JP2013084903A - 横型素子を有する半導体装置 - Google Patents
横型素子を有する半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013084903A JP2013084903A JP2012154884A JP2012154884A JP2013084903A JP 2013084903 A JP2013084903 A JP 2013084903A JP 2012154884 A JP2012154884 A JP 2012154884A JP 2012154884 A JP2012154884 A JP 2012154884A JP 2013084903 A JP2013084903 A JP 2013084903A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- type
- impurity concentration
- srfp
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 135
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 126
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 27
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 20
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 60
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 47
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 18
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 9
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 208000032750 Device leakage Diseases 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7394—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET on an insulating layer or substrate, e.g. thin film device or device isolated from the bulk substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/765—Making of isolation regions between components by field effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
- H01L29/0692—Surface layout
- H01L29/0696—Surface layout of cellular field-effect devices, e.g. multicellular DMOS transistors or IGBTs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/083—Anode or cathode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices
- H01L29/0834—Anode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices, e.g. supplementary regions surrounding anode regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
- H01L29/404—Multiple field plate structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
- H01L29/405—Resistive arrangements, e.g. resistive or semi-insulating field plates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/8611—Planar PN junction diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/868—PIN diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】横型FWDなどの横型素子に備えられるSRFP21について、の不純物濃度を1×1018cm-3以上となるようにする。このように、横型FWD7などに備えられるSRFP21について、の不純物濃度を1×1018cm-3以上とすることにより、耐圧バラツキを抑制することが可能となり、的確に目標とする耐圧を得ることができる製品とすることが可能になる。したがって、製品の歩留りを向上させることが可能となる。
【選択図】図3
Description
本発明の第1実施形態について説明する。本実施形態では、本発明の一実施形態にかかる横型素子を有する半導体装置の適用例として、三相モータ駆動用のインバータを例に挙げて説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してSRFP21、34の抵抗値(抵抗率)の設定に基づいて、第1実施形態と同様の効果を得られるようにしたものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1、第2実施形態に対して活性層11cの底部の構成を変更したものであり、その他に関しては第1、第2実施形態と同様であるため、第1、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態では、第1〜第3実施形態の構造の半導体装置の具体的な配線構造の一例について説明する。
本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態でも、第1〜第3実施形態の構造の半導体装置の具体的な配線構造の一例について説明する。なお、本実施形態の配線構造の基本構造は第4実施形態と同様であるため、第4実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第6実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して半導体基板としてSOI基板11以外のものを用いたものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第7実施形態について説明する。本実施形態も、第1実施形態に対して半導体基板としてSOI基板11以外のものを用いたものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
