JP2013096747A - 半導体圧力センサおよび半導体圧力センサの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体圧力センサは、主表面1aに凹部3およびアライメントマーク4を有する第1の基板1と、第1の基板1の主表面1a上に形成されており、第1の基板1の凹部3内の空間IS上を覆うように設けられたダイヤフラム5およびダイヤフラム5上に設けられたゲージ抵抗6を有する第2の基板2とを備えている。アライメントマーク4は第2の基板2から露出するように設けられている。
【選択図】図1
Description
最初に、本発明の一実施の形態の半導体圧力センサの構成について説明する。
図2および図3を参照して、ウエハ状態の第1の基板1には多数の半導体センサが形成されている。図2中P1部で示される半導体圧力センサが切り出されて図3に示される半導体圧力センサが形成されている。図3で示される半導体圧力センサが図1で示される半導体圧力センサに対応する。ウエハ状態の第1の基板1の外周縁部1bにアライメントマーク4が設けられている。アライメントマーク4は、たとえば互いに90度ずつ離れた位置に4個設けられている。図4を参照して、図2中P2部で示される半導体圧力センサは第1の基板1の外周縁部1bに設けられた1個のアライメントマーク4を有している。
図13を参照して、本発明の一実施の形態における比較例1の半導体圧力センサでは、第2の基板2の第1の面2aに第1のアライメントマーク4aが形成されている。第1のアライメントマーク4aは第2の基板2の第1の面2aに形成されているため第2の面2b側から視認できない。そのため、第1のアライメントマーク4aを認識するためにIRアライナが用いられる。したがって、IRアライナを用いるために製造コストが高くなる。
Claims (8)
- 主表面に凹部およびアライメントマークを有する第1の基板と、
前記第1の基板の前記主表面上に形成されており、前記第1の基板の前記凹部内の空間上を覆うように設けられたダイヤフラムおよび前記ダイヤフラム上に設けられたゲージ抵抗を有する第2の基板とを備え、
前記アライメントマークは前記第2の基板から露出するように設けられている、半導体圧力センサ。 - 前記第1の基板はウエハ状態であって、
前記ウエハ状態の前記第1の基板の外周縁部に前記アライメントマークが設けられている、請求項1に記載の半導体圧力センサ。 - 前記第1の基板と前記第2の基板とが重なる方向から見て前記凹部の外縁と重なる位置に前記ゲージ抵抗が配置されている、請求項1または2に記載の半導体圧力センサ。
- 主表面に凹部およびアライメントマークが形成された第1の基板を準備する工程と、
前記凹部内の空間上を覆うダイヤフラムを有し、かつ前記アライメントマークを露出するように前記第1の基板の前記主表面上に第2の基板を形成する工程と、
前記露出した前記アライメントマークを用いて前記ダイヤフラム上にゲージ抵抗を形成する工程とを備えた、半導体圧力センサの製造方法。 - 前記露出した前記アライメントマークを用いて前記ゲージ抵抗に電気的に接続される金属配線を形成する工程をさらに備えた、請求項4に記載の半導体圧力センサの製造方法。
- 前記アライメントマークは、ウエハ状態の前記第1の基板の外周縁部に形成される、請求項4または5に記載の半導体圧力センサの製造方法。
- 前記外周縁部の幅が前記ウエハ状態の前記第1の基板の外周端から5mm以下である、請求項6に記載の半導体圧力センサの製造方法。
- 前記第2の基板を形成する工程は、
前記第2の基板を研削する工程と、
前記第2の基板を研削した後に、前記第2の基板をエッチングすることによって前記アライメントマークを露出させる工程とを含む、請求項4〜7のいずれかに記載の半導体圧力センサの製造方法。
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