JP2013072769A - 温度センサ、及び、水素充填システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸化物焼結体からなる素子本体11と、素子本体11に電気的に接続され、Pt又はPt合金からなる一対のリード線13a,13bと、素子本体11及び素子本体11と接続される部分を含むリード線13a,13bの一部を封止する封止ガラス2と、を備え、一対のリード線13a,13bが、Pt、PtとIr及びPdの1種又は2種とからなる合金、PdとIrの合金のいずれかからなり、水素雰囲気下で使用される温度センサ10。
【選択図】図1
Description
特許文献1にも示されているが、水素雰囲気が具現される例として、燃料電池の負極活物質となる水素を貯蔵するタンクが掲げられる。現状、このタンク内の圧力は法律の規制により35MPa以下とされるが、今後は上限を例えば70MPaに引き上げる動きがある。したがって、この傾向に対応するには、水素による還元だけでなく、高い圧力に暴露されることをも考慮する必要がある。一つの目標として、センサ素子が、圧力120MPa、温度−90〜150℃であって、水素濃度100%の雰囲気下で耐久性を備えることが掲げられる。
本発明は、このような技術的課題に基づいてなされたもので、高圧の水素雰囲気下における耐久性が優れた温度センサを提供することを目的とする。また本発明は、そのような温度センサを備える水素充填システムを提供することを目的とする。
本発明は、リード線を特定の材質にすることで、水素雰囲気下における耐久性を格段に向上できることを新たに知見したことに基づいている。
以下、添付図面に示す実施の形態に基づいてこの発明を詳細に説明する。
本実施の形態における温度センサ10は、図1に示すように、サーミスタ素子1と、封止ガラス2とから概略構成されている。
サーミスタ素子1は、その電気抵抗値の温度係数が大きな半導体素子からなり、抵抗値の変化を電圧変化として取り出すための検出回路(不図示)とともに用いることによって、自身が置かれている環境の温度を検出して電気信号からなる温度検出信号を発生する。
封止ガラス2は、サーミスタ素子1を封止して気密状態に保持することによって、環境条件に基づく化学的,物理的変化の発生を防止するとともに、機械的に保護する。
素子本体11は、金属酸化物を焼結して平板状に成形したものが用いられる。
素子本体11に用いられる酸化物焼結体の代表例を以下に示す。ただし、本発明は以下の酸化物焼結体に限定されるものでない。本発明が志向する用途である水素ガス(以下、単に水素)の貯蔵タンクでは、温度の上限がせいぜい150℃であるから、高温用の酸化物焼結体を用いる必要がない。したがって、本発明は、使用できる金属酸化物の選択枝が広い。この酸化物焼結体は、65〜110×10−7/℃(30〜700℃、以下同じ)の線膨張係数を示す。
また、PTC(positive temperature coefficient)サーミスタとして典型的なペロブスカイト構造を有する複合酸化物、例えばYCrO3を基本構成とする酸化物焼結体を素子本体11に用いることができる。
リード線13a,13bは、一端がそれぞれ電極12a,12bに接続されていて、サーミスタ素子1と外部回路とを接続する。リード線13a,13bは、耐熱性のある、Pt、Ptとイリジウム(Ir)の合金、Ptとパラジウム(Pd)の合金、PtとIrとPdの合金からなる。各合金におけるIr及びPdの含有量は20質量%(以下、単に%)以下の範囲とされる。Ir及びPdの含有量は、好ましくは5〜20%、さらに好ましくは8〜12%である。リード線13a,13bは、電極12a,12bと接続される側の端部が封止体ガラス2に封止される。