上記第1実施形態では横型IGBT8について、第2実施形態以降では横型FWD7について、主に説明した。しかしながら、上記各実施形態で適用した構造については、横型FWD7および横型IGBT8それぞれで適用できるし、他の横型素子についても適用することができる。例えば、横型FWD7および横型IGBT8の他には、横型LDMOSなどについて本発明を適用することができる。図25は、横型LDMOSの上面レイアウトを示した図である。この図に示すように、ドレイン領域70を中心としてゲート電極71やソース領域72を配置し、ドレイン領域70を中心として渦巻状に巻回されたSRFP73を備えた構造としている。このような横型LDMOSについても、上記各実施形態で説明した構造を適用することができる。
8 横型IGBT
11 SOI基板
11a 支持基板
11b 埋込酸化膜
11c 活性層
11e 界面n型層
19 カソード電極
20 アノード電極
21 SRFP
31 ゲート電極
32 コレクタ電極
33 エミッタ電極
34 SRFP
60 半導体基板
62 n-型層
Claims (7)
- 第1導電型の半導体層(11c、62)を有する半導体基板(11、60)の前記半導体層(11c、62)の表面に、第1電極(19、32)および第2電極(20、33)を備えていると共に、前記第1電極(19、32)と前記第2電極(20、33)との間において電流を流す横型素子(7、8)が形成されてなる半導体装置において、
前記第1電極(19、32)から前記第2電極(20、33)側に向けて延設された抵抗性フィールドプレート(21、34)を備え、
前記抵抗性フィールドプレート(21、34)のうち、前記第1電極(19、32)および前記第2電極(20、33)における低電圧が印加される側の電極(20、33)側の端部の不純物濃度が1×1018cm-3以上に設定されていることを特徴とする横型素子を有する半導体装置。 - 前記抵抗性フィールドプレート(21、34)は、前記第1電極(19、32)の周囲を渦巻状に囲みつつ、前記第2電極(20、33)側に延設された渦巻き型とされ、該渦巻きのうち少なくとも最も低電圧とされる電極側の一周の不純物濃度が1×1018cm-3以上に設定されていることを特徴とする横型素子を有する請求項1に記載の半導体装置。
- 第1導電型の半導体層(11c、62)を有する半導体基板(11、60)の前記半導体層(11c、62)の表面に、第1電極(19、32)および第2電極(20、33)を備えていると共に、前記第1電極(19、32)と前記第2電極(20、33)との間において電流を流す横型素子(7、8)が形成されてなる半導体装置において、
前記第1電極(19、32)の周囲を渦巻状に囲みつつ、前記第2電極(20、33)側に延設された渦巻き型の抵抗性フィールドプレート(21、34)を備え、
前記抵抗性フィールドプレート(21、34)の抵抗値が1×106Ω/□以下に設定されていることを特徴とする横型素子を有する半導体装置。 - 前記抵抗性フィールドプレート(21、34)は、ドーズ量が2.0×1013cm-3以上とされていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記半導体基板は、支持基板(11a)上に埋込絶縁膜(11b)を介して前記半導体層を構成する活性層(11c)が備えられたSOI基板(11)であり、該SOI基板(11)には、前記活性層(11c)のうち前記埋込絶縁膜(11b)との界面に、前記半導体層(11c)よりも高不純物濃度とされた第1導電型の界面層(11e)が備えられており、
渦巻き型とされた前記抵抗性フィールドプレート(21、34)の隣り合うもの同士の間隔が1μm以下とされ、かつ、前記界面層(11e)の第1導電型不純物のドーズ量が1.3〜2.8×1012cm-2とされていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記抵抗性フィールドプレート(21、34)の上を含む、前記半導体基板(11、60)の上には、第1層間絶縁膜(40)が形成されていると共に、該第1層間絶縁膜(40)に形成されたコンタクトホールを介して、前記第1電極(19、32)および前記第2電極(20、33)が前記横型素子(7、8)と電気的に接続されており、
前記第1電極(19、32)および前記第2電極(20、33)の上を含み、前記第1層間絶縁膜(40)の上にシリコン窒化膜(41)が形成されていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記抵抗性フィールドプレート(21、34)の上を含む、前記半導体基板(11、60)の上には、シリコン窒化膜(41)が形成されていると共に、該シリコン窒化膜(41)の上に第1層間絶縁膜(40)が形成されており、
前記シリコン窒化膜(41)および前記第1層間絶縁膜(40)に形成されたコンタクトホールを介して、前記第1電極(19、32)および前記第2電極(20、33)が前記横型素子(7、8)と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012154884A JP5637188B2 (ja) | 2011-09-27 | 2012-07-10 | 横型素子を有する半導体装置 |
US13/615,912 US9136362B2 (en) | 2011-09-27 | 2012-09-14 | Semiconductor device having lateral element |
DE201210216909 DE102012216909A1 (de) | 2011-09-27 | 2012-09-20 | Halbleitereinrichtung mit lateralem Element |
CN201210369374.1A CN103022095B (zh) | 2011-09-27 | 2012-09-27 | 具有横向元件的半导体器件 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011210675 | 2011-09-27 | ||
JP2011210675 | 2011-09-27 | ||
JP2012154884A JP5637188B2 (ja) | 2011-09-27 | 2012-07-10 | 横型素子を有する半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013084903A true JP2013084903A (ja) | 2013-05-09 |
JP5637188B2 JP5637188B2 (ja) | 2014-12-10 |
Family
ID=47828143
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012154884A Expired - Fee Related JP5637188B2 (ja) | 2011-09-27 | 2012-07-10 | 横型素子を有する半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9136362B2 (ja) |
JP (1) | JP5637188B2 (ja) |
CN (1) | CN103022095B (ja) |
DE (1) | DE102012216909A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021085436A1 (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 株式会社東海理化電機製作所 | 半導体集積回路 |
