JP2013102044A - Semiconductor device manufacturing method, and lead cutting device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置の製造方法、及び、リード切断装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor device manufacturing method and a lead cutting device.
半導体装置には、内部に半導体チップを封止した封止樹脂と、この封止樹脂の側面より突出する複数のリードと、を有するタイプのものがある。このような半導体装置のリードは、一般に、ガルウィング形状などに曲げ加工した後で、その先端部を切断除去(切断加工)することによって、所定の形状に加工される。 Some semiconductor devices include a sealing resin having a semiconductor chip sealed therein and a plurality of leads protruding from the side surface of the sealing resin. In general, a lead of such a semiconductor device is processed into a predetermined shape by bending and cutting (cutting) a tip portion thereof after being bent into a gull wing shape or the like.
リードの先端部の切断加工は、金型を用いたプレス加工により行われる。この金型は、半導体装置が載置される載置部と、載置部上のリードに向けて下降するパンチと、パンチとの協働でリードの先端部を切断するダイと、を有している(特許文献1参照)。 Cutting of the leading end of the lead is performed by pressing using a mold. The mold includes a mounting portion on which the semiconductor device is mounted, a punch that descends toward the lead on the mounting portion, and a die that cuts the tip of the lead in cooperation with the punch. (See Patent Document 1).
リードの先端部を切断除去することにより、該先端部は切断屑となる。この切断屑は、プレス加工を行う金型に設けられた排出路を通じて、金型の外部に排出される。この排出路は、一般に、上下の金型のうち、下型に形成された落下穴である。 By cutting and removing the tip portion of the lead, the tip portion becomes cutting waste. The cutting waste is discharged outside the mold through a discharge path provided in the mold for press working. This discharge path is generally a drop hole formed in the lower mold among the upper and lower molds.
リードの切断時に、切断屑が飛散することによって、歩留まり低下等の悪影響があることが知られている(特許文献1参照)。 It has been known that when cutting the leads, cutting chips are scattered to cause adverse effects such as a decrease in yield (see Patent Document 1).
特許文献1には、切断屑が側方に飛散した場合に該切断屑を反射して下方に落下させる飛散防止体と、切断屑の上方への飛散を防止する跳ね上がり防止体と、を金型に設けることが記載されている。
特許文献1には、更に、切断屑に対して落下方向の外力を付与する外力付加体をパンチホルダに設け、切断屑が飛散防止体を乗り越えて飛散しないようにすることが記載されている。
In Patent Document 1, when cutting waste is scattered to the side, a scattering prevention body that reflects the cutting waste and drops downward, and a splash prevention body that prevents the cutting waste from scattering upward, are described as a mold. Is provided.
Patent Document 1 further describes that an external force addition body that applies an external force in the dropping direction to the cutting waste is provided in the punch holder so that the cutting waste does not fly over the scattering prevention body.
特許文献2、3には、リードの先端部(切断によって切断屑となる部分)を金型のダイとストリッパーとによって挟持した状態で、切断加工を行うことによって、切断屑の飛散を防止する技術が記載されている。 In Patent Documents 2 and 3, a technique for preventing the scattering of cutting waste by performing cutting in a state in which the tip portion of the lead (the portion that becomes cutting waste by cutting) is sandwiched between a die and a stripper of a mold. Is described.
特許文献4には、パンチ(同文献のリードカットダイ)に形成された通気孔を介して流通する気流によって、ダイ(同文献のリードカットパンチ)上に残留している切削屑を排出することが記載されている。
特許文献5には、パンチ上に残留している切削屑を、ダイを側方に移動させることによって押して排出することが記載されている。
特許文献6には、金型のダイの下面に付着した切削屑を、金型の別部品を水平移動させることによって削ぎ落とすようにしてダイから離脱させることが記載されている。
In Patent Document 4, the cutting waste remaining on the die (lead cut punch of the same document) is discharged by an airflow flowing through a vent hole formed in the punch (lead cut die of the same document). Is described.
Patent Document 5 describes that cutting waste remaining on a punch is pushed and discharged by moving a die laterally.
Patent Document 6 describes that cutting waste adhering to the lower surface of a die of a mold is separated from the die by scraping off by moving another part of the mold horizontally.
特許文献2、3の技術では、リードの先端部を挟持した状態で切断加工を行うので、切断屑の飛散は防止できるかも知れないが、切断屑がダイ上に残留したり、或いはストリッパーの下面に残留したりし易く、その結果、リードの加工精度の悪化を招く可能性がある。 In the techniques of Patent Documents 2 and 3, since the cutting process is performed with the leading end of the lead sandwiched, it may be possible to prevent the scattering of the cutting waste, but the cutting waste may remain on the die or the lower surface of the stripper. As a result, the processing accuracy of the lead may be deteriorated.
特許文献1の技術では、特許文献2、3の技術とは異なり、リードの先端部(切断によって切断屑となる部分)を挟持しないため、切断屑が飛散する。このため、特許文献1の技術では、飛散する切断屑を反射したりすることにより排出路を介して排出するために、飛散防止体、跳ね上がり防止体、及び外力付加体等を金型に設ける必要がある。 In the technique of Patent Document 1, unlike the techniques of Patent Documents 2 and 3, since the tip portion of the lead (the portion that becomes cutting waste by cutting) is not sandwiched, the cutting waste is scattered. For this reason, in the technique of Patent Document 1, it is necessary to provide a scattering prevention body, a splash prevention body, an external force addition body, and the like in the mold in order to discharge the scattered cutting waste by reflecting it through the discharge path. There is.
特許文献4の技術では、パンチに通気孔を形成する必要がある。 In the technique of Patent Document 4, it is necessary to form a vent hole in the punch.
特許文献5、6の技術では、部品を水平方向に移動させるための特殊な移動機構を有する金型を用いる必要がある。 In the techniques of Patent Documents 5 and 6, it is necessary to use a mold having a special moving mechanism for moving parts in the horizontal direction.
このように、切断屑の飛散と切断屑の残留とを簡易な構成により抑制することは困難だった。 Thus, it was difficult to suppress the scattering of cutting waste and the remaining cutting waste with a simple configuration.
本発明は、半導体装置の外部リードの先端部をダイと押さえ部材とで挟持した状態で、前記ダイとパンチとによる剪断によって前記先端部を切断する工程と、
前記ダイと前記押さえ部材とを離間させる工程と、
を有し、
前記押さえ部材には、前記押さえ部材における前記ダイ側の面より前記ダイ側に突出する弾性体が設けられ、
前記ダイと前記押さえ部材とで前記先端部を挟持する際に、前記弾性体を前記ダイにより押して前記ダイとは反対側へ弾性変形させ、
前記ダイと前記押さえ部材とを離間させることにより、前記弾性体を前記ダイ側へ弾性復帰させ、前記切断により切断屑となった前記先端部を前記弾性体によって前記押さえ部材及び前記ダイから払い除けることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
The present invention includes a step of cutting the tip by shearing with the die and the punch in a state where the tip of the external lead of the semiconductor device is sandwiched between the die and the pressing member;
Separating the die and the pressing member;
Have
The pressing member is provided with an elastic body that protrudes toward the die side from the die side surface of the pressing member,
When sandwiching the tip portion between the die and the pressing member, the elastic body is pushed by the die and elastically deformed to the opposite side of the die,
By separating the die and the pressing member, the elastic body is elastically returned to the die side, and the tip portion that has become cutting waste by the cutting can be removed from the pressing member and the die by the elastic body. A method for manufacturing a semiconductor device is provided.
