率が向上し、磁化反転電流密度を低減することができる。
従って、トンネル絶縁層の材料として酸化マグネシウムを用い、同時に上記の記憶層１７を用いることにより、スピントルク磁化反転による書き込み閾値電流を低減することができ、少ない電流で情報の書き込み（記録）を行うことができる。また、読み出し信号強度を大きくすることができる。
これにより、ＭＲ比（ＴＭＲ比）を確保して、スピントルク磁化反転による書き込み閾値電流を低減することができ、少ない電流で情報の書き込み（記録）を行うことができる。また、読み出し信号強度を大きくすることができる。
このようにトンネル絶縁層を酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜により形成する場合には、ＭｇＯ膜が結晶化していて、００１方向に結晶配向性を維持していることがより望ましい。
なお、本実施の形態において、記憶層１７と磁化固定層１５との間の中間層１６（トンネル絶縁層）は、酸化マグネシウムから成る構成とする他にも、例えば酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ＳｉＯ2、Ｂｉ2Ｏ3、ＭｇＦ2、ＣａＦ、ＳｒＴｉＯ2、ＡｌＬａＯ3、Ａｌ−Ｎ−Ｏ等の各種の絶縁体、誘電体、半導体を用いて構成することもできる。
トンネル絶縁層の面積抵抗値は、スピントルク磁化反転により記憶層１７の磁化の向きを反転させるために必要な電流密度を得る観点から、数十Ωμｍ2程度以下に制御する必要がある。
そして、ＭｇＯ膜から成るトンネル絶縁層では、面積抵抗値を上述の範囲とするために、ＭｇＯ膜の膜厚を１．５ｎｍ以下に設定する必要がある。
また、本開示の実施の形態において、記憶層１７に隣接してキャップ層１８が配置され、このキャップ層は酸化物層を形成しても良い。
キャップ層１８の酸化物としては、たとえばＭｇＯ、酸化アルミニウム、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、Ｂｉ2Ｏ3、ＳｒＴｉＯ2、ＡｌＬａＯ3、Ａｌ−Ｎ−Ｏ等を用いる。
また、記憶層１７の磁化の向きを、小さい電流で容易に反転できるように、記憶素子を小さくすることが望ましい。
従って、好ましくは、記憶素子の面積を０．０１μｍ2以下とする。
磁化固定層１５及び記憶層１７のそれぞれの膜厚は、０．５ｎｍ〜３０ｎｍであることが好ましい。
記憶素子のその他の構成は、スピントルク磁化反転により情報を記録する記憶素子の従来公知の構成と同様とすることができる。
磁化固定層１５は、強磁性層のみにより、或いは反強磁性層と強磁性層の反強磁性結合を利用することにより、その磁化の向きが固定された構成とすることが出来る。
また、磁化固定層１５は、単層の強磁性層から成る構成、或いは複数層の強磁性層を、非磁性層を介して積層した積層フェリピン構造とすることが出来る。
積層フェリピン構造の磁化固定層１５を構成する強磁性層の材料としては、Ｃｏ，ＣｏＦｅ，ＣｏＦｅＢ等を用いることができる。また、非磁性層の材料としては、Ｒｕ，Ｒｅ，Ｉｒ，Ｏｓ等を用いることができる。
反強磁性層の材料としては、ＦｅＭｎ合金、ＰｔＭｎ合金、ＰｔＣｒＭｎ合金、ＮｉＭｎ合金、ＩｒＭｎ合金、ＮｉＯ、Ｆｅ2Ｏ3等の磁性体を挙げることができる。
また、これらの磁性体に、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ｔａ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｉｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ等の非磁性元素を添加して、磁気特性を調整したり、その他の結晶構造や結晶性や物質の安定性等の各種物性を調整したりすることができる。
また、記憶素子の膜構成は、記憶層１７が磁化固定層１５の下側に配置される構成でも問題ない。この場合は、上記導電性酸化物キャップ層が果たす役割は、導電性酸化物下地層により担われることになる。
＜３．実施の形態の具体的構成＞

続いて、実施の形態の具体的構成について説明する。
記憶装置の構成は先に図１、図２で述べたとおり、直交する２種類のアドレス配線１、６（例えばワード線とビット線）の交点付近に、磁化状態で情報を保持することができる記憶素子３が配置されるものである。
そして２種類のアドレス配線１、６を通じて、記憶素子３に上下方向の電流を流して、スピントルク磁化反転により記憶層１７の磁化の向きを反転させることができる。
図３Ａ，図３Ｂは実施の形態の記憶素子（ＳＴ−ＭＲＡＭ）の層構造の例を表している。
既に説明した通り、図３Ａに示すように、記憶素子３は、下層側から順に、下地層１４、磁化固定層１５、中間層１６、記憶層１７、キャップ層１８が積層されている。
この場合、スピン注入により磁化Ｍ１７の向きが反転する記憶層１７に対して、下層に磁化固定層１５を設けている。
スピン注入型メモリにおいては、記憶層１７の磁化Ｍ１７と磁化固定層１５の磁化Ｍ１５の相対的な角度によって情報の「０」「１」を規定している。
記憶層１７と磁化固定層１５との間には、トンネルバリア層（トンネル絶縁層）となる中間層１６が設けられ、記憶層１７と磁化固定層１５とにより、ＭＴＪ素子が構成されている。また、磁化固定層１５の下には下地層１４が設けられる。
記憶層１７は、磁化Ｍ１７の方向が層面垂直方向に自由に変化する磁気モーメントを有する強磁性体から構成されている。磁化固定層１５は、磁化Ｍ１５が膜面垂直方向に固定された磁気モーメントを有する強磁性体から構成されている。
情報の記憶は一軸異方性を有する記憶層１５の磁化の向きにより行う。書込みは、膜面垂直方向に電流を印加し、スピントルク磁化反転を起こすことにより行う。このように、スピン注入により磁化の向きが反転する記憶層１５に対して、下層に磁化固定層１５が設けられ、記憶層１７の記憶情報（磁化方向）の基準とされる。
