JP2006344706A - フォトセンサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光電変換薄膜トランジスタ12上にはオーバーコート膜13を介してn型酸化亜鉛からなる透明導電層14が設けられている。透明導電層14は、例えば、このフォトセンサが指紋読取装置である場合には、その上に指紋読み取りのために接触された指が静電気を帯びているとき、その静電気を逃がすためのものである。そして、透明導電層14をn型酸化亜鉛によって形成した場合には、ITOによって形成した場合と比較して、紫外線を透過させにくく、ひいては半導体薄膜5が劣化の原因となる紫外線を吸収しにくいようにすることができる。
【選択図】 図1
Description
また、上記実施形態において、トップゲート電極11を酸化亜鉛とすることもできる。
2 ボトムゲート電極
3 ボトムゲート絶縁膜
4 半導体薄膜
5 チャネル保護膜
6、7 オーミックコンタクト層
8 ソース電極
9 ドレイン電極
10 トップゲート絶縁膜
11 トップゲート電極
12 光電変換薄膜トランジスタ
13 オーバーコート膜
14 透明導電層
Claims (4)
- アモルファスシリコンからなる半導体薄膜を有する光電変換薄膜トランジスタ上にオーバーコート膜を介して酸化亜鉛からなる透明導電層が設けられていることを特徴とするフォトセンサ。
- 請求項1に記載の発明において、前記透明導電層は静電気を逃がすためのものであることを特徴とするフォトセンサ。
- 請求項1に記載の発明において、前記光電変換薄膜トランジスタは、前記半導体薄膜下にボトムゲート絶縁膜を介して設けられた遮光性導電材料からなるボトムゲート電極、および前記半導体薄膜上にトップゲート絶縁膜を介して設けられた透光性導電材料からなるトップゲート電極を有することを特徴とするフォトセンサ。
- 請求項3に記載の発明において、前記トップゲート電極は酸化亜鉛からなることを特徴とするフォトセンサ。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006344706A true JP2006344706A (ja) | 2006-12-21 |
JP2006344706A5 JP2006344706A5 (ja) | 2008-03-27 |
JP4794220B2 JP4794220B2 (ja) | 2011-10-19 |
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