JP2013098166A - 導電性基板の製造方法及びその導電性基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の反応性官能基を有する光硬化性プレポリマーを少なくとも一つ含有する光硬化性層22を基板21に形成する工程と、光硬化性層22の一部を遮蔽するようにパターンマスク31を配置する工程と、第一の光源L1を用いて光硬化性層22を露光して、光硬化性層22の第一の領域221を硬化させる第1の露光工程と、パターンマスク31を除去する工程と、第二の光源L1を用いて光硬化性層22を露光して、光硬化性層22の硬化されていない第二の領域222を硬化させ、第一と第二の領域221、222との表面高度が異なることで微細構造が基板21に形成される第2の露光工程と、前記微細構造に導電層23を形成する工程とを備えた導電性基板の製造方法を提供する。
【選択図】図6
Description
(1)複数の反応性官能基を有すると共に官能基当量が70〜700g/molの光硬化性プレポリマーを少なくとも一つと、光開始剤とを含有する光硬化性組成物と溶媒とを含んだペーストを、基板21に塗布してペースト層を形成する。なお、該反応性官能基は、遊離基により架橋反応が進行させられることができる。次に、例えば加熱によりペースト層を乾燥させてベースト層に含まれた溶媒を除去し、基板21に未硬化の光硬化性層22aが形成される光硬化性層形成工程(図1参照);
(2)光硬化性層22aの一部を遮蔽するように光硬化性層22aにパターンマスク31を配置する配置工程;
(3)パターンマスク31を介して第一の光源L1を用いて光硬化性層22aを露光して、光硬化性層22aにおける第一の領域221において光硬化性層22aに含まれている該光硬化性プレポリマーを硬化させる第1の露光工程(即ち架橋)(図2、3参照);
(4)パターンマスク31を除去する除去工程;
(5)第二の光源L2を用いてパターンマスク31が除去された光硬化性層22aを露光して、該光硬化性層において工程(3)で硬化されていない第二の領域222を硬化させ、第一の領域221と第二の領域222との表面高度がそれぞれ異なることで表面粗さ(Rz)が付与されることにより微細構造が基板21に形成される第2の露光工程(図4参照);及び
(6)該微細構造の表面にスパッタリング法または蒸着法により透明導電層23を形成する導電層形成工程(図6参照)。
(導電性基板の製造)
反応性官能基を有する光硬化性プレポリマー(米国Sartomer社製、型番:SR444、官能基当量99.3g/mol)0.2gを、トルエン0.8gと光開始剤(米国Ciba社製、商品名:I−184)0.02gとを混合して、固形分20質量%であるペースト(1.02g)を得た。
導電性基板を、表面にスペーサーが配された導電ガラスと、互いの酸化インジウムスズ導電層が向かい合うように貼り合わせたものを、摺動検査機(台湾Newsunup TECHNOLOGY社製、型番SDT‐009)を用いて、該導電性基板の透明導電層が形成されていない方の面を、先端がR0.8のホルムアルデヒド樹脂製スタイラスペンで250gの押圧で押し付けながら2cm間を10万回往復させた。
JIS−K7194に準拠した4探針法にて、表面抵抗測定機(三菱油化(株)製、Lotest AMCP−T400)を用いて、上記摺動筆記試験の実施前と実施後における導電性基板の表面電気抵抗を測定した。上記摺動筆記試験実施前の抵抗値をRoとし、実施後の抵抗値をRとし、Roに対するRの割合を算出した。ここでは、R/Ro値が1に近いほど、導電性基板の構造安定性が優れている、つまり導電層が剥離しにくいということになる。本実施例にて得られた導電性基板のR/Ro値を以下の表1に示す。
実施例2〜4では、導電性基板の製造方法および評価方法は、ほぼ前記実施例1と同様であり、前記実施例1との相違点は、光硬化性層を露光する第一のUV光源(第一の光源)の露光量が異なる点である。
実施例5〜7では、導電性基板の製造方法および評価方法は、ほぼ前記実施例1と同様であり、前記実施例1との相違点は、光硬化性層を露光する第一のUV光源(第一の光源)の露光量に加えて、パターンマスクのスペース幅及びライン幅が異なる点である。
22、22a、22b 光硬化性層
220 光硬化性層表面
221 第一の領域
222 第二の領域
23 導電層
230 導電層表面
31 パターンマスク
311 光透過領域
312 光不透過領域
L1 第一の光源
L2 第二の光源
Claims (10)
- 複数の反応性官能基を有すると共に官能基当量が70〜700g/molの光硬化性プレポリマーを少なくとも一つ含有する光硬化性組成物を含む光硬化性層を基板に形成する光硬化性層形成工程と、
前記光硬化性層の一部を遮蔽するように前記光硬化性層にパターンマスクを配置する配置工程と、
前記パターンマスクを介して第一の光源を用いて前記光硬化性層を露光して、該光硬化性層における第一の領域を硬化させる第1の露光工程と、
前記パターンマスクを除去する除去工程と、
第二の光源を用いて前記パターンマスクが除去された光硬化性層を露光して、該光硬化性層において硬化されていない第二の領域を硬化させ、前記第一の領域と前記第二の領域との表面高度がそれぞれ異なることで表面粗さが付与されることにより微細構造が基板に形成される第2の露光工程と、
前記微細構造に導電層を形成する導電層形成工程、
とを備えることを特徴とする導電性基板の製造方法。 - 前記反応性官能基としては、アルケニル基またはエポキシ基を用いることを特徴とする、請求項1に記載の導電性基板の製造方法。
- 各前記第一の領域の幅は、50μm〜250μmとなることを特徴とする、請求項1または2に記載の導電性基板の製造方法。
- 前記第1の露光工程において、前記第一の光源としては、紫外線、可視光線、電子ビームあるいはX線から選んで用いることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の導電性基板の製造方法。
- 前記第2の露光工程において、前記第二の光源としては、紫外線、可視光線、電子ビームあるいはX線から選んで用いることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の導電性基板の製造方法。
- 前記第1の露光工程において、前記第一の光源としては、露光量が70mJ/cm2〜4000mJ/cm2の紫外線を用いることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の導電性基板の製造方法。
- 前記基板は、ポリマーからなるものであり、該ポリマーは、ポリエステル系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリフェニレンスルファイド系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、メタクリル酸エステル系樹脂、アセチルセルロース系樹脂、ジアセチルセルロース、トリアセチルセルロースからなる群より選ばれる少なくとも一種を用いることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の導電性基板の製造方法。
- 前記導電層は、金属または金属化合物からなるものであり、
該金属は、金、銀、プラチナ、鉛、銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、チタン、鉄、コバルト、スズからなる群より選ばれる少なくとも一種を用い、
該金属化合物は、酸化インジウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化ガリウム、酸化インジウムスズからなる群より選ばれる少なくとも一種を用いることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の導電性基板の製造方法。 - 前記導電層は、スパッタリング法により前記微細構造の表面に形成されることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載の導電性基板の製造方法。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載の導電性基板の製造方法によって製造された導電性基板であって、前記導電層の表面粗さが、Rz値で0.5μm〜3.5μmであり且つSm値で0.05mm〜0.35mmであることを特徴とする導電性基板。
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