JP2013097792A5 - - Google Patents

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  1. 第1のポートと第2のポートとを有するデュアルポートメモリを動作させる方法であって、該デュアルポートメモリは、単一ポートメモリ要素のアレイを含み、該方法は、
    該第1のポートにおいて、第1のメモリアクセス要求と、関連付けられた第1のクロック信号とを受信することと、
    該第2のポートにおいて、第2のメモリアクセス要求と、関連付けられた第2のクロック信号とを受信することと、
    制御回路を用いて該第2のクロック信号の立ち上りクロックエッジを検出することに応答して、第3のクロック信号を生成し、かつ該第2のメモリアクセス要求にサービスを提供することと、
    該第2のメモリアクセス要求がサービスを提供されている間に、該第3のクロック信号を用いて該第1のメモリアクセス要求をサンプリングすることと
    を含む、方法。
  2. 前記第3のクロック信号を用いて前記第1のメモリアクセス要求をサンプリングすることは、少なくとも2つの直列接続されたラッチを用いて該第3のクロック信号の立ち上りおよび立ち下りクロックエッジの時に該第1のメモリアクセス要求をサンプリングすることを含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記第1のメモリアクセス要求をバッファー回路内に格納することをさらに含み、該バッファー回路は、前記少なくとも2つの直列接続されたラッチから制御信号を受信するように動作可能である、請求項2に記載の方法。
  4. 前記バッファー回路を用いて前記第3のクロック信号を受信することをさらに含む、請求項3に記載の方法。
  5. 前記デュアルポートメモリは、多重化回路を含み、該多重化回路は、前記少なくとも2つの直列接続されたラッチを介して前記第1のメモリアクセス要求を受信するように動作可能な第1の入力と、前記第2のメモリアクセス要求を受信するように動作可能な第2の入力と、前記制御回路から制御信号を受信するように動作可能な制御入力とを有する、請求項2に記載の方法。
  6. 前記第1のメモリアクセス要求をバッファー回路内に格納することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
  7. 前記制御回路を用いて前記第2のクロック信号の前記立ち上りクロックエッジを検出することに応答して、前記単一ポートメモリ要素のアレイへのアクセスを制御するための第4のクロック信号を生成することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
  8. 前記第2のメモリアクセス要求が遂行されることに応答して、前記制御回路を用いて該第2のメモリアクセス要求の完了を表す制御信号を受信することと、
    該制御回路を用いて該制御信号を受信することに応答して、前記第1のメモリアクセス要求にサービスを提供することと
    をさらに含む、請求項1に記載の方法。
  9. 第1のポートと第2のポートとを有するデュアルポートメモリを動作させる方法であって、該デュアルポートメモリは、単一ポートメモリ要素のアレイを含み、該方法は、
    該第1のポートにおいて、第1のメモリアクセス要求と、関連付けられた第1のクロック信号とを受信することと、
    該第2のポートにおいて、第2のメモリアクセス要求と、関連付けられた第2のクロック信号とを受信することと、
    該第1のクロック信号が上昇することに応答して、該第1のメモリアクセス要求をバッファー内に一時的に格納することと、
    制御回路を用いて該第2のクロック信号の立ち上りクロックエッジを検出することに応答して、該第1のメモリアクセス要求が該バッファー内に格納されている間に、該第2のメモリアクセス要求にサービスを提供することと
    を含む、方法。
  10. 前記第2のクロック信号の前記立ち上りクロックエッジを検出することに応答して、前記制御回路を用いて第3のクロック信号をトリガーすることをさらに含む、請求項9に記載の方法。
  11. 同期化回路を用いて前記第3のクロック信号を受信することであって、該同期化回路は、少なくとも2つのラッチを含む、ことと、
    前記バッファーを用いて該第3のクロック信号を受信することと
    をさらに含む、請求項10に記載の方法。
  12. 前記少なくとも2つのラッチは、前記第3のクロック信号の立ち上りクロックエッジの時にデータをラッチするように構成された正エッジトリガー型ラッチと、該第3のクロック信号の立ち下りクロックエッジの時にデータをラッチするように構成された負エッジトリガー型ラッチと含む、請求項11に記載の方法。
  13. 前記バッファーを用いて前記同期化回路から制御信号を受信することをさらに含む、請求項11に記載の方法。
  14. 前記同期化回路を用いて前記第1のメモリアクセス要求をラッチすることと、
    該第1のメモリアクセス要求が該同期化回路を用いてラッチされた後に、該第1のメモリアクセス要求を前記バッファーから除去することと
    をさらに含む、請求項11に記載の方法。
  15. 前記バッファーは、ファーストインファーストアウト回路を含む、請求項9に記載の方法。
  16. 第1のポートと第2のポートとを有するデュアルポートメモリであって、該デュアルポートメモリは、
    単一ポートメモリ要素のアレイと、
    第1のメモリアクセス要求と、該第1のポートに関連付けられた第1のクロック信号とを受信するように動作可能な第1の入力ラッチと、
    第2のメモリアクセス要求と、該第2のポートに関連付けられた第2のクロック信号とを受信するように動作可能な第2の入力ラッチであって、該第2のクロック信号は、該第1のクロック信号と異なる、第2の入力ラッチと、
    該第1のクロック信号を受信せず、該第2のクロック信号を受信するように動作可能な制御回路であって、該制御回路は、該第1のメモリアクセス要求および該第2のメモリアクセス要求のうちのいずれが遂行のために選択されるべきであるかを決定する制御信号を生成するようにさらに動作可能である、制御回路と、
    該第1の入力ラッチから該第1のメモリアクセス要求を受信するように動作可能な第1の入力と、該第2の入力ラッチから該第2のメモリアクセス要求を受信するように動作可能な第2の入力と、該制御回路から該制御信号を受信するように動作可能な制御入力とを有する多重化回路と
    を含む、デュアルポートメモリ。
  17. 前記第1の入力ラッチと前記多重化回路の前記第1の入力との間に連結されたバッファーをさらに含む、請求項16に記載のデュアルポートメモリ。
  18. 前記バッファーと前記多重化回路の前記第1の入力との間に連結された正エッジトリガー型ラッチおよび負エッジトリガー型ラッチをさらに含む、請求項17に記載のデュアルポートメモリ。
  19. 前記バッファーは、ファーストインファーストアウト回路を含む、請求項17に記載のデュアルポートメモリ。
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