KR100382249B1 - Epoxy punch of trimming process and thimming method thereof in semiconductor packaging - Google Patents
Epoxy punch of trimming process and thimming method thereof in semiconductor packaging Download PDFInfo
- Publication number
- KR100382249B1 KR100382249B1 KR20000046788A KR20000046788A KR100382249B1 KR 100382249 B1 KR100382249 B1 KR 100382249B1 KR 20000046788 A KR20000046788 A KR 20000046788A KR 20000046788 A KR20000046788 A KR 20000046788A KR 100382249 B1 KR100382249 B1 KR 100382249B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- epoxy
- punch
- mold compound
- semiconductor package
- trimming
- Prior art date
Links
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 반도체 패키징에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 트림잉 공정에 사용되는 에폭시 펀치 및 이를 이용한 트림잉 방법에 관한 것이다.The present invention relates to semiconductor packaging, and more particularly, to an epoxy punch used in a trimming process and a trimming method using the same.
반도체 패키징 공정은 대략적으로 웨이퍼 소잉(wafer sawing)->다이 본딩(die bonding)->와이어 본딩(wire bonding)->몰딩(molding)->트림잉(trimming)-> 폼잉(forming)->마킹(marking)->리드 도금(solder plating or dipping)-> 전기적 검사(electrically final test)의 순서로 이루어진다.The semiconductor packaging process is roughly wafer sawing-> die bonding-> wire bonding-> molding-> trimming-> forming-> marking (marking)-> solder plating or dipping-> electrically final test.
여기서 트림잉 공정이란, 몰딩이 완료된 스트립 상태의 리드프레임에서, 리드와 리드를 연결하고 있는 댐버(Damber)와, 몰딩공정에서 반도체 패키지 몸체와 상기 댐버 사이에 형성된 에폭시 몰드 컴파운드 잔재를 제거하는 공정을 말한다. 그리고 폼잉공정은 각 반도체 패키지 형태별로 리드를 순차적으로 절곡하여 일정 규격의 리드모양으로 성형하는 공정을 말한다. 상기 댐버(Damber)는 몰딩시 에폭시 몰드 컴파운드의 유출을 막기 위하여 리드와 리드사이를 가로질러 형성된 리드프레임의 일부분을 말한다.Here, the trimming process refers to a process of removing the residues formed between the leads and the leads in the lead frame in the strip state in which the molding is completed and the epoxy mold compound residue formed between the semiconductor package body and the dams in the molding process. Say. In addition, the foaming process refers to a process of forming a lead shape of a predetermined standard by sequentially bending leads for each semiconductor package type. The damper refers to a part of a lead frame formed across the lead to prevent leakage of the epoxy mold compound during molding.
상기 댐버와, 에폭시 몰드 컴파운드 잔재를 제거하는 기능을 수행하는 트림잉 장비는 약 100여개의 철강재 부품으로 구성되어져 있고, 사용자의 목적에 따라서 혹은 각 제조회사별로 약간씩 다르게 설계하여 제작되고 있다.The damper and the trimming equipment that performs the function of removing the residue of the epoxy mold compound are composed of about 100 steel parts, and are designed and manufactured slightly differently according to the user's purpose or by each manufacturer.
도 1 내지 도 3은 일반적인 반도체 패키징의 트림잉 공정에 관한 개요를 설명하기 위해 도시한 반도체 패키지의 평면도이다.1 to 3 are plan views of a semiconductor package shown for explaining an outline of a trimming process of a general semiconductor packaging.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 일반적인 트림잉 공정은 몰딩이 끝난 상태에 있는 리드프레임 스트립(도1의 그림)에서, 에폭시 몰드 컴파운드 잔재(도1의 16)를 에폭시 펀치를 사용하여 먼저 제거(도2의 그림)하고, 이어서 댐버 펀치를 이용하여 댐버(도2의 14)를 제거함으로써, 반도체 패키지에 있는 각각의 리드가 독립적으로 분리(도3의 그림)된다.1 to 3, a typical trimming process is to first remove the epoxy mold compound residue (16 in FIG. 1) from the leadframe strip (figure of FIG. 1) in the molded state by using an epoxy punch ( 2, and then removing the dam (14 in FIG. 2) using a damper punch, each lead in the semiconductor package is independently separated (figure 3).