この製造方法によれば、先ず、ダイと押さえ部材とで外部リードを挟持することにより、弾性体をダイとは反対側へ弾性変形させた状態で、ダイとパンチとにより外部リードの先端部を切断する。その後、ダイと押さえ部材とを離間させることにより、弾性体をダイ側へ弾性復帰させ、切断により切断屑となった先端部を弾性体によって押さえ部材及びダイから払い除けることができる。
つまり、ダイと押さえ部材とで外部リードを挟持した状態で、外部リードの先端部を切断するので、切断屑の飛散を抑制できる。しかも、押さえ部材に弾性体を設けた簡易な構成により、切断屑を押さえ部材及びダイから払い除けて排出することができる。
よって、切断屑の飛散と切断屑の残留とを簡易な構成により抑制することができる。
According to this manufacturing method, first, the outer lead is sandwiched between the die and the holding member, and the elastic body is elastically deformed to the opposite side of the die. Disconnect. Thereafter, by separating the die and the pressing member, the elastic body can be elastically returned to the die side, and the tip portion that has become cutting waste by cutting can be removed from the pressing member and the die by the elastic body.
That is, since the tip portion of the external lead is cut in a state where the external lead is sandwiched between the die and the pressing member, scattering of cutting waste can be suppressed. Moreover, with a simple configuration in which the pressing member is provided with an elastic body, the cutting waste can be discharged from the pressing member and the die.
Therefore, scattering of cutting waste and residual cutting waste can be suppressed with a simple configuration.
また、本発明は、外部リードを有する半導体装置が、前記外部リードの先端部がはみ出るように載置される載置部と、
前記載置部に隣接して配置されたダイと、
前記外部リードの先端部を前記ダイに対して押し付けることによって前記ダイとの間に挟持する押さえ部材と、
前記ダイとの協働で前記先端部を剪断によって切断するパンチと、
前記押さえ部材に設けられ、前記押さえ部材における前記ダイ側の面より前記ダイ側に突出する弾性体と、
を有し、
前記外部リードを前記ダイと前記押さえ部材とで挟持することにより、前記弾性体が前記ダイにより押されて前記ダイとは反対側へ弾性変形し、
前記ダイと前記押さえ部材とを離間させることにより、前記弾性体が前記ダイ側へ弾性復帰することを特徴とするリード切断装置を提供する。
Further, the present invention provides a mounting unit on which a semiconductor device having an external lead is mounted so that a tip portion of the external lead protrudes;
A die disposed adjacent to the mounting portion;
A pressing member sandwiched between the die by pressing the tip of the external lead against the die; and
A punch for cutting the tip by shearing in cooperation with the die;
An elastic body provided on the pressing member and projecting toward the die side from a surface of the pressing member on the die side;
Have
By sandwiching the external lead between the die and the pressing member, the elastic body is pressed by the die and elastically deformed to the opposite side of the die,
There is provided a lead cutting device characterized in that the elastic body is elastically returned to the die side by separating the die and the pressing member.
本発明によれば、切断屑の飛散と切断屑の残留とを簡易な構成により抑制することができる。 According to the present invention, scattering of cutting waste and residual cutting waste can be suppressed with a simple configuration.
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜に説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same components are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.
図1は実施形態に係るリード切断装置100を示す模式的な側面図である。図2はリード切断装置100の押さえ部材40及びその周辺の構造を示す模式的な下面図である。図3はリード切断装置100の押さえ部材40及びその周辺の構造を示す模式的な側面図である。図4及び図5はリード切断装置100の一連の動作の流れを示す模式的な側面図である。図6は半導体装置200のリード201の加工工程の流れを示す模式的な平面図である。
FIG. 1 is a schematic side view showing a lead cutting apparatus 100 according to an embodiment. FIG. 2 is a schematic bottom view showing the
本実施形態に係る半導体装置のリード切断装置100は、外部リード(リード201)を有する半導体装置200が、外部リードの先端部202がはみ出るように載置される載置部(例えばノックアウト10)と、載置部に隣接して配置されたダイ20と、外部リードの先端部202をダイ20に対して押し付けることによってダイ20との間に挟持する押さえ部材40と、ダイ20との協働で先端部202を剪断によって切断するパンチ50と、押さえ部材40に設けられ、押さえ部材40におけるダイ20側の面よりダイ20側に突出する弾性体(例えば板状弾性体80)と、を有する。外部リードをダイ20と押さえ部材40とで挟持することにより、弾性体がダイ20により押されてダイ20とは反対側へ弾性変形する。ダイ20と押さえ部材40とを離間させることにより、弾性体がダイ20側へ弾性復帰する。
以下、詳細に説明する。
A lead cutting apparatus 100 for a semiconductor device according to the present embodiment includes a mounting portion (for example, knockout 10) on which a
Details will be described below.
加工対象の半導体装置200は、例えば、複数のリードとダイパッドとを有するリードフレーム(全体図示略)と、ダイパッド上に搭載された半導体チップ(図示略)と、半導体チップとリードとを電気的に接続するボンディングワイヤ(図示略)と、半導体チップ、ダイパッド、ボンディングワイヤ、及びリードの基端部を内部に封止した封止樹脂205と、を有する。
The
リードにおいて、封止樹脂の外部に突出している部分を、外部リード(アウターリード)という。以下、外部リードを単にリード201と表記する。リード201の先端部202は、リード切断装置100により切断されて、切断屑203(図5(a)〜(c))となる。
A portion of the lead that protrudes outside the sealing resin is referred to as an external lead (outer lead). Hereinafter, the external lead is simply referred to as
リード切断装置100は、下型(後述)と、該下型に対して相対的に昇降する上型(後述)と、上型を下型に対して昇降させるプレス装置(図示略)と、を有し、下型と上型との協働によりリード201の先端部202を切断する。
The lead cutting device 100 includes a lower mold (described later), an upper mold (described later) that moves up and down relative to the lower mold, and a press device (not shown) that moves the upper mold up and down relative to the lower mold. The
図1に示すように、リード切断装置100の下型は、加工対象の半導体装置200が載置されるノックアウト10と、ダイ20と、ダイプレート30と、図示しないダイホルダ(下型ホルダ)と、を有している。
As shown in FIG. 1, the lower die of the lead cutting device 100 includes a
ダイプレート30は、ダイホルダ上に載置されている。ダイプレート30の中央部には、該ダイプレート30を上下に貫通する開口31が形成されている。
The
ノックアウト10は、ダイプレート30の開口31の内部領域に配置され、且つ、図示しない圧縮コイルバネを介してダイホルダの上面により支持されている。ノックアウト10は、この圧縮コイルバネの付勢に抗して、ダイプレート30及びダイホルダに対して相対的に下降することができるようになっている。
The
ノックアウト10の上面には、加工対象の半導体装置200が載置される。ノックアウト10は、平面視矩形状である。
ここで、半導体装置200の封止樹脂205は、例えば、図6に示すように、平面視矩形状に形成され、その平面視における四辺の各々から複数のリード201が突出している。
半導体装置200は、その封止樹脂205の各辺と、ノックアウト10の平面視における各辺とが平行となるとともに、各リード201の先端部202がノックアウト10からはみ出るように、ノックアウト10上に載置される。
A
Here, for example, as illustrated in FIG. 6, the sealing
The
ダイ20は、ノックアウト10の周囲に隣接して配置されている。
リード切断装置100は、例えば、4つのダイ20を有し、各ダイ20は、封止樹脂205の各辺に対応してそれぞれ配置されている。各ダイ20は、封止樹脂205の対応する辺から突出する複数のリード201の先端部202を一括して切断する。なお、図1には、複数のダイ20のうち、1つのみを図示している。
The
The lead cutting device 100 has, for example, four dies 20, and each die 20 is arranged corresponding to each side of the sealing
ダイ20は、ダイホルダ上に載置されている。このため、ダイホルダ、ダイ20及びダイプレート30の相対的な位置関係は実質的に常に一定である。したがって、ノックアウト10は、ダイプレート30及びダイホルダに対して相対的に下降する際に、ダイ20に対しても相対的に下降する。
The
ダイ20の上部において、ダイプレート30の開口31の内周壁に面する部位は、外方(ノックアウト10から遠ざかる方向)に向けて下り傾斜する傾斜面21となっている。ダイ20の上端面22は、水平面となっている。
In the upper part of the die 20, the part facing the inner peripheral wall of the
ダイ20とダイプレート30との間の領域は、切断屑203を排出する排出穴32を構成している。リード切断装置100は、この排出穴32を介して、切断屑203を外部に排出するように構成されている。
A region between the die 20 and the
図1に示すように、リード切断装置100の上型は、上型ホルダ70と、パンチプレート60と、パンチ50と、押さえ部材40と、押さえピン55と、を有している。
As shown in FIG. 1, the upper die of the lead cutting device 100 includes an
上型ホルダ70は、図示しないプレス装置により保持され、該プレス装置によって、下型に対して相対的に昇降させられる。
The
上型ホルダ70の下面には、パンチ50とパンチプレート60とが固定されている。更に、パンチプレート60の下面には、下死点ストッパ61が固定されている。このため、上型ホルダ70、パンチ50、パンチプレート60及び下死点ストッパ61の相対的な位置関係は実質的に常に一定である。
A
上型が下死点まで下降したときに、下死点ストッパ61の下端部がダイプレート30の上面に当接し、上型の下降が停止するようになっている。
When the upper die is lowered to the bottom dead center, the lower end portion of the bottom
パンチプレート60の中央部には、該パンチプレート60を上下に貫通する開口62が形成されている。この開口62内にパンチ50が配置されている。
An
パンチ50は、ノックアウト10の上方に位置し、パンチ50とノックアウト10とは、上下に対向している。
The
パンチ50は、本体部51と、この本体部51の周縁部より下方に突出している当接部52と、を有している。上型が下降することにより、当接部52がリード201の上面に当接する。上型が更に下降することにより、当接部52は、リード201を介してノックアウト10を下方に押し込み(バネの付勢に抗して下方に押し込み)、ダイ20との協働で先端部202を剪断により切断する。
The
パンチ50の下面には、当接部52がリード201の上面に当接した状態で、封止樹脂205とリード201の基端側部分(リード201において当接部52が接触する部分よりも基端側の部分)とを収容する収容凹部53が形成されている。
On the lower surface of the
押さえピン55は、半導体装置200の封止樹脂205を上方から押さえ付けて、半導体装置200の浮き上がりを規制するものであり、パンチ50に設けられている。
パンチ50には、該パンチ50を上下に貫通する挿通孔58が形成されている。押さえピン55は、上下に長尺に形成され、その下端部がパンチ50の収容凹部53内に突出するように、挿通孔58に挿通されている。押さえピン55の上端には、抜け止め部56が固定されている。抜け止め部56は、挿通孔58内に入り込めない寸法及び形状に形成されている。よって、押さえピン55がパンチ50から脱落しないようになっている。
抜け止め部56の上面には、圧縮コイルバネ57の下端が固定されている。圧縮コイルバネ57の上端は、上型ホルダ70又はプレス装置に固定されている。圧縮コイルバネ57は、その弾性力によって、抜け止め部56及び押さえピン55を下方に付勢している。
The
The
The lower end of the
押さえピン55は、上型が下降する際に、パンチ50の当接部52がリード201の上面に当接するよりも前に、封止樹脂205の上面に当接し、圧縮コイルバネ57の付勢により、封止樹脂205を下向きに押さえ付ける。
なお、押さえピン55が封止樹脂205の上面に当接して以降も、上型は下降する。その際、押さえピン55及び抜け止め部56は、圧縮コイルバネ57の付勢に抗して、パンチ50に対して相対的に上昇する。
When the upper die is lowered, the
Even after the
押さえ部材40は、例えば、本体部41と、挟持部42と、を有している。
The pressing
本体部41は、例えば、ダイプレート30の上方位置から排出穴32の上方位置に亘って延在している。本体部41は、例えば、その下面及び上面が平坦且つ水平となっている。本体部41は、例えば、直方体形状に形成されている。
For example, the
挟持部42は、本体部41におけるパンチ50側を向く側面より側方(パンチ50側)に突出するように、本体部41と一体的に形成されている。挟持部42は、排出穴32の上方位置からダイ20の上方位置に亘って延在している。挟持部42の下部は、本体部41の下面よりも下方に突出している。挟持部42は、上型が下死点まで下降しても、ダイプレート30と緩衝しないように配置されている。
なお、挟持部42の上面と本体部41の上面とは、互いに面一となっている。
The sandwiching
Note that the upper surface of the clamping
押さえ部材40は、例えば、各ダイ20と対応してそれぞれ設けられている。つまり、リード切断装置100は、例えば、4つの押さえ部材40をパンチ50の周囲に有する。
The pressing
図2に示すように、押さえ部材40は、複数の挟持部42を有している。複数の挟持部42は、所定間隔(例えば一定間隔)で一列に並んで配置されている。
なお、図2には、リード201の配置を点線で示している。複数の挟持部42の並び方向は、ノックアウト10上に載置された半導体装置200の封止樹脂205の一辺から突出する複数のリード201の並び方向と同じ方向である。
As shown in FIG. 2, the pressing
In FIG. 2, the arrangement of the
各挟持部42は、例えば、その平面形状(下面の形状)が短冊状となっている。各挟持部42の下面は、それぞれ平坦且つ水平となっており、且つ、互いに面一となっている。
これら挟持部42は、ダイ20と上下に対向し、ダイ20との間にリード201の先端部202を挟持する。
Each clamping
These sandwiching
板状弾性体80は、板バネであり、例えば、それぞれ平板状に形成された第1部分81及び第2部分82を有している。
The plate-like
第1部分81は、例えば、その一方の板面が本体部41の下面に当接するように、ボルト84等の止着部材により本体部41の下面に固定されている。第1部分81は、例えば、ダイプレート30の上方位置から排出穴32の上方位置に亘って配置されている。
For example, the
第2部分82は、第1部分81と一体に形成されている。第2部分82は、第1部分81に対して、パンチ50側(ノックアウト10側)に位置している。第2部分82は、排出穴32の上方位置からダイ20の上方位置に亘って延在している。第2部分82は、第1部分81に対して屈曲(一例として、屈折)している。この屈曲の方向は、斜め下方であり、第2部分82は、第1部分81から離間した部分ほど、下に位置する。
The
第2部分82の先端(下端)は、ノックアウト10を基準として、ダイ20の上端面22よりも外方(排出穴32側)に位置している。第2部分82の先端は、例えば、傾斜面21の上方に位置している。
The tip (lower end) of the
第2部分82の先端の下面82a(図3)は、丸め加工(R加工)が施され、可能な限り面粗度が小さい鏡面となっていることが好ましい。これにより、リード201に対する滑りを良くし、下面82aの経時的な磨耗を抑制することができる。
The
板状弾性体80は、例えば、複数の第2部分82を有している。複数の第2部分82は、ノックアウト10上に載置された半導体装置200の封止樹脂205の一辺から突出する複数のリード201の並び方向において、所定間隔(例えば一定間隔)で一列に並び、且つ、互いに平行に配置されている。
The plate-like
各第2部分82は、各挟持部42どうしの間隔に配置され、平面視において何れの挟持部42とも重ならないようになっている。したがって、各第2部分82は、各挟持部42と干渉せずに、上下に弾性変形することが可能である。なお、この弾性変形は、より具体的には、概ね、第1部分81と第2部分82との境界の屈曲部83を旋回中心とした旋回運動となる。
The
図1に示すように、各第2部分82は、押さえ部材40の挟持部42におけるダイ20側の面すなわち挟持部42の下端面よりダイ20側に突出している。
As shown in FIG. 1, each
押さえ部材40は、押さえ部材ガイド45と、抜け止め部46とを介して、パンチプレート60により吊り下げ保持されている。
パンチプレート60には、該パンチプレート60を上下に貫通する挿通孔63が形成されている。
押さえ部材ガイド45は、上下に長尺な柱状体である。押さえ部材ガイド45は、挿通孔63に挿通され、その下端部が、挿通孔63の下方において押さえ部材40の上面に固定されている。
押さえ部材ガイド45の上端には、抜け止め部46が固定されている。抜け止め部46は、挿通孔63内に入り込めない寸法及び形状に形成されている。よって、抜け止め部46がパンチプレート60の上面よりも下方へ移動しないようになっている。すなわち、押さえ部材ガイド45及び押さえ部材40がパンチプレート60から脱落しないようになっている。
The pressing
The
The pressing
A retaining
抜け止め部46の上面には、圧縮コイルバネ47の下端が固定されている。圧縮コイルバネ47の上端は、上型ホルダ70又はプレス装置に固定されている。圧縮コイルバネ47は、その弾性力によって、抜け止め部46、押さえ部材ガイド45及び押さえ部材40を下方に付勢している。
The lower end of the
押さえ部材40の本体部41の下面には、押さえ部材ストッパ48が固定されている。上型が下降する際において、押さえ部材ストッパ48は、下死点ストッパ61がダイプレート30の上面に当接するよりも前に、ダイプレート30の上面に当接し、押さえ部材40の下降を停止させる。
また、押さえ部材ストッパ48がダイプレート30の上面に当接して以降も、上型は下降する。その際、押さえ部材40、押さえ部材ストッパ48、押さえ部材ガイド45及び抜け止め部46は、圧縮コイルバネ47の付勢に抗して、パンチプレート60に対して相対的に上昇する。この際、押さえ部材ガイド45は、挿通孔63によりガイドされる。
A pressing
Even after the
押さえ部材ストッパ48がダイプレート30の上面に当接することによって押さえ部材40の下降を停止するのと同時か、又はその直前に、押さえ部材40の挟持部42の下端面とダイ20の上端面22とによりリード201の先端部202が挟持される。
At the same time as or immediately before the
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。この製造方法は、半導体装置200の外部リード(リード201)の先端部202をダイ20と押さえ部材40とで挟持した状態で、ダイ20とパンチ50とによる剪断によって先端部202を切断する工程と、ダイ20と押さえ部材40とを離間させる工程とを有する。押さえ部材40には、押さえ部材40におけるダイ20側の面よりダイ20側に突出する板状弾性体80が設けられている。ダイ20と押さえ部材40とで外部リードを挟持する際には、板状弾性体80をダイ20により押してダイ20とは反対側へ弾性変形させる。ダイ20と押さえ部材40とを離間させることにより、板状弾性体80をダイ20側へ弾性復帰させ、切断により切断屑203となった先端部202を板状弾性体80によって押さえ部材40及びダイ20から払い除ける。以下、詳細に説明する。
Next, a method for manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment will be described. This manufacturing method includes a step of cutting the
先ず、半導体チップと、リードフレームとを準備する。 First, a semiconductor chip and a lead frame are prepared.
半導体チップは、以下の要領で作成することができる。
先ず、半導体基板に素子分離膜を形成する。これにより、素子形成領域が分離される。素子分離膜は、例えばSTI法を用いて形成されるが、LOCOS法を用いて形成されても良い。次に、素子形成領域に位置する半導体基板に、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成する。ゲート絶縁膜は酸化シリコン膜であってもよいし、酸化シリコン膜よりも誘電率が高い高誘電率膜(例えばハフニウムシリケート膜)であってもよい。ゲート絶縁膜が酸化シリコン膜である場合、ゲート電極はポリシリコン膜により形成される。またゲート絶縁膜が高誘電率膜である場合、ゲート電極は、金属膜(例えばTiN)とポリシリコン膜の積層膜により形成される。また、ゲート電極がポリシリコンにより形成される場合、ゲート電極を形成する工程において、素子分離膜上にポリシリコン抵抗を形成しても良い。
The semiconductor chip can be created in the following manner.
First, an element isolation film is formed on a semiconductor substrate. Thereby, the element formation region is separated. The element isolation film is formed using, for example, the STI method, but may be formed using the LOCOS method. Next, a gate insulating film and a gate electrode are formed on the semiconductor substrate located in the element formation region. The gate insulating film may be a silicon oxide film or a high dielectric constant film (for example, a hafnium silicate film) having a higher dielectric constant than that of the silicon oxide film. When the gate insulating film is a silicon oxide film, the gate electrode is formed of a polysilicon film. When the gate insulating film is a high dielectric constant film, the gate electrode is formed of a laminated film of a metal film (for example, TiN) and a polysilicon film. When the gate electrode is formed of polysilicon, a polysilicon resistor may be formed on the element isolation film in the step of forming the gate electrode.
次に、素子形成領域に位置する半導体基板に、ソース及びドレインのエクステンション領域を形成する。次にゲート電極の側壁にサイドウォールを形成する。次に、素子形成領域に位置する半導体基板に、ソース及びドレインとなる不純物領域を形成する。このようにして、半導体基板上にMOSトランジスタが形成される。 Next, source and drain extension regions are formed in the semiconductor substrate located in the element formation region. Next, sidewalls are formed on the sidewalls of the gate electrode. Next, impurity regions serving as a source and a drain are formed in a semiconductor substrate located in the element formation region. In this way, a MOS transistor is formed on the semiconductor substrate.
次に、素子分離膜上及びMOSトランジスタ上に、多層配線層を形成する。最上層の配線層には、電極パッドが形成される。次に、多層配線層上に、保護絶縁膜(パッシベーション膜)を形成する。保護絶縁膜には、電極パッド上に位置する開口が形成される。 Next, a multilayer wiring layer is formed on the element isolation film and the MOS transistor. An electrode pad is formed on the uppermost wiring layer. Next, a protective insulating film (passivation film) is formed on the multilayer wiring layer. An opening located on the electrode pad is formed in the protective insulating film.
その後、以上の工程により作成されたウェハをダイシングにより個片化する。こうして、半導体チップを得ることができる。 Thereafter, the wafer produced by the above process is separated into pieces by dicing. In this way, a semiconductor chip can be obtained.
一方、図6(a)に示すように、リードフレーム300は、タイバー301により相互に連結された複数のリード302と、半導体チップが搭載されるダイパッド(不図示)と、連結部303を介してタイバー301を吊り保持する枠部304と、を有している。なお、アウターリードすなわちリード201は、リード302の一部分である。
On the other hand, as shown in FIG. 6A, the
このようなリードフレーム300のダイパッド上に、半導体チップを搭載及び接合する。次に、ワイヤボンディングにより半導体チップの電極とリード302とを電気的に接続する。 次に、半導体チップ、ダイパッド、ボンディングワイヤ、及びリード302の基端部を封止樹脂205により内部に封止する。この状態で、図6(a)に示すように、リード302の先端側、すなわちアウターリード(リード201)が封止樹脂205の側面から側方に突出している。
A semiconductor chip is mounted and bonded onto the die pad of such a
次に、連結部303を切断することにより、タイバー301及びリード302を、枠部304から分離させる。次に、アウターリード(リード201)をガルウィング形状に曲げ加工する(図6(b))。
Next, the
次に、アウターリード(リード201)の先端部202及びタイバー301を、切断によりリード201の基端側(封止樹脂205に近い側)から切り離すことによって、リード201を所定の形状にする(図6(c))。
Next, the
以下、この切断の工程について、図4及び図5を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, this cutting process will be described in detail with reference to FIGS.
先ず、リード201がガルウィング形状に曲げ成型された半導体装置200をノックアウト10の上面に載置する。その後、プレス装置により上型を上死点から下降させ始める。
First, the
なお、上述のように、上型ホルダ70、パンチ50、パンチプレート60及び下死点ストッパ61の相対的な位置関係は実質的に常に一定である。つまり、上型ホルダ70が昇降するのに伴い、パンチ50、パンチプレート60及び下死点ストッパ61も、該上型ホルダ70と一体的に昇降する。
As described above, the relative positional relationship among the
上型が下降し始めた当初は、抜け止め部56は、圧縮コイルバネ57の付勢により、パンチ50の上面に押し付けられ、抜け止め部46は、圧縮コイルバネ47の付勢により、パンチプレート60の上面に押し付けられている(図1参照)。
When the upper die starts to descend, the retaining
その後、図4(a)に示すように、先ず、パンチ50に設けられた押さえピン55が封止樹脂205の上面に接触し、半導体装置200の浮き上がりが規制される。
その後、板状弾性体80の第2部分82の先端がリード201の先端部202の上面に接触する。
After that, as shown in FIG. 4A, first, the
Thereafter, the tip of the
図4(b)に示すように、上型はその後も下降する。この下降の際、板状弾性体80がその屈曲部83を起点として変形する。屈曲部83を起点として板状弾性体80を変形させるのに要する荷重の大きさは、リード201を変形させるのに要する荷重よりも十分に小さく設定されている。このため、第2部分82が屈曲部83を起点として上方に旋回するように板状弾性体80を弾性変形させながら、上型の下降が進む。
つまり、リード201をダイ20と押さえ部材40とで挟持することにより、板状弾性体80がダイ20により押されてダイ20とは反対側へ弾性変形する。
板状弾性体80の弾性変形は、押さえ部材40の挟持部42の下面から下方への第2部分82の突出がなくなるまで継続する(図4(c))。
As shown in FIG. 4 (b), the upper mold continues to descend. During the lowering, the plate-like
That is, by sandwiching the
The elastic deformation of the plate-like
ここで、半導体装置200は、その封止樹脂205が押さえピン55により下に押さえ付けられている。よって、板状弾性体80がリード201を下に押すことにより半導体装置200がノックアウト10上で上方に動いてしまうことが抑制される。
押さえピン55は、圧縮コイルバネ57により下方に付勢され、且つ、パンチ50に対して相対的に上方に移動可能であるため、押さえピン55から封止樹脂205に対して過度の荷重が付与されないようになっている。
なお、本実施形態では、押さえピン55をパンチ50の挿通孔58から突出させているが、押さえピン55は、ノックアウト10からの半導体装置200の浮き上がりを抑制できるものであればよいため、上型の構造の違いに応じて、押さえピン55の設置態様は適宜に変更すればよい。
Here, the sealing
Since the
In this embodiment, the
また、上型の下降が進むのに伴って板状弾性体80が上記のように弾性変形する過程で、パンチ50の当接部52がリード201の上面に当接することにより、当接部52とノックアウト10とによりリード201が挟持される(図4(b))。
Further, in the process in which the plate-like
パンチ50の当接部52とノックアウト10とによりリード201が挟持されて以降も上型が下降することにより、当接部52がリード201を介してノックアウト10を下方に押圧する。よって、ノックアウト10を下方から支持する圧縮コイルバネ(図示略)が圧縮弾性変形しながら、パンチ50、押さえ部材40及びノックアウト10とともに半導体装置200が下降する(図4(c))。その結果、ダイ20は、これらに対して相対的に上昇する。
Even after the
ここで、リード201の先端部202の下面と、ダイ20の上端面22とが接触するのと同時か又はその直後に、押さえ部材ストッパ48がダイプレート30の上面に接触することにより押さえ部材40の下降が停止する。
また、リード201の先端部202の下面と、ダイ20の上端面22とが接触するのと同時か又はその直前に、押さえ部材40の挟持部42の下面がリード201の先端部202の上面に接する。
こうして、リード201の先端部202は、上型の下降の過程で、先端部202が切断されるよりも前に、押さえ部材40の挟持部42とダイ20の上端面22とにより挟持される(図4(c))。
押さえ部材40の挟持部42の下面と、ダイ20の上端面22とは、リード201の板厚と同等又はそれよりも若干(数μm程度)小さいクリアランスを維持することにより、リード201の先端部202を上下から挟持する。
Here, at the same time as or immediately after the lower surface of the
Further, at the same time as or immediately before the lower surface of the
Thus, the
The lower surface of the holding
押さえ部材40の下降が停止して以降、押さえ部材40は、その高さ方向の位置が一定に維持されながら、圧縮コイルバネ47により抜け止め部46及び押さえ部材ガイド45を介して下方へ付勢される。
押さえ部材40の下降が停止して以降も、上型は下降を続ける。このため、圧縮コイルバネ47が次第に圧縮弾性変形されるとともに、上型ホルダ70、パンチプレート60、パンチ50、押さえピン55及びノックアウト10と共に半導体装置200は下降を続ける。
After the lowering of the pressing
Even after the lowering of the pressing
この下降の過程で、図5(a)に示すように、ダイ20は、パンチ50に対して相対的に上昇する。このため、パンチ50の当接部52とダイ20との協働によって、リード201の先端部202が剪断により切断される。
この切断により、先端部202はリード201における基端側の部分から分離して切断屑203となる。
In the descending process, the
By this cutting, the
ここで、切断屑203は、押さえ部材40の挟持部42の下面とダイ20の上端面22とにより挟持されている。このため、切断屑203が飛散してしまうことを確実に抑制することができる。
Here, the cutting
上型の下降は、上型が下死点に到達するまで、すなわち下死点ストッパ61がダイプレート30の上面に当接するまで継続する。上型が下死点に到達した後、上型は上昇に転じる。
The lowering of the upper die continues until the upper die reaches the bottom dead center, that is, until the bottom
その後、上型が上死点に到達するまでの動作は、以下に説明する点の他は、概ね、上型が上死点から下死点に到達するまでの動作の逆の順序で行われる。 Thereafter, the operation until the upper mold reaches the top dead center is performed in the reverse order of the operation until the upper mold reaches the bottom dead center from the top dead center, except for the points described below. .
先ず、図5(b)に示すように、パンチ50及びノックアウト10と共に半導体装置200が上昇するが、切断屑203は押さえ部材40の挟持部42とダイ20とにより挟持され続ける。
First, as shown in FIG. 5B, the
上型の上昇が更に進むことにより、圧縮コイルバネ47が復元する。そして、パンチプレート60の上面が抜け止め部46の下面に当接して以降は、押さえ部材40がパンチプレート60とともに上昇を開始する。このため、切断屑203は押さえ部材40とダイ20とによる挟持状態から開放される。
これまで板状弾性体80は、切断屑203を介してダイ20により上方に押さえ付けられることによって弾性変形状態となっていたが、切断屑203が挟持状態から開放されると同時に、板状弾性体80は弾性復帰する。すなわち、第2部分82が屈曲部83を起点として下方に旋回するようにして、板状弾性体80が弾性復帰する。
この動作により、切断屑203は、第2部分82によって下方に払い除けられるようにして押し出され、排出穴32を介して下型の外部に排出される(図5(c))。
すなわち、先端部202の切断後、ダイ20と押さえ部材40とを離間させることにより、板状弾性体80をダイ20側へ弾性復帰させ、切断により切断屑203となった先端部202を板状弾性体80によって押さえ部材40及びダイ20から払い除ける。
このとき、第2部分82が、ダイ20と干渉せずに弾性復帰するように、ダイ20と板状弾性体80との位置関係が設定されている。このため、第2部分82がスムーズに切断屑203を払い除けることができる。
なお、この際、先端部202どうしはタイバー301を介して相互に連結されているので、第2部分82が先端部202どうしの間に位置するタイバー301を押すことによっても、切断屑203を落下させることができる。
The
Until now, the plate-like
By this operation, the cutting
That is, after cutting the
At this time, the positional relationship between the die 20 and the plate-like
At this time, since the
切断屑203の排出性能の観点から、板状弾性体80は、以下のような形状であることが好ましい。
From the viewpoint of the discharge performance of the cutting
先ず、押さえ部材40の挟持部42の下面から下方への板状弾性体80の突出長L(図3)が長いほど、板状弾性体80による切断屑203の排出性は向上する。ただし、突出長Lが過剰に長いと、リード切断装置100を空打ち動作(ノックアウト10上に半導体装置200を配置せずに上型を下降させる動作)させる際、板状弾性体80とダイ20とが干渉し、これら部品の過剰な磨耗などの不具合が生じる可能性がある。
これらのことから、突出長Lは、少なくともリード201の板厚以上で、且つ空打ち動作の際に上型が下死点に到達した時に板状弾性体80とダイ20とが干渉しない寸法が好ましい。
この突出長Lは、0.15mm以上0.45mm以下であることが挙げられる。具体的には、突出長Lは、例えば、0.2mm程度とすることができる。
First, the longer the protruding length L (FIG. 3) of the plate-like
For these reasons, the protrusion length L is at least equal to or greater than the plate thickness of the
The protrusion length L is 0.15 mm or more and 0.45 mm or less. Specifically, the protrusion length L can be set to, for example, about 0.2 mm.
また、板状弾性体80による切断屑203の押し位置は、排出時に切断屑203が回転してしまうことを極力避けるため、切断屑203となる先端部202の中央部(先端部202の長手方向における中央部)が好ましい。
また、図2において、中心線Cを基準として水平方向において対称に、複数の第2部分82が配されていることが好ましく、これによっても、排出時に切断屑203が回転してしまうことを抑制できる。
Further, the pressing position of the cutting
In FIG. 2, it is preferable that the plurality of
板状弾性体80は、その屈曲部83を起点として、スムーズに繰り返し曲げ動作できることが望まれる。屈曲部83の屈曲角度を小さくし過ぎると、板状弾性体80を座屈させるような荷重が板状弾性体80に作用し、板状弾性体80のスムーズな曲げ動作の弊害となる。このため、屈曲部83の角度、すなわち第1部分81と第2部分82とのなす角度α(図3)は、例えば135°以上が好ましい。
The plate-like
強度の観点から、板状弾性体80は、以下のような形状であることが好ましい。
From the viewpoint of strength, the plate-like
先ず、板状弾性体80が曲げ弾性変形するのに要する荷重が大きいほど、板状弾性体80からリード201に加わる荷重も大きくなる。この荷重が大きいとリード201の変形に繋がり、結果としてリード201の外形形状の不良を引き起こす可能性がある。
このため、リード201の実質的な変形を抑制できるように、板状弾性体80が曲げ弾性変形するのに要する荷重は小さいことが好ましい。
First, the load applied to the lead 201 from the plate
For this reason, it is preferable that the load required for the plate-like
ここで、例えば、封止樹脂205の各辺から36本ずつのリード201が突出し、リード201の板厚が0.125mm、リード201の幅が0.20mmの半導体装置200(144pinQFP(Quad Flat Package)パッケージ)の場合について説明する。
この場合、封止樹脂205の一辺から突出するリード201に接触して弾性変形する板状弾性体80の曲げ弾性変形荷重を0.3kgf以下とすることにより、リード201の外形形状の不良を抑制できる。すなわち、図2に示すように、半導体装置200の一辺に対応して3つの第2部分82を有する板状弾性体80を配置する場合、これら3つの第2部分82の曲げ弾性変形荷重の合算値を0.3kgf以下とすれば良い。
なお、本実施形態での加工対象の半導体装置200は、この例に限られないことは勿論である。
Here, for example, a semiconductor device 200 (144 pin QFP (Quad Flat Package) in which 36 leads 201 protrude from each side of the sealing
In this case, the bending elastic deformation load of the plate-like
Needless to say, the
板状弾性体80は、その屈曲部83を起点として繰り返し曲げ弾性変形するため、疲労破壊に至る可能性がある。一般的な板ばね材であるステンレス鋼は曲げ変形に対する疲労限度が20kgf/mm2程度であり、板ばね材すなわち板状弾性体80に作用する曲げ応力は、この値未満に設計することが好ましい。
Since the plate-like
これらを満足する条件の一例として、図2に示すように、半導体装置200の一辺に対応して3つの第2部分82を有する板状弾性体80を配置する場合、板状弾性体80の材質をステンレス鋼とし、第2部分82の幅2.0mm、長さ6.0mm、板厚0.2mmとすることが挙げられる。
As an example of conditions that satisfy these conditions, as shown in FIG. 2, when a plate-like
次に、ダイ20の好ましい形状について説明する。 Next, a preferable shape of the die 20 will be described.
ダイ20の上端面22の長さ(リード201の先端部202の長手方向に沿う方向における長さ)が短すぎると、先端部202の挟持が困難になり、またダイ20の強度が不足することから切刃部(ダイ20の上端部)の欠けが発生しやすくなる。
一方、ダイ20の上端面22の長さが長すぎると、切断屑203がダイ20上に残留しやすくなる。
このため、切断屑203が自重で落下できる寸法に設計することが好ましい。
具体的には、例えば、ダイ20の上端面22の長さは、0.15mm以上0.30mm以下であることが好ましい一例である。具体的には、ダイ20の上端面22の長さは、例えば、0.2mm程度とすることができる。
こうすることにより、先端部202を十分な保持力で挟持でき、且つ、切断屑203を容易に排出することができる。
If the length of the
On the other hand, if the length of the
For this reason, it is preferable to design to the dimension which the cutting
Specifically, for example, the length of the
By doing so, the
また、ダイ20の傾斜面21の傾斜角度が急傾斜すぎると、傾斜面21を切断屑203が滑落することで、切断屑203の排出性が向上するが、この場合も、ダイ20の幅が小さくなりダイ20の強度低下に繋がる。そこで、傾斜面21の傾斜角度β(図3)は十分な強度を有する範囲で、可能な限り大きいことが好ましい。
具体的には、例えば、ダイ20の傾斜面21の傾斜角度βは、45°以上60°以下であることが好ましい一例である。
ただし、ダイ20の強度に問題が無ければ、傾斜角度βは大きい方が好ましい。
Moreover, if the inclination angle of the
Specifically, for example, the inclination angle β of the
However, if there is no problem in the strength of the die 20, it is preferable that the inclination angle β is large.
以上のような実施形態によれば、先ず、ダイ20と押さえ部材40とでリード201を挟持することにより、板状弾性体80をダイ20とは反対側へ弾性変形させた状態で、ダイ20とパンチ50とによりリード201の先端部202を切断する。その後、ダイ20と押さえ部材40とを離間させることにより、板状弾性体80をダイ20側へ弾性復帰させ、切断により切断屑203となった先端部202を板状弾性体80によって押さえ部材40及びダイ20から払い除けることができる。
つまり、ダイ20と押さえ部材40とでリード201を挟持した状態で、リード201の先端部202を切断するので、切断屑203の飛散を抑制できる。そして、押さえ部材40に板状弾性体80を設けた簡易な構成により、切断屑203を押さえ部材40及びダイ20から払い除けて排出することができる。
よって、切断屑203の飛散と、装置内への切断屑203の残留とを簡易な構成により抑制することができ、切断屑203の残留による加工精度の悪化などを低減することができるので、高く安定した品質の半導体装置200の製造が可能になる。
According to the embodiment described above, first, the
That is, since the
Therefore, the scattering of the cutting
なお、特許文献1の技術では、飛散防止体、跳ね上がり防止体、及び外力付加体により、切断屑の飛散を抑制しているが、それでも切断屑の飛散を確実に防止できるとは限らない。
特許文献1の外力付加体は、パンチホルダに設けられているため、上型の下降に伴い勢いよく下降する。よって、リードには上方から非常に大きな外力が付与される。これにより、リードの切断時には、その切断箇所を起点に下方に撓むように、リードが変形する。リードは、撓んだ状態で切断されるため、リードの弾性力が切断時に瞬間的に開放されて、切断屑が勢いよく飛散する。この切断屑の飛散方向は、ランダム性が高い(再現性が低い)。
切断屑が飛散した場合、排出穴内で切断屑を排出しやすい姿勢に保てずに、排出穴内に切断屑が詰まってしまったり、或いは、下型において、上型のストッパ部材と接触する部位に乗った状態となってしまったりする可能性がある。後者の場合、加工精度の悪化や、金型の損傷を招く。
In addition, in the technique of patent document 1, although the scattering prevention body, the splash prevention body, and the external force addition body are suppressing the scattering of cutting waste, it still cannot necessarily prevent scattering of cutting waste reliably.