磁化固定層１５は情報の基準であるので、記録や読み出しによって磁化の方向が変化してはいけないが、必ずしも特定の方向に固定されている必要はなく、記憶層１７よりも保磁力を大きくするか、膜厚を厚くするか、あるいは磁気ダンピング定数を大きくして記憶層１７よりも動きにくくすればよい。
中間層１６は、例えば酸化マグネシウム（ＭｇＯ）層とされる。この場合には、磁気抵抗変化率（ＭＲ比）を高くすることができる。
このようにＭＲ比を高くすることによって、スピン注入の効率を向上して、記憶層１７の磁化Ｍ１７の向きを反転させるために必要な電流密度を低減することができる。
なお中間層１６は、酸化マグネシウムから成る構成とする他にも、例えば酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ＳｉＯ2、Ｂｉ2Ｏ3、ＭｇＦ2、ＣａＦ、ＳｒＴｉＯ2、ＡｌＬａＯ3、Ａｌ−Ｎ−Ｏ等の各種の絶縁体、誘電体、半導体を用いて構成することもできる。
下地層１４およびキャップ層１８としては、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｒｕ等各種金属およびＴｉＮ等の導電性窒化物を用いることができる。また、下地層１４およびキャップ層１８は単層で用いても良いし、異なる材料を複数積層しても良い。
図３Ｂに示す記憶素子２０の構造は、記憶素子３の構造とは記憶層１７の構造が相違している。記憶素子２０の記憶層１７は、酸化物層２２と非磁性層２１が積層された積層構造層を含む構造となっている。
このような酸化物層２２と非磁性体層２１の積層構造層は、図３Ｂのように1つに限定されるものでなく二層以上形成されていてもよい。
酸化物２２として、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化コバルト、酸化ジリコニウム、酸化チタンおよび酸化クロムのうち、すくなくとも1つから選定できる
非磁性体として、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｖ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｗ、ＭｏおよびＣｒのうち、すくなくとも1つから選定できる。
記憶層１７が非磁性層２１と酸化物層２２からなる積層構造層を含むことは、与えられた環境温度に対して記憶層１７の温度上昇がより大きくなる加熱機構を備えるものとされる。
したがって、熱伝導性の高い上述の加熱機構により、同じ温度上昇が与えられた場合、実施の形態における記憶素子２０の記憶層１７は磁化反転が促進され記録電流を低減することが可能とされる。さらに熱安定性の観点では、磁気異方性が大きくなり、保持特性（情報を保持する能力）は向上するとされる。
以上の図３Ａ、図３Ｂの実施の形態においては、特に、記憶層１７が受ける実効的な反磁界の大きさが記憶層１７の飽和磁化量Ｍｓよりも小さくなるように、記憶素子の記憶層１７の組成が調整されている。
即ち、記憶層１７は、強磁性材料Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ組成を選定するが、記憶層１７が受ける実効的な反磁界の大きさを低くして、記憶層１７の飽和磁化量Ｍｓよりも小さくなるようにする。
これらの実施の形態の記憶素子３、２０は、下地層１４からキャップ層１８までを真空装置内で連続的に形成して、その後エッチング等の加工により記憶素子３、２０のパターンを形成することにより、製造することができる。
以上の本実施の形態によれば、記憶素子３、２０の記憶層１７が垂直磁化膜であるため、記憶層１７の磁化Ｍ１７の向きを反転させるために必要となる、書き込み電流量を低減することができる。
このように、情報保持能力である熱安定性を充分に確保することができるため、特性バランスに優れた記憶素子３、２０を構成することができる。
これにより、動作エラーをなくして、動作マージンを充分に得ることができ、安定して動作させることができる。
従って、安定して動作する、信頼性の高い記憶装置を実現することができる。
また、書き込み電流を低減して、書き込みを行う際の消費電力を低減することが可能になる。
特に、酸化物層２２と非磁性層２１が積層された積層構造層を含む記憶素子２０においては、積層構造層が加熱機構として働き、磁化反転が促進され記録電流を低減し、さらに熱安定性の観点では、磁気異方性が大きくなり、保持特性（情報を保持する能力）が向上する。
従って、本実施の形態の記憶素子３、２０により記憶装置を構成した、記憶装置全体の消費電力を低減することが可能になる。
また、図３で説明した記憶素子３、２０を備え、図１に示した構成の記憶装置は、記憶装置を製造する際に、一般の半導体ＭＯＳ形成プロセスを適用できるという利点を有している。従って、本実施の形態の記憶装置を、汎用メモリとして適用することが可能になる。
＜４．実施の形態に関する実験＞

ここで、図３Ａ、図３Ｂに示した本実施の形態の記憶素子３、２０の構成において、試料を作製し、その特性を調べる実験を行った。
実験は実験１と実験２を行った。実験１は垂直異方性の温度変化を求めるものである。実験２は、磁気抵抗曲線の測定による熱安定性の指標値の算出および反転電流値の測定を行うものである。
実際の記憶装置には、図１に示したように、記憶素子３、２０以外にもスイッチング用の半導体回路等が存在するが、ここでは、キャップ層１８に隣接する記憶層１７の磁化反転特性を調べる目的で、記憶素子のみを形成したウェハにより検討を行った。
実験用の記憶素子試料として、図４に示すように、
・下地層１４：膜厚１０ｎｍのＴａ膜と膜厚１０ｎｍのＲｕ膜の積層膜。
・磁化固定層１５：ＣｏＰｔ：２ｎｍ／Ｒｕ：０．７ｎｍ／［Ｃｏ２０Ｆｅ８０］７０Ｂ３０：１．２ｎｍの積層膜。
・中間層（トンネル絶縁層）１６：膜厚１．０ｎｍのＭｇＯ膜。
・キャップ層１８：／Ｔａ：５ｎｍ膜／
以上の各層を共通として上で、記憶層１７を以下の層構造とし、７種類の試料を用意した。
図４Ａ〜Ｇに示すように、
・試料１（図４Ａ）記憶層１７：膜厚２．２ｎｍの［Ｃｏ２０Ｆｅ８０］７０Ｂ３０
・試料２（図４Ｂ）記憶層１７：膜厚１．１ｎｍの［Ｃｏ２０Ｆｅ８０］７０Ｂ３０／膜厚０．２ｎｍのＴａ／膜厚１．１ｎｍの［Ｃｏ２０Ｆｅ８０］７０Ｂ３０
・試料３（図４Ｃ）記憶層１７：膜厚１．１ｎｍの［Ｃｏ２０Ｆｅ８０］８０Ｂ２０／膜厚０．１ｎｍの酸化マグネシウムと膜厚０．１ｎｍのＴａ積層構造／膜厚１．１ｎｍの［Ｃｏ２０Ｆｅ８０］８０Ｂ２０
・試料４（図４Ｄ）記憶層１７：膜厚１．１ｎｍの［Ｃｏ２０Ｆｅ８０］８０Ｂ２０／膜厚０．１ｎｍの酸化アルミニウムと膜厚０．１ｎｍのＴａ／膜厚１．１ｎｍの［Ｃｏ２０Ｆｅ８０］８０Ｂ２０
・試料５（図４Ｅ）記憶層１７：膜厚１．１ｎｍの［Ｃｏ２０Ｆｅ８０］８０Ｂ２０／膜厚０．１ｎｍのＭｇＯと膜厚０．１ｎｍのＣｒ／膜厚１．１ｎｍの［Ｃｏ２０Ｆｅ８０］８０Ｂ２０
・試料６（図４Ｆ）記憶層１７：膜厚０．８ｎｍの［Ｃｏ２０Ｆｅ８０］８０Ｂ２０／膜厚０．１ｎｍのＭｇＯと膜厚０．１ｎｍのＴａ／膜厚０．７ｎｍの［Ｃｏ２０Ｆｅ８０］８０Ｂ２０／膜厚０．１ｎｍのＭｇＯと膜厚０．１ｎｍのＴａ／膜厚０．７ｎｍの［Ｃｏ２０Ｆｅ８０］８０Ｂ２０
・試料７（図４Ｇ）記憶層１７：膜厚０．８ｎｍの［Ｃｏ２０Ｆｅ８０］８０Ｂ２０／膜厚０．１ｎｍのＭｇＯと膜厚０．１ｎｍのＴａ／膜厚０．７ｎｍのＣｏ２０Ｆｅ８０Ｂ３０／膜厚０．１ｎｍのＴａと膜厚０．１ｎｍのＭｇＯ／膜厚０．７ｎｍの［Ｃｏ２０Ｆｅ８０］８０Ｂ２０（ＭｇＯ層で上下に挟む構造とする）
各試料は、厚さ０．７２５ｍｍのシリコン基板上に、厚さ３００ｎｍの熱酸化膜を形成し、その上に上記の構成の記憶素子を形成した。また下地層とシリコン基板との間に図示しない膜厚１００ｎｍのＣｕ膜（ワード線となるもの）を設けた。
絶縁層以外の各層は、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて成膜した。酸化物を用いた絶縁層は、ＲＦマグネトロンスパッタ法もしくは、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて金属層を成膜した後酸化チャンバーで酸化した。記憶素子の各層を成膜した後に、磁場中熱処理炉で、３００℃・１時間の熱処理を行った。
［実験１］
本実験は、上記各試料について垂直異方性の温度変化を求めるものである。
記憶素子の磁化曲線を、磁気カー効果測定および試料振動型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer）によって測定して垂直異方性の温度変化を求める。測定には微細加工後の素子ではなく、ウェハ上に磁化曲線評価用に特別に設けた８ｍｍ×８ｍｍ程度のバルクフィルム部分を用いた。また測定磁界は、膜面垂直方向に印加した。
図５は、試料１〜５について垂直磁気異方性の環境温度に対する変化を求めたものである。試料１に対し試料２および試料３〜５は磁気異方性の温度変化は大きくなるものの、試料２および試料３〜５の持つ垂直磁気異方性は試料１よりも十分に大きいためこの場合問題とならない。
また、試料２と試料３〜５を比較すると、実施例において環境温度６０℃近傍で磁気異方性が試料２より大きくなり、反対に環境温度１００℃近傍では下回る挙動が見られる。 このことより、記憶層１７における非磁性層と酸化物層の積層構造層は、与えられた環境温度に対して記憶層１７の温度上昇をより大きくする加熱機構（以下ヒータ層）として機能すると考えられる。
温度上昇がより大きくなる理由は次のように考えることができる。通常、記憶層１７中にヒータ層として機能する非磁性層は均一な層状に分布しているとされる。ここで極薄膜の酸化物層が同時に記憶層１７に形成されると、ヒータ層は相対的に凹凸の大きい酸化物層によって分散され、記憶層１７内の磁性体と接する表面積を拡大させることでヒータ層としての効果が向上すると推測される。
ＳＴＴ−ＭＲＡＭの原理はスピントルク注入による磁化反転が基礎だが、実際の素子では反転時に流れる電流によって記憶層１７の温度は１００℃以上上昇することが見積もられている。熱伝導性の高いヒータ層を導入した試料３〜５に通常の素子と同じ温度上昇が与えられた場合、磁気異方性が大きく変化することから磁化反転が促進され記録電流を低減することが可能と考えられる。
また、熱安定性の観点では、６０℃近傍において熱伝導性の高いヒータ層を導入した試料３〜５の磁気異方性は大きくなっている。これはＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金などでは酸化物層による界面異方性が垂直磁化に寄与するため、保持温度域での垂直磁気異方性をさらに強化している。このことから保持特性も熱伝導性の高いヒータ層を導入したものが有利といえる。
さらに、ヒータ層の効果を高める手法として記憶層への積層構造層を複数形成してもよい。図６は試料３および６、７について垂直磁気異方性の温度変化を示したものである。非磁性層と酸化物層による積層構造層が１層よりも複数である試料６、７において加熱温度に対する垂直磁気異方性の減少がより大きく、記録電流の減少が期待される。
加えて試料７では試料６よりもさらに垂直磁気異方性の減少が大きい。これは実施例７ではヒータ層となる非磁性層（Ｔａ）が記憶層中央向きに揃って対称に配置され、ヒータ層に挟まれた記憶層内の磁性体は複数のヒータ層からの影響を効率よく受けるためである。結果、記憶層全体の垂直磁気異方性の変化が増大したと考えられる。
種々の検討の結果、非磁性層と酸化物層の積層構造層が形成されるとヒータ層の効果を効率的に発揮できる。
非磁性層の材料としては、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｖ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｗ、ＭｏおよびＣｒのうち、すくなくとも一つから選択されること、一方酸化物層が酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化コバルト、酸化ジルコニウム、酸化チタンおよび酸化クロムのうち、すくなくとも一つから選択することができる。また、実験ではＣＯ−Ｆｅ−ＢのＢ組成をＴＭＲ値や耐熱性の観点から２０〜４０％程度と変化させても良い。
［実験２］
本実験は、上記各試料について、記憶素子の書き込み特性を評価する目的で、磁気抵抗曲線の測定による熱安定性の指標値の算出および反転電流値の測定を行うものである。
記憶素子に１０μｓから１００ｍｓのパルス幅の電流を流して、その後の記憶素子の抵抗値を測定した。さらに、記憶素子に流す電流量を変化させて、この記憶素子の記憶層の磁化の向きが反転する電流値を求めた。
また、記憶素子の磁気抵抗曲線を複数回測定することによって得られる保磁力の分散が記憶素子の保持特性(熱安定性)の指標（Δ）に対応する。測定される保磁力の分散が少ないほど高いΔ値を持つ。そして、記憶素子間のばらつきを考慮するために、同一構成の記憶素子を各々２０個程度作製して、上述の測定を行い、反転電流値及び熱安定性の指標Δの平均値を求めた。
Figure 2013115319
表1には試料１、２、６、７について、電流による書き込みでの磁化反転特性の評価をまとめた。試料１、２では非磁性体層の有無による磁気特性の調整が反映され、熱安定性に差が生じている。
試料６、７では熱安定性を維持しながらも反転電流密度が１割程度低減しており、実験１の結果を裏付けるものとなっている。特に試料７では、積層添加層によるヒータ層に挟まれた記憶層磁性体が集中して加熱されるため、当該部の異方性の温度依存性がさらに大きくなり優先的に磁化が反転すると考えられる。
さらに反転した層は磁気的な結合を介して、記憶層全体に反転を伝搬せることで反転電流密度はさらに小さくなる。
試料６、７の積層構造に限らず、実験１で挙げたように効果のある範囲で非磁性層と酸化物層による添加の積層構造を変化させてもよい。
また、下地層１４やキャップ層１８は、単一材料でも複数材料の積層構造でも良い。
また磁化固定層１５は、単層でも、２層の強磁性層と非磁性層から成る積層フェリピン構造を用いても良い。また積層フェリピン構造膜に反強磁性膜を付与した構造でもよい。
＜５．変形例＞

本開示の記憶素子３もしくは記憶素子２０の構造は、ＴＭＲ素子等の磁気抵抗効果素子の構成となるが、このＴＭＲ素子としての磁気抵抗効果素子は、上述の記憶装置のみならず、磁気ヘッド及びこの磁気ヘッドを搭載したハードディスクドライブ、集積回路チップ、さらにはパーソナルコンピュータ、携帯端末、携帯電話、磁気センサ機器をはじめとする各種電子機器、電気機器等に適用することが可能である。
一例として図７Ａ、図７Ｂに、上記記憶素子３、２０の構造の磁気抵抗効果素子１０１を複合型磁気ヘッド１００に適用した例を示す。なお、図７Ａは、複合型磁気ヘッド１００について、その内部構造が分かるように一部を切り欠いて示した斜視図であり、図７Ｂは複合型磁気ヘッド１００の断面図である。
複合型磁気ヘッド１００は、ハードディスク装置等に用いられる磁気ヘッドであり、基板１２２上に、本開示の技術を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッドが形成されてなるとともに、当該磁気抵抗効果型磁気ヘッド上にインダクティブ型磁気ヘッドが積層形成されてなる。ここで、磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、再生用ヘッドとして動作するものであり、インダクティブ型磁気ヘッドは、記録用ヘッドとして動作する。すなわち、この複合型磁気ヘッド１００は、再生用ヘッドと記録用ヘッドを複合して構成されている。
複合型磁気ヘッド１００に搭載されている磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、いわゆるシールド型ＭＲヘッドであり、基板１２２上に絶縁層１２３を介して形成された第１の磁気シールド１２５と、第１の磁気シールド１２５上に絶縁層１２３を介して形成された磁気抵抗効果素子１０１と、磁気抵抗効果素子１０１上に絶縁層１２３を介して形成された第２の磁気シールド１２７とを備えている。絶縁層１２３は、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2等のような絶縁材料からなる。
第１の磁気シールド１２５は、磁気抵抗効果素子１０１の下層側を磁気的にシールドするためのものであり、Ｎｉ−Ｆｅ等のような軟磁性材からなる。この第１の磁気シールド１２５上に、絶縁層１２３を介して磁気抵抗効果素子１０１が形成されている。
磁気抵抗効果素子１０１は、この磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気記録媒体からの磁気信号を検出する感磁素子として機能する。そして、この磁気抵抗効果素子１０１は、上述した記憶素子３もしくは記憶素子２０と同様な膜構成とされる。
この磁気抵抗効果素子１０１は、略矩形状に形成されてなり、その一側面が磁気記録媒体対向面に露呈するようになされている。そして、この磁気抵抗効果素子１０１の両端にはバイアス層１２８，１２９が配されている。またバイアス層１２８，１２９と接続されている接続端子１３０，１３１が形成されている。接続端子１３０，１３１を介して磁気抵抗効果素子１０１にセンス電流が供給される。