도 4는 종래 기술에 의한 에폭시 펀치 및 이를 이용한 트림잉 방법을 설명하기 위해 도시한 트림잉 장비의 개략적인 정면도이고, 도 5는 측면도이다.Figure 4 is a schematic front view of the trimming equipment shown for explaining the epoxy punch and the trimming method using the prior art according to the prior art, Figure 5 is a side view.
도 4 및 도 5를 참조하면, 몰딩이 완료된 리드프레임 스트립이 트림잉 장비에 들어오면 먼저 반도체 패키지 몸체(26)는 다이 네스트(20) 위에 올려진다. 그 후, 에폭시 펀치(24)는 아랫방향으로 내려치고, 에폭시 다이(도5 32)는 위로 올라가면서, 댐버(30)와 반도체 패키지 몸체(26) 사이에 있는 에폭시 몰드 컴파운드 잔재(도5 28)가 제거된다. 도면에서 참조부호 22는 에폭시 펀치(24)를 지지하는 스트립퍼를 가리키고, 34는 반도체 패키지에 형성된 리드(lead)를 각각 가리킨다. 도 5에서는 이해를 도모하기 위해 댐버(30)를 도시하지 않았고, 에폭시 펀치(24)역시 인접하는 리드(34)와 리드(34) 사이에는 모두 그려야 하지만 한 개만 도시하였다.4 and 5, when the molded leadframe strip enters the trimming equipment, the semiconductor package body 26 is first placed on the die nest 20. Then, the epoxy punch 24 is lowered down and the epoxy die (Fig. 5 32) is raised up, with the epoxy mold compound residue (Fig. 5 28) between the damper 30 and the semiconductor package body 26. Is removed. In the drawings, reference numeral 22 denotes a stripper supporting the epoxy punch 24, and 34 denotes leads formed in the semiconductor package, respectively. In FIG. 5, for the sake of understanding, the damper 30 is not illustrated, and the epoxy punch 24 is also drawn between only the adjacent leads 34 and the leads 34, but only one is shown.
도 6은 종래 기술의 문제점을 설명하기 위해 도시한 반도체 패키지의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a semiconductor package shown to illustrate the problems of the prior art.
도 5를 참조하면, 상기 에폭시 펀치를 이용한 트림잉 공정에서 에폭시 펀치(도5 24)의 최하단부인 펀치 팁의 구조를 살펴보면, 에폭시 몰드 컴파운드 잔재와 맞닿는 부분이 일자형임을 알 수 있다. 이에 따라 에폭시 펀치(24)와 에폭시 다이(32)에 의해 발생하는 기계적인 충격이 반도체 패키지 몸체(26)로 그대로 전달되게 된다. 따라서 반도체 패키지 몸체(26)의 두께가 크지 않은 SO(Small Outline) 패키지의 경우에는 상기 기계적인 충격으로 인해 수평방향으로 크랙(crack, 36)이 발생하는 문제점이 있다. 참조부호 34는 폼잉(forming)이 완료된 상태의 리드를 가리킨다.Referring to FIG. 5, in the trimming process using the epoxy punch, the structure of the punch tip, which is the lowermost end of the epoxy punch (FIG. 5 24), may be a straight line in contact with the epoxy mold compound residue. Accordingly, the mechanical shock generated by the epoxy punch 24 and the epoxy die 32 is transmitted to the semiconductor package body 26 as it is. Therefore, in the case of a small outline (SO) package in which the thickness of the semiconductor package body 26 is not large, there is a problem that cracks 36 occur in the horizontal direction due to the mechanical shock. Reference numeral 34 denotes a lead in which the forming is completed.