本発明者らは、水素雰囲気下でサーミスタを用いた温度センサの検出結果にずれが生ずる過程を観察した。つまり、通常、サーミスタからなる素子本体はガラスにより封止されているので、封止状態が確保されている限り、検出結果にずれは生じない。ところが、本発明者の検討によると、極めて短時間でずれが生じるものがあり、それはガラスによる封止状態、特にリード線を封止する部分に剥離が生じることで、そこから水素が封止ガラスの内部に浸入してサーミスタを急激に還元することを確認している。この剥離は、リード線とガラスの接合機構に基づくものと解される。リード線がジュメット線(銅被覆ニッケル鋼線)からなる場合、封止ガラスとリード線の接合界面にCu、酸素(O)及びケイ素(Si)が共有結合した酸化物が生成することで、封止ガラスとリード線が密着する。ところが、酸素雰囲気下ではこの酸化物からも酸素が奪われるため、共有結合自体が破壊され、封止ガラスとリード線の界面の接合強度が失われる。高圧下であることも関与し、この結合の破壊は短時間で封止ガラスの内部まで進行し、最終的には水素暴露が素子本体(サーミスタ)まで達し、検出ずれを起こす。そこで、本実施形態では、リード線13a,13bを、Pt、Pt−Ir合金、Pt−Pd合金、Pt−Ir−Pd合金から選択される素材で構成することとした。これらの素材は化学的に安定なため封止ガラスとの界面に酸化物が生成されないために、酸化物を介する接合に比べると接合強度自体は低い。しかし、水素暴露されても、その化学的な安定の故に、封止ガラス2とリード線13a,13bの界面はそれまでの密着状態を維持することができる。これに加えて、封止ガラス2は樹脂に比べて強度が高いために、温度センサ10が高圧下に置かれても、封止ガラス2がリード線13a,13bを封止する状態を維持することができる。
まず、サーミスタ素子1を形成する素子本体11は、所定の原料粉末を所定の配合組成となる様に秤量し、これに水を加えてスラリー状とし、これを例えばジルコニアボールとともにポットに入れて、ボールミルによって混合する。
組成に応じて適宜設定される。
次に、冷間静水圧プレスによって、原料作製工程により得られた粉末から円柱形状のインゴットプリフォームを作成し、このインゴットプリフォームを焼結する。そして、得られた焼結体を切断して、さらに研削・研磨して必要な厚さにすることによって、丸形形状のサーミスタウエハーを形成する。
その後、予め白金ペーストを先端に塗布した一対の真っ直ぐなリード線を、サーミスタチップの上下電極に接続し、白金ペーストを乾燥させた後、焼結することによって、図1(b)に示されるサーミスタ素子1を得る。
次に、第2実施形態による温度センサ20を説明する。
温度センサ20は、図2に示すように、サーミスタ素子21と、封止ガラス22と、封止補完体23と、から概略構成されている。温度センサ20は、封止補完体23を備えること、及び、封止ガラス22の形態が相違すること、の点で温度センサ10と相違するが、サーミスタ素子21は第1実施形態のサーミスタ素子1と構成が同じであるから、その説明を省略する。
サーミスタ素子1,21は、封止補完体23の保持面24側に配置され、そのリード線13a,13bは封止補完体23のリード線挿通孔25a,25bをそれぞれ貫通し、引き出し面26の外側に引き出される。
封止補完体23はその目的を達成できる素材、例えば、Al2O3およびMgO・SiO2からなるフォルステライト(2MgO・SiO2)から構成できる。このセラミックスは、線膨張係数が7.0〜9.6×10-6/℃程度である。
封止ガラス22は、封止補完体23の保持面24に接合される。そのために、封止ガラス22の封止端22eにおけるリード線13a,13bの周囲のガラスの肉厚を、第1実施形態に比べて厚くすることができる。つまり、第1実施形態の温度センサ10の封止ガラス2は、その作製工程に起因して図1に示すように楕円体となるため、リード線13a,13bが引き出される封止端2eにおけるリード線13a,13bの周囲、特に楕円体の外側の封止ガラス2の肉厚が薄い。これに比べて、第2実施形態は、封止端22eにおけるリード線13a,13bの外側の封止ガラス22の肉厚は他の部分と同等の厚さにできる。しかも、封止ガラス22の封止端22eに続く封止補完体23も封止ガラス22と同等以上の外径を有している。したがって、第2実施形態による温度センサ20は、封止端22eの周囲の機械的な強度が大きいので、第1実施形態よりも高圧の水素暴露下の耐性が高い。
サーミスタ素子21のリード線13a,13bの所定位置に、封止ガラス22と同組成のガラス粉末を有機バインダーと混合してペースト状にしたものを塗布する。これは、後工程において、リード線13a,13bをリード線挿通孔25a,25bに貫通させた状態で封止補完体23に対して固定するためである。
