JP2013098505A - 紫外線透過ゲート電極を有する電界効果トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】紫外線が透過する材料をFETの電極として用い、また、電子走行領域をAlGaNとGaNとのヘテロ界面等のGaN系膜同士のヘテロ界面とする。
【選択図】 図1
Description
Claims (9)
- 基板上に第3族窒化物半導体からなるチャネル層とチャネル層とは異なる組成の第3族窒化物半導体からなる電子供給層とを有する電界効果トランジスタであって、紫外線が透過する材料をゲート電極に用いた電界効果トランジスタ。
- 前記第3族窒化物半導体からなる電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極と第3族窒化物半導体との界面から50nm以内の深さの第3族窒化物半導体の吸収端波長において透過率が20%以上である材料をゲート電極に用いた電界効果トランジスタ。
- 前記紫外線が透過する材料が酸化インジウムスズ(ITO)、もしくは、酸化亜鉛(ZnO)、ガリウムドープ酸化亜鉛(GZO)のいずれか一つである請求項1または2に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記電界効果トランジスタのチャネル層と電子供給層とが、それぞれ、GaNとAlGaN、GaNとInAlN、InGaNとInAlN、InGaNとAlGaN 、あるいはInGaNとGaNとである請求項1〜3のいずれかに記載の電界効果トランジスタ。
- 前記基板がSiからなる請求項1〜4のいずれかに記載の電界効果トランジスタ。
- 前記ゲート電極にピンチオフ以下の電圧が印加される請求項1〜5のいずれかに記載の電界効果トランジスタ。
- 前記電界効果トランジスタが紫外線受光素子である請求項1〜6のいずれかに記載の電界効果トランジスタ。
- 前記電界効果トランジスタが電源回路または増幅回路と同一基板上に集積されている請求項1〜7のいずれかに記載の電界効果トランジスタ。
- 前記電源回路または増幅回路がCMOSトランジスタ回路である請求項8に記載の電界効果トランジスタ。
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