이러한 반도체 패키지 몸체의 크랙은 반도체 패키지 내부로 습기 침투를 용이하게 하여 반도체 패키지의 수명을 떨어뜨리고, 신뢰성에 치명적인 결함으로 작용하기 때문에 반드시 개선되어야 할 불량중 하나이다.The crack of the semiconductor package body is one of the defects that must be improved because it facilitates the penetration of moisture into the semiconductor package to reduce the lifetime of the semiconductor package and act as a critical defect on reliability.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 트림잉 공정에서 반도체 패키지 몸체에 발생하는 크랙을 억제하고, 리드의 가장자리에 붙어있는 플래시(flash)를 효과적으로 제거할 수 있는 반도체 패키징의 트림잉 공정의 에폭시 펀치를 제공하는데 있다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide an epoxy punch in the trimming process of semiconductor packaging that can suppress the cracks generated in the semiconductor package body in the trimming process, and can effectively remove the flash attached to the edge of the lead. It is.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 에폭시 펀치를 이용한 반도체 패키징의 트림잉 공정의 트림잉 방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a trimming method of a trimming process of semiconductor packaging using the epoxy punch.
도 1 내지 도 3은 일반적인 반도체 패키징의 트림잉 공정에 관한 개요를 설명하기 위해 도시한 반도체 패키지의 평면도이다.1 to 3 are plan views of a semiconductor package shown for explaining an outline of a trimming process of a general semiconductor packaging.
도 4는 종래 기술에 의한 에폭시 펀치 및 이를 이용한 트림잉 방법을 설명하기 위해 도시한 트림잉 장비의 개략적인 정면도이고, 도 5는 측면도이다.Figure 4 is a schematic front view of the trimming equipment shown for explaining the epoxy punch and the trimming method using the prior art according to the prior art, Figure 5 is a side view.
도 6은 종래 기술의 문제점을 설명하기 위해 도시한 반도체 패키지의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a semiconductor package shown to illustrate the problems of the prior art.
도 7은 본 발명에 의한 에폭시 펀치 및 이를 이용한 트림잉 방법을 설명하기 위해 도시한 트림잉 장비의 개략적인 정면도이고, 도 8은 측면도이다.Figure 7 is a schematic front view of the trimming equipment shown to explain the epoxy punch and trimming method using the same according to the present invention, Figure 8 is a side view.
도 9는 에폭시 펀치가 반도체 패키지에 있는 에폭시 몰드 컴파운드 잔재를 1차로 내려칠 때의 확대 단면도이다.9 is an enlarged cross-sectional view when the epoxy punch first lowers the epoxy mold compound residue in the semiconductor package.
도 10은 몰딩 공정에서 발생한 플래시(flash)를 설명하기 위해 도시한 평면도이다.10 is a plan view illustrating a flash generated in the molding process.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
100: 에폭시 펀치, 102: 에폭시 펀치 본체,100: epoxy punch, 102: epoxy punch body,
104: 에폭시 펀치 팁, 106: 돌출부,104: epoxy punch tip, 106: protrusion,
120:반도체 패키지 몸체, 122: 에폭시 몰드 컴파운드 잔재,120: semiconductor package body, 122: epoxy mold compound residue,
124: 댐버, 126: 리드,124: dam, 126: lead,
128: 플레시(flash), 130: 다이 네스트(Die Nest),128: flash, 130: Die Nest,