次いで、封止補完体23のリード線挿通孔25a,25bにそれぞれリード線13a,13bを貫通させて、予め塗布したガラスペーストの所定位置に配置し、ガラスペーストを乾燥させて固定する(図2(b))。
次に、リード線13a,13bが鉛直になるように保持した状態で、ガラス管15および封止補完体23の部分を加熱炉にて加熱してガラス管15を溶融させて、サーミスタ素子1とリード線13a,13bとをガラス封止して、封止ガラス22を形成するとともに、封止ガラス22の一端部を封止補完体23の保持面24と溶着させることによって、図2(a)に示される温度センサ20を作製する。
次に、第3実施形態による温度センサ30を説明する。
温度センサ30は、図3に示すように、サーミスタ素子31と、封止ガラス32と、から概略構成され、素子本体11、リード線13a,13b及び封止ガラス32の各々は、第1実施形態の素子本体11、リード線13a,13b及び封止ガラス2と構成が同じである。しかし、第1実施形態はリード線13a,13bが素子本体11から同じ向きに引き出されているのに対して、第3実施形態は図3に示すように、リード線13a,13bが素子本体11から互いに異なる向きに引き出されている。
また、素子本体11を基準にして対称形状とすることで、封止ガラス32を設ける際に素子本体11が位置ずれを起し難くなり、ガラス肉厚が薄い部分が生じにくくなる。
以上説明した温度センサ10(〜30)を用いた水素充填システム100を第4実施形態として説明する。
水素充填システム100は、図4に示すように、水素充填用の耐圧構造を有するタンク101と、タンク101に水素を充填するためのガス流路を備えた供給管102と、充填された水素を外部に吐出するための吐出管103と、タンク101内の温度を検出する温度センサ10と、タンク101内の圧力を検出する圧力センサ104と、温度センサ10から出力される測定温度と圧力センサ104から出力される測定圧力を基にタンク101内に残留する水素の量を求める残量算出部105と、算出された水素の残量を表示する表示部106と、を備える。
残量算出部105は、検出されたタンク101内の温度、圧力をボイル・シャルルの法則に適用することで、タンク101内の水素の残量(体積)を求め、次いで、タンク101の充填限度(いわゆる満タン)に対する残量の比率を求め、それを表示部106に表示させる。
第1実施形態に示した形態の温度センサ10、20、30を作製し、水素圧力120MPa、100℃の雰囲気下に曝した後、100μAの電流を通電しながら電気抵抗を測定した。比較として、リード線にジュメット線を用いた以外は第1実施形態に示した形態の温度センサ10と同様の温度センサを用いて同様の測定を行なった。結果を図5に示す。図5は、25℃における電気抵抗を基準とする電気抵抗の変化率を示している。
また、素子本体11、リード線13a,13b、封止ガラス2の仕様は以下の通りである。
素子本体:80%Y−8%Cr−8%Mn−4%Ca(モル%)
リード線:Pt−10%Ir合金線(温度センサ10)
Pt−10%Ir合金線(温度センサ20)
Pd−18%Ir合金線(温度センサ30)
ジュメット線(比較)
封止ガラス:SiO2−31%PbO−59%K2O−2%()
1,21,31 サーミスタ素子
2,22,32 封止ガラス
11 素子本体
13a,13b リード線
23 封止補完体
100 水素充填システム
101 タンク
102 供給管
103 吐出管
104 圧力センサ
105 残量算出部
106 表示部
Claims (2)
- 酸化物焼結体からなるサーミスタ素子本体と、
前記素子本体に電気的に接続され、Pt又はPt合金からなる一対のリード線と、
前記素子本体及び前記素子本体と接続される部分を含む前記リード線の一部を封止するガラス封止体と、を備え、
一対の前記リード線が、Pt、PtとIr及びPdの1種又は2種とからなる合金、PdとIrの合金のいずれかからなり、水素雰囲気下で使用されることを特徴とする温度センサ。 - 水素が充填される容器と、
前記容器内の温度を測定する温度センサと、を備え、
前記温度センサが請求項1に記載の温度センサである、
水素充填システム。
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