JPH01112725A - 位置合わせ方法 - Google Patents

位置合わせ方法

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JPH01112725A
JPH01112725A JP62271387A JP27138787A JPH01112725A JP H01112725 A JPH01112725 A JP H01112725A JP 62271387 A JP62271387 A JP 62271387A JP 27138787 A JP27138787 A JP 27138787A JP H01112725 A JPH01112725 A JP H01112725A
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JP
Japan
Prior art keywords
wafer
alignment mark
shot
alignment
reticle
Prior art date
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Pending
Application number
JP62271387A
Other languages
English (en)
Inventor
Noriyuki Mitome
見留 範行
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
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Publication of JPH01112725A publication Critical patent/JPH01112725A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は位置合わせ方法に関し、特に半導体製造の分野
においてウェハ面上にレチクル面に形成された電子回路
等のパターンを繰り返して縮少段 ゛影露光を行う、所
謂ステッパと呼ばれる露光装置においてレチクルとウェ
ハとの位置合わせな行う際に好適な位置合わせ方法に関
するものである。
(従来の技術) 従来よりステッパにおけるレチクルとウェハとのアライ
メント、即ち位置合わせ方法には種々な方法が提案され
ている。例えば代表的な方法としてレチクルとウェハに
各々アライメントマークを設け、双方のマークを投影レ
ンズを通して合致するように操作してレチクルとウェハ
との位置合わせな行う方法がある。
この方法は位置合わせをマーク用照明光源をレチクルに
対し、投影レンズ及びウェハの反対側に置き、ウェハ上
のアライメントマーク上にレチクル上のアライメントマ
ークを投影し、この投影部からの反射光を再び投影レン
ズ及びレチクルを通して検出部に光信号として入射させ
る構成をとっており、比較的高精度のアライメントが可
能である。
又、本出願人は特開昭62−94932号公報において
ウェハ面上に各ショット毎のシミツトアライメントマー
クを設けると共に、ウェハチャック上にチャックマーク
を設け、双方のマークを利用してレチクルとウェハとの
位置合わせな行った位置合わせ装置を提案している。同
公報における位置合わせ方法は、オフアクジアス系の顕
微鏡によってウェハチャック上のチャックマークに対す
る各ショットアライメントマークの基準格子からのズレ
量を計測して、該計測値を記憶部に蓄積しておく。その
後、ステッパにウェハチャック毎に送り込んで投影レン
ズを介してチャックマークとレチクル面上のマークとの
関係のみを計測する。そして、このときの計測値と記憶
部に記憶されている計測値とを利用してレチクルとウェ
ハとのズレ量を補正しながらウェハを載置しているズテ
ージを駆動させてレチクルとウェハの各ショット毎の位
置合わせな行っている。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明は本出願人が先の公報で提案した位置合わせ方法
を改良し、位置合わせ精度を更に改良すると共に装置全
体の簡素化を図った高精度で、しかも高速なアライメン
トが可能な位置合わせ方法の提供を目的とする。
(問題点を解決するための手段) ウェハ面上にシミツトアライメントマークとグローバル
アライメントマークとを設け、アライメント光学系によ
り該グローバルアライメントマークを基準として該ショ
ットアライメントマークの位置を計測し、該計測値を記
憶部に記憶し、次いで前記グローバルアライメントマー
クとレチクル上のマークとの関係を計測し、該計測値と
前記記憶手段に記憶した計測値とから萌記ウェハを載置
しているステージを駆動制御し、前記ウェハとレチクル
との位置合わせを行ったことである。
(実施例) 第1図は本発明を半導体製造用のステッパに適用したと
きの一実施例の概略図である。同図において11はショ
ット位置検出部、12はステッパである。1はレーザー
測定器付きのXYZステージ、2はウェハでXYZステ
ージi上に載置されている。又、ウェハ2面上には第2
図に示すように各ショット毎のシミツトアライメントマ
ーク22とグローバルアライメントマーク21が周辺部
に設けられている。
グローバルアライメントマーク21は第1工程で入れら
れる各ショットの位置の原点を決定するのに用いられて
いる。3はアライメント光学系であり、本実施例ではオ
フアクジアス系で構成している。8は中央処理装置(c
pu)でアライメント光学系3と共にウェハ2面上のシ
ョットアライメントマーク22とグローバルアライメン
トマーク21の位置関係を計測している。9は記憶部で
あり、例えばフロッピーディスク装置等から成り、ショ
ット位置検出器11からの計測値を記憶すると共に、該
計測値をステッパ12に送っている。10はXYZステ
ージ1を駆動させる為のステージ制御部である。5はレ
チクル、4は投影レンズでありレチクル5面上の電子回
路等のパターンをウェハ2面上に縮少投影している。6
はTTLアライメント光学系、7は照明系でありレチク
ル5面上を照明している。13はステッパ12側の中央
処理装置、14はステッパ12側の記憶部である。
本実施例においては、まずショット位置検出部11にお
けるアライメント光学系3と中央処理装置8によりウェ
ハ2面上のグローバルアライメントマーク21に対して
各ショット毎の位置(X。
y、z)をショットアライメントマーク22を用いて計
測する。
そして、このときの計測値を記憶部9に記憶しておく。
次にウェハ2をステッパ12の投影レンズ4の下方に搬
送し、同時に記憶部9の計測値を記憶部14に送る。
次いでTTLアライメント光学系6で投影レンズ4を介
して、レチクル5面上に形成したアライメントマークと
ウェハ2の周辺部に設けたグローバルアライメントマー
ク21との関係を計測する。そして、このときの計測値
と記憶部14に記憶されている先の計測値とを用いて中
央処理装置13によりレチクル5とウェハ2との各ショ
ット毎の位置関係を求め、ステージ制御系15によりx
YZステージ1を駆動制御してレチクル5面上の投影パ
ターンをショット毎に順次ウェハ2面上に露光していく
以上のようにショット位置検出部11で予め各ショット
毎のズレ量を計測して記憶してあき、このときの計測値
を用いることにより、露光工程のアライメント時間は実
質上ウェハ面上のグローバルアライメントマークの検出
時間だけとなる。この為、露光工程を高速、かつ高精度
に行うことが可能となる。
又、光源の制約が小さいショット位置検出部11のアラ
イメント光学系3の計測値を使うことが出来るので、高
精度のアライメントが可能となる。
更に、ショット位置検出部11とステッパ12のステー
ジ1のクセ、例えば2次曲線のわん曲カーブを描いて動
くとかが予め既知のときは、そのデータを補正しながら
露光をすることが出来、より高精度のアライメントが可
能となる。
本実施例においては、ショット位置検出部11にYAG
レーザ、又はエキシマレーザ等を用いてウェハ面上のグ
ローバルアライメントマーク部のレジストを剥して、そ
の後アライメント光学系3による計測を行っている。こ
の場合、レジストの剥しはショット位置検出部11での
計測を行う前後のいずれのものでも構わないが、このよ
うにすればTTLアライメント光学系6はレジストの塗
布ムラの影響を受けずに計測を行う事ができる。
又、アライメント光学系3にはTTLアライメント光学
系6が受ける制約、即ち焼き付は波長か、若しくはそれ
に近接した波長の光源しか使えないという制約がないの
で、どのような光源であっても使用可能である。例えば
、白色光源を用いるならレジスト内の干渉によるアライ
メント精度の劣化が少なくなるので更にアライメント精
度の高いシステムを構成することができる。
尚、ウェハ面上のレジストを剥すのにレーザーを用いる
ドライなプロセスの代わりに前の工程でレジストを剥す
領域を露光し、ウェット現象によって剥すようにしても
良い。
本実施例ではショット位置検出部11のアライメント光
学系13としてステッパ12と別な光学系を用いたが、
ステッパのグローバルアライメントやプリアライメント
用として使用する為に一般的に付随しているオフアクシ
スアライメント光学系をこれに使っても良い。ウェハの
ステージに対する吸着状態が変わらない点と環境条件が
変わらないので高いアライメント精度が得られる。
本実施例では記憶部9として、例えばフロッピーディス
クを介して計測値のステッパへの転送を行う場合を示し
たが、ショット位置検出部11とステッパ12とをオン
ラインで結合しても良く、これによればフロッピーディ
スクの出し入れが不要となり全体的なスループットを向
上させることができる。
本実施例ではウェハ面上にグローバルアライメントマー
クを設ける代わりにウニへ面の周辺部におけるシ(ット
アライメントマークをグローバルアライメントとして用
いても良い。
本実施例においてシステム全体としては、1台のショッ
ト位置検出部と1台のステッパとの組み合わせの他に複
数のショット位置検出部と1台のステッパとの組み合わ
せ、又はその逆に1台のショット位置検出部と複数のス
テッパとを組み合わせて構成しても良い。
又、ショット位置検出部にグローバルアライメントの思
想をとり入れ、例えば全ショット計測後、ある特定ショ
ットのみ異常値が発生したら、その周辺のショットの計
測値から内挿して位置を定めることも可能である。
(発明の効果) 本発明によればウェハ面上に設けたショットアライメン
トマークとグローバルアライメントマ−りとの位置関係
を予め計測して記憶部に記憶しておき、該計測値を露光
工程で利用することにより、高精度でしかも高速なアラ
イメントが可能な位置合わせ方法を達成することができ
る。特に白色光アライメントに近い高いアライメント積
度が簡易な構成により得られる位置合わせが可能となる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明をステッパに適用したときの一実施例の
概略図、第2図は第1図の一部分のウニへ面の説明図で
ある。 図中、11はショット位置検出部、12はステッパ、1
はxYZステージ、2はウェハ、3はアライメント光学
系、4は投影レンズ、5はレチクル、6はTTLアライ
メント光学系、7は照明名、8,13は中央処理装置、
9.14は記憶部、10はステージ制御部、21はグロ
ーバルアライメントマーク、22はショットアライメン
トマークである。 も    1    図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ウェハ面上にショットアライメントマークとグロ
    ーバルアライメントマークとを設け、アライメント光学
    系により該グローバルアライメントマークを基準として
    該ショットアライメントマークの位置を計測し、該計測
    値を記憶部に記憶し、次いで前記グローバルアライメン
    トマークとレチクル上のマークとの関係を計測し、該計
    測値と前記記憶手段に記憶した計測値とから前記ウェハ
    を載置しているステージを駆動制御し、前記ウェハとレ
    チクルとの位置合わせを行ったことを特徴とする位置合
    わせ方法。
  2. (2)前記ウェハ面上のグローバルアライメントマーク
    が形成されている領域はレジストが塗布されていないこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の位置合わせ
    方法。
JP62271387A 1987-10-27 1987-10-27 位置合わせ方法 Pending JPH01112725A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013096747A (ja) * 2011-10-28 2013-05-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力センサおよび半導体圧力センサの製造方法
JP2021021958A (ja) * 2020-11-02 2021-02-18 キヤノン株式会社 パターン形成方法、リソグラフィ装置、および物品製造方法

Cited By (3)

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JP2013096747A (ja) * 2011-10-28 2013-05-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力センサおよび半導体圧力センサの製造方法
US8647908B2 (en) 2011-10-28 2014-02-11 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor pressure sensor and method of manufacturing semiconductor pressure sensor
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