132: 스트리퍼(stripper), 136: 에폭시 다이.132: stripper, 136: epoxy die.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, ① 반도체 패키지의 트림잉(trimming) 공정에서 에폭시 몰드 컴파운드(EMC)로 이루어진 반도체 패키지의 몸체와 리드프레임의 댐버 라인(damber line) 사이에 형성된 에폭시 몰드 컴파운드 잔재를 제거하기 위한 에폭시 펀치 본체(punch base)와, ② 상기 에폭시 펀치 본체 최하단에 구성되며 상기 에폭시 펀치 본체와 대응하는 에폭시 다이(Epoxy Die)와 한 조를 이루어 에폭시 몰드 컴파운드 잔재를 내리치는 펀치 팁(Tip)과, ③ 상기 에폭시 펀치 팁에 형성되어 에폭시 몰드 컴파운드 잔재를 내려칠 때 상기 반도체 패키지 몸체 내에서 발생하는 크랙(crack)을 방지하는 돌출부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키징의 트림잉 공정의 에폭시 펀치를 제공한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention provides an epoxy mold compound formed between a body of a semiconductor package consisting of an epoxy mold compound (EMC) and a dam line of a lead frame in a trimming process of the semiconductor package. Punch tip for lowering the epoxy mold compound residue by forming an epoxy punch base for removing the residue and a pair of epoxy dies formed at the bottom of the epoxy punch body and corresponding to the epoxy punch body. (Tip) and (3) trimming process of the semiconductor packaging, characterized in that it comprises a protrusion formed on the epoxy punch tip to prevent cracks occurring in the semiconductor package body when hitting the epoxy mold compound residue To provide an epoxy punch.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 돌출부의 형상은 리드와 리드 사이에서 제거되는 에폭시 몰드 컴파운드 잔재가 여러개의 조각으로 부서질 수 있는 구조인 것이 적합하다.According to a preferred embodiment of the present invention, the shape of the protrusion is preferably a structure in which the epoxy mold compound residue removed between the lead can be broken into pieces.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 반도체 패키징의 트림잉 공정에서 에폭시 펀치로 반도체 패키지의 몸체와 리드프레임의 댐버 라인(damber line) 사이에 형성된 에폭시 몰드 컴파운드 잔재를 1차로 내리쳐 에폭시 몰드 컴파운드 잔재를 부서뜨리는 단계와, 상기 에폭시 펀치로 리드와 리드사이에 있는 에폭시 몰드 컴파운드 잔재를 2차로 완전히 떼어내는 단계와, 상기 1차로부서지고, 2차로 떼어진 에폭시 몰드 컴파운드 잔재를 진공으로 흡입하여 수집하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키징의 트림잉 공정의 에폭시 트림잉 방법을 제공한다.In order to achieve the above another technical problem, the present invention, the epoxy mold compound residues formed between the body of the semiconductor package and the dam line of the lead frame with an epoxy punch in the trimming process of the semiconductor packaging by primary epoxy mold Crushing the compound residue, completely removing the epoxy mold compound residue between the lead and the lead with the epoxy punch, and sucking the epoxy mold compound residue, which is broken into the first, and secondly separated by vacuum, Epoxy trimming method of the trimming process of semiconductor packaging, characterized in that it comprises the step of collecting.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 에폭시 펀치의 1차 내리침에 의하여 에폭시 몰드 컴파운드 잔재를 부서뜨리는 방법은 에폭시 펀치의 펀치 팁에 있는 돌출부를 이용하는 것이 적합하고, 상기 에폭시 펀치로 에폭시 몰드 컴파운드 잔재를 2차로 떼어내는 방법은 에폭시 펀치의 팁에 있는 돌출부를 제외한 부분을 이용하는 것이 적합하다.According to a preferred embodiment of the present invention, the method of crushing the epoxy mold compound residues by the first lowering of the epoxy punch is suitable to use the protrusions at the punch tips of the epoxy punches, and the epoxy mold compound residues are As a secondary removal method, it is preferable to use a part except the protrusion at the tip of the epoxy punch.
