JP2013089138A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発振器11からの第1クロックCLK_oriをN分周した第2クロックCLK_divを出力する分周回路120−1と、前記第1クロックと前記分周回路からの前記第2クロックとを選択し、選択したクロックを出力する選択回路120−2と、前記第1クロックまたは前記第2クロックをカウントするタイマ回路120−3と、前記タイマ回路のカウント結果をデコードし、第1結果を出力するデコーダ120−4と、前記デコーダからの前記第1結果に基づき、前記選択回路が前記第2クロックを選択するよう第1選択信号を出力するステートマシン120−9と、前記第1選択信号に基づき、前記ステートマシンの動作を停止する停止信号を出力する論理回路120−6とを具備する。
【選択図】図4
Description
第1の実施形態に係る半導体装置は、例えばメモリセルの消去動作時など、長期間に渡りメモリセルトランジスタのゲート電極と、このゲート電極の直下に位置するチャネルとの電位差を一定にする必要がある場合、制御部に供給されるクロック信号を制御するものである。具体的には、長期間に渡り動作させる必要のない構成(例えばステートマシン)などにクロック信号(例えば、“L”レベル)を入力させることで、その構成の動作を停止させるものである。これにより、この停止した構成における消費電力を低減するものである。
図1を用いて第1の実施形態に係る半導体装置の全体構成例について説明する。図1に示すように、本実施形態に係る半導体装置は、NAND型フラッシュメモリ1(メモリchip)と、このNAND型フラッシュメモリ1を制御するコントローラ2(図1中、Controller)とを備える。NAND型フラッシュメモリ1は、大きく分類すると、データを保持可能とするメモリセルアレイ10(図1中、Memory cell array)、周辺回路11、制御部12、及びコントローラ2と制御信号及びデータなどを入出力するPAD13を備える。図示するように、コントローラ2とNAND型フラッシュメモリ1とは信号線3で電気的に接続され、上述したようにコントローラ2から供給されるデータ及び制御信号によって、NAND型フラッシュメモリが所定の動作を行う。以下本実施形態において、長期間に渡りゲート電極とチャネルとの電位差を一定に保つ必要が生じる場合としてメモリセルアレイ10が保持するデータの消去動作を一例に挙げる。
<メモリセルアレイ10>
メモリセルアレイ10は、データ保持可能な複数の不揮発性のメモリセルトランジスタMTを備えている。そしてメモリセルトランジスタMTは、例えば電荷蓄積層と制御ゲートを含む積層ゲートを備えたnチャネルMOSトランジスタである。メモリセルトランジスタMTの制御ゲートはワード線として機能し、ドレインはビット線に電気的に接続され、ソースはソース線に電気的に接続されている。そして、メモリセルアレイ10は複数の不揮発性のメモリセルトランジスタMTを含んだブロックBLK0乃至BLKsを備える(sは自然数)。
次に図3を用いて上記メモリセルトランジスタMTの閾値分布について説明する。図3は、横軸に閾値分布を、縦軸にメモリセルトランジスタMTの数を表したグラフを示す。
<ロウデコーダ11−1>
ロウデコーダ11−1は、データの書き込み動作時、及び読み出し動作時において、制御部12−1から与えられたブロックアドレスをデコードし、その結果に基づいてブロックBLKを選択する。これにより、ロウデコーダ11−1は、選択されたブロックBLKに対応するメモリセルアレイ10のロウ方向を選択する。つまり、制御部12−1から与えられる制御信号に基づいて、ロウデコーダ11−1はセレクトゲート線SGD1、SGS1、及びワード線WL0〜WL63に対し、電圧発生回路11−2から与えられた電圧をそれぞれ印加する。
次に電圧発生回路11−2について説明する。電圧発生回路11−2は、図示せぬリミッタ回路及びチャージポンプ回路を備え、制御部12−1により例えばデータの書き込み動作、読み出し動作、及び消去動作に必要な電圧を発生する。具体的には、データの書き込み時に電圧VPGM、及び電圧VPASSを発生させ、データの読み出し時に電圧VREAD及びVCGRを発生させ、消去時にVERAを発生させる。
次にセンスアンプ11−3について説明する。センスアンプ11−3は、データの読み出し時において読み出し対象のメモリセルトランジスタMTに接続されたビット線BL(読み出し対象のビット線BL)から読み出されたデータをセンスして増幅する。具体的には、センスアンプ11−3は、読み出し対象とするビット線BLを所定の電圧(例えば、電圧VDD)にプリチャージした後、ロウデコーダ11−1により選択されたNANDストリング10−1によってビット線BLを放電させ、そのビット線BLの放電状態をセンスする(電圧センス型)。つまり、センスアンプ11−3でビット線BLの電圧を増幅してメモリセルトランジスタMTの有するデータをセンスする。次いで、読み出したデータを、データ線Dlineを介してデータ入出力回路8に転送する。なお、この際、読み出し対象ではないビット線BLは電圧VDDに固定する。またなお、データの読み出しは、電流センス型であっても良い。
データ入出力回路13−1は、図示せぬI/O端子を介してホスト(host)から供給されたアドレス及びコマンドを制御部12−1へ出力する。またデータ入出力回路8は、書き込みデータを、データ線Dlineを介してセンスアンプ11−3へと出力する。また、データをホストへ出力する際は、制御部12−1からの命令を受け、センスアンプ11−3が増幅したデータを、データ線Dlineを介して受け取った後、I/O端子を介してホストへ出力する。
次に図4を用いて本実施形態に係る制御部12−1の詳細について説明する。図4に示すように、制御部12−1は、N分周周波数分周回路120−1、切り替え回路120−2(セレクタ)、タイマ回路120−3、デコーダ120−4、中段受付回路120−5、AND回路120−6、120−7、主制御回路120−8、ステートマシン回路120−9、再起動回路120−10、及び分周ON回路120−11を備える。なお、発振回路11−4(オシレータ)は、制御部11ではなく図1に示す周辺回路11に含まれる。
次に、上述した再起動回路120−10の詳細な構成について説明する。図4に示すように、再起動回路120−10は、AND回路121−1、信号SET、信号RESETが供給される論理回路121−2、及びこの後段に位置するフリップフロップ121−3を備える。
次に、図5を用いてタイマ回路120−3の詳細の構成について説明する。タイマ回路120−3は、上述したように複数のフリップフロップF/F、及び加算器adderを備える。N=8の場合、カウントするビット数が3ビット分だけ少なくなることから、設けられるフリップフロップF/Fの数は、クロック信号CLK_oriを分周する前に比べて、3ビット分、すなわち3つのフリップフロップF/Fを省略することが出来る。すなわち、元々m個のフリップフロップF/Fが必要だとすると、タイマ回路120−3は、分周することによって、(m−3)個のフリップフロップF/Fを備えていればよい。なお、加算器adderは、“1”(実際は、m−3桁の“000・・・・001”)と、m−3個のフリップフロップF/FがノードN1へと出力した値とを加算し、この加算結果を、更に(m−3)個のフリップフロップF/F0〜F/F(m−3)に出力する。例えば、m−3=3とすると、加算器adderは“001”とフリップフロップF/F0〜フリップフロップF/F2からの出力とを加算することになる。
次に、図5を用いて上述したタイマ回路120−3の動作について簡単に説明する。なお、ここでは説明を簡単にするために、m−3=3として説明をする。すなわち、加算器adderに加算される一方の値は“001”である。また、初期値としてフリップフロップF/F0〜フリップフロップF/F2は、“000”を出力するものとする。
次に、上述したステートマシン回路120−9の動作について簡単に説明する。上述したようにステートマシン回路120−9は、タイマ回路120−3から供給される値に応じて、信号RESETを出力する。ここで、タイマ回路120−3が“001”を出力している状態を、ステートS1(以下、S1)、タイマ回路120−3が“010”〜“101”を出力している状態をステートS2(以下、S2)、そしてタイマ回路120−3が“111”を出力した状態をステートS3(以下、S3)とする。ここで例えば、S2をメモリセルトランジスタMTの消去動作をする期間とすると、S3は消去動作が終了して次の動作(例えば、消去ベリファイ)に遷移していることを意味する。
ステートマシン回路120−9は、タイマ回路120−3から“001”を供給されると、S1に遷移していると認識し、“010”〜“110”が供給される期間は、S2であることを認識する。そして、タイマ回路120−3から供給される値が“110”から“111”とされたタイミングで、状態がS2からS3へと切り替わったと認識する。
次に、図6を用いて上記した制御部12−1全体の動作について説明する。図5は、制御部12−1の動作を示すタイムチャートである。図示するように、縦軸に切り替え回路120−2が出力するクロック信号(発振回路11−4からのクロック信号_oriまたは1/N分周クロック信号_div)、主制御回路12−1の状態、ステートマシン回路120−9が出力する分周ON信号_ori(信号B)、フリップフロップ121−3が出力する信号F/F(信号A)、及びAND回路121−1が出力する分周ON信号_cal(信号C)を取り、横軸に時間tを取る。
本実施形態に係る半導体装置であると、以下(1)の効果を奏することが出来る。
(1)消費電力を低減することが出来る(その1)。
上述したように、本実施形態に係る半導体装置であると、タイマ回路120−3での消費電力を低減することが出来る。上述したように、ステートマシン回路120−9や主制御回路120−8などがタイマ回路120−3のカウント値を把握することで、現在の状態(例えば、ステートS1〜S3のいずれか)を認識している。ここで、本実施形態ではクロック信号CLKを1/Nに分周させる周波数分周回路120−1を備えることから、ある一定の期間tを計測する際、タイマ回路120−3内のフリップフロップF/Fに供給されるクロック信号CLKの変化点が少なくて済む。すなわち、クロック信号CLKの変化点は、本来の1/Nで済む。このため、フリップフロップF/Fがデータを取り込む際に、このフリップフロップF/F内に流れるスイッチング電流Iを低減することが出来る。
上記(1)、(2)の効果に加え、(3)の効果を更に奏することが出来る。本実施形態に係る半導体装置であると、タイマ回路120−3が備えるフリップフロップF/Fの数を3ビット分省略することが出来る。これは上述したように、周波数分周回路120−1でクロック信号CLKを1/8分周しているためである。
次に第2の実施形態に係る半導体装置について説明する。第2の実施形態に係る半導体装置は、例えばメモリセルトランジスタMTのデータ消去動作時に、ステートマシン回路120−9に1/N分周クロック信号CLKを供給することで、ステートマシン回路120−9の動作を最小限に抑えるものである。具体的には、データ消去動作を実行している期間に、1/N分周クロック信号CLKの、例えば“L”レベルに遷移している期間を設けることで、実質ステートマシン回路120−9の動作を停止させるものである。なお、本実施形態に係る半導体装置であっても、上記第1の実施形態と同様に主制御回路120−8の動作は停止する。
図7を用いて第2の実施形態に係る制御部12の構成について説明する。なお、上記第1の実施形態に係る制御部11と同一の構成については説明を省略する。図示するように、AND回路120−6、及び再起動回路120−10を廃した構成をとる。以下、具体的に説明する。
(4)面積を縮小することが出来る(その2)
本実施形態に係る半導体装置であると、上記第1の実施形態に係る半導体装置に対して、AND回路120−6、及び再起動回路120−10を廃した構成とされる。このため、これらAND回路120−6、及び再起動回路120−10の分だけ面積を縮小することが出来る。
Claims (5)
- 発振器からの第1クロックをN分周し、この第1クロックを1/N分周した第2クロックを出力する周波数分周回路と、
前記第1クロックと前記周波数分周回路からの前記第2クロックとのいずれかを選択し、選択したいずれかクロックを出力する選択回路と、
前記第1クロックまたは前記第2クロックのいずれかをカウントするタイマ回路と、
前記タイマ回路のカウント結果をデコードし、デコードした第1結果を出力するデコーダと、
前記デコーダからの前記第1結果に基づき、前記選択回路が前記第2クロックを選択するよう第1選択信号を出力するステートマシンと、
前記第1選択信号に基づき、前記ステートマシンの動作を停止する停止信号を出力する論理回路と
を具備する半導体装置。 - 前記ステートマシンを再起動する再起動回路を
更に備え、
前記ステートマシンは、前記タイマ回路のカウント結果に基づき前記再起動回路に起動信号を出力し、
前記再起動回路は、前記ステートマシンから前記起動信号を受け取ると、前記選択回路に前記第1クロックを選択するための、前記第1選択信号とは異なる第2選択信号を出力する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記論理回路は、前記第2選択信号と前記第1クロックとを演算し、前記ステートマシンを稼働させる
ことを特徴とする請求項2記載の半導体装置。 - 前記論理回路は、前記第2クロックを選択する前記第1選択信号を反転させて、前記ステートマシンを停止させる
ことを特徴とする請求項3記載の半導体装置。 - NAND型フラッシュメモリを制御可能とする制御部を
更に備え、
前記制御部は、前記第1選択信号に基づき停止し、前記第2選択信号によって再稼働する
ことを特徴とする請求項4記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
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Cited By (3)
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KR20160085129A (ko) | 2015-01-07 | 2016-07-15 | 윈본드 일렉트로닉스 코포레이션 | 플래시 메모리, 메모리 모듈, 프로그램 및 동작 방법 |
US9449704B2 (en) | 2014-09-05 | 2016-09-20 | Winbond Electronics Corp. | Flexible clock scheme of flash memory, memory module, computer-readable recording medium and operating method using the same |
JP2017049965A (ja) * | 2015-09-01 | 2017-03-09 | 株式会社東芝 | ストレージおよびストレージシステム |
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2011
- 2011-10-20 JP JP2011231062A patent/JP2013089138A/ja active Pending
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