JP2013062508A - 製造ツールのレシピを生成する方法及びそのシステム - Google Patents

製造ツールのレシピを生成する方法及びそのシステム Download PDF

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Abstract

【課題】設計データを用いた自動レシピ生成の方法及びシステムを提供すること。
【解決手段】コンピュータが設計データに基づいて製造ツールのレシピを作成する。コンピュータは、基本要素及び該基本要素に対応する階層レベルを含む、設計データを取得する。コンピュータは、関心のある１つ又はそれ以上の基本要素を選択し、関心のあるレベルに対応する単純アレイセルの１つ又はそれ以上の組を生成する。コンピュータは、単純アレイセルの組を用いて、関心のあるレベルの座標において周期的領域を識別して自動レシピ作成を可能にする。周期的領域は、１つ又はそれ以上の基本要素に関して識別される。
【選択図】図１

Description

本発明は、一般に試験品を製造するプロセスの方法及びシステムに関し、より具体的には、設計データを用いた自動レシピ生成の方法及びシステムに関する。
半導体産業において、デバイスは、絶えずサイズが小さくなり続けている構造体を生産する多くの製造プロセスによって製作される。従って、検査、計量、及び評価プロセスのような製造プロセスは、試験品を製造するためにより高い精度及び効率を必要とする。本明細書で用いられる用語「試験品」は、半導体集積回路、磁気ヘッド、フラットパネルディスプレイ、及び他の薄膜デバイスを製造するのに使用される、任意の種類のウェハ、レチクル及び他の構造体、それらの組合せ及び／又は部分を含むものと広く解釈されるべきである。
試験品の検査、計量、及び評価のような製造プロセスには、構造要素の認識、計測、較正、監視、検査、欠陥の評価及び分析、それぞれの製造プロセスのパラメータ及び／又は条件を評価して必要なフィードバックを供給するのに必要な報告及び／又は他の手順を含めることができる。様々な製造ツールは、非破壊的観測、例えば、非限定的な例として、走査電子顕微鏡、原子間力顕微鏡、光学的検査ツールなどに基づくものとすることができ、検査、計量、及び評価プロセスに用いることができる。製造制御要件がより難しくなるにつれて、検査、計量、及び評価プロセスのようなプロセスのためのレシピ生成もより複雑になる。
最新技術の試験品製造における計測値の量及びレシピの複雑さは、レシピを作成するための従来の手動（又は半手動）プロセスをますます厄介なものにしている。新興技術である自動レシピ生成は、生産時間及び開発を改善し、エラーの可能性を減らすことができる。
従来技術において自動レシピ生成の問題点が認識されており、解決策を提供するための種々のシステムが開発されてきた。例えば、検査レシピを作成するための従来のシステムは、検査ターゲットを選択する検査ターゲット選択モジュール、検査ターゲット内の欠陥サイズに関して対応する重要領域を抽出する重要領域抽出モジュール、欠陥サイズに関して検査ターゲット内で検出される欠陥によって予測される、対応する欠陥密度を抽出する欠陥密度予測モジュール、重要領域及び欠陥密度に基づいて欠陥サイズ内のキラー欠陥の対応する数を計算するキラー欠陥計算モジュール、並びに、キラー欠陥の数、及び見込み検査レシピ内で規定された欠陥検出の割合に基づいて、欠陥サイズに関する欠陥検出の割合を決定する見込み検査レシピに関して検出されることが予測されるキラー欠陥の数を計算する、検出予測計算モジュールを含む。
検査レシピを作成するための別の従来の方法は、第１の設計、及び、この第１の設計が製造プロセスを用いて印刷されたウェハについての検査システムの出力の１つ又はそれ以上の特性を取得するステップを含む。この方法はまた、第１の設計、及び、この第１の設計が印刷されたウェハについて取得された出力の１つ又はそれ以上の特性を用いて、第２の設計の検査レシピを作成するステップを含む。第１の設計と第２の設計は異なる。この検査レシピは、製造プロセスを用いて第２の設計がウェハ上に印刷された後で、ウェハを検査するのに使用されることになる。
従来のレシピ生成の解決策は、作成されたウェハに基づいてレシピを生成する。伝統的な解決策は、製造される第１のウェハに依存するものであり、ウェハの画像を取り込み、作成されたウェハを検査し、検査されたウェハの分析に基づいてレシピを生成する。典型的には、ユーザは、作成されたウェハからのデータを入力してレシピを生成する。従って、既存の解決策におけるレシピ生成プロセスは、時間がかかり、煩雑なプロセスである。
本発明は、例証として、且つ、限定のためではなく、添付の図面の図面に示され、図中、類似の参照符号は類似の要素を示す。本開示において、「一（ａｎ）」又は「１つの（ｏｎｅ）」実施形態に対する異なる言及は、必ずしも同じ実施形態に対するものではなく、そのような言及は少なくとも１つの実施形態を意味する。
本発明の実施形態による、試験品の設計及び製作のための例示的な作業フローを示す。 ウェハ内の多数のダイのうちの１つを含むことができる例示的な構成要素を示す図である。 本開示主題の特定の実施形態による、周期性識別ユニットの略機能図を示す。 本開示主題の特定の実施形態による、コンピュータ化されたレシピ作成の一般化されたフロー図である。 本開示主題の特定の実施形態による、基本セル及びそれぞれの周期的アレイの概略的なインスタンスの非限定的な例を示す。 本開示主題の特定の実施形態による、基本セル及びそれぞれの周期的アレイの概略的なインスタンスの非限定的な例を示す。 本開示主題の特定の実施形態による、基本セル及びそれぞれの周期的アレイの概略的なインスタンスの非限定的な例を示す。 本開示主題の特定の実施形態による、基本セル及びそれぞれの周期的アレイの概略的なインスタンスの非限定的な例を示す。 本開示主題の特定の実施形態による、単純アレイの概略的なインスタンスの非限定的な例を示す。 本開示主題の特定の実施形態による、単純アレイの概略的なインスタンスの非限定的な例を示す。 本開示主題の特定の実施形態による、単純アレイの概略的なインスタンスの非限定的な例を示す。 本開示主題の特定の実施形態による、単純アレイの概略的なインスタンスの非限定的な例を示す。 本開示主題の特定の実施形態による、単純アレイの概略的なインスタンスの非限定的な例を示す。 本開示主題の特定の実施形態による、単純アレイの概略的なインスタンスの非限定的な例を示す。 本開示主題の特定の実施形態による、集約された周期的領域の概略的なインスタンスの非限定的な例を示す。 本開示主題の特定の実施形態による、集約された周期的領域の概略的なインスタンスの非限定的な例を示す。 本開示主題の特定の実施形態による、集約された周期的領域の概略的なインスタンスの非限定的な例を示す。 本開示主題の特定の実施形態による、重なった周期的領域の概略的なインスタンスの非限定的な例を示す。 本開示主題の特定の実施形態による、重なった周期的領域の概略的なインスタンスの非限定的な例を示す。 本開示主題の特定の実施形態による、重なった周期的領域の概略的なインスタンスの非限定的な例を示す。 本開示主題の特定の実施形態による、周期性値のさらなる調節の概略的なインスタンスの非限定的な例を示す。 本開示主題の特定の実施形態による、周期性値のさらなる調節の概略的なインスタンスの非限定的な例を示す。 本開示主題の特定の実施形態による、反復性ブレーカを有する周期的領域の概略的なインスタンスの非限定的な例を示す。 製造ツールの略機能図を示す。 製造ツールのためのレシピを生成するためのコンピュータシステムの１つの実施形態の略図である。
本発明の実施形態は、製造ツールのレシピを作成するための方法及びシステムに向けられる。コンピュータが、設計データに基づいて製造ツールのレシピを作成する。コンピュータは、基本要素及び該基本要素に対応する階層レベルを含む、設計データを取得する。コンピュータは、１つ又はそれ以上の関心のある基本要素を選択し、関心のあるレベルに対応する単純アレイセルの１つ又はそれ以上の組を生成する。コンピュータは、単純アレイセルの組を用いて関心のあるレベルの座標内の周期的領域を識別して自動レシピ作成を可能にする。周期的領域は、１つ又はそれ以上の基本要素に関して識別される。
本発明の実施形態は、ウェハに依存しないデータを用いることにより、レシピを生成するための処理時間量及びリソースの使用量を著しく削減する。ウェハが作成され、作成されたウェハからのデータを検査し収集するのを待つのではなく、実施形態は、設計データを分析し、設計データ内の反復領域を識別する。設計データの分析は、製造プロセスからオフラインで、且つ、製造プロセスと並列に実行することができる。設計データの分析は、第１のウェハの製造に先立って、又はその製造中に実行することができる。実施形態は、設計データ内の反復領域の識別から得られた結果を用いて、検査レシピなどの、製造ツールのレシピを生成することができる。例えば、設計データ内の反復領域の識別から得られた結果を用いて、セル間の手法及び／又はダイ間の手法を用いて検査するかどうかを判断することができる。例えば、設計データ内で反復領域が識別された場合、セル間手法を適用するレシピを生成することができる。
実施形態は、製造されたウェハから直接導かれたデータによるのではなく、設計データについての判断に基づく自動的方法で、ダイ間検査又はセル間検査を実行するかどうかの判断を可能にする。実施形態は、多数の基本セルの全てのアンカー点の座標の組を分析するのではなく、異なる階層レベルにおける単純アレイセルの組を分析することによって、レシピを生成するための処理時間量をさらに削減する。実施形態はさらに、レシピを作成するための信頼度がより高いプロセスを提供する。従来のレシピ生成解決策は、製造されたウェハから直接得られる、エラーを含んだデータを用いてレシピを生成する。実施形態は、設計データを用いてレシピを作成し、ウェハから得られる情報に通常付随するエラーを補償せずに、セル間手法を用いてウェハを検査するかどうかの判断を可能にする。
図１は、本発明の実施形態による、試験品の設計及び製作のための例示的な作業フローを示す。本明細書で用いられる用語「試験品」は、半導体集積回路、磁気ヘッド、フラットパネルディスプレイ、及び他の薄膜デバイスを製造するのに使用される、任意の種類のウェハ、レチクル及び他の構造体、それらの組合せ及び／又は部分に及ぶものと広く解釈されるべきである。簡潔且つ簡単にするために、本明細書を通してウェハ１１０が例として用いられる。例証のみを目的として、以下の説明は、半導体ウェハの検査に関して与えられる。実施形態は、他の製造操作及び他の試験品にも適用可能である。
図示するように、ウェハ１１０は、設計１２０に従い、一組のプロセスパラメータ１３５により制御される製作プロセス１３０によって作成することができる。設計１２０は、例えば、データストア内のＣＡＤライブラリ内に格納することができる。設計１２０は、試験品に関するコンピュータ自動設計（ＣＡＤ）モデルを、例えばグラフィックス形式（例えば、ＧＤＳ、ＧＤＳ−ＩＩなど）で含むことができる。プロセスパラメータ１３５は、多様なパラメータ、例えば、リソグラフィ・パラメータ、エッチ・パラメータ、及び他の任意の種類のパラメータを含むことができる。データストアは、永続記憶装置とすることができる。永続記憶装置は、ローカル記憶装置又は遠隔記憶装置とすることができる。永続記憶装置は、磁気記憶装置、光学記憶装置、固体記憶装置、電子記憶装置（主メモリ）、又は類似の記憶装置とすることができる。永続記憶装置は、モノリシックデバイス、又は分散したデバイスの組とすることができる。本明細書で用いられる「組（ｓｅｔ）」は、任意の正の整数の項目を指す。
ウェハ１１０は、１つ又はそれ以上の製造ツールを用いる１つ又はそれ以上の製造プロセスに供することができる。製造プロセスの例としては、それらに限定されないが、製作プロセス１３０、検査プロセス１４０、計量プロセス１５０、及び欠陥評価プロセス１６０を含めることができる。製造ツールの例としては、それらに限定されないが、検査ツール１４１、計量ツール１５１、欠陥評価ツール１６１、製作プロセス用のツールなどを含めることができる。図１０は、以下で詳しく説明する走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた例示的な製造ツールを示す。
検査プロセス１４０の一部分として、検査ツール１４１がウェハ１１０内の欠陥の位置を識別することができる。検査プロセス１４０は、暗視野、明視野又はＥビーム検査システムなどの任意の適切な種類の欠陥検査システムを用いて実施することができる。図１には別々のプロセスとして示すが、検査プロセス１４０は、場合によっては、製作プロセス１３０とインラインで実施することができる。計量プロセス１５０の一部分として、計量ツール１５０は、ウェハの計測、例えば、ウェハの曲がり、抵抗率、反り、サイト、平坦度、及び厚さなどの計測を実施することができる。計量ツール１５０は、試験のために用いることができるが、環境パラメータの監視、並びに、試験室内の音響、振動及び温度に関する実時間データの提供のような他の用途を有することができる。計量ツール１５１は、保持、接合、分離、ハンダ付けなどのようなその他の作業を実施することができる。自動欠陥評価プロセス１６０は、設計プロセスに関する識見を得るために用いることができる情報を抽出するために欠陥データを処理する、評価ツール１６１を含むことができる。例えば、自動欠陥評価プロセス１６０は、設計データ１２０を改良する改変をもたらす情報、又はプロセスを改良するように製作プロセス１３０を調節する情報を抽出することができる。
検査プロセス１４０は、評価プロセス１６０のための欠陥を識別することができる。ウェハ１１０（又は他のデバイス若しくは物体）の視像をウェハ１１０が無欠陥状態でどのように見えるかを示す１つ又はそれ以上の基準視像と比較するツールを含む、種々の検査ツール１４１を用いることができる。１つ又はそれ以上の基準視像を比較のために用いることができる。例えば、基準視像は、（理想的には）同じ構造的特徴部を含む同じウェハの他の（１つ又はそれ以上の）部分を示すものとすることができ、又は少なくとも部分的にそれらに基づくものとすることができる。
ウェハ１１０は、ダイ間比較又はセル間比較を用いて検査することができる。ウェハ１１０の画像を取得し、その中に示されるセル又はダイを、適切なダイ間又はセル間検査法の任意の組合せを用いて検査することができる。例えば、ウェハ１１０の中に含まれ得る構成要素の一例を図２に示す。例えば、図２に示す構成要素は、ウェハ１１０内の多数のダイのうちの１つを含むことができる。構成要素は、ダイ間検査を用いて最も良く検査することができる領域、例えば論理構成要素を含むことができる周辺部２０１領域を含むことができる。このような領域は、１つ又はそれ以上の基準ダイとの比較により欠陥に関して照合することができる。
しかし、他の状況においては、セル間検査が所望される場合がある。例えば、図２に示すデバイスは、１つ又はそれ以上の種類の、複数の（理想的には）同一のメモリセル２０５を内部に含む。そのようなセル２０５については、同じダイ内の隣接する又は近傍のセルの方が隣接するダイの間のセルよりも類似度が高い可能性があるので、セル間検査が好ましい場合がある。類似度は、プロセス条件及び／又は検査ツール１４１自体に起因するものであり得る。例えば、照明、合焦、又は他の光学的不規則性に起因する差異は、ダイ間に比べてダイ内ではあまり顕著ではない可能性がある。
図１に戻ると、ウェハの検査は、製造レシピ（例えば、検査レシピ）に従って施される。所与のウェハ又はウェハのレイヤの検査のためのレシピを作成するステップの一部分として、レシピは、異なる種類の検査に対してウェハの異なる領域を指定することができる。非限定的な例として、レシピは、領域を、マスクされる区域、ダイ間検査区域、又はセル間検査区域として指定することができる。非限定的な例として、同じダイ内の隣接又は近傍の領域の方が異なるダイに属する領域よりも類似度が高い場合には、セル間検査（即ち、ダイより小さい周期性を有する周期的ダイ領域に対して施される検査）が好ましい可能性がある。所与のウェハの幾つかの領域（例えば、論理構成要素を含む周辺部領域）は、ダイ間法を用いて検査することが好ましい可能性がある。他の領域（例えば、１つ又はそれ以上の種類の複数の同一セルを含む領域）は、セル間法を用いて検査することが好ましい可能性がある。ウェハの特定の領域を、ダイ間法及び／又はセル間法の任意の適切な組合せを用いて検査することができる。
ウェハの区域は、製造ツールを用いて取得された半導体構造体の画像（例えば、ＳＥＭ像）、及び／又は、例えばウェハ設計仕様のような非画像データに基づいて、ある特定の種類の検査に対して指定することができる。
一実施形態において、１つ又はそれ以上の製造ツール（例えば、検査ツール１４１、計量ツール１５１、評価ツール１６１）は、製造レシピを生成するためのレシピ作成ユニット１９０を含むことができる。本明細書で用いられる用語「製造レシピ」又は「レシピ」は、１つ又はそれ以上の製造ツールの動作を指定するパラメータ（例えば、検査されるべき関心のある区域、ウェハ上のその位置及び反復周期、ピクセルサイズ、ビーム電流、帯電状態及び画像取得条件、欠陥検出アルゴリズム、画像処理パラメータ及び/又はその他）の任意の設定を含むように広く解釈されるべきである。
別の実施形態において、１つ又はそれ以上のコンピュータ１８０が、ウェハ１１０を検査するためのレシピを生成するためのレシピ作成ユニット１９０を含むことができる。コンピュータ１８０は、１つ又はそれ以上の製造ツール（例えば、検査ツール１４１、計量ツール１５１、評価ツール１６１）に結合することができる。一実施形態において、コンピュータ１８０は、ネットワークを介して１つ又はそれ以上のツールと通信する。別の実施形態において、１つ又はそれ以上のサーバ１７０が、レシピ作成ユニット１９０を含むことができる。サーバ１７０は、１つ又はそれ以上の製造ツールに結合することができる。サーバ１７０は、サーバコンピュータ、ゲートウェイコンピュータ、デスクトップコンピュータ、ラップトップコンピュータ、携帯コンピュータ又は類似のコンピューティングデバイスを含む、任意の型のコンピューティングデバイスによってホストすることができる。一実施形態において、サーバ１７０は、ネットワーク（図示せず）を介して１つ又はそれ以上のツールと通信する。ネットワークは、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、無線ネットワーク、移動体通信ネットワーク、インターネットなどの広域ネットワーク（ＷＡＮ）、又は類似の通信システムとすることができる。
セル間検査を含む検査レシピを生成するステップの一部分として、それぞれのダイ区画を認識すること、即ち、反復パターン領域及びその反復性パラメータを識別することが必要である。
本明細書で用いられる用語「反復パターン領域」、「反復領域」、「周期的パターン領域」又は「周期的領域」は、あるシフト値によるシフト変換のもとでパターンが不変である、即ち、ある周期性値（以後、反復性パラメータとも呼ぶ）に関して周期的である、任意のダイ領域を含むように等価に且つ広く解釈されるべきである。
作成されるウェハに依存し、検査レシピを生成するために、作成されたウェハからのデータを用いてそれぞれのダイ区画を認識する従来のレシピ生成解決策とは異なり、レシピ作成ユニット１９０は、設計データ１２５を用いてウェハについての設計データ１２５内の周期的領域を識別する、周期性識別ユニット１９５を含むことができ、レシピは、ウェハについての設計データ１２５から識別された周期的領域に基づいて生成することができる。設計データ１２５は、ＣＡＤライブラリに格納されたデータのサブセットとすることができ、ＣＡＤライブラリに格納されたデータとは異なる形式にすることができる。設計データ１２５は、周期性識別ユニット１９５に結合されたデータストア内に格納することができる。
設計データ１２５は、基本要素及び該基本要素に対応する階層レベルを含むことができる。周期性識別ユニット１９５は、設計データ１２５から関心のある１つ又はそれ以上の基本要素を選択し、関心のあるレベルに対応する１つ又はそれ以上の単純アレイセルの組を生成することができる。周期性識別ユニット１９５は、１つ又はそれ以上の単純アレイセルの組を用いて、設計データ１２５内の関心のあるレベルの座標内の周期的領域を識別して自動レシピ作成を可能にすることができる。周期性識別ユニット１９５は、１つ又はそれ以上の基本要素に関して周期的領域を識別することができる。特定の周期的領域の位置を、異なる座標（例えば、ウェハの最も下のレイヤを特徴付ける座標系、ウェハのトップレイヤを特徴付ける座標系など）で定義することができる。
ウェハ１１０をダイ間手法及び／又はセル間手法を用いて検査するかどうかの判断は、例えばレシピ作成ユニット１９０によって、自動的に行うことができる。例えば、周期性識別ユニット１９５がウェハについての設計データ１２５内に最小数の周期的領域が存在することを識別した場合、セル間手法を用いることができる。
図３は、設計データを用いて製造ツールのレシピを生成するための周期性識別ユニット３００の１つの実施形態のブロック図である。周期性識別ユニット３００は、図１の周期性識別ユニット１９５と同じものとすることができる。周期性識別ユニット３００は、設計データを取得して処理するように、設計データ（例えば、ＣＡＤライブラリ内のデータ）座標に必要な変換を施すように、設計データに対応するセルを識別するように、及びセルにそれぞれの階層レベルを割り当てるように構成された、設計データモジュール３５０を備える。設計データモジュール３５０は、基本セル生成器３０１、単純アレイセル生成器３０２、及び周期的領域識別器３０３に動作可能に結合される。
基本セル生成器３０１は、ユーザ及び／又はコンピュータ化プロセスが、関心のある基本要素を定義すること、及び、それぞれの基本セルの組を生成することを可能にするように構成される。単純アレイセル生成器３０２は、基本セル生成器モジュール３０１に動作可能に結合され、基本セルの組に従って関心のあるレベルについて単純アレイセルの組を生成するように構成される。
周期的領域識別器３０３は、単純アレイセル生成器３０２に動作可能に結合され、単純アレイセルの組を用いて周期的領域（周期性値を含む）の最終組を識別するように構成される。周期的領域の最終組はさらに、周期的領域識別器３０３に動作可能に結合された周期的領域記憶モジュール３０９内に格納され処理される。記憶モジュール３０９は、データストアとすることができる。データストアは、永続記憶装置とすることができる。永続記憶装置は、ローカル記憶装置又は遠隔記憶装置とすることができる。永続記憶装置は、磁気記憶装置、光学記憶装置、固体記憶装置、電子記憶装置（主メモリ）、又は類似の記憶装置とすることができる。永続記憶装置は、モノリシックデバイス、又は分散したデバイスの組とすることができる。本明細書で用いられる「組」は、任意の正の整数の項目を指す。周期的領域識別器３０３は、各基本セルに関する周期的領域をトップレベルの座標において識別するように構成された単純周期的領域生成器３０４、生成された単純及び／又は集約された（ａｇｇｒｅｇａｔｅｄ）周期的領域を調節するように構成された調節モジュール３０５、異なる基本セル及び／又はそれらの組合せに対応する周期的領域の間の重なりを識別し、それに応じて周期的領域を修正するように構成された重なりモジュール３０６、最終組内の周期的領域がサイズ関連基準に適合することを可能にさせるように構成されたフィルタ処理モジュール３０７、及び、生成された周期的領域の反復性を、反復性ブレーカを考慮して可能にするように構成された検証モジュール３０８をさらに備える。反復性ブレーカは、周期的領域と重なる関心のあるレベル上にあり、その周期的領域の周期性値で反復しない、設計データ要素である。
フィルタ処理モジュール３０７は、検証プロセスの後のさらなるフィルタ処理を提供することができる。フィルタ処理モジュール３０７は、周期的領域の最終組がサイズ関連基準を満たすように周期的領域をフィルタ除去又は除去することができる。この基準は、事前定義することができ、及び／又は、レシピの目的、フィルタ処理結果、ツールパラメータなど毎に適合させることができる。記憶モジュール３０９は、モジュール３０４−３０８及び全体のモジュール３０３の動作に必要なデータを格納するように、並びに、モジュール３０３から受け取ったデータに従って、収容された周期的領域の最終組を更新するように、さらに構成される。記憶モジュール３０９はさらに、生成された周期的領域をさらなるコンピュータ化レシピ作成のために用いることを可能にするレシピ生成器インタフェース３１０に動作可能に結合される。非限定的な例として、レシピ生成インタフェースは、製造ツール（例えば、検査ツール）及び／又は製造プロセス（例えば、検査プロセス）の要件に適合するのに必要な周期性値の丸め及び／又は乗算を施すことができる。
当業者であれば、本明細書で開示される主題の教示は図３に示すシステムに限定されるものではなく、等価な及び／又は改変された機能を別の様式で統合又は分割することができること、且つ、ソフトウェア、ファームウェア及びハードウェアの任意の適切な組合せで実装することができることを容易に理解するであろう。
図４は、特定の実施形態による、設計データを用いてレシピを作成するための方法４００の一実施形態のフロー図である。方法４００は、ハードウェア（例えば、回路、専用論理、プログラム可能論理、マイクロコードなど）、ソフトウェア（例えば、処理デバイス上で実行される命令）又はこれらの組合せを含むことができる、処理論理によって実行することができる。１つの実施形態において、方法４００は、図１の周期性識別ユニット１９５によって実行される。周期性識別作成ユニットは、試験品の製造に関連して用いられる独立型ツールとして構成することができ、又は、少なくとも部分的に、処理ユニットと統合することができる。１つの実施形態において、初期のダイ分割はオフラインで施すことができ、計量ツール及び／又は計量プロセスの要件に従ってさらに調節することができる。
本明細書で用いられる用語「設計データ」は、試験品の階層的物理設計（レイアウト）を示す任意のデータ、及び／又は、物理設計から導かれる（例えば、複雑なシミュレーション、簡単な幾何学的及びブール演算などを通して）データに及ぶように広く解釈されるべきである。設計データ（例えば、図１における設計データ１２５）は、非限定的な例として、ＧＤＳＩＩ形式、ＯＡＳＩＳ形式などの異なる形式で準備することができる。
現代の技術において知られているように、構造要素は、幾何学的形状、又は他の構造要素の挿入と組み合された幾何学的形状として解釈することができる。非限定的な例として、所与の構造要素は、ＧＤＳＩＩ形式におけるＳＲＥＦ、ＡＲＥＦ指示文により挿入される１つ又はそれ以上のＳＴＲＵＣＴＵＲＥ要素を含むことができ、又は、ＰＬＡＣＥＭＥＮＴ及びＲＥＰＥＴＩＴＩＯＮ（ＯＡＳＩＳ形式）により挿入される１つ又はそれ以上のＣＥＬＬ要素を含むことができる。
ある特定の幾何学的特徴を有し、設計データライブラリ（又は類似のデータ構造体）に含まれる１つ又はそれ以上の幾何学的に同一の構造要素（即ち、同じ寸法、形状、配向及び設計層番号を有する要素）に対応する構造要素を、以後「基本要素」と呼ぶ。
例証のみを目的として、以下の説明は、矩形の左下隅に存在するようにその位置（以後アンカー点と呼ぶ）を選択された、Ｘ及びＹ軸にそれぞれ平行な外部矩形境界によって特徴付けられる基本要素に関して記述される。当業者であれば、本明細書で開示される主題の教示は、他の外部境界、及び／又は、他のアンカー点の選択に対しても同様に当てはまることを容易に理解するであろう。
設計ライブラリは、構造要素によって構成され、これは、特定の実施形態によれば、周期性識別ユニットがそれを処理して基本要素を識別するように構成される。ある特定の基本要素は、設計ライブラリ内で「それ自体は（ｐｅｒ ｓｅ）」定義されないが、設計ライブラリ内の１つ又はそれ以上の構造要素に対応することができる「仮想構造」である。周期性識別ユニットは、その設計データから導かれる、設計ライブラリ内に含まれる構造要素に対応する全ての基本要素を識別するために、設計データを取得し分析することができる。異なる名称を有する幾何学的に同一の要素は、同じ基本要素で表すことができる。周期性識別ユニットは、各々の基本要素にそれぞれの階層レベル値を割当てるように、そして適切な場合には基本要素間に親子関係を指定するように、さらに構成される。代替的に又は付加的に、周期性識別ユニットは、既に識別された基本要素及びその識別された基本要素に対応する階層レベルを伴う設計データ及び／又はその派生物を取得することができる。
ブロック４０１において、周期性識別ユニットは、以下のように階層レベルを基本要素に割り当てる：
−最下階層レベル（Ｈ0）は、他の基本要素の挿入を有しない基本要素に割り当てられる。
−次の階層レベルＨ1は、少なくとも１つの基本要素の挿入を有するが、挿入された基本要素が全てレベルＨ0に属する、基本要素に割り当てられる。
−階層レベルＨnは、ｎ−１未満か又はｎ−１に等しい階層レベルの基本要素を有し、少なくとも１つの挿入された基本要素がＨn-1の階層レベルを有する、基本要素に割り当てられる。
挿入は、ＣＡＤにおける要素に対する操作である。アンカー点は、挿入点としても知られ、挿入位置の特性である。
基本要素に階層レベルを割り当てると、周期性識別ユニットは、検査される反復パターン領域を構成する（より高レベルの他の構造要素を明示的又は暗黙に構成することにより）と想定される１つ又はそれ以上の基本要素の選択のユーザ入力を受け取る。選択された基本要素の中で、いかなる他の基本要素にも分解することができない選択された基本要素を、以後「基本セル」と呼ぶ。ブロック４０３において、周期性識別ユニットは、ユーザ入力を受取り、それぞれの階層レベルＨｉによって各々が特徴付けられる、試験品の一組の基本セルを定める。図５Ａは、試験品の３つの基本セルの例示的な組を示す。アンカー点１（５０４）を有する基本セル５０２「セル１」は、Ｔ型を構成する直交した矩形からなる。基本セル５０６「セル１１」は、アンカー点１１（５０８）を有し、基本セル５０２（セル１）と該基本セル５０２（セル１）の鏡映との組合せからなる。基本セル５１２「セル２」は、アンカー点２（５１４）を有する単一の矩形からなる。
組内の異なる基本セルは、異なる階層レベルによって特徴付けることができる。代替的又は付加的に、ユーザ入力は、基本セルの１つ又はそれ以上の組合せ（それらの回転及び／又は鏡映の結果を含む）を含むことができる。例えば、基本セル５０６は、基本セル５０２と、基本セル５０２の鏡映との組合せとすることができる。そのような組合せもまた、以後基本セルと呼ぶ。基本要素の組合せの階層レベルは、組合せ内の要素の中の基本要素の最高階層レベルに対応する。
代替的又は付加的に、基本セルの組は、特定の設計及び／又は検査関連基準に従って、コンピュータ化プロセスにより定めることができる。代替的又は付加的に、基本セルの組は、ユーザ入力（例えば、基本セルに必要とされる階層レベル、関心のある基本セルを含むと考えられる領域の選択など）に従って、コンピュータ化プロセスにより定めることができる。
図５Ｂは、周期的アレイを生成するための１つ又はそれ以上の基本セルの反復パターン領域５５０の非限定的な例を示す。反復パターン領域５５０は、矩形領域とすることができる。一組の基本セルのインスタンス（例えば、セル５０２（セル１））で構成される矩形領域は、さらに、基本セルのそれぞれのインスタンスのアンカー点の座標が反復性基準を満たす場合にはＭ×Ｎ周期的アレイと呼ばれる。特定の実施形態によれば、反復性基準は、基本セルのインスタンスを有する矩形領域がＭ×Ｎ周期的アレイであるかどうかを判断するための、所与の基本セルのインスタンスのアンカー点の座標に対する要件を定めることができる。特定の実施形態によれば、反復性基準は以下の通りである。
（Ｘm，Ｙn）＝（Ｘ0，Ｙ0）＋（ｍ＊ＳｔｅｐＸ，ｎ＊ＳｔｅｐＹ） （式１）
式中、（Ｘm，Ｙn）は、上記の矩形領域の座標系内のそれぞれのアンカー点の座標であり、ｍ＝０，１，．．．，Ｍ−１、ｎ＝０，１，．．．，Ｎ−１であり、反復性パラメータＳｔｅｐＸ及びＳｔｅｐＹは、正の定数である。
反復パターン領域５５０内の基本セル５０２「セル１」のインスタンスのアンカー点座標は、ＳｔｅｐＸ＝Ｃｘ及びＳｔｅｐＹ＝Ｃｙ（「Ｃｘ」はＸ方向の周期性値を表し、「Ｃｙ」はＹ方向の周期性値を表す）とする反復性基準（式１）を満たす。従って、図示した反復パターン領域５５０内の基本セル５０２（セル１）の組は、４×３周期的アレイを構成する。
図５Ｃは、周期的アレイを生成する１つ又はそれ以上の基本セルの反復パターン領域５７０の別の非限定的な例を示す。反復パターン領域５７０内の基本セル５０６「セル１１」のインスタンスのアンカー点座標は、ＳｔｅｐＸ＝Ｃｘ及びＳｔｅｐＹ＝Ｃｙとする反復性基準（式１）を満たす。反復パターン領域５７０内の基本セル５０６（セル１１）の組は、２×３周期的アレイを構成する。
図５Ｄは、周期的アレイを生成する１つ又はそれ以上の基本セルの反復パターン領域５９０のさらに別の非限定的な例を示す。基本セル５０２「セル１」の挿入の座標は、ＳｔｅｐＸ＝Ｃｘ及びＳｔｅｐＹ＝Ｃｙとする反復性基準（式１）を満たす。基本セル５１２「セル２」の挿入の座標は、ＳｔｅｐＸ＝Ｃｘ及びＳｔｅｐＹ＝Ｃｙとする反復性基準（式１）を満たす。従って、反復性領域５９０は、セル１（５０２）の２×３周期的アレイ及びセル２（５１２）の２×３周期的アレイを含む。
一般に、関心のあるレベル（以後、トップレベルと呼ぶ）における反復パターン領域は、設計データ内に含まれる各基本セルの全アンカー点の座標の組を分析して、基本セルの明示的な挿入及び暗黙の挿入を含んだ（ある特定の基本セルがより高レベルのセル内に挿入されており、その挿入座標が最終的にトップレベルの座標に変換される場合）、周期的領域を定めることによって、定めることができる。しかし、そのような座標の組は非常に大きなサイズになる可能性があり、組の生成及び反復性分析の試みには法外な時間がかかる可能性がある。
特定の実施形態によれば、反復パターン領域内の各基本セルの全アンカー点の座標の組を分析する代りに、周期性識別ユニットは、基本セルの単純アレイを生成して分析する。本明細書で用いられる用語「所与の基本セルの単純アレイ」は、それぞれのアンカー点の座標が反復性基準を満たすことによって特徴付けられる所与の基本セルの挿入の任意の組を含むように広く解釈されるべきであり、即ち、所与の基本セルの単純アレイは、所与の基本セルに関する反復パターン領域を構成する。例えば、「セルＢ」が「セルＡ」の挿入のＭ×Ｎ周期的アレイを含む場合、「セルＢ」は「セルＡ」の単純アレイを含む。当業者であれば、「セルＡ」は、「セルＡ」の１×１単純アレイを含むセルと考えることもできることを容易に理解するであろう。
図６Ａ−図６Ｆは、例示的な単純アレイの概略の実例を示す。図６Ａは、水平に整列した２つのセル１の挿入を含んだセル３（６０２）を示す。これらのセルは、アンカー点６０４によって特徴付けられる。これらの挿入は反復性基準を満たし、従って、セル３（６０２）は、セル１の２×１単純アレイを含む。図６Ｂは、垂直に整列した２つのセル１の挿入を含んだセル４（６０６）を示す。これらのセルは、アンカー点６０８によって特徴付けられる。これらの挿入は反復性基準を満たし、従って、セル４（６０６）は、セル１の１×２単純アレイを含む。図６Ｃは、垂直に整列した２つのセル３の挿入を含んだセル５（６１０）を示す。これらのセルは、アンカー点６１２によって特徴付けられる。垂直に整列した２つのセル３の挿入は、４つのセル１の挿入に相当し、これはセル１の挿入に関する反復性基準を満たし、従って、セル５（６１０）は、セル１の２×２単純アレイを含む。図６Ｄは、セル５の１つの挿入及びセル４の１つの挿入を含むセル６（６１４）を示す。セル５は、２つのセル３の挿入に相当する。セル４は、２つのセル１の挿入に相当する。これらのセルは、アンカー点６１６によって特徴付けられる。各々のセル３は、水平に整列した２つのセル１の挿入に相当し、これはセル１の挿入に関する反復性基準を満たす。従って、セル６（６１４）は、セル１の３×２単純アレイを含む。図６Ｅは、セル１１の２×３単純アレイを含むセル７（６１８）を示す。これらのセルは、アンカー点６２０で特徴付けられる。図６Ｆは、セル１の２×３単純アレイ及びセル２の２×３単純アレイを含むセル８（６２２）を示す。これらのセルは、アンカー点６２４によって特徴付けられる。図示したように、同じセルが同時に、異なる基本セルに対応する異なる単純アレイを含むことができる。当業者であれば、９０°で割り切れる角度の回転及び／又は座標系軸に関する鏡映を施しても、所与の単純アレイは、改変された反復性パラメータを有する単純アレイのままであることを容易に理解するであろう。
再び図４を参照すると、基本セルの単純アレイを含む階層レベルＨｋの基本要素は、以後「階層レベルＨｋの単純アレイセル」と呼ばれる。単純アレイセルは、所与の基本セルの１つの単純アレイのみを含む一方で、異なる基本セルに相当する幾つかの単純アレイを含むことができる。所与の単純アレイセルは、基本要素の階層レベルにより、並びに、それぞれの単純アレイの反復性パラメータ及び基本セルによって特徴付けられる。Ｈｋまでの階層レベルの単純アレイセル及びそれらの特性を含む組は、以後「階層レベルＨｋの単純アレイセルの組」と呼ばれる。
ブロック４０５において、周期性識別ユニットは、基本セルの定義された組を用いて単純アレイセルのトップレベルの組を生成し、この組はトップ階層レベル（関心のあるレベル）までの単純アレイセル及びそれらの特性を含む。生成された組は、全てのそのような単純アレイセルを含むことができ、又は代替的に、所定の基準に従って選択された単純アレイセルのみを含むことができる。
特定の実施形態により、単純アレイセルのトップレベルの組は以下のように生成することができる。
階層レベルＨｉによって特徴付けられる所与の基本セルに対して、周期性識別ユニットは、それぞれの単純アレイを含むＨｉ＋１階層レベルの全ての基本要素を識別し、レベルＨｉ＋１に関する単純アレイセルの組を生成する。階層レベルＨｉの異なる基本セルに相当する複数の単純アレイを同時に含むセル（例えば、図６Ｆにおけるセル８によって示される）は、レベルＨｉ＋１の組の中に、各々それぞれの基本セルに従って数回含まれる可能性がある。階層レベルＨｉのそれぞれの基本セルは、Ｈｉ＋１階層レベルの単純アレイセルの組の中、及びレベルＨｉの単純アレイセルの組（Ｈｉより低いレベルに基本セルが存在した場合）の中にもまた含まれる。
周期性識別ユニットはさらに、設計データを下から上へ、レベルＨｉ＋１からトップレベルまでトラバースし、各階層レベルに対して、前のレベルにおいて生成されたそれぞれの組を用いて単純アレイセルのそれぞれの組を生成し、それにより単純アレイセルのトップレベルの組を生成する。
従って、各々の所与の階層レベルにおいて、単純アレイセルの組は、単に、それぞれの前のレベルに対して生成された単純アレイの組からのセルの挿入を分析することによって生成され、それにより、必要な処理が著しく削減される。
随意に、各々の階層レベルにおいて、この手続きは、冗長セル、即ち、それぞれのレベルの単純アレイの組の中の他のセルのみと子供関係を有するセル、を除外することによる、生成された組の最適化を含むことができる。
当業者であれば、本明細書で開示される主題の教示により、所与の階層レベルにおいて挿入されたある特定の基本要素は、この特定の基本要素が所与の階層レベルの単純アレイセルの組の中に含まれていない場合、いかなる基本セルの単純アレイをも含まないことを容易に理解するであろう。同様に、トップレベルの単純アレイセルの組に含まれる基本要素だけが、関心のある反復性領域を含むことができる。
ブロック４０７において、周期性識別ユニットはさらに、トップレベル座標において、各々の基本セルに関する周期的領域を識別する。トップレベルの単純アレイセルの組に含まれるセルの各々の挿入に対して、周期性識別ユニットはさらに、単純アレイに対応するレベルの座標におけるそれぞれの単純アレイの反復パラメータをトップレベルの座標におけるパラメータに変換し、単純な周期的領域を識別する。各々の単純な周期的領域は、それぞれの単純アレイの外部矩形境界によって、トップレベルの座標において定められる。
当業者であれば、トップレベルの単純アレイセルの組を異なる方法で識別することができることを容易に認識するであろう。非限定的な例として、方法は、さらなる随意の併合（ｍｅｒｇｉｎｇ）を伴う異なる基本セルに対応する単純アレイセルのトップレベルのサブセットを、別々に識別することを含むことができる。代替的又は付加的に、各々のトップレベルの単純アレイセルのサブセットは、生成された周期的領域のさらなる併合を伴うそれぞれの周期的領域を識別するために用いることができる。
周期性識別ユニットはさらに、同じ基本セルに対応する隣接する単純な周期的領域を集約して、集約された周期的領域にする。可能であればいつでも、集約された周期的領域は幾つかの単純周期的領域を含むが、それでもなお場合により、集約された周期的領域は単一の周期的領域のみを含むことができる。
周期性識別ユニットはさらに、集約された周期的領域を調節し（拡大するか又は縮小する）、それぞれの外部矩形境界がＸ及びＹ方向の両辺から、それぞれ（Ｃｘ−ＢｏｘＸ）及び（Ｃｙ−ＢｏｘＹ）の値だけ拡大又は縮小するように調節された各々の集約された周期的領域の境界を生成し、ここで、ＣｘはＸ方向の周期性値であり、ＣｙはＹ方向の周期性値であり、ＢｏｘX、ＢｏｘYはそれぞれ、それぞれの基本セルの境界ボックスのＸ方向及びＹ方向のサイズである。周期的領域が１次元アレイに対応するとき、第２の方向における領域のサイズは、それぞれＢｏｘX又はＢｏｘYとして定められる。
図７Ａ−図７Ｃは、例示的な集約された周期的領域の概略的実例である。図７Ａは、６個のセル６の挿入を含んだセル７１０「セル９」を示す。これらのセルは、アンカー点７１５によって特徴付けられる。従って、図７Ｂに示すように、各々のセル６はセル１の３×２単純アレイを含むので、セル９はセル１の６個の単純アレイを含む。しかし、セル９は、セル１の単純アレイで構成されたものではなく、その理由は、互いに組み合わされた３６個のセル１のセル９への挿入が反復性基準に適合しないからである。
図７Ｃは、トップレベルセルにおけるセル９の挿入を示す。セル９の挿入７２０には、Ｙ軸に関する鏡映が施されている。当業者であれば、９０°で割り切れる角度の回転及び／又は座標系軸に対する鏡映を施しても、所与の単純周期的領域は、改変された反復性パラメータを有する単純周期的領域のままであることを容易に理解するであろう。従って、セル１の６個の単純アレイの挿入は、各々がトップレベルの座標においてそれぞれの単純アレイの外部矩形境界により定められる、単純周期的領域７０１−７０６を構成する。周期性基準（例えば、反復性基準）が満たされるかどうかの試験に基づいて、隣接する単純周期的領域７０１−７０２はさらに集約されて、集約された周期的領域７０８となり、集約されて集約された周期的領域７０７になる隣接する単純周期的領域７０３−７０６は、それぞれの集約されたアレイの外部境界によって定められる。
図８Ａは、基本セル１に対応する例示的な周期的領域（８０１）、及び例示的な調節された周期的領域（８０２）を示す。図８Ａはまた、基本セル２に対応する例示的な周期的領域（８０３）、及び例示的な調節された周期的領域（８０４）を示す。図示したように、異なる基本セルに対応する領域が重なり合う。
再び図４を参照すると、ブロック４０９において、周期性識別ユニットはさらに、集約された周期的領域の間の重なり部分を識別するように、そして、可能な場合には、対応する組み合わされた周期的領域を識別するように動作することができる。一対の重なり合った周期的領域（例えば、２つの異なる基本セル又は同じ基本セルに対応する）を識別すると、周期性識別ユニットは、これらの周期的領域を特徴付ける周期性値を分析する。１つの領域のＸ又はＹ方向における反復性パラメータの値Ｃａが別の領域のそれぞれの反復性パラメータの値Ｃｂ（又は別の公倍数）によって剰余なしに割り切れる場合、２つの隣接領域の重なり部分は組み合わされた反復領域に集約され、ここで、Ｃａは、それぞれの基本セルの組合せに関して、得られた組合せ領域のそれぞれの方向における反復性を特徴付け、組合せ領域の境界は、重なり領域の矩形境界によって定められる。組合せ領域をさらに調節して、組合せ領域の調節された境界の矩形が元の領域の境界内に入るようにすることができる。
図８Ａに示す非限定的な例において、図示した周期的領域８０１と８０３は重なっており、セル１の周期的領域のＸ及びＹ方向の反復性パラメータの値Ｃｘ１及びＣｙ１は、セル２の周期的領域の反復性パラメータの値Ｃｘ２及びＣｙ２によって割り切れる（等しい）。従って、周期的領域８０１と８０３とは、Ｘ及びＹ方向において組み合わされて、基本セルのセル１及びセル２の組合せに関する反復性パラメータＣｘ１及びＣｙ１によって特徴付けられる周期的領域８０６になり、さらに組み合わされた周期的領域は、周期的領域８０１及び８０３からの全てのセルを含む。周期的領域６０６はさらに調節されて、周期的領域８０５になっている。
図８Ｂに示す非限定的な例において、図示した周期的領域８０７と８０８は、部分的に重なっており、セル１の周期的領域のＸ及びＹ方向の反復性パラメータの値Ｃｘ１及びＣｙ１は、セル２の周期的領域の反復性パラメータの値Ｃｘ２及びＣｙ２によって割り切れる（等しい）。従って、周期的領域８０７と８０８の重なり部分は、Ｘ及びＹ方向において組み合わされて、基本セルのセル１及びセル２の組合せに関する反復性パラメータＣｘ１及びＣｙ１によって特徴付けられる周期的領域８０９になっている。周期的領域８０７は、修正されて周期的領域８１０になり、周期的領域８０８は、修正されて周期的領域８１１になっている。周期的領域は、重なり領域を除去することによって修正することができる。
再び図４を参照すると、ブロック４１１において、周期性識別ユニットはさらに、反復領域の最終組を識別するように動作することができる。重なり合う集約された周期的領域の各対に対して、周期性識別ユニットは、それぞれの基本セルに対応する集約された周期的領域を修正して重なり領域を除外し、可能な場合には、組み合わされた反復領域を生成する。同様に、周期的領域の他の対（集約／組合せ、組合せ／組合せ）に対して、周期性識別ユニットは、対応する周期的領域を修正して重なり領域を除外し、可能な場合には、組み合わされた反復領域を生成する。このプロセスは、全ての重なり合う対に対して、周期的領域の間の重なりが存在するまで繰返される。結果として得られる修正された集約された周期的領域及び組み合わされた反復領域は、周期性識別ユニットによって識別される周期的領域の最終組を構成する。
当業者であれば、本明細書で開示された主題は、上述の重なり領域の処理に限定されないことを容易に理解するであろう。同様に、非限定的な例として、本教示は、調節され組み合わされる重なった周期的領域の数が２つの領域に限定されない場合にも適用可能である。別の非限定的な例として、開示された教示は、基本セルがそれら自体の間で重なって図８Ｃに示すチェス盤様の構造体を形成する場合にも適用可能である。図示するように、セル１０（８５０）は、Ｘ方向の周期性値Ｃｘを有するセル２の３×３単純アレイを含み、トップレベルの座標系において、同様に周期性値Ｃｘを有するセル２の３×３単純アレイを構成するセル１１（８５３）と重なり合う。これら２つのセルを組み合わせて、周期的領域８１２にすることができる。随意に、周期的領域は、サイズ関連基準に適合する場合に限り周期的領域の最終組に含めることができる。非限定的な例として、サイズ関連基準は、設計データのサイズとは異なり得る基本セルの実際のサイズに従って定めることができる。代替的又は付加的に、サイズ関連基準は、製造プロセスの検査される段階に従って定めることができる（例えば、ダイのマスク寸法がウェハ上のダイの寸法に対してある縮尺を有する（例えば、４：１）場合、マスク検査のための周期的領域の最小サイズは、ウェハ検査のための最小領域サイズとは異なり得る）。代替的又は付加的に、サイズ関連基準は、製造及び／又は検査プロセスを特徴付けるスケールに依存することもできる。
周期的領域の最終組は、それぞれの周期的領域を特徴付ける周期性値をさらに含む。当業者であれば、Ｃａが周期的領域の周期性値である場合、ｋを任意の正整数とする値ｋ＊Ｃａもまたこの周期的領域の周期性値として割り当てることができることを容易に理解するであろう。
一般に、より小さい周期性値を割り当てることが好ましい。随意に、非限定的な例として図９Ａ−図９Ｂに示すように、幾つかの場合、２つの隣り合う基本セルのアンカー点の間のシフトによって定められる周期性値は、セルのパターン及び／又はそれらの相対的位置の付加的な分析の後でさらに小さくする（又はそれ以外の方法で調節する）ことができる。図９Ａに示す周期的領域９０１は、周期性値Ｃｘを有するセル２の３×３周期的アレイを含み、ここでＸ方向において隣り合うセルは共通の境界を有する。周期的領域９０２は、周期的領域９０１からＯＲ演算によって得られ、Ｘ方向において範囲（０、３Ｃｘ）内の任意の適切な周期性値によって特徴付けることができる１次元アレイ１×３を含む。図９Ｂに示すセル「セル１２」９５０は、Ｘ方向にＣｘ／２だけシフトした２つの矩形を含む。従って、周期性値Ｃｘを有するセル１２の３×１アレイを含む周期的領域９０３は、セル１２のパターンの分析により、周期性値Ｃｘ／２で特徴付けることができる。
当業者であれば、周期的領域の最終組の生成は、ブロック４０９及びブロック４１１を参照して詳述した動作の順番に限定されないことを容易に理解するであろう。随意に、周期的領域の最終組は２つのステップ、即ち、集約された周期的領域及び組み合わされた反復領域を含む組を生成するオフラインのステップと、検査中に施され、検査ツール及び検査要件に従ってこの組を調整することを含むオンラインのステップとによって生成することができる。非限定的な例として、Ｙ方向においてのみ動作するツールは、Ｘ方向にのみ周期性を有する領域を検査することができず、従って、そのような領域はレシピ作成のオンラインステップの間にフィルタ除去されることになる。
ある特定の領域の周期性は、基本セルの反復性だけでなく、領域内の非反復パターンに対応する、その反復性を破る他の設計要素（例えば、ＧＤＳＩＩ形式の場合の非反復性境界、パス、ＳＲＥＦ要素、ＯＡＳＩＳ形式の場合の矩形、多角形、パス、台形などの要素）にも依存する。従って、周期性識別ユニットはさらに、生成された周期的領域の反復性を、反復性ブレーカを考慮して検証するように動作することができる。
周期的領域（及び／又は単純な周期的領域）の最終組の中の各々の周期的領域に対して、周期性識別ユニットは、周期的領域内の全ての反復性ブレーカを識別するために設計データを分析する。例えば、周期性識別ユニットは、周期的領域をクリッピング（切り抜き）矩形と見なし、この矩形と重なる、基本セルを除く全ての構造要素を収集することができる。収集された場合、周期性識別ユニットはさらに、これらの構造要素（又は、随意に、所定の基準に適合するそれらの部分）を反復性ブレーカとして識別する。反復性ブレーカを識別すると、周期性識別ユニットは、周期的領域の矩形を縮小して、全ての反復性ブレーカが縮小した領域と重なり合わなくなるようにして、周期的領域の最終組を更新する。随意に、縮小した領域がサイズ関連基準に適合しない場合、それぞれの周期的領域を最終組から除外することができる。反復性ブレーカ１００２及び１００３を含む周期的領域１００１の非限定的な例を図１０に示す。縮小すると、周期的領域１００４は反復性ブレーカを含まない。
図４に戻ると、ブロック４１３において、周期性識別ユニットは、周期的領域の最終組を自動レシピ生成のために用いる。それぞれの周期的領域を特徴付ける周期性値はさらに、設計データとウェハ（又はその製造プロセスにおいて生成されるマスク若しくは他のレイヤ）の間の関係を特徴付けるスケール因子に従って、実サイズの値に変換される。実サイズの値は、所与の計量ツール及び／又は検査プロセスに従ってさらに調節することができる（例えば、ピクセルのそれぞれのサイズに一致するように乗じる、ピクセルのそれぞれのサイズに一致するよう丸める、及び／又は別の方法で）
図１１は、例示的な製造ツール１１００の概略的な機能ブロック図を示す。説明の目的のみのために、図１１は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）１１０１に基づく製造ツール１１００を示す。製造ツールは、非限定的な例として、光学検査ツール、原子間力顕微鏡などに基づくものとすることができる。製造ツール１１００は、ＳＥＭ１１０１及び処理ユニット１１０２を含むことができる。ＳＥＭ１１０１は、電子カラム１１０４内の磁気及び静電「レンズ」（図示せず）を用いたレンズ系によって成形及び合焦することができる電子ビーム１１０３を使用することができる。レンズ系は、ビーム１１０３の軌道及び焦点距離を制御して、真空試料チャンバ１１０６内に配置された半導体構造体１１０５の上に電子ビームを合焦させるように設計することができる。真空試料チャンバ１１０６は、Ｘ−Ｙステージ１１０７及び２次電子検出器１１０８を含むことができる。Ｘ−Ｙステージ１１０７は、制御ユニット１１０９から受け取る制御信号に応答してＸ−Ｙ面上の随意の方向に移動するように適合させることができる。２次電子検出器１１０８は、電子ビーム１１０３で照射された半導体構造体１１０５の表面から放出された２次電子、反射電子及び／又は後方散乱電子を検出し、検出した結果を画像処理ユニット１１０に供給するように適合させることができる。画像処理ユニット１１１０は、２次電子検出器１１０８の検出結果を受取り、受け取ったデータを処理してＳＥＭ像を与えるように構成することができる。ＳＥＭ像をさらなる分析のために処理ユニット１１０２に送って計量データを導出することができ、且つ、ＳＥＭ像及びその派生物を格納することができる。随意に制御ユニット１１０９はさらに、２次電子検出器１１０８及び処理ユニット１１０２と動作可能に結合することができる。処理ユニット１１０２はさらに、１つ又はそれ以上の製造レシピ（例えば、ウェハを検査するための検査レシピ）を収容又は格納するように構成することができる。製造レシピは、初期にオフラインで生成され、所与の製造ツール及び／又はプロセスに対してさらに調節することができる。処理ユニット１１０２はさらに、適切な製造レシピに従って制御ユニット１１０９に命令を与えることができる。
処理ユニット１１０２は、製造レシピを生成するために、周期的領域を識別するための周期性識別ユニット１１１３を有するレシピ作成ユニット１１１２を含むことができる。
図１２は、設計データを用いて計量ツールのレシピを作成するためのコンピュータシステムの一実施形態の略図である。コンピュータシステム１２００内には、本明細書で論じる方法の何れか１つ又はそれ以上を機械に実行させる一組の命令が存在する。代替的な実施形態において、機械は、ＬＡＮ、イントラネット、エクストラネット、又はインターネットの中の他の機械に接続（例えば、ネットワーク接続）することができる。機械は、クライアントサーバネットワーク環境におけるサーバ又はクライアント機械（例えば、ブラウザを実行するクライアントコンピュータ並びに自動タスク委譲及びプロジェクト管理を実行するサーバ）のキャパシティ内で動作することができ、又はピアツーピア（又は分散）ネットワーク環境におけるピア機械として動作することができる。機械は、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、タブレットＰＣ、コンソールデバイス若しくはセットトップボックス（ＳＴＢ）、携帯情報端末（ＰＤＡ）、携帯電話、ウェブ機器、サーバ、ネットワークルータ、スイッチ若しくはブリッジ、又はその機械によって行われる動作を指定する一組の命令（逐次的又はその他の）を実行することができる任意の機械とすることができる。さらに単一の機械だけを図示したが、用語「機械」はまた、本明細書で論じるいずれか１つ又はそれ以上の方法を実行するための一組（又は複数組）の命令を個々に又は共同で実行する機械（例えば、コンピュータ）の任意の集合を含むように解釈されたい。
例示的なコンピュータシステム１２００は、処理装置１２０２、主メモリ１２０４（例えば、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、シンクロナスＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）又はＤＲＡＭ（ＲＤＲＡＭ）のような動的ランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）など）、静的メモリ１２０６（例えば、フラッシュメモリ、静的ランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）など）、及び２次メモリ１２１６（例えば、固定又は取外し可能コンピュータ可読記憶媒体を含むことができるドライブユニットの形態のデータ記憶装置）を含み、これらは互いにバス１２０８を介して通信する。
処理装置１２０２は、１つ又はそれ以上の汎用処理装置、例えばマイクロプロセッサ、中央処理ユニットなどを表す。より具体的には、処理装置１２０２は、複雑命令セットコンピューティング（ＣＩＳＣ）マイクロプロセッサ、縮小命令セットコンピューティング（ＲＩＳＣ）マイクロプロセッサ、超長命令語（ＶＬＩＷ）マイクロプロセッサ、他の命令セットを実行するプロセッサ、又は、命令セットの組合せを実行するプロセッサとすることができる。処理装置１００２はまた、１つ又はそれ以上の、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）のような専用処理装置、フィールドプログラム可能ゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、ネットワークプロセッサなどとすることができる。処理装置１２０２は、本明細書で論じた動作及びステップを実行するための命令１０２６を実行するように構成される。
コンピュータシステム１２００は、ネットワークインタフェースデバイス１２２２をさらに含むことができる。コンピュータシステム１２００はまた、グラフィックポート及びグラフィックチップセットを通してコンピュータシステムに接続されたビデオディスプレイユニット１２１０（例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）又はブラウン管（ＣＲＴ））、文字数字入力デバイス１０１２（例えば、キーボード）、コンソール制御デバイス１２１４（例えば、マウス）、及び信号発生デバイス１２２０（例えば、スピーカ）を含むことができる。
２次メモリ１２１６は、本明細書で説明するいずれかの１つ又はそれ以上の方法又は機能を具体化する１つ又はそれ以上の命令１２２６の組を格納する、機械可読記憶媒体（又はより具体的にはコンピュータ可読記憶媒体）１２２４を含むことができる。命令１２２６はまた、コンピュータシステムによるそれらの実行の間、完全に又は部分的に主メモリ１２０４内及び／又は処理装置１２０２内に常駐することができ、主メモリ１２０４及び処理装置１２０２もまた機械可読記憶媒体を構成する。命令１２２６はさらに、ネットワークインタフェースデバイス１２２２を介してネットワーク１２１８上で送信又は受信することができる。
コンピュータ可読記憶媒体１２２４は、命令１２２６を永続的に格納するために用いることもできる。コンピュータ可読記憶媒体１２２４は、例示的実施形態においては単一媒体として示されるが、用語「コンピュータ可読記憶媒体」は、１つ又はそれ以上の命令の組を格納する単一媒体又は複数媒体（例えば、集中又は分散データベース、及び／又は付随するキャッシュ及びサーバ）を含むように解釈されるべきである。用語「コンピュータ可読記憶媒体」はまた、機械に本発明の方法のいずれか１つ又はそれ以上を実行させる、機械による実行のための一組の命令を格納又はコード化することができる任意の媒体を含むように解釈されるべきである。従って、用語「コンピュータ可読記憶媒体」は、それらに限定されないが、固体メモリ、並びに光及び磁気媒体を含むように解釈されるべきである。
命令１２２６、構成要素及び本明細書で説明した他の機構（例えば、図３に関連した例示関して）は、個別のハードウェア構成要素として実装することができ、又は、ＡＳＩＣＳ、ＦＰＧＡ、ＤＳＰ若しくは類似のデバイスなどのハードウェア構成要素の機能に組み込むことができる。さらに、命令１２２６はファームウェアとして、又はハードウェアデバイス内の機能性回路として実装することができる。さらに、命令１０２２６は、ハードウェアデバイスとソフトウェア構成要素との任意の組合せにおいて実装することができる。
上記の説明において、多数の細部を説明した。しかし、当業者には、本発明はそれらの特定の細部を用いずに実施することができることが明白であろう。本発明を不明瞭にしないように、場合によっては、周知の構造体及びデバイスは詳細を示さずブロック図の形で示している。
以下の詳しい説明のある部分は、コンピュータメモリ内のデータビットに対する動作のアルゴリズム及び記号表示を用いて示される。これらのアルゴリズム的記述及び表示は、データ処理技術分野の当業者が、その仕事の内容を他の当業者に最も効果的に伝えるために用いる手段である。アルゴリズムは、本明細書において及び一般的に、結果に至る自己矛盾のない一連のステップであると考えられる。これらのステップは、物理量の物理的操作を必要とするステップである。通常、必須ではないが、これらの量は、格納、転送、合成、比較、及びその他の操作を行うことができる電気信号又は磁気信号の形態を取る。現時点では、主に共通使用のために、これらの信号を、ビット、値、要素、記号、文字、項、数などと呼ぶことが便利であることが分かっている。
しかし、全てのこれら及び類似の用語は、適当な物理量に関連付けられ、これらの量に付けられた単に便利な標識であることに留意されたい。別に特に記述しない限り、以下の議論から明白であるように、「得ること」、「選択すること」、「生成すること」、又は「識別すること］などの用語を使用する議論は、本説明の全体を通して、コンピュータシステムのレジスタ及びメモリ内の物理（例えば、電子的）量として表されるデータを操作し、コンピュータシステムのメモリ若しくはレジスタ又は他の情報記憶装置、送信装置又はディスプレイ装置内で同様に物理量として表される他のデータに変換する、コンピュータシステム又は類似の電子コンピューティングデバイスの動作又はプロセスについて言及するものであることを認識されたい。
本発明の実施形態はまた、本明細書における動作を実行するための装置に関する。この装置は、必要な目的のために特別に構築することもでき、又は、本装置は、コンピュータシステム内に格納されたコンピュータプログラムによって特別にプログラムされた汎用コンピュータシステムを含むこともできる。そのようなコンピュータプログラムは、コンピュータ可読記憶媒体、例えば、それらに限定されないが、光ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、及び光磁気ディスクを含む任意の種類のディスク、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、磁気又は光カード、又は電子的命令を格納するのに適した任意の種類の媒体などに格納することができる。
本明細書で提示するアルゴリズム及びディスプレイは、いずれかの特定のコンピュータ又は他の装置に本来的に関係付けられるものではない。種々の汎用システムを本明細書の教示によるプログラムとともに使用することができ、又は、本方法ステップを実行するようにさらに特化された装置を構築することが便利であることが分かる場合がある。様々なこれらのシステムの構造は、以下の説明から明白となる。さらに、本発明の実施形態は、いずれかの特定のプログラミング言語に関連して記述されるものではない。本明細書で説明されたように本発明の実施形態の教示を実装するために、様々なプログラミング言語を用いることができることが認識されよう。
コンピュータ可読記憶媒体は、機械（例えば、コンピュータ）により可読な形式で情報を格納するための任意の機構、それらに限定されないが、光ディスク、コンパクトディスク読み出し専用メモリ（ＣＤ−ＲＯＭ）、及び光磁気ディスク、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、消去可能プログラム可能読み出し専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能プログラム可能読み出し専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、磁気又は光カード、フラッシュメモリなどを含むことができる。
以上のように、設計データを用いて製造ツールのレシピを作成する方法及び装置を説明した。上記の説明は例証的であり非限定的であることを意図したものである。当業者には、上記の説明を読み理解することによって多くの他の実施形態が明らかとなるであろう。従って、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲、並びに、それら特許請求の範囲が権利を与えられるところの均等の完全な範囲に関連して決定されるべきである。
１００：作業フロー
４００：方法
５０２、５０６、５１２：基本セル
５５０、５７０、５９０：反復パターン領域
９０１、９０２、９０３：周期的領域
６０２、６０６、６１０、６１４、６１８、６２２：単純アレイを含むセル
１１００：製造ツール
１１０１：走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）
１１０３：電子ビーム
１１０４：電子カラム
１１０５：半導体構造体
１１０７：Ｘ−Ｙステージ
１１０８：２次電子検出器
１１０９：制御ユニット
１１１０：画像処理ユニット
１２００：コンピュータシステム

Claims (15)

  1. 製造ツールのレシピを作成するコンピュータで実施される方法であって、
    基本要素と前記基本要素に対応する階層レベルとを含む設計データを取得するステップと、
    関心のある１つ又はそれ以上の基本要素を選択するステップと、
    関心のあるレベルに対応する単純アレイセルの１つ又はそれ以上の組を生成するステップと、
    自動レシピ作成を可能にするように、前記１つ又はそれ以上の単純アレイセルの組を用いて関心のあるレベルの座標内の複数の周期的領域を識別するステップと
    を含み、前記周期的領域は、１つ又はそれ以上の基本要素に関して識別される、
    ことを特徴とする方法。
  2. 前記関心のあるレベルに対応する前記単純アレイセルの組は、複数の単純アレイを含んだ少なくとも１つの単純アレイセルを含み、各々の前記単純アレイは異なる基本セルに対応することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
  3. 前記関心のあるレベルに対応する前記単純アレイセルの組は、各々が異なる基本セルに対応する少なくとも２つの単純アレイセルを含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
  4. 異なる基本セルに関して生成された重なり合う周期的領域に対応する周期的領域を識別するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
  5. 前記識別された周期的領域を特徴付ける周期性値を生成するステップと、
    前記生成された周期性値を処理してセル間検査のためのパラメータを生成するステップと、
    をさらに含み、前記処理は、設計データと所与の試験品との間の関係を特徴付けるスケール因子、所与の製造ツール、及び所与の製造プロセスを含む群から選択される少なくとも１つの基準に従って施されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
  6. 前記生成された複数の周期的領域をフィルタ処理するステップをさらに含み、前記フィルタ処理は、サイズ関連基準、製造ツール関連基準、及び製造プロセス関連基準を含む群から選択される少なくとも１つの基準に従って施されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
  7. メモリと、
    前記メモリに結合された処理装置と、
    基本要素と前記基本要素に対応する階層レベルとを含む設計データを得るための、前記処理装置によって前記メモリから実行される設計データモジュールと、
    前記設計データモジュールに結合され、関心のあるレベルに対応する単純アレイセルの１つ又はそれ以上の組を生成するための、前記処理装置によって前記メモリから実行される単純アレイセル生成器と、
    前記設計データモジュール及び前記単純アレイセル生成器に結合され、前記処理装置によって前記メモリから実行され、自動レシピ作成を可能にするように、前記１つ又はそれ以上の組の単純アレイセルを用いて関心のあるレベルの座標内の複数の周期的領域を識別する周期的領域識別器と、
    を備え、前記周期的領域は、１つ又はそれ以上の基本要素に関して識別される、
    ことを特徴とするシステム。
  8. 前記単純アレイセル生成器は、複数の単純アレイを含んだ少なくとも１つの単純アレイセルを生成するように構成され、各々の前記単純アレイセルは異なる基本セルに対応することを特徴とする、請求項７に記載のレシピ作成ユニット。
  9. 前記単純アレイセル生成器は、各々が異なる基本セルに対応する少なくとも２つの単純アレイセルを生成するように構成されることを特徴とする、請求項７に記載のレシピ作成ユニット。
  10. 前記周期的領域識別器は、異なる基本セルに関して生成された重なり合う周期的領域に対応する周期的領域を識別するための、前記処理装置によって前記メモリから実行される重なりモジュールをさらに備えることを特徴とする、請求項７に記載のレシピ作成ユニット。
  11. 前記周期的領域識別器は、
    前記生成された周期的領域を特徴付ける周期性値を生成し、
    前記生成された周期性値に従ってセル間検査のための実サイズのパラメータを生成する
    ようにさらに構成され、
    前記生成は、設計データと所与の試験品との間の関係を特徴付けるスケール因子、所与の製造ツール、及び所与の製造プロセスを含む群から選択される少なくとも１つの基準に従って施されることを特徴とする、請求項７に記載のレシピ作成ユニット。
  12. 前記識別された複数の周期的領域をフィルタ処理するための、前記処理装置によって前記メモリから実行されるフィルタ処理モジュールをさらに備え、前記フィルタ処理は、少なくともサイズ関連基準に従って施されることを特徴とする、請求項７に記載のレシピ作成ユニット。
  13. 処理システムによって実行されたときに、前記処理システムに、
    基本要素と前記基本要素に対応する階層レベルとを有する設計データをコンピュータによって取得するステップと、
    関心のある１つ又はそれ以上の基本要素を選択するステップと、
    関心のあるレベルに対応する単純アレイセルの１つ又はそれ以上の組を生成するステップと、
    自動レシピ作成を可能にするように、前記１つ又はそれ以上の単純アレイセルの組を用いて関心のあるレベルの座標内の複数の周期的領域を識別するステップと
    を含み、前記周期的領域が１つ又はそれ以上の基本要素に関して識別される、
    方法を実行させる命令を含むことを特徴とする非一時的コンピュータ可読媒体。
  14. 前記関心のあるレベルに対応する前記単純アレイセルの組は、各々の単純アレイが異なる基本セルに対応する複数の単純アレイを含む少なくとも１つの単純アレイセル、又は、各々が異なる基本セルに対応する少なくとも２つの単純アレイセルを含むことを特徴とする、請求項１３に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
  15. 前記方法は、
    前記識別された周期的領域を特徴付ける周期性値を生成するステップと、
    前記生成された周期性値を処理してセル間検査のためのパラメータを生成するステップと、
    をさらに含み、前記処理は、設計データと所与の試験品との間の関係を特徴付けるスケール因子、所与の製造ツール、及び所与の製造プロセスを含む群から選択される少なくとも１つの基準に従って施されることを特徴とする、請求項１５に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013251542A (ja) * 2012-05-29 2013-12-12 Applied Materials Israel Ltd 製造ツールのレシピを生成する方法及びそのシステム
WO2016117103A1 (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 半導体測定装置、或いは半導体検査装置に用いられるレシピ作成装置
CN106774193A (zh) * 2016-11-29 2017-05-31 河海大学常州校区 基于激素反应扩散原理的制造系统动态协调方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140214192A1 (en) * 2013-01-25 2014-07-31 Dmo Systems Limited Apparatus For Design-Based Manufacturing Optimization In Semiconductor Fab
US10012689B2 (en) 2015-03-25 2018-07-03 Applied Materials Israel Ltd. Method of inspecting a specimen and system thereof
US9846934B2 (en) 2015-04-13 2017-12-19 Anchor Semiconductor Inc. Pattern weakness and strength detection and tracking during a semiconductor device fabrication process
US10545490B2 (en) * 2015-06-01 2020-01-28 Applied Materials Israel Ltd. Method of inspecting a specimen and system thereof
US10754256B2 (en) 2015-10-08 2020-08-25 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for pattern correction and verification
US10290087B2 (en) * 2017-09-11 2019-05-14 Applied Materials Israel Ltd. Method of generating an examination recipe and system thereof
US10937705B2 (en) * 2018-03-30 2021-03-02 Onto Innovation Inc. Sample inspection using topography
TWI776015B (zh) * 2019-01-30 2022-09-01 晶喬科技股份有限公司 半導體元件的製程開發方法以及系統
KR20220018553A (ko) * 2020-07-01 2022-02-15 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 제조 설비의 진단 지원 장치
JP2022189284A (ja) * 2021-06-11 2022-12-22 東京エレクトロン株式会社 基板検査装置、基板検査方法及び記憶媒体

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005514774A (ja) * 2001-12-21 2005-05-19 ケイエルエイ−テンコー コーポレーション 設計主導型検査または測定
JP2006040930A (ja) * 2004-07-22 2006-02-09 Toshiba Corp 自動レシピ作成装置及び作成方法
US7065239B2 (en) * 2001-10-24 2006-06-20 Applied Materials, Inc. Automated repetitive array microstructure defect inspection
JP2013251542A (ja) * 2012-05-29 2013-12-12 Applied Materials Israel Ltd 製造ツールのレシピを生成する方法及びそのシステム

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4845558A (en) * 1987-12-03 1989-07-04 Kla Instruments Corporation Method and apparatus for detecting defects in repeated microminiature patterns
JP3999301B2 (ja) * 1997-03-07 2007-10-31 富士通株式会社 露光データ作成方法
JP3397101B2 (ja) * 1997-10-29 2003-04-14 株式会社日立製作所 欠陥検査方法および装置
JP3562975B2 (ja) * 1998-09-29 2004-09-08 株式会社東芝 集積回路設計方法及び集積回路設計装置
US6476913B1 (en) * 1998-11-30 2002-11-05 Hitachi, Ltd. Inspection method, apparatus and system for circuit pattern
US7817844B2 (en) * 1999-08-26 2010-10-19 Nanogeometry Research Inc. Pattern inspection apparatus and method
JP3699960B2 (ja) 2003-03-14 2005-09-28 株式会社東芝 検査レシピ作成システム、欠陥レビューシステム、検査レシピ作成方法及び欠陥レビュー方法
WO2006127751A2 (en) * 2005-05-23 2006-11-30 Amalfi Semiconductor, Inc. Electrically isolated cmos device
JP2007165670A (ja) * 2005-12-15 2007-06-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体回路装置およびその設計方法
WO2008077100A2 (en) 2006-12-19 2008-06-26 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for creating inspection recipes
US7869643B2 (en) * 2007-01-31 2011-01-11 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Advanced cell-to-cell inspection
US8826200B2 (en) 2012-05-25 2014-09-02 Kla-Tencor Corp. Alteration for wafer inspection
US9053390B2 (en) 2012-08-14 2015-06-09 Kla-Tencor Corporation Automated inspection scenario generation

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7065239B2 (en) * 2001-10-24 2006-06-20 Applied Materials, Inc. Automated repetitive array microstructure defect inspection
JP2005514774A (ja) * 2001-12-21 2005-05-19 ケイエルエイ−テンコー コーポレーション 設計主導型検査または測定
JP2006040930A (ja) * 2004-07-22 2006-02-09 Toshiba Corp 自動レシピ作成装置及び作成方法
JP2013251542A (ja) * 2012-05-29 2013-12-12 Applied Materials Israel Ltd 製造ツールのレシピを生成する方法及びそのシステム

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013251542A (ja) * 2012-05-29 