본 발명에 따르면, 반도체 패키지 몸체에서 발생하는 크랙을 억제할 수 있고, 리드의 측면에 달라붙어 있는 플레시(flash)를 보다 효과적으로 제거할 수 있다.According to the present invention, cracks generated in the semiconductor package body can be suppressed, and flashes stuck to the side surfaces of the leads can be more effectively removed.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 명세서에서 말하는 반도체 패키지는 가장 넓은 의미로 사용하고 있으며 도면에 나타난 바와 같이 DIP(Dual In-line), SO(Small Out-line) 패키지와 같은 특정 패키지를 한정하는 것이 아니다. 본 발명은 그 정신 및 필수의 특징을 이탈하지 않고 다른 방식으로 실시할 수 있다. 예를 들면, 이하 설명되는 바람직한 실시예에 있어서는 반도체 패키지의 형태가 SO 패키지이지만 이는 PLCC 패키지로 치환해도 무방하다. 따라서, 아래의 바람직한 실시예에서 기재한 내용은 예시적인 것이며 한정하는 의미가 아니다.The semiconductor package described herein is used in the broadest sense and does not limit specific packages such as dual in-line (DIP) and small out-line (SO) packages as shown in the drawings. The invention can be practiced in other ways without departing from its spirit and essential features. For example, in the preferred embodiment described below, the semiconductor package is an SO package, but this may be replaced with a PLCC package. Therefore, the content described in the following preferred embodiments is exemplary and not intended to be limiting.
도 7은 본 발명에 의한 에폭시 펀치 및 이를 이용한 트림잉 방법을 설명하기 위해 도시한 트림잉 장비의 개략적인 정면도이고, 도 8은 측면도이다.Figure 7 is a schematic front view of the trimming equipment shown to explain the epoxy punch and trimming method using the same according to the present invention, Figure 8 is a side view.
도 7 및 도 8을 참조하면, 스트립 상태의 리드프레임이 본 발명에 따른 개선된 트림잉 장비에 로딩(loading)되면, 반도체 패키지 몸체(120)는 다이 네스트(130) 위에 올려진다. 그 후 에폭시 펀치(100)는 아랫방향으로 내려치고, 에폭시 다이(도8 136)는 위로 올라가면서, 댐버(124)와 반도체 패키지 몸체(120) 사이에 남아 있는 에폭시 몰드 컴파운드 잔재(도7 122)가 제거된다. 도면에서 참조부호 132는 에폭시 펀치(100)를 지지하는 스트립퍼를 가리키고, 126은 반도체 패키지에 형성된 리드(lead)를 각각 가리킨다.Referring to FIGS. 7 and 8, when the leadframe in a strip state is loaded into the improved trimming equipment according to the present invention, the semiconductor package body 120 is mounted on the die nest 130. The epoxy punch 100 is then lowered downward and the epoxy die (FIG. 8 136) rises up, leaving the epoxy mold compound residue (FIG. 7 122) remaining between the damper 124 and the semiconductor package body 120. Is removed. In the drawings, reference numeral 132 denotes a stripper supporting the epoxy punch 100, and 126 denotes leads formed in the semiconductor package, respectively.
도 8의 A부분을 참조하여, 본 발명에 의한 반도체 패키징의 트림잉 공정의 에폭시 트림잉 방법을 설명하기로 한다.Referring to part A of FIG. 8, an epoxy trimming method of a trimming process of a semiconductor packaging according to the present invention will be described.
본 발명에 의한 트림잉 방법은 1차로 에폭시 몰드 컴파운드 잔재(122)를 여러조각으로 부서뜨리고, 2차로 부서진 상태로 있는 에폭시 몰드 컴파운드 잔재(122)를 떼어내는 방식이다. 그 후에는 통상의 방법으로 떼어진 에폭시 몰드 컴파운드 잔재를 트림잉 장비의 하부에 구성된 진공흡입 장치(미도시)를 통해 수집하여 제거한다.In the trimming method according to the present invention, the epoxy mold compound residue 122 is first broken into pieces, and the epoxy mold compound residue 122 which is in the second broken state is removed. Thereafter, the epoxy mold compound residue, separated in the usual manner, is collected and removed through a vacuum suction device (not shown) configured at the bottom of the trimming equipment.
도 9는 에폭시 펀치가 반도체 패키지에 있는 에폭시 몰드 컴파운드 잔재를 1차로 내려칠 때의 확대 단면도이다.9 is an enlarged cross-sectional view when the epoxy punch first lowers the epoxy mold compound residue in the semiconductor package.
도 9를 참조하면, 본 발명에 의한 에폭시 펀치의 구성은 에폭시 펀치 본체(102), 펀치 팁(104), 돌출부(106)로 이루어진다. 여기서 본 발명에 의해 추가된 돌출부(106)는 본 발명의 목적을 달성하는 주요한 수단이 된다. 종래 기술에서는 에폭시 몰드 컴파운드 잔재(122)를 한번에 에폭시 펀치(100)와 에폭시 다이(도8 136)로 제거하였으나, 본 발명에서는 2차에 걸쳐서 제거된다.9, the configuration of the epoxy punch according to the present invention is composed of an epoxy punch body 102, a punch tip 104, a protrusion 106. The protrusions 106 added by the present invention here are the main means of achieving the object of the present invention. In the prior art, the epoxy mold compound residue 122 is removed with an epoxy punch 100 and an epoxy die (FIG. 8 136) at a time, but in the present invention, it is removed over a second time.
즉, 에폭시 펀치(100)에 있는 돌출부(106)가 일차로 충격을 가하고, 돌출부를 제외한 나머지 펀치 팁(104)의 모서리(B)가 2차로 충격을 가하게 된다. 따라서, 종래 기술에서는 일자형의 펀치 팁에 의해 반도체 패키지 몸체에서 한번에 받던 수직하중이 본 발명에 있어서는 2단계로 분산되기 때문에 반도체 패키지 몸체에서 발생하는 크랙은 줄어들게 된다.That is, the protrusions 106 in the epoxy punch 100 impact the primary, and the edges B of the remaining punch tips 104 except the protrusions impact the secondary. Therefore, in the prior art, since the vertical loads received at one time from the semiconductor package body by the straight punch tip are distributed in two steps in the present invention, cracks generated in the semiconductor package body are reduced.
그 외에도 본 발명에 의한 에폭시 펀치(100)의 구조는 리드의 측면에 붙어있는 플레시(flash)를 효과적으로 제거하는 효과가 있다. 먼저 도 10을 참조하여 플레시에 대해 설명하기로 한다.In addition, the structure of the epoxy punch 100 according to the present invention has the effect of effectively removing the flash (flash) attached to the side of the lead. First, the flash will be described with reference to FIG. 10.
도 10은 몰딩 공정에서 발생한 플래시(flash)를 설명하기 위해 도시한 평면도이다. 플레시(128)란, 에폭시 몰드 컴파운드(EMC)를 이용하여 몰딩을 수행할 때 액상의 에폭시 몰드 컴파운드가 댐버(122)와 리드(126)에 의해서 정확히 차단되어야 하지만, 리드의 측면 혹은 리드의 위에까지 침범하여 달라붙게 된다. 이러한 플레시(128)는 후속되는 리드 도금(solder plating) 공정에서 리드의 표면에 솔더가 도금되지 않는 불량을 야기한다. 따라서 종래 기술에서는 리드와 리드 사이에 들어가는 에폭시 펀치(100)의 폭(width)을 크게 하여, 폭이 확장된 에폭시 펀치(106)에 의해 플레시가 형성된 부분까지 제거하였다.10 is a plan view illustrating a flash generated in the molding process. The flash 128 means that when molding using an epoxy mold compound (EMC), the liquid epoxy mold compound should be precisely blocked by the damper 122 and the lead 126, but not to the side of the lead or to the top of the lead. Invade and cling. This flash 128 causes a defect in which solder is not plated on the surface of the lead in a subsequent solder plating process. Therefore, in the prior art, the width of the epoxy punch 100 interposed between the lead and the lead is increased to remove the portion where the flash is formed by the expanded epoxy punch 106.
그러나 본 발명에서는 돌출부(106)에 의해 1차 충격이 가해질 때, 에폭시 몰드 컴파운드 잔재와 플래시가 부서져 깨어지는 방식이기 때문에 1차 충격이 플레시(128)까지 전달되게 되며, 플레시(128)를 위로 밀어올리는 방향의 힘, 즉 떨어뜨리는 힘으로 작용한다. 이에 따라 플레시를 좀더 효과적으로 제거할 수 있는 장점이 있다.However, in the present invention, when the primary shock is applied by the protrusions 106, the epoxy mold compound residue and the flash are broken and broken so that the primary shock is transmitted to the flash 128, and the flash 128 is pushed upward. It acts as a force in the upward direction, that is, a force to drop. Accordingly, there is an advantage that the flash can be removed more effectively.
