JP2013110623A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 基板と、
   前記基板の上方に配置されている第１電極と、
   前記第１電極との間に空隙を有する状態で配置され、前記基板の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部、および前記基板の上方に配置され、前記梁部を支持する支持部を有する第２電極と、
   を有し、
   前記第１電極および前記第２電極は、導電性を有する単結晶シリコンを含む、ＭＥＭＳ振動子。
2. 前記基板と前記第１電極との間に窒化シリコンを含む層を有する、請求項１に記載のＭＥＭＳ振動子。
3. 前記基板と前記窒化シリコン層との間に単結晶シリコンを含む層を有する、請求項１または２に記載のＭＥＭＳ振動子。
4. 基板の上方に、第１絶縁層を成膜する工程と、
   前記第１絶縁層をパターニングして前記基板を露出する工程と、
   露出された前記基板の上方に、第１シリコンゲルマニウム層をエピタキシャル成長させる工程と、
   前記第１シリコンゲルマニウム層上に、第１単結晶シリコン層をエピタキシャル成長さ
   せる工程と、
   前記第１単結晶シリコン層を覆うように、第２絶縁層を成膜する工程と、
   前記第１絶縁層および前記第２絶縁層をパターニングして、前記第１シリコンゲルマニ
   ウム層の側面を露出する工程と、
   前記第２絶縁層および前記第１単結晶シリコン層に貫通孔を形成して、前記第１シリコ
   ンゲルマニウム層を露出する工程と、
   前記貫通孔にエッチング液またはエッチングガスを通して、前記第１シリコンゲルマニ
   ウム層を除去する工程と、
   前記第１シリコンゲルマニウム層が除去された前記基板と前記第１単結晶シリ
   コン層との間に、窒化シリコン層を成膜する工程と、
   前記第２絶縁層を除去する工程と、
   前記第１単結晶シリコン層をパターニングして、第１電極および第２電極の固定部を形
   成する工程と、
   前記第１電極を覆うように、第２シリコンゲルマニウム層をエピタキシャル成長させる
   工程と、
   前記第２シリコンゲルマニウム層および前記固定部を覆うように、第２単結晶シリコン
   層をエピタキシャル成長させる工程と、
   前記第２単結晶シリコン層をパターニングして、前記第１電極の上方に、前記シリコン
   基板の厚み方向に静電力によって振動可能となる前記第２電極の梁部を形成し、前記固定
   部上に、前記梁部を支持する前記第２電極の支持部を形成する工程と、
   前記第２シリコンゲルマニウム層を除去する工程と、
   を含む、ＭＥＭＳ振動子の製造方法。
5. 前記第１シリコンゲルマニウム層をエピタキシャル成長させる工程の前に、前記基板上にバッファー層をエピタキシャル成長させる工程を、さらに含み、
   前記第１シリコンゲルマニウム層をエピタキシャル成長させる工程では、
   前記バッファー層上に、前記第１シリコンゲルマニウム層をエピタキシャル成長させ、
   前記バッファーの材質は、単結晶シリコンである、請求項４に記載のＭＥＭＳ振動子の製造方法。
6. 前記窒化シリコン層を成膜する工程の前に、前記第１単結晶シリコン層に形成された前記貫通孔を塞ぐように、前記第１単結晶シリコン層をエピタキシャル成長させる工程を、さらに含む、請求項４または５に記載のＭＥＭＳ振動子の製造方法。
7. 請求項１ないし３の何れか１項に記載のＭＥＭＳ振動子と、
   前記ＭＥＭＳ振動子の、前記第１電極および前記第２電極と電気的に接続されている回路部と、
   を含む、発振器。