Since the external force addition body of patent document 1 is provided in the punch holder, it descends vigorously as the upper die descends. Therefore, a very large external force is applied to the lead from above. Thereby, at the time of cutting of the lead, the lead is deformed so as to bend downward from the cut point. Since the lead is cut in a bent state, the elastic force of the lead is instantaneously released at the time of cutting, and the cutting waste is scattered violently. The scattering direction of the cutting waste is highly random (low reproducibility).
If the cutting dust scatters, the cutting hole is not easily maintained in the discharge hole and the cutting hole is clogged in the discharge hole, or the lower die is in contact with the upper mold stopper member. There is a possibility of getting on board. In the latter case, the processing accuracy is deteriorated and the mold is damaged.
一方、本実施形態の場合、板状弾性体80の弾性復帰は、上型の上昇に同期して進行するため、切断屑203は、板状弾性体80の第2部分82によって下に押されることにより、再現性良い動作で下に落下する。よって、切断屑203の飛散を確実に抑制できる。
On the other hand, in the case of the present embodiment, the elastic recovery of the plate-like
上記の実施形態では、弾性体が板状(板バネ)である例を説明したが、弾性体は、その他の形態であっても良い。弾性体は、例えば、ピン状であっても良いし、或いは、圧縮コイルバネであっても良い。 In the above embodiment, an example in which the elastic body has a plate shape (plate spring) has been described, but the elastic body may have other forms. The elastic body may be, for example, a pin shape or a compression coil spring.
10 ノックアウト
20 ダイ
21 傾斜面
22 上端面
30 ダイプレート
31 開口
32 排出穴
40 押さえ部材
41 本体部
42 挟持部
45 押さえ部材ガイド
46 抜け止め部
47 圧縮コイルバネ
48 押さえ部材ストッパ
50 パンチ
51 本体部
52 当接部
53 収容凹部
55 押さえピン
56 抜け止め部
57 圧縮コイルバネ
58 挿通孔
60 パンチプレート
61 下死点ストッパ
62 開口
63 挿通孔
70 上型ホルダ
80 板状弾性体
81 第1部分
82 第2部分
82a 下面
83 屈曲部
84 ボルト
100 リード切断装置
200 半導体装置
201 リード
202 先端部
203 切断屑
205 封止樹脂
300 リードフレーム
301 タイバー
302 リード
303 連結部
304 枠部
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記ダイと前記押さえ部材とを離間させる工程と、
を有し、
前記押さえ部材には、前記押さえ部材における前記ダイ側の面より前記ダイ側に突出する弾性体が設けられ、
前記ダイと前記押さえ部材とで前記先端部を挟持する際に、前記弾性体を前記ダイにより押して前記ダイとは反対側へ弾性変形させ、
前記ダイと前記押さえ部材とを離間させることにより、前記弾性体を前記ダイ側へ弾性復帰させ、前記切断により切断屑となった前記先端部を前記弾性体によって前記押さえ部材及び前記ダイから払い除けることを特徴とする半導体装置の製造方法。 Cutting the tip by shearing with the die and the punch in a state where the tip of the external lead of the semiconductor device is sandwiched between the die and the pressing member;
Separating the die and the pressing member;
Have
The pressing member is provided with an elastic body that protrudes toward the die side from the die side surface of the pressing member,
When sandwiching the tip portion between the die and the pressing member, the elastic body is pushed by the die and elastically deformed to the opposite side of the die,
By separating the die and the pressing member, the elastic body is elastically returned to the die side, and the tip portion that has become cutting waste by the cutting can be removed from the pressing member and the die by the elastic body. A method for manufacturing a semiconductor device.
平板状に形成され前記押さえ部材に固定された第1部分と、
平板状に形成され、前記第1部分と一体形成され、前記第1部分に対して屈曲し、前記押さえ部材における前記ダイ側の面より前記ダイ側に突出する第2部分と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 The elastic body is a leaf spring,
A first portion formed in a flat plate shape and fixed to the pressing member;
A second portion formed in a flat plate shape, integrally formed with the first portion, bent with respect to the first portion, and projecting toward the die side from the die side surface of the pressing member;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
前記弾性体は、前記複数の挟持部どうしの間隔に配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。 The pressing member has a plurality of sandwiching portions that face the die and sandwich the tip portion between the die and the die.
3. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the elastic body is arranged at an interval between the plurality of sandwiching portions.
前記載置部に隣接して配置されたダイと、
前記外部リードの先端部を前記ダイに対して押し付けることによって前記ダイとの間に挟持する押さえ部材と、
前記ダイとの協働で前記先端部を剪断によって切断するパンチと、
前記押さえ部材に設けられ、前記押さえ部材における前記ダイ側の面より前記ダイ側に突出する弾性体と、
を有し、
前記外部リードを前記ダイと前記押さえ部材とで挟持することにより、前記弾性体が前記ダイにより押されて前記ダイとは反対側へ弾性変形し、
前記ダイと前記押さえ部材とを離間させることにより、前記弾性体が前記ダイ側へ弾性復帰することを特徴とするリード切断装置。 A semiconductor device having an external lead is mounted so that the tip of the external lead protrudes; and
A die disposed adjacent to the mounting portion;
A pressing member sandwiched between the die by pressing the tip of the external lead against the die; and
A punch for cutting the tip by shearing in cooperation with the die;
An elastic body provided on the pressing member and projecting toward the die side from a surface of the pressing member on the die side;
Have
By sandwiching the external lead between the die and the pressing member, the elastic body is pressed by the die and elastically deformed to the opposite side of the die,
The lead cutting apparatus according to claim 1, wherein the elastic body is elastically returned to the die side by separating the die and the pressing member.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN110369608A (en) * | 2019-06-28 | 2019-10-25 | 无锡红光微电子股份有限公司 | The Trim Molding device of semiconductor devices |
KR102059581B1 (en) * | 2018-03-26 | 2019-12-26 | 주식회사 유진테크놀러지 | Notching mold having a folding prevention device of tab |
WO2021112347A1 (en) * | 2019-12-04 | 2021-06-10 | 주식회사 엘지에너지솔루션 | Notching apparatus |
CN110369608B (en) * | 2019-06-28 | 2024-05-28 | 无锡红光微电子股份有限公司 | Cutting rib forming device of semiconductor device |
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2011
- 2011-11-08 JP JP2011244627A patent/JP2013102044A/en active Pending
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CN110369608A (en) * | 2019-06-28 | 2019-10-25 | 无锡红光微电子股份有限公司 | The Trim Molding device of semiconductor devices |
CN110369608B (en) * | 2019-06-28 | 2024-05-28 | 无锡红光微电子股份有限公司 | Cutting rib forming device of semiconductor device |
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