본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명이 속한 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함이 명백하다.The present invention is not limited to the above embodiments, and it is apparent that many modifications can be made by those skilled in the art within the technical spirit to which the present invention belongs.
따라서, 상술한 본 발명에 따르면, 에폭시 펀치의 펀치 팁에 돌출부를 구성하여 에폭시 몰드 컴파운드 잔재를 제거함으로써, 첫째, 반도체 패키지 몸체에서 발생하는 크랙을 억제할 수 있다. 둘째, 리드 측면에 형성된 플레시를 효과적으로 제거할 수 있다.Therefore, according to the present invention described above, by forming a protrusion on the punch tip of the epoxy punch to remove the epoxy mold compound residue, first, it is possible to suppress the cracks generated in the semiconductor package body. Second, the flash formed on the side of the lead can be effectively removed.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20000046788A KR100382249B1 (en) | 2000-08-12 | 2000-08-12 | Epoxy punch of trimming process and thimming method thereof in semiconductor packaging |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20000046788A KR100382249B1 (en) | 2000-08-12 | 2000-08-12 | Epoxy punch of trimming process and thimming method thereof in semiconductor packaging |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020013227A KR20020013227A (en) | 2002-02-20 |
| KR100382249B1 true KR100382249B1 (en) | 2003-05-01 |
Family
ID=19682975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR20000046788A KR100382249B1 (en) | 2000-08-12 | 2000-08-12 | Epoxy punch of trimming process and thimming method thereof in semiconductor packaging |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100382249B1 (en) |
-
2000
- 2000-08-12 KR KR20000046788A patent/KR100382249B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020013227A (en) | 2002-02-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100809818B1 (en) | A method of manufacturing a semiconductor device | |
| KR100382249B1 (en) | Epoxy punch of trimming process and thimming method thereof in semiconductor packaging | |
| US6242287B1 (en) | Semiconductor device manufacturing method, press die and guide rail including forming a crack perpendicular to an extension of the sealing resin | |
| KR20100001690A (en) | Molding apparatus for manufacturing semi-conductor package | |
| JP4345916B2 (en) | Electronic component electrode cutting apparatus and method | |
| JP7395874B2 (en) | Gate breaking method and gate breaking device | |
| KR100795965B1 (en) | Semiconductor singulation apparatus from lead frame | |
| JP3564300B2 (en) | Lead cutting method and mold used for the method | |
| CN209774864U (en) | IC packaging installation device | |
| JP3226874B2 (en) | Lead cutting method | |
| JP3413591B2 (en) | Molded exterior resin chip type solid electrolytic capacitor | |
| CN215008216U (en) | Structure for improving layering of large chip | |
| JPH1079463A (en) | Cutter for manufacturing semiconductor device | |
| CN210894614U (en) | Base for chip test | |
| KR100203929B1 (en) | Lead forming apparatus having lead cutting blade of projection type | |
| KR100933461B1 (en) | Semiconductor chip bonding equipment including leaf spring and its operation method | |
| JP2944592B2 (en) | Lead cutting equipment | |
| JP3481889B2 (en) | Lead cutting device and lead cutting method | |
| KR100931835B1 (en) | Leadframe Magazine Holder | |
| JPH09134988A (en) | Die device for manufacturing semiconductor device | |
| KR0120548Y1 (en) | Leadforming apparatus of p.l.c.c package | |
| KR100199291B1 (en) | Apparatus for leadforming having index finger | |
| KR20030066032A (en) | Lead cutting apparatus comprising prevention parts against sputtering lead scraps | |
| KR101153134B1 (en) | Capilary Cleaning Method of Wire Bonding Process | |
| JPH10313084A (en) | Led processing machine and processing of lead |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130228 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140307 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |