JP2013084099A - 低電圧誤動作防止回路及び方法、並びに低電圧誤動作防止回路を備えた電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】消費電流を抑えつつ、起動信号の状態と監視電圧の状態に応じて適切に起動シーケンスを実行することができる低電圧誤動作防止回路を提供する。
【解決手段】監視対象電圧に基づいて集積回路のシーケンスを制御する低電圧誤動作防止回路であって、外部からの集積回路起動信号により動作がオン又はオフされ、監視対象電圧がしきい値電圧より高いか否かを判断し、当該判断結果を示す電圧検出信号を出力する電圧検出回路と、上記電圧検出回路からの電圧検出信号に基づいて上記電圧検出回路のしきい値電圧を制御するしきい値電圧制御回路と、上記電圧検出回路からの電圧検出信号と、上記外部からの集積回路起動信号とに基づいて、上記集積回路のシーケンスを制御するシーケンス制御回路とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、例えば携帯電話やタブレット型ＰＣなどの携帯電子機器のための低電圧誤動作防止回路及び方法、並びに上記低電圧誤動作防止回路を備えた電子機器に関する。

携帯電話やタブレット型ＰＣなどの携帯電子機器には、デジタル信号処理を行うＣＰＵやＤＳＰが搭載されている。その他にも機器が有する機能に応じて、さまざまな電子回路部品が搭載される。上述の携帯電子機器はその多くが機器に電池を搭載しており、電子回路部品はその電池が供給する電力、あるいは電池電圧を安定した電圧源に変換する電源制御回路からの電力供給を受けて駆動する。

各電子回路部品には、その部品が安定して動作することが可能な電源電圧範囲が規定されており、その範囲を脱した電力供給状況化で駆動させると正常に動作しない。こうした電子回路部品には、供給されている電源電圧を監視（以下、監視電圧という。）して、その電圧が所定のしきい値電圧以上であれば起動制御有効とし、所定のしきい値電源電圧以下であれば強制的に終了制御を行うための低電圧誤動作防止機能（ＵＶＬＯ）が実装される。以下、低電圧誤動作防止機能（ＵＶＬＯ）の回路を低電圧誤動作防止回路という。

従来技術として、前述の低電圧誤動作防止回路のしきい値電圧を１つの値ではなく、ヒステリシス特性を持たせ監視電圧が所定値以上となると回路を動作させ、監視電圧がヒステリシス特性の最低値となると動作を停止させる技術が考えられ既に知られている（例えば、特許文献１参照。）。

しかしながら、今までのヒステリシス特性を持たせた低電圧誤動作防止回路には、以下の２つの問題があった。

今までのヒステリシス特性を持たせた低電圧誤動作防止回路では、監視電圧が上のしきい値電圧を上回ると、下のしきい値電圧を下回るまでは起動シーケンスを実行することが可能となる。しかし、監視電圧が２つのしきい値間である場合、起動シーケンスを実行しても、ＣＰＵなどの負荷回路が起動できず、正常に動作しない場合が想定される。これが１つ目の問題である。また、２つ目の問題は、低電圧誤動作防止回路は起動信号の有無にかかわらず、常時監視しているため、消費電流が多いことである。電圧監視情報である、電圧検出回路からの電圧検出信号ＤＥＴＯが必要となるのは、起動信号ＰＯＮがＨレベルのときだけである。以下、従来例に係る１つ目の問題についての具体例、図４を参照して以下に説明する。

図４は従来例に係る低電圧誤動作防止回路の動作を示すタイミングチャートである。図４において、上から順に、低電圧誤動作防止回路により監視される電源電圧Ｖｓｕｐ、電圧検出回路の状態、電源電圧Ｖｓｕｐがしきい値を上回るか否かを示す電圧検出回路からの電圧検出信号ＤＥＴＯ、外部回路からの起動信号ＰＯＮ、低電圧誤動作防止回路によって制御される被制御集積回路（ＩＣ）の状態を示している。ここで、電圧検出回路からの電圧検出信号ＤＥＴＯは電源電圧Ｖｓｕｐがしきい値電圧より高い電圧であるとき、電圧検出回路からの電圧検出信号ＤＥＴＯがＨレベルとなり、電源電圧Ｖｓｕｐがしきい値電圧より低い電圧であるとき、電圧検出回路からの電圧検出信号ＤＥＴＯがＬレベルとなる。電圧検出回路からの電圧検出信号ＤＥＴＯがＨレベルで、かつ、起動信号ＰＯＮがＨレベルとなるとき、被制御集積回路の起動シーケンスが実行される。

この低電圧誤動作防止回路はヒステリシス特性を有しているため、第１の電圧しきい値Ｖｔｈ１と第２の電圧しきい値Ｖｔｈ２との２つのしきい値を有し、電圧検出回路からの電圧検出信号ＤＥＴＯがＬレベルのときはそのしきい値は第１の電圧しきい値Ｖｔｈ１となり、電圧検出回路からの電圧検出信号ＤＥＴＯがＨレベルのときはそのしきい値は第２の電圧しきい値Ｖｔｈ２となる。ここで、第１の電圧しきい値Ｖｔｈ１は、上記ＩＣが、非起動状態から起動状態へと移行可能な電圧の下限に設定される。一方、第２の電圧しきい値Ｖｔｈ２は、非起動状態から起動状態への移行は不可能であるが、動作は可能である電圧の下限に対応して設定される。

電源電圧Ｖｓｕｐが第１の電圧しきい値Ｖｔｈ１を上回る時刻ｔ１１で、電圧検出回路からの電圧検出信号ＤＥＴＯがＨレベルとなり、そのしきい値は第２の電圧しきい値Ｖｔｈ２に変更され、電源電圧Ｖｓｕｐが第１の電圧しきい値Ｖｔｈ１を下回っても第２の電圧しきい値Ｖｔｈ２を下回るまでは、電圧検出回路からの電圧検出信号ＤＥＴＯはＨレベルを維持しつづける。時刻ｔ１２では、外部からの起動信号ＰＯＮがＨレベルになり、起動シーケンスが実行される。その後、時刻ｔ１３で外部からの起動信号ＰＯＮがＬレベルとなると終了シーケンスが実行され、上記ＩＣは非起動状態となる。その後、時刻ｔ１４で再び外部からの起動信号ＰＯＮがＨレベルとなると、電圧検出回路からの電圧検出信号ＤＥＴＯはＨレベルであるため起動シーケンスを実行するが、電源電圧Ｖｓｕｐは第１の電圧しきい値Ｖｔｈ１より低いため、正常に動作できない。なお、その後、時刻ｔ１５で電源電圧Ｖｓｕｐは第１の電圧しきい値Ｖｔｈ１を超える。

ところで、特許文献２には、監視電圧の状態に応じて適切に起動シーケンスを実行する目的で、監視電圧としきい値とを比較した信号と外部からの起動信号によりしきい値を変更することで、本来起動すべきでない状態で起動シーケンスを実行するのを防止することができる低電圧誤動作防止回路が開示されている。ここで、低電圧誤動作防止回路は常時電圧監視を行っており、消費電流が多いという問題を解消できていない。

本発明の目的は以上の問題点を解決し、消費電流を抑えつつ、起動信号の状態と監視電圧の状態に応じて適切に起動シーケンスを実行することができる低電圧誤動作防止回路及び方法、並びに低電圧誤動作防止回路を備えた電子機器を提供することにある。

本発明に係る低電圧誤動作防止回路は、
監視対象電圧に基づいて集積回路のシーケンスを制御する低電圧誤動作防止回路であって、
外部からの集積回路起動信号により動作がオン又はオフされ、監視対象電圧がしきい値電圧より高いか否かを判断し、当該判断結果を示す電圧検出信号を出力する電圧検出回路と、
上記電圧検出回路からの電圧検出信号に基づいて上記電圧検出回路のしきい値電圧を制御するしきい値電圧制御回路と、
上記電圧検出回路からの電圧検出信号と、上記外部からの集積回路起動信号とに基づいて、上記集積回路のシーケンスを制御するシーケンス制御回路とを備えたことを特徴とする。

また、本発明に係る低電圧誤動作防止方法は、監視対象電圧に基づいて集積回路のシーケンスを制御する低電圧誤動作防止方法であって、
電圧検出回路が、外部からの集積回路起動信号により動作がオン又はオフされ、監視対象電圧がしきい値電圧より高いか否かを判断し、当該判断結果を示す電圧検出信号を出力するステップと、
上記電圧検出信号に基づいて上記電圧検出回路のしきい値電圧を制御するステップと、
上記電圧検出信号と、上記外部からの集積回路起動信号とに基づいて、上記集積回路のシーケンスを制御するステップとを含むことを特徴とする。

さらに、本発明に係る電子機器は、上記低電圧誤動作防止回路と、上記集積回路とを備えたことを特徴とする。

従って、本発明によれば、外部からの集積回路起動信号により動作がオン又はオフされ、監視対象電圧がしきい値電圧より高いか否かを判断し、当該判断結果を示す電圧検出信号を出力し、上記電圧検出信号に基づいて上記電圧検出回路のしきい値電圧を制御し、上記電圧検出信号と、上記外部からの集積回路起動信号とに基づいて、上記集積回路のシーケンスを制御するので、消費電流を抑えつつ、集積回路起動信号の状態と監視電圧の状態に応じて適切に起動シーケンスを実行することができる。例えば上記起動信号がＬレベルのときに低電圧誤動作防止回路をオフするので電流消費量を低減できる。

本発明の一実施形態に係る低電圧誤動作防止回路の構成を示すブロック図である。 図１の低電圧誤動作防止回路の動作（作用効果）を示すタイミングチャートである。 変形例に係る低電圧誤動作防止回路の動作（作用効果）を示すタイミングチャートである。 従来例に係る低電圧誤動作防止回路の動作を示すタイミングチャートである。

以下、本発明に係る実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各実施形態において、同様の構成要素については同一の符号を付している。

実施形態．
図１は本発明の一実施形態に係る低電圧誤動作防止回路の構成を示すブロック図である。本実施形態に係る低電圧誤動作防止回路は例えば携帯電子機器のための電源制御回路であって、外部からの起動信号ＰＯＮの状態と監視すべき電源電圧Ｖｓｕｐの状態に応じて電圧を監視するか否かを切り替えることにより、消費電流を抑えつつ、起動信号の状態と監視電圧の状態に応じて適切に起動シーケンスを実行することを特徴としている。ここで、低電圧誤動作防止回路は、特に、外部からの集積回路（以下、ＩＣという）２０の起動信号（以下、起動信号という。）ＰＯＮがＬレベルのときは、電圧検出回路１１の動作をオフして電圧を監視しないことを特徴としている。

図１において、低電圧誤動作防止回路１０は、電圧検出回路１１と、しきい値電圧制御回路１２と、シーケンス制御回路１３とを備えて構成される。電圧検出回路１１は電圧コンパレータを有し、監視対象の電源電圧Ｖｓｕｐが、しきい値電圧制御回路１２から指定されるしきい値電圧より高いか否かを判断し、高いときにＨレベルの電圧検出信号ＤＥＴＯを出力する一方、高くないときにＬレベルの電圧検出信号ＤＥＴＯを出力する。しきい値電圧制御回路１２は、電圧検出回路１１からの電圧検出信号ＤＥＴＯに基づいてしきい値電圧を制御して、指定すべきしきい値電圧を電圧検出回路１１に出力する。シーケンス制御回路１３は、電圧検出回路１１からの電圧検出信号ＤＥＴＯと、外部からの起動信シ号ＰＯＮに基づいて、当該携帯電子機器のためのＩＣ２０に対するーケンス制御信号ＳＥＱを発生して出力する。

ここで、低電圧誤動作防止回路１０はヒステリシス特性を持ち、監視対象の電源電圧がしきい値を満たすか否かを示す電圧検出回路１１からの電圧検出信号ＤＥＴＯの状態に依存して、電圧検出回路１１のしきい値が変更される。また、電圧検出回路１１は外部からの起動信号ＰＯＮの状態に基づいてその動作がオン又はオフされる。外部からの起動信号ＰＯＮがＩＣ起動を指示してそれを期待する信号（オン指示信号）である場合、電圧検出回路１１はオンされ、電圧監視を行う。電圧検出回路１１は電圧監視を行っている間、電源電圧Ｖｓｕｐが上記しきい値を上回ると、起動シーケンス実行を期待するＨレベルの電圧検出信号ＤＥＴＯをシーケンス制御回路１３に出力する一方、電源電圧Ｖｓｕｐが上記しきい値以下になると、終了シーケンス実行を期待するＬレベルの電圧検出信号をシーケンス制御回路１３に出力する。外部の起動信号ＰＯＮがＩＣ非起動を指示してそれを期待する信号（オフ指示信号）である場合、電圧検出回路１１はオフされ、電圧監視を行わない。電圧監視を行っていない間、終了シーケンス実行を期待するＬレベルの電圧検出信号ＤＥＴＯを出力する。

図２は図１の低電圧誤動作防止回路の動作（作用効果）を示すタイミングチャートである。図２において、上から順に、低電圧誤動作防止回路１０により監視される電源電圧Ｖｓｕｐ、電圧検出回路１１の状態、電源電圧Ｖｓｕｐがしきい値を上回るか否かを示す電圧検出回路１１からの電圧検出信号ＤＥＴＯ、外部からの起動信号ＰＯＮ、及び低電圧誤動作防止回路１０によって制御されるＩＣ２０の状態を示す。上述のように、電源電圧Ｖｓｕｐがしきい値電圧Ｖｔｈより高電圧であるとき、電圧検出信号ＤＥＴＯがＨレベルとなる一方、電源電圧Ｖｓｕｐがしきい値電圧Ｖｔｈ以下のとき電圧検出信号ＤＥＴＯがＬレベルとなる。ここで、電圧検出信号ＤＥＴＯがＨレベルで、かつ、外部からの起動信号ＰＯＮがＨレベルとなるとき、ＩＣ２０の起動シーケンスが実行される。

この低電圧誤動作防止回路１０はヒステリシス特性を有しているため、第１の電圧しきい値Ｖｔｈ１と第２の電圧しきい値Ｖｔｈ２との２つのしきい値を有し、電圧検出信号ＤＥＴＯがＬレベルのときは電圧検出回路１１のしきい値が第１のしきい値電圧Ｖｔｈ１となり、電圧検出信号ＤＥＴＯがＨレベルのときはしきい値が第２のしきい値電圧Ｖｔｈ２となるようにしきい値電圧制御回路１２により制御される。ここで、第１の電圧しきい値Ｖｔｈ１は、ＩＣ２０が、非起動状態から起動状態へと移行可能な電圧の下限に設定される。一方、第２の電圧しきい値Ｖｔｈ２は、非起動状態から起動状態への移行は不可能であるが、動作は可能である電圧の下限に対応して設定される。

図２において、時刻ｔ１のとき、電源電圧Ｖｓｕｐが第１の電圧しきい値Ｖｔｈ１を上回るが、起動信号ＰＯＮがＬレベルであるため電圧検出回路１１はオフのままであり、電圧検出信号ＤＥＴＯはＬレベルのままである。起動信号ＰＯＮがＨレベルとなる時刻ｔ２で、電圧検出回路１１はオンされ電圧監視を行う。電源電圧Ｖｓｕｐが第１の電圧しきい値Ｖｔｈ１を上回っているため、電圧検出信号ＤＥＴＯがＨレベルとなり、このときシーケンス回路１３は起動シーケンスのためのシーケンス制御信号ＳＥＱをＩＣ２０に出力することによりＩＣ２０に対して起動シーケンスが実行される。次いで、電源電圧Ｖｓｕｐが上昇すると、電圧検出信号ＤＥＴＯがＨレベルとなるので、電圧検出回路１１のしきい値は第２の電圧しきい値Ｖｔｈ２に変更され、電源電圧Ｖｓｕｐが第１の電圧しきい値Ｖｔｈ１を下回っても第２の電圧しきい値Ｖｔｈ２を下回るまでは電圧検出信号ＤＥＴＯはＨレベルを維持しつづける。

時刻ｔ３で、外部からの起動信号ＰＯＮがＬレベルとなると終了シーケンスが実行され、ＩＣ２０は非起動状態となる。また、外部からの起動信号ＰＯＮがＬレベルとなるため、電圧検出回路１１もオフされ電圧監視を停止し、電圧検出信号ＤＥＴＯはＬレベルとなり、電圧検出回路１１のしきい値は第１の電圧しきい値Ｖｔｈ１に変更される。その後、時刻ｔ４で再び起動信号ＰＯＮがＨレベルとなると、電圧検出回路１１はオンされ電圧監視を行うが、電源電圧Ｖｓｕｐが第１の電圧しきい値Ｖｔｈ１を上回っていないため電圧検出信号ＤＥＴＯはＬレベルのままとなり、起動シーケンスは実行されない。その後、電源電圧Ｖｓｕｐが第１の電圧しきい値Ｖｔｈ１を上回る時刻ｔ５で電圧検出信号ＤＥＴＯがＨとなるため、起動シーケンスが実行され、ＩＣ２０は起動状態となる。

変形例．
図３は変形例に係る低電圧誤動作防止回路の動作（作用効果）を示すタイミングチャートである。図３において、低電圧誤動作防止回路１０により監視される電源電圧Ｖｓｕｐ、電圧検出回路１１の状態、電源電圧Ｖｓｕｐがしきい値を上回るか否かを示す電圧検出回路１１からの電圧検出信号ＤＥＴＯ、例えば外部スイッチにより発生される起動信号ＰＯＮ、起動信号ＰＯＮを電圧検出回路１１の内部で保持しているオンホールド信号、低電圧誤動作防止回路１０によって制御されるＩＣ２０の状態を示す。

ここで、電源電圧Ｖｓｕｐがしきい値電圧Ｖｔｈより高電圧であるとき、電圧検出信号ＤＥＴＯがＨレベルとなり、電源電圧Ｖｓｕｐがしきい値電圧Ｖｔｈ以下のとき、電圧検出信号ＤＥＴＯがＬレベルとなる。電圧検出信号ＤＥＴＯがＨレベルで、かつ、外部からの起動信号ＰＯＮがＨレベルとなるとき、回路の起動シーケンスが実行される。

この低電圧誤動作防止回路１０はヒステリシス特性を有しているため、第１の電圧しきい値Ｖｔｈ１と第２の電圧しきい値Ｖｔｈ２との２つのしきい値を有し、電圧検出信号ＤＥＴＯがＬレベルのときは電圧検出回路１１のしきい値はＶｔｈ１となり、電圧検出信号ＤＥＴＯがＨレベルのときは電圧検出回路１１のしきい値はＶｔｈ２となるようにしきい値電圧制御回路１２により制御される。ここで、第１の電圧しきい値Ｖｔｈ１は、ＩＣ２０が、非起動状態から起動状態へと移行可能な電圧の下限に設定される。一方、第２の電圧しきい値Ｖｔｈ２は、非起動状態から起動状態への移行は不可能であるが、ＩＣ２０の動作は可能である電圧の下限に対応して設定される。

外部からの起動信号ＰＯＮが一度Ｈレベルとなるときは起動信号ＰＯＮの立ち上がりを検出し、起動信号ＰＯＮを電圧検出回路１１の内部で保持しているオンホールド信号がＨレベルとなり、ＩＣ２０の起動を指示してそれを期待する。再び起動信号ＰＯＮがＨレベルとなるときは起動信号ＰＯＮの立ち下がりを検出し、オンホールド信号はＬレベルになりＩＣ２０の非起動を指示してそれを期待する。

図３において、時刻ｔ１のとき、電源電圧Ｖｓｕｐが第１の電圧しきい値Ｖｔｈ１を上回るが、起動信号ＰＯＮが一度もＨレベルになっておらず、オンホールド信号がＬレベルであるため、電圧検出回路１１はオフされたままであり、電圧検出信号ＤＥＴＯはＬレベルのままである。次いで、起動信号ＰＯＮの立ち上がりを検出する時刻ｔ２でオンホールド信号もＨレベルとなる。また、起動信号ＰＯＮの立ち上がりが検出されると、電圧検出回路１１はオンされ電圧監視を行う。電源電圧Ｖｓｕｐが第１の電圧しきい値Ｖｔｈ１を上回っているため電圧検出信号ＤＥＴＯがＨレベルとなり、起動シーケンスが実行される。また、電圧検出信号ＤＥＴＯがＨレベルとなるので、電圧検出回路１１のしきい値は第２の電圧しきい値Ｖｔｈ２に変更され、電源電圧Ｖｓｕｐが第１の電圧しきい値Ｖｔｈ１を下回っても第２の電圧しきい値Ｖｔｈ２を下回るまでは電圧検出信号ＤＥＴＯはＨレベルを維持しつづける。

次いで、時刻ｔ３で起動信号ＰＯＮの立ち下がりを検出するとオンホールド信号はＬレベルとなり、終了シーケンスが実行され、ＩＣ２０は非起動状態となる。また、起動信号ＰＯＮの立ち下がりを検出すると、電圧検出回路１１もオフされとなり電圧監視を停止し、電圧検出信号ＤＥＴＯはＬレベルとなり、電圧検出回路１１のしきい値は第１の電圧しきい値Ｖｔｈ１に変更される。その後、時刻ｔ４で再び起動信号ＰＯＮの立ち上がりが検出されると、電圧検出回路１１はオンされ電圧監視を行うが、電源電圧Ｖｓｕｐが第１の電圧しきい値Ｖｔｈ１を上回っていないため電圧検出信号ＤＥＴＯはＬレベルのままとなり、起動シーケンスは実行されない。その後、電源電圧Ｖｓｕｐが第１の電圧しきい値Ｖｔｈ１を上回る時刻ｔ５で電圧検出信号ＤＥＴＯがＨレベルとなるため、起動シーケンスが実行され、ＩＣ２０は起動状態となる。

以上の実施形態においては、例えば携帯電子機器などの電子機器のための低電圧誤動作防止回路について説明しているが、本発明はこれに限らず、低電圧誤動作防止回路１０及びＩＣ２０とを備えて、例えば携帯電子機器などの電子機器を構成してもよい。

以上詳述したように、本発明によれば、外部からの集積回路起動信号により動作がオン又はオフされ、監視対象電圧がしきい値電圧より高いか否かを判断し、当該判断結果を示す電圧検出信号を出力し、上記電圧検出信号に基づいて上記電圧検出回路のしきい値電圧を制御し、上記電圧検出信号と、上記外部からの集積回路起動信号とに基づいて、上記集積回路のシーケンスを制御するので、消費電流を抑えつつ、集積回路起動信号の状態と監視電圧の状態に応じて適切に起動シーケンスを実行することができる。例えば上記起動信号がＬレベルのときに低電圧誤動作防止回路をオフするので電流消費量を低減できる。

１０…低電圧
１１…電圧検出回路、
１２…しきい値電圧制御回路、
１３…シーケンス制御回路、
２０…集積回路（ＩＣ）。

特開２００４−０２２９４７号公報 特開２００７−３０６６４８号公報

Claims (11)

1. 監視対象電圧に基づいて集積回路のシーケンスを制御する低電圧誤動作防止回路であって、
   外部からの集積回路起動信号により動作がオン又はオフされ、監視対象電圧がしきい値電圧より高いか否かを判断し、当該判断結果を示す電圧検出信号を出力する電圧検出回路と、
   上記電圧検出回路からの電圧検出信号に基づいて上記電圧検出回路のしきい値電圧を制御するしきい値電圧制御回路と、
   上記電圧検出回路からの電圧検出信号と、上記外部からの集積回路起動信号とに基づいて、上記集積回路のシーケンスを制御するシーケンス制御回路とを備えたことを特徴とする低電圧誤動作防止回路。
2. 上記電圧検出回路は、上記外部からの集積回路起動信号が上記集積回路の起動を指示していないときには、上記電圧検出回路をオフされることを特徴とする請求項１記載の低電圧誤動作防止回路。
3. 上記電圧検出回路は、上記集積回路起動信号をトリガとして、上記集積回路起動信号を所定値に保持することを特徴とする請求項１又は２記載の低電圧誤動作防止回路。
4. 上記しきい値電圧制御回路は、第１の電圧しきい値と第２の電圧しきい値とを有し、上記電圧検出信号が第１の値のときは上記電圧検出回路のしきい値を上記第１のしきい値電圧に設定し、上記電圧検出信号が上記第１の値よりも高い第２の値のときは上記電圧検出回路のしきい値を上記第２のしきい値電圧に設定するように制御することを特徴とする請求項１から３までのいずれか１項記載の低電圧誤動作防止回路。
5. 上記第１の電圧しきい値は、上記集積回路が非起動状態から起動状態へと移行可能な電圧の下限に設定される一方、上記第２の電圧しきい値は、非起動状態から起動状態への移行は不可能であるが、動作は可能である電圧の下限に対応して設定されることにより、上記低電圧誤動作防止回路が所定のヒステリシス特性を有することを特徴とする請求項４記載の低電圧誤動作防止回路。
6. 監視対象電圧に基づいて集積回路のシーケンスを制御する低電圧誤動作防止方法であって、
   電圧検出回路が、外部からの集積回路起動信号により動作がオン又はオフされ、監視対象電圧がしきい値電圧より高いか否かを判断し、当該判断結果を示す電圧検出信号を出力するステップと、
   上記電圧検出信号に基づいて上記電圧検出回路のしきい値電圧を制御するステップと、
   上記電圧検出信号と、上記外部からの集積回路起動信号とに基づいて、上記集積回路のシーケンスを制御するステップとを含むことを特徴とする低電圧誤動作防止方法。
7. 上記電圧検出回路が、上記外部からの集積回路起動信号が上記集積回路の起動を指示していないときには、上記電圧検出回路をオフされるステップをさらに含むことを特徴とする請求項６記載の低電圧誤動作防止方法。
8. 上記電圧検出回路が、上記集積回路起動信号をトリガとして、上記集積回路起動信号を所定値に保持するステップをさらに含むことを特徴とする請求項６又は７記載の低電圧誤動作防止方法。
9. 上記しきい値電圧を制御するステップは、第１の電圧しきい値と第２の電圧しきい値とを有し、上記電圧検出信号が第１の値のときは上記電圧検出回路のしきい値を上記第１のしきい値電圧に設定し、上記電圧検出信号が上記第１の値よりも高い第２の値のときは上記電圧検出回路のしきい値を上記第２のしきい値電圧に設定するように制御することを特徴とする請求項６から８までのいずれか１項記載の低電圧誤動作防止方法。
10. 上記第１の電圧しきい値は、上記集積回路が非起動状態から起動状態へと移行可能な電圧の下限に設定される一方、上記第２の電圧しきい値は、非起動状態から起動状態への移行は不可能であるが、動作は可能である電圧の下限に対応して設定されることにより、上記低電圧誤動作防止方法が所定のヒステリシス特性を有することを特徴とする請求項９記載の低電圧誤動作防止方法。
11. 請求項１から５までのいずれか１項記載の低電圧誤動作防止回路と、上記集積回路とを備えたことを特徴とする電子機器。

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