WO2021085437A1 (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 株式会社東海理化電機製作所 | 半導体集積回路 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6134219B2 (ja) * | 2013-07-08 | 2017-05-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP6229646B2 (ja) * | 2013-12-20 | 2017-11-15 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
ITUA20161531A1 (it) | 2016-03-10 | 2017-09-10 | St Microelectronics Srl | Diodo con ridotto tempo di recupero per applicazioni soggette al fenomeno del ricircolo della corrente e/o a rapide variazioni di tensione |
US10879230B2 (en) * | 2016-06-17 | 2020-12-29 | Infineon Technologies Americas Corp. | Schottky integrated high voltage terminations and related HVIC applications |
IT201600088211A1 (it) | 2016-08-30 | 2018-03-02 | St Microelectronics Srl | Dispositivo elettronico a giunzione con ridotto tempo di recupero per applicazioni soggette al fenomeno del ricircolo della corrente e relativo metodo di fabbricazione |
DE102017130213B4 (de) * | 2017-12-15 | 2021-10-21 | Infineon Technologies Ag | Planarer feldeffekttransistor |
US11171131B2 (en) * | 2018-08-29 | 2021-11-09 | Stmicroelectronics International N.V. | Multi-fingered diode with reduced capacitance and method of making the same |
JP7241574B2 (ja) * | 2019-03-11 | 2023-03-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JPWO2023002763A1 (ja) | 2021-07-21 | 2023-01-26 | ||
CN115084231B (zh) * | 2022-07-19 | 2023-03-03 | 浙江大学 | 一种二极管及其制造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04332173A (ja) * | 1991-05-07 | 1992-11-19 | Fuji Electric Co Ltd | プレーナ型半導体装置及びその製造方法 |
JPH06318714A (ja) * | 1992-07-02 | 1994-11-15 | Toshiba Corp | 高耐圧半導体素子 |
JP2003086701A (ja) * | 2001-09-14 | 2003-03-20 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5438220A (en) * | 1987-02-26 | 1995-08-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High breakdown voltage semiconductor device |
US5343067A (en) * | 1987-02-26 | 1994-08-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High breakdown voltage semiconductor device |
US5046941A (en) | 1989-10-13 | 1991-09-10 | Davidson Textron Inc. | Apparatus for molding multicolor thin wall plastic shell |
JP3207615B2 (ja) | 1992-06-24 | 2001-09-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US5382825A (en) * | 1993-01-07 | 1995-01-17 | Harris Corporation | Spiral edge passivation structure for semiconductor devices |
DE19710487A1 (de) * | 1996-03-13 | 1997-09-18 | Toshiba Kawasaki Kk | Halbleitervorrichtung |
JP4017258B2 (ja) * | 1998-07-29 | 2007-12-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2003501837A (ja) * | 1999-06-03 | 2003-01-14 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 高圧回路素子を含む半導体装置 |
US6525390B2 (en) * | 2000-05-18 | 2003-02-25 | Fuji Electric Co., Ltd. | MIS semiconductor device with low on resistance and high breakdown voltage |
US20050274985A1 (en) * | 2004-05-26 | 2005-12-15 | Adlerstein Michael G | RF decoupled field plate for FETs |
JP5790214B2 (ja) | 2010-09-09 | 2015-10-07 | 株式会社デンソー | 横型の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
JP2012124474A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-06-28 | Denso Corp | 横型素子を有する半導体装置 |
US8759912B2 (en) * | 2011-08-01 | 2014-06-24 | Monolithic Power Systems, Inc. | High-voltage transistor device |
US8686503B2 (en) * | 2011-08-17 | 2014-04-01 | Monolithic Power Systems, Inc. | Lateral high-voltage transistor and associated method for manufacturing |
-
2012
- 2012-07-10 JP JP2012154884A patent/JP5637188B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-09-14 US US13/615,912 patent/US9136362B2/en active Active
- 2012-09-20 DE DE201210216909 patent/DE102012216909A1/de not_active Withdrawn
- 2012-09-27 CN CN201210369374.1A patent/CN103022095B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04332173A (ja) * | 1991-05-07 | 1992-11-19 | Fuji Electric Co Ltd | プレーナ型半導体装置及びその製造方法 |
JPH06318714A (ja) * | 1992-07-02 | 1994-11-15 | Toshiba Corp | 高耐圧半導体素子 |
JP2003086701A (ja) * | 2001-09-14 | 2003-03-20 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021085436A1 (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 株式会社東海理化電機製作所 | 半導体集積回路 |
WO2021085437A1 (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 株式会社東海理化電機製作所 | 半導体集積回路 |
JP2021072426A (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 株式会社東海理化電機製作所 | 半導体集積回路 |
JP2021072427A (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 株式会社東海理化電機製作所 | 半導体集積回路 |
JP7404600B2 (ja) | 2019-11-01 | 2023-12-26 | 株式会社東海理化電機製作所 | 半導体集積回路 |
JP7404601B2 (ja) | 2019-11-01 | 2023-12-26 | 株式会社東海理化電機製作所 | 半導体集積回路 |
US11973146B2 (en) | 2019-11-01 | 2024-04-30 | Kabushiki Kaisha Tokai-Rika-Denki-Seisakusho | Semiconductor integrated circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103022095A (zh) | 2013-04-03 |
CN103022095B (zh) | 2015-11-18 |
DE102012216909A1 (de) | 2013-03-28 |
JP5637188B2 (ja) | 2014-12-10 |
US9136362B2 (en) | 2015-09-15 |
US20130075877A1 (en) | 2013-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5637188B2 (ja) | 横型素子を有する半導体装置 | |
US9634130B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5216801B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8120098B2 (en) | Semiconductor device and power converter using the same | |
US8809903B2 (en) | Semiconductor device and power conversion apparatus using the same | |
JP5891023B2 (ja) | 半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 | |
JP5790214B2 (ja) | 横型の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ | |
JP5865618B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2017028116A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US20120119318A1 (en) | Semiconductor device with lateral element | |
JPWO2002058160A1 (ja) | 半導体装置 | |
US20050116284A1 (en) | Semiconductor devices | |
JP6072445B2 (ja) | 半導体装置およびそれを用いた電力変換装置 | |
WO2014000340A1 (zh) | 槽栅半导体功率器件 | |
WO2012113818A2 (en) | Power semiconductor device and method for manufacturing such a power semiconductor device | |
KR20160029630A (ko) | 반도체 장치 | |
JP2013145903A (ja) | 半導体装置 | |
JP2014154739A (ja) | 半導体装置 | |
JP6182875B2 (ja) | 半導体装置及びその駆動方法 | |
KR20160032654A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2009176891A (ja) | 半導体装置 | |
JP2013191597A (ja) | 半導体装置 | |
US10199491B2 (en) | Vertical transistor with improved robustness | |
JP2014116631A (ja) | 半導体装置 | |
CN116487440A (zh) | 一种SiC MOSFET器件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130913 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140404 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140924 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141007 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5637188 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |