KR101153134B1 - Capilary Cleaning Method of Wire Bonding Process - Google Patents

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Abstract

본 발명은 와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 방법에 관한 것으로, 좀더 구체적으로, 와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 방법에 있어서, 연마시트(10)가 구비된 세정용 리드프레임(L)을 소정주기로 와이어 본딩 공정에 투입하여, 캐필러리(1)의 팁이 상기 세정용 리드프레임(L)을 터치하게 함으로써 캐필러리(1)가 클리닝 되는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a capillary cleaning method of a wire bonding process, and more particularly, in the capillary cleaning method of a wire bonding process, a cleaning lead frame (L) having an abrasive sheet (10) is provided at a predetermined cycle. Capillary cleaning method of the wire bonding process characterized in that the capillary 1 is cleaned by putting in the wire bonding process, the tip of the capillary (1) touches the cleaning lead frame (L). It is about.

Description

와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 방법 { Capilary Cleaning Method of Wire Bonding Process }Capillary Cleaning Method of Wire Bonding Process

와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 방법에 관한 것이다.A capillary cleaning method of a wire bonding process.

통상적으로, 반도체 다이와 기판 또는 리드프레임을 전기적으로 연결하는 와이어 본딩 공정에서 와이어 본딩 머신이 사용되는데 이는 캐필러리를 구비한다. 와이어 본딩 공정이 반복될수록 캐필러리의 팁에 방전 불꽃에 의해 분해된 캐필러리 자체의 파티클, 와이어, 반도체 다이 및 회로기판에 의한 각종 금속 파티클을 포함하는 이물질이 불규칙한 모양으로 축적된다. 캐필러리의 팁에 이물질이 축적되면, 캐필러리의 팁 모양이 일정하지 않아서 와이어 본딩시 불량이 발생하는 문제점이 있었다.
Typically, a wire bonding machine is used in a wire bonding process that electrically connects a semiconductor die and a substrate or leadframe, which includes a capillary. As the wire bonding process is repeated, foreign substances including particles, wires, semiconductor dies, and various metal particles by the circuit board of the capillary itself, which are decomposed by the discharge spark, accumulate in the tip of the capillary in an irregular shape. When foreign matter accumulates on the tip of the capillary, the tip shape of the capillary is not constant, and thus there is a problem that a defect occurs during wire bonding.

도 1은 일본국 특허공개공보(JP-A-8-264564호)는 본딩 장치를 개시하고 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 이동 레일(11)에 대해 이동 가능한 본딩 혼(bonding horn ; 12) 및 상기 본딩 혼(12)의 연장 방향에 대해 연장되는 쐐기 도구(13)를 포함한다. 본딩 혼(12)에 형성된 가이드 홀(12a)을 통해 연장되는 금속 와이어(15)는 쐐기 도구(13)의 바닥부상에 형성된 가이드 그루브(13a)에 의해 본딩 혼(12)의 축방향으로 금속 와이어(15)의 선단부에서 안내된다. 상기 본딩 장치는 상기 가이드 그루브에 의해 인도된 금속 와이어(15)를 반도체 팰릿(17) 및 리드 프레임(10)상에 순차적으로 압착하면서 이동 레일상의 리드 프레임(10)과 반도체 팰릿(17)을 접속한다.
1, Japanese Patent Laid-Open No. JP-A-8-264564 discloses a bonding apparatus. As shown in FIG. 1, a bonding horn 12 movable relative to the pair of moving rails 11 and a wedge tool 13 extending relative to the extending direction of the bonding horn 12 are included. . The metal wire 15 extending through the guide hole 12a formed in the bonding horn 12 is oriented in the axial direction of the bonding horn 12 by the guide groove 13a formed on the bottom of the wedge tool 13. Guided at the tip of (15). The bonding device connects the lead frame 10 and the semiconductor pallet 17 on the moving rail while sequentially squeezing the metal wire 15 guided by the guide groove onto the semiconductor pallet 17 and the lead frame 10. do.

본딩 장치는 본딩 혼(12)의 축방향에서 보아 가이드 그루브(13a)와 정렬된 돌출부(19a)를 구비한 미끄럼 부재(19)를 포함한다. 쐐기 도구의 선단부, 특히 가이드 그루브(13a)에 반복된 본딩 동작에 의해 이물질이 부착되면, 본딩 동작을 중단하고 금속 와이어(15)를 가이드 그루브(13a)로부터 인출한 후, 쐐기 도구의 선단부를 미끄럼 부재(19)의 돌출부(19a)를 향하여 이동 및 접촉시킨다. 그 상태에서 쐐기 도구(13)는 가이드 그루브(13a)의 세정을 위해 미끄럼 부재(19)에 대하여 왕복 이동된다.
The bonding device comprises a sliding member 19 with a projection 19a aligned with the guide groove 13a as seen in the axial direction of the bonding horn 12. If foreign matter adheres to the leading end of the wedge tool, in particular, the guide groove 13a, the bonding operation is stopped, the metal wire 15 is drawn out of the guide groove 13a, and then the tip of the wedge tool is slid. It moves and contacts toward the projection 19a of the member 19. In that state, the wedge tool 13 is reciprocated with respect to the sliding member 19 for the cleaning of the guide groove 13a.

도 2는 종래기술에 따른 와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 장치 사시도이다. 도 2에 도시된 바와 같은 공개특허 제2002-0062823호는 다음과 같이 세정 장치(도시되지 않음)에 의해 세정될 캐필러리 튜브(34)를 구비한 와이어 본딩 장치의 구성을 게시한다. 본딩 장치는 리드 프레임(48)이 안내되는 한 쌍의 이동 레일(31a, 31b), 리드 프레임(48)을 압축하는 압착기 플레이트(33), 및 한 쌍의 지지 바(supporting bar ; 36)에 의해 X-Y 테이블(도시되지 않음)에 의해 지지되는 본딩 혼(bonding horn ; 34)을 포함한다. 압착기 플레이트(33)는 리드 프레임(48)상에 배치된 반도체 팰릿(28)을 노출하기 위한 개구(32)를 포함한다. 본딩 혼(34)은 상기 한 쌍의 이동 레일(31a, 31b)에 수직으로 연장되고 캐필러리 튜브(35)의 선단에서 캐필러리 튜브(35)를 지지한다.
Figure 2 is a perspective view of a capillary cleaning device of the wire bonding process according to the prior art. Publication No. 2002-0062823 as shown in FIG. 2 discloses a configuration of a wire bonding apparatus having a capillary tube 34 to be cleaned by a cleaning apparatus (not shown) as follows. The bonding device is provided by a pair of moving rails 31a and 31b through which the lead frame 48 is guided, a presser plate 33 compressing the lead frame 48, and a pair of supporting bars 36. A bonding horn 34 supported by an XY table (not shown). The compactor plate 33 includes an opening 32 for exposing the semiconductor pallet 28 disposed on the lead frame 48. A bonding horn 34 extends perpendicular to the pair of moving rails 31a and 31b and supports the capillary tube 35 at the tip of the capillary tube 35.

여기서, 와이어 본딩 장치는 본딩 장치의 본딩 동작 뿐만 아니라 소정 시간 간격을 두고 캐필러리 튜브(35)에 대한 세정 동작 중에 본딩 혼(34)에 의해 캐필러리 튜브(35)에 초음파를 가하는 초음파 발생 장치(USWG ; 50)를 더 포함한다. 와이어 본딩 장치와 조합되는 세정 장치(37)를 도시하는 도 1에서, 세정 장치(37)는 이동 레일(31a, 31b)에 평행으로 연장되는 베이스 바(38), 베이스 바(38)의 양단으로부터 지지 바(36)를 향해 이동 레일(31a, 31b)에 수직으로 연장되는 한 쌍의 L자 형상의 부재(39a, 39b), 및 중심에서 베이스 바(38)에 의해 지지되는 세정 부재(40)를 포함한다. Here, the wire bonding apparatus generates ultrasonic waves that apply ultrasonic waves to the capillary tube 35 by the bonding horn 34 during the cleaning operation on the capillary tube 35 as well as the bonding operation of the bonding apparatus at predetermined time intervals. And further comprises a device (USWG) 50. In FIG. 1, which shows a cleaning device 37 combined with a wire bonding device, the cleaning device 37 is provided from both ends of the base bar 38 and the base bar 38 extending parallel to the moving rails 31a and 31b. A pair of L-shaped members 39a, 39b extending perpendicular to the moving rails 31a, 31b toward the support bar 36, and the cleaning member 40 supported by the base bar 38 at the center. It includes.

각각의 L자 형상의 부재(39a, 39b)는 지지 바(36)를 지지하기 위해 지지 바(36)와 정합되는 단절부(cut-out ; 41)를 구비한다. 세정 부재(40)는 베이스 바(38)상에 고정된 장착 플레이트(42), 장착 플레이트(42) 상에 고정된 랩 필름(wrapping film) 등으로 이루어진 연마 시트(43), 및 연마 시트(43)의 주변의 장착 플레이트(42)상에 배치된 세정 탱크(44)를 포함한다. 세정 탱크(44)는 알콜과 같은 세정 용액으로 채워진다.
Each L-shaped member 39a, 39b has a cut-out 41 that mates with the support bar 36 to support the support bar 36. The cleaning member 40 includes a polishing sheet 43 made of a mounting plate 42 fixed on the base bar 38, a wrapping film fixed on the mounting plate 42, and the polishing sheet 43. ), A cleaning tank 44 disposed on the mounting plate 42 around the perimeter. The cleaning tank 44 is filled with a cleaning solution such as alcohol.

종래 기술은 별도의 연마 시트를 와이어 본딩 공정 라인에 설치하여야하고 캐필러리 팁의 운동 범위를 연마 시트의 상부까지 이동할 수 있도록 캐필러리의 X-Y-Z 운동 범위를 크게 하기 위해 암의 거동을 제어하는 장치가 과대해지는 문제점이 있었다.
The prior art requires a separate polishing sheet to be installed in the wire bonding process line and an apparatus for controlling arm behavior to increase the XYZ movement range of the capillary so that the movement range of the capillary tip can be moved to the top of the polishing sheet. There was a problem that was exaggerated.

또한, 종래기술은 하나의 거칠기를 갖는 연마 시트를 사용함으로써 연마시트의 거칠기가 거친 경우 캐필러리 팁이 손상되는 문제점이 있었고 또한, 연마시트의 거칠기가 너무 작은 경우 연마 효과가 작아서 목적하는 소기의 목적을 달성할 수 없는 문제점이 있었다. In addition, the prior art has a problem that the capillary tip is damaged when the abrasive sheet is rough by using the abrasive sheet having one roughness, and the polishing effect is small when the roughness of the abrasive sheet is too small. There was a problem that the purpose could not be achieved.

본 발명의 목적은 와이어 본딩 머신으로부터 캐필러리를 분리하지 않고 자동적으로 캐필러리 하단 팁의 이물질을 제거할 수 있는 와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 방법을 제공하는데 있다.
It is an object of the present invention to provide a capillary cleaning method of a wire bonding process that can automatically remove foreign substances on the capillary bottom tip without separating the capillary from the wire bonding machine.

또한, 와이어 본딩 공정 라인설비에 별도의 세정칩을 설치할 필요가 없으며 캐피러리의 운동범위를 리드프레임 흐름 라인을 벗어나 설치된 별도 연마 시트의 상부까지 확장하지 않고도 상기 목적을 달성할 수 있는 와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 방법을 제공하기 위함이다.
In addition, there is no need to install a separate cleaning chip in the wire bonding process line equipment, and the wire bonding process can achieve the above object without extending the movement range of the capillary to the upper part of the separate polishing sheet installed beyond the lead frame flow line. It is to provide a capillary cleaning method.

또한, 표면 거칠기가 다른 세정칩들을 사용하여 연마 작용에 의한 캐필러리의 직접 손상을 방지할 수 있는 와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 방법을 제공하기 위함이다.Another object of the present invention is to provide a capillary cleaning method of a wire bonding process capable of preventing direct damage of the capillary due to a polishing action by using cleaning chips having different surface roughness.

본 발명은 와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 방법은, 와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 방법에 있어서, The present invention is a capillary cleaning method of the wire bonding step, in the capillary cleaning method of the wire bonding step,

연마시트(10)가 구비된 세정용 리드프레임(L)을 소정주기로 와이어 본딩 공정에 투입하여,The cleaning lead frame (L) equipped with the polishing sheet (10) is put into the wire bonding process at predetermined cycles,

캐필러리(1)의 팁이 상기 세정용 리드프레임(L)을 터치하게 함으로써 캐필러리(1)가 클리닝 되는 것을 특징으로 한다.The capillary 1 is cleaned by allowing the tip of the capillary 1 to touch the cleaning lead frame L.

본 발명에 따르는 경우, 와이어 본딩 머신으로부터 캐필러리를 분리하지 않고 자동적으로 캐필러리 하단 팁의 이물질을 제거할 수 있는 와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 방법이 제공된다.
According to the present invention, there is provided a capillary cleaning method of a wire bonding process that can automatically remove foreign substances on the capillary bottom tip without removing the capillary from the wire bonding machine.

또한, 와이어 본딩 공정 라인설비에 별도의 세정칩을 설치할 필요가 없으며 캐피러리의 운동범위를 리드프레임 흐름 라인을 벗어나 설치된 별도 연마 시트의 상부까지 확장하지 않고도 상기 목적을 달성할 수 있는 와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 방법이 제공된다.
In addition, there is no need to install a separate cleaning chip in the wire bonding process line equipment, and the wire bonding process can achieve the above object without extending the movement range of the capillary to the upper part of the separate polishing sheet installed beyond the lead frame flow line. A capillary cleaning method is provided.

또한, 표면 거칠기가 다른 세정칩들을 사용하여 연마 작용에 의한 캐필러리의 직접 손상을 방지할 수 있는 와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 방법이 제공된다.In addition, there is provided a capillary cleaning method of a wire bonding process capable of preventing direct damage of the capillary due to the polishing action by using cleaning chips having different surface roughness.

도 1은 종래기술에 따른 와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 장치 사시도.
도 2는 종래기술에 따른 와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 장치 사시도.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 세정용 리드프레임 평면도.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 방법 사용상태도.1 is a perspective view of a capillary cleaning device of the wire bonding process according to the prior art.
Figure 2 is a perspective view of the capillary cleaning device of the wire bonding process according to the prior art.
Figure 3 is a plan view of the lead frame for cleaning according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a state of use capillary cleaning method of the wire bonding process according to an embodiment of the present invention.

상기 일본국 특허공개공보(JP-A-8-264564호) 및 공개특허 제2002-0062823의 명세서에 기재된 내용은 종래기술로서 뿐 아니라 본 발명을 상세한 설명 또는 본 발명의 이해를 위해 차후 출원 후 단계에서 본 명세서의 일부로 활용될 수 있음을 밝히며 본 발명의 명료한 설명을 위해 그 상세한 기재나 설명은 생략한다.
The contents of the Japanese Patent Application Laid-Open No. JP-A-8-264564 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-0062823 are not only known in the art, but also after the present application for the detailed description or understanding of the present invention. In the following description, it can be used as a part of the specification, and detailed descriptions or explanations are omitted for clarity of description.

이하에서 본 발명의 일실시예에 따른 와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 방법의 구성 및 작용에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 세정용 리드프레임 평면도이고, 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 방법 사용상태도이다.
Hereinafter, the configuration and operation of the capillary cleaning method of the wire bonding process according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 3 is a plan view of a lead frame for cleaning according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a state of use capillary cleaning method of the wire bonding process according to an embodiment of the present invention.

도3, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 방법은, 와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 방법에 있어서, 연마시트(10)가 구비된 세정용 리드프레임(L)을 소정주기로 와이어 본딩 공정에 투입하여, 캐필러리(1)의 팁이 상기 세정용 리드프레임(L)을 터치하게 함으로써 캐필러리(1)가 클리닝 되는 것을 특징이다.
3 and 4, the capillary cleaning method of the wire bonding process according to an embodiment of the present invention, in the capillary cleaning method of the wire bonding process, the abrasive sheet 10 is provided The capillary 1 is cleaned by inserting the cleaning lead frame L into the wire bonding process at a predetermined cycle and causing the tip of the capillary 1 to touch the cleaning lead frame L. .

도3, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 방법에 사용되는 연마시트(10)는 서로 다른 표면 거칠기(표면 조도)를 가지는 적어도 2개 이상의 연마영역(11, 12)을 포함하는 것이 바람직하다. 이때, 캐필러리(1)의 팁은 표면 거칠기(Roughness)가 서로 다른 연마영역(11, 12)을 순차적으로 터치하여 클리닝되는 것이 바람직하다.
3 and 4, at least two abrasive sheets 10 used in the capillary cleaning method of the wire bonding process according to the embodiment of the present invention have different surface roughness (surface roughness). It is preferable to include the above polishing regions 11 and 12. At this time, it is preferable that the tip of the capillary 1 is cleaned by sequentially touching the polishing regions 11 and 12 having different surface roughness.

본 발명의 캐필러리 클리닝 방법에 있어서, 연마시트(10)의 연마영역은 3~5개로 분할, 구획되어 구성되고, 캐필러리(1)는 표면 거칠기가 가장 큰 연마영역부터 표면 거칠기가 가장 작은 연마영역까지 표면 거칠기가 감소되는 방향으로 차례로 터치하는 것이 바람직하다.
In the capillary cleaning method of the present invention, the polishing area of the polishing sheet 10 is divided into three to five parts, and the capillary 1 has the highest surface roughness from the polishing area having the largest surface roughness. It is desirable to touch one by one in a direction in which surface roughness is reduced to a small polishing area.

이렇게 하면 팁의 최선단의 이물질을 빠른 속도로(팁이 동일 속도로 연마 작용을 한다고 가정할 경우) 큰 거칠기의 연마시트 또는 연마영역으로 연마하고, 팁에 밀착되어 붙어있는 이물질은 정밀하게 조금씩 연마하여, 고강도의 입자를 갖는 연마 입자에 의해 캐필러리 팁의 본체가 손상을 입게 되는 것을 방지할 수 있다.
This allows the tip of the tip to be polished at high speeds (assuming the tip is polishing at the same speed) with a large abrasive sheet or polishing area, and the tip adheres to the tip in small increments. Thus, the main body of the capillary tip can be prevented from being damaged by the abrasive particles having high strength particles.

본 발명의 캐필러리 클리닝 방법에 있어서, 캐필러리(1)의 팁이 상기 연마시트(10)을 터치하는 방법은, 캐필러리(1)의 팁이 연마시트(10)의 표면 소정지점을 타격하는 것과, 캐필러리(1)의 팁이 연마시트(10)의 표면에 접촉한 후 마찰을 일으키며 직선 운동 하는 것, 캐필러리(1)의 팁이 연마시트(10)의 표면에 접촉한 후 곡선 경로로 이동하는 것 중에선 선택된 하나일 수 있다.
In the capillary cleaning method of the present invention, the tip of the capillary 1 touches the polishing sheet 10, and the tip of the capillary 1 has a predetermined point on the surface of the polishing sheet 10. , The tip of the capillary (1) is in contact with the surface of the polishing sheet 10, causing friction and linear movement, the tip of the capillary (1) to the surface of the polishing sheet (10) It may be the selected one of moving in a curved path after contact.

본 발명은 캐필러리 팁이 세정용 리드프레임(L)을 터치하게 전에 캐필러리로부터 와이어를 제거하는 단계를 미리 거칠 수 있으며, 본 발명의 캐필러리 팁이 세정용 리드프레임(L)을 터치하는 단계 이후에 세정액 및/또는 초음파를 이용한 추가 세척단계를 거칠 수 있으며, 이와 관련된 사항은 공지기술(대한민국 공개특허 10-2006-01344609, 대한민국 공개번호 특2002-0062823)로서 본 명세서에서 그 상세한 설명은 생략하며 이로 인해 본 발명의 구성이 불명확하게 된다고 볼 수 없다.
The present invention can go through the step of removing the wire from the capillary before the capillary tip touches the cleaning leadframe (L), the capillary tip of the present invention After the step of touching may be subjected to an additional cleaning step using a cleaning solution and / or ultrasonic, and related matters are known in the art (Korea Patent Publication No. 10-2006-01344609, Republic of Korea Publication No. 2002-0062823) as described in detail herein. The description is omitted and this does not make the configuration of the present invention unclear.

본 발명은 상기에서 언급한 바람직한 실시예와 관련하여 설명됐지만, 본 발명의 범위가 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 이하의 특허청구범위에 의하여 정하여지는 것으로 본 발명과 균등 범위에 속하는 다양한 수정 및 변형을 포함할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but on the contrary, ≪ RTI ID = 0.0 > and / or < / RTI >

아래의 특허청구범위에 기재된 도면부호는 단순히 발명의 이해를 보조하기 위한 것으로 권리범위의 해석에 영향을 미치지 아니함을 밝히며 기재된 도면부호에 의해 권리범위가 좁게 해석되어서는 안될 것이다.The reference numerals set forth in the claims below are merely to aid the understanding of the present invention, not to affect the interpretation of the scope of the claims, and the scope of the claims should not be construed narrowly.

1 : 캐필러리
3 : 암
10 : 연마시트
11, 12, 13 : 연마영역
L : 세정용 리드프레임1: capillary
3: cancer
10: polishing sheet
11, 12, 13: polishing area
L: Cleaning Lead Frame

Claims (4)

와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 방법에 있어서,
연마시트(10)가 구비된 세정용 리드프레임(L)을 소정주기로 와이어 본딩 공정에 투입하여,
캐필러리(1)의 팁이 상기 세정용 리드프레임(L)을 터치하게 함으로써 캐필러리(1)가 클리닝 되는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 방법. In the capillary cleaning method of the wire bonding step,
The cleaning lead frame (L) equipped with the polishing sheet (10) is put into the wire bonding process at predetermined cycles,
A capillary cleaning method of a wire bonding process, characterized in that the capillary (1) is cleaned by causing the tip of the capillary (1) to touch the cleaning lead frame (L). 제1항에 있어서,
상기 연마시트(10)는 서로 다른 표면 거칠기(표면 조도)를 가지는 적어도 2개 이상의 연마영역(11, 12)을 포함하고,
상기 캐필러리(1)의 팁은 표면 거칠기(Roughness)가 서로 다른 연마영역(11, 12)을 순차적으로 터치하여 클리닝되는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 방법.The method of claim 1,
The polishing sheet 10 includes at least two polishing regions 11 and 12 having different surface roughness (surface roughness),
The capillary cleaning method of the wire bonding process is characterized in that the tip of the capillary (1) is cleaned by sequentially touching the polishing areas (11, 12) having different surface roughness (Roughness). 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 캐필러리(1)의 팁이 상기 연마시트(10)을 터치하는 방법은,
캐필러리(1)의 팁이 연마시트(10)의 표면 소정지점을 타격하는 것과,
캐필러리(1)의 팁이 연마시트(10)의 표면에 접촉한 후 마찰을 일으키며 직선 운동 하는 것,
캐필러리(1)의 팁이 연마시트(10)의 표면에 접촉한 후 곡선 경로로 이동하는 것 중에선 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 방법.The method according to claim 1 or 2,
The tip of the capillary 1 touches the polishing sheet 10,
The tip of the capillary 1 strikes a predetermined point on the surface of the polishing sheet 10,
After the tip of the capillary (1) is in contact with the surface of the polishing sheet 10, causing linear motion with friction,
The capillary cleaning method of the wire bonding process, characterized in that the tip of the capillary (1) is selected one of moving in a curved path after contacting the surface of the polishing sheet (10). 제3항에 있어서,
상기 연마시트(10)의 연마영역은 3~5개로 분할, 구획되어 구성되고,
상기 캐필러리(1)는 표면 거칠기가 가장 큰 연마영역부터 표면 거칠기가 가장 작은 연마영역까지 표면 거칠기가 감소되는 방향으로 차례로 터치하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 공정의 캐필러리 클리닝 방법.



The method of claim 3,
The polishing region of the polishing sheet 10 is divided into three to five, divided into sections,
The capillary (1) capillary cleaning method of the wire bonding process, characterized in that the touch in the direction in which the surface roughness decreases from the polishing region having the largest surface roughness to the polishing region having the smallest surface roughness.



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