さらにバイアス層１２８，１２９の上部には、絶縁層１２３を介して第２の磁気シールド層１２７が設けられている。
以上のような磁気抵抗効果型磁気ヘッドの上に積層形成されたインダクティブ型磁気ヘッドは、第２の磁気シールド１２７及び上層コア１３２によって構成される磁気コアと、当該磁気コアを巻回するように形成された薄膜コイル１３３とを備えている。
上層コア１３２は、第２の磁気シールド１２２と共に閉磁路を形成して、このインダクティブ型磁気ヘッドの磁気コアとなるものであり、Ｎｉ−Ｆｅ等のような軟磁性材からなる。ここで、第２の磁気シールド１２７及び上層コア１３２は、それらの前端部が磁気記録媒体対向面に露呈し、且つ、それらの後端部において第２の磁気シールド１２７及び上層コア１３２が互いに接するように形成されている。ここで、第２の磁気シールド１２７及び上層コア１３２の前端部は、磁気記録媒体対向面において、第２の磁気シールド１２７及び上層コア１３２が所定の間隙ｇをもって離間するように形成されている。
すなわち、この複合型磁気ヘッド１００において、第２の磁気シールド１２７は、磁気抵抗効果素子１２６の上層側を磁気的にシールドするだけでなく、インダクティブ型磁気ヘッドの磁気コアも兼ねており、第２の磁気シールド１２７と上層コア１３２によってインダクティブ型磁気ヘッドの磁気コアが構成されている。そして間隙ｇが、インダクティブ型磁気ヘッドの記録用磁気ギャップとなる。
また、第２の磁気シールド１２７上には、絶縁層１２３に埋設された薄膜コイル１３３が形成されている。ここで、薄膜コイル１３３は、第２の磁気シールド１２７及び上層コア１３２からなる磁気コアを巻回するように形成されている。図示していないが、この薄膜コイル１３３の両端部は、外部に露呈するようになされ、薄膜コイル１３３の両端に形成された端子が、このインダクティブ型磁気ヘッドの外部接続用端子となる。すなわち、磁気記録媒体への磁気信号の記録時には、これらの外部接続用端子から薄膜コイル１３２に記録電流が供給されることとなる。
以上のような複合型磁気ヘッド１２１は、再生用ヘッドとして磁気抵抗効果型磁気ヘッドを搭載しているが、当該磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒体からの磁気信号を検出する感磁素子として、本開示の技術を適用した磁気抵抗効果素子１０１を備えている。そして、本開示の技術を適用した磁気抵抗効果素子１０１は、上述したように非常に優れた特性を示すので、この磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録の更なる高記録密度化に対応することができる。
なお本技術は以下のような構成も採ることができる。
（１）膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、
上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、
上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層と、
を有する層構造を備え、
上記記憶層は、非磁性体と酸化物が積層された積層構造層を含み、
上記層構造の積層方向に電流を流すことにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われる記憶素子。
（２）上記非磁性体は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｖ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒのうち、すくなくとも1つからなる上記（１）に記載の記憶素子。
（３）上記酸化物は、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化コバルト、酸化ジリコニウム、酸化チタン、酸化クロムのうち、すくなくとも1つからなる上記（１）又は（２）に記載の記憶素子。
（４）上記非磁性体と上記酸化物からなる積層構造層が上記記憶層に２層以上形成されている上記（１）乃至（３）いずれかに記載の記憶素子。
（５）上記記憶層を構成する強磁性材料はＣｏ−Ｆｅ−Ｂである上記（１）乃至（４）のいずれかに記載の記憶素子。
１ ゲート電極、２ 素子分離層、３ 記憶素子、４ コンタクト層、６ ビット線、７ ソース領域、８ ドレイン領域、９ 配線、１０ 半導体基体、１４ 下地層、１５ 磁化固定層、１６ 中間層、１７ 記憶層、１８ キャップ層、２１ 酸化物層、２２ 非磁性層、１００ 複合型磁気ヘッド、１２２ 基板、１２３ 絶縁層、１２５ 第１の磁気シールド、１２７ 第２の磁気シールド 、１２８ １２９ バイアス層、１３０ １３１ 接続端子、１３２ 上層コア、１３３ 薄膜コイル

Claims (6)

  1. 膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、
    上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、
    上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層と、
    を有する層構造を備え、
    上記記憶層は、非磁性体と酸化物が積層された積層構造層を含み、
    上記層構造の積層方向に電流を流すことにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われる記憶素子。
  2. 上記非磁性体は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｖ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒのうち、すくなくとも1つからなる請求項１に記載の記憶素子。
  3. 上記酸化物は、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化コバルト、酸化ジリコニウム、酸化チタン、酸化クロムのうち、すくなくとも1つからなる請求項１に記載の記憶素子。
  4. 上記非磁性体と上記酸化物からなる積層構造層が上記記憶層に２層以上形成されている請求項１に記載の記憶素子。
  5. 上記記憶層を構成する強磁性材料はＣｏ−Ｆｅ−Ｂである請求項１に記載の記憶素子。
  6. 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶素子と、
    互いに交差する２種類の配線とを備え、
    上記記憶素子は、
    膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、
    上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、
    上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層と、
    を有する層構造を備え、
    上記層構造の積層方向に電流を流すことにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われるとともに、
    上記記憶層は、非磁性体と酸化物が積層された積層構造層を含み、
    上記２種類の配線の間に上記記憶素子が配置され、
    上記２種類の配線を通じて、上記記憶素子に上記積層方向の電流が流れる記憶装置。
JP2011261854A 2011-11-30 2011-11-30 記憶素子、記憶装置 Pending JP2013115319A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011261854A JP2013115319A (ja) 2011-11-30 2011-11-30 記憶素子、記憶装置
CN201280057904.7A CN103946974A (zh) 2011-11-30 2012-10-31 存储元件、存储装置
US14/358,645 US9553255B2 (en) 2011-11-30 2012-10-31 Memory element, memory apparatus
PCT/JP2012/006976 WO2013080436A1 (ja) 2011-11-30 2012-10-31 記憶素子、記憶装置
US15/371,863 US9917248B2 (en) 2011-11-30 2016-12-07 Memory element, memory apparatus
US16/811,534 USRE49364E1 (en) 2011-11-30 2020-03-06 Memory element, memory apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011261854A JP2013115319A (ja) 2011-11-30 2011-11-30 記憶素子、記憶装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013115319A true JP2013115319A (ja) 2013-06-10

Family

ID=48534940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011261854A Pending JP2013115319A (ja) 2011-11-30 2011-11-30 記憶素子、記憶装置

Country Status (4)

Country Link
US (3) US9553255B2 (ja)
JP (1) JP2013115319A (ja)
CN (1) CN103946974A (ja)
WO (1) WO2013080436A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018067701A (ja) * 2016-10-20 2018-04-26 コリア ユニバーシティ リサーチ アンド ビジネス ファウンデーションＫｏｒｅａ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ａｎｄ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｆｏｕｎｄａｔｉｏｎ 磁気トンネル接合素子及び磁気メモリ素子
JP2018515923A (ja) * 2015-05-07 2018-06-14 マイクロン テクノロジー， インク． 磁気トンネル接合
JP2018133474A (ja) * 2017-02-16 2018-08-23 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 磁気トンネル接合素子及び磁気抵抗メモリ
US10374149B2 (en) 2016-05-13 2019-08-06 Micron Technology, Inc. Magnetic tunnel junctions

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9368714B2 (en) 2013-07-01 2016-06-14 Micron Technology, Inc. Memory cells, methods of operation and fabrication, semiconductor device structures, and memory systems
DE112017001776T5 (de) * 2016-03-30 2018-12-13 Sony Corporation Magnetoresistives Element, Speicherelement und elektronische Vorrichtung
JP2018147916A (ja) * 2017-03-01 2018-09-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 磁気記憶素子、磁気記憶装置、電子機器、および磁気記憶素子の製造方法
US10651370B2 (en) * 2017-12-29 2020-05-12 Spin Memory, Inc. Perpendicular magnetic tunnel junction retention and endurance improvement
WO2020045655A1 (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 国立大学法人東北大学 磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、及び、該磁気抵抗効果素子の成膜方法
CN112951993B (zh) * 2021-02-23 2022-01-25 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 一种三维相变存储器及其制备方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6130814A (en) 1998-07-28 2000-10-10 International Business Machines Corporation Current-induced magnetic switching device and memory including the same
JP2003017782A (ja) 2001-07-04 2003-01-17 Rikogaku Shinkokai キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置
JP4877575B2 (ja) * 2005-05-19 2012-02-15 日本電気株式会社 磁気ランダムアクセスメモリ
US8084835B2 (en) * 2006-10-20 2011-12-27 Avalanche Technology, Inc. Non-uniform switching based non-volatile magnetic based memory
JP2008010590A (ja) * 2006-06-28 2008-01-17 Toshiba Corp 磁気抵抗素子及び磁気メモリ
US8623452B2 (en) * 2010-12-10 2014-01-07 Avalanche Technology, Inc. Magnetic random access memory (MRAM) with enhanced magnetic stiffness and method of making same
JP4682998B2 (ja) 2007-03-15 2011-05-11 ソニー株式会社 記憶素子及びメモリ
JP2009094104A (ja) 2007-10-03 2009-04-30 Toshiba Corp 磁気抵抗素子
US7985994B2 (en) * 2008-09-29 2011-07-26 Seagate Technology Llc Flux-closed STRAM with electronically reflective insulative spacer
US20110031569A1 (en) * 2009-08-10 2011-02-10 Grandis, Inc. Method and system for providing magnetic tunneling junction elements having improved performance through capping layer induced perpendicular anisotropy and memories using such magnetic elements
US8445979B2 (en) * 2009-09-11 2013-05-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Magnetic memory devices including magnetic layers separated by tunnel barriers
US8072800B2 (en) * 2009-09-15 2011-12-06 Grandis Inc. Magnetic element having perpendicular anisotropy with enhanced efficiency
US8772886B2 (en) * 2010-07-26 2014-07-08 Avalanche Technology, Inc. Spin transfer torque magnetic random access memory (STTMRAM) having graded synthetic free layer
US8565010B2 (en) * 2011-02-16 2013-10-22 Avalanche Technology, Inc. Magnetic random access memory with field compensating layer and multi-level cell
US9019758B2 (en) * 2010-09-14 2015-04-28 Avalanche Technology, Inc. Spin-transfer torque magnetic random access memory with perpendicular magnetic anisotropy multilayers
US8587982B2 (en) * 2011-02-25 2013-11-19 Qualcomm Incorporated Non-volatile memory array configurable for high performance and high density
KR20140037111A (ko) * 2011-05-19 2014-03-26 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 전압 제어 자기 이방성 스위치 및 자기 전기 메모리
US8772845B2 (en) * 2011-09-22 2014-07-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Technique for smoothing an interface between layers of a semiconductor device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018515923A (ja) * 2015-05-07 2018-06-14 マイクロン テクノロジー， インク． 磁気トンネル接合
US10374149B2 (en) 2016-05-13 2019-08-06 Micron Technology, Inc. Magnetic tunnel junctions
JP2018067701A (ja) * 2016-10-20 2018-04-26 コリア ユニバーシティ リサーチ アンド ビジネス ファウンデーションＫｏｒｅａ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ａｎｄ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｆｏｕｎｄａｔｉｏｎ 磁気トンネル接合素子及び磁気メモリ素子
US10693058B2 (en) 2016-10-20 2020-06-23 Korea University Research And Business Foundation Magnetic tunnel junction device and magnetic memory device
US10879452B2 (en) 2016-10-20 2020-12-29 Korea University Research And Business Foundation Magnetic tunnel junction device and magnetic memory device
JP2018133474A (ja) * 2017-02-16 2018-08-23 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 磁気トンネル接合素子及び磁気抵抗メモリ

Also Published As

Publication number Publication date
USRE49364E1 (en) 2023-01-10
US9917248B2 (en) 2018-03-13
WO2013080436A1 (ja) 2013-06-06
US9553255B2 (en) 2017-01-24
US20140319521A1 (en) 2014-10-30
US20170084823A1 (en) 2017-03-23
CN103946974A (zh) 2014-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10217501B2 (en) Memory element and memory apparatus
JP5867030B2 (ja) 記憶素子、記憶装置
USRE49364E1 (en) Memory element, memory apparatus
TWI530945B (zh) Memory elements and memory devices
JP6244617B2 (ja) 記憶素子、記憶装置、磁気ヘッド
JP6194752B2 (ja) 記憶素子、記憶装置、磁気ヘッド
CN106887247B (zh) 信息存储元件和存储装置
JP5782715B2 (ja) 記憶素子及び記憶装置
WO2014050379A1 (ja) 記憶素子、記憶装置、磁気ヘッド
JP5987613B2 (ja) 記憶素子、記憶装置、磁気ヘッド
JP2012235015A (ja) 記憶素子及び記憶装置
TWI473088B (zh) Memory elements and memory devices
US9053800B2 (en) Memory element and memory apparatus
JP2013115400A (ja) 記憶素子、記憶装置
US20130163315A1 (en) Memory element and memory apparatus
JP2012054439A (ja) 記憶素子及び記憶装置
JP2017212464A (ja) 記憶素子、記憶装置、磁気ヘッド
WO2013080437A1 (ja) 記憶素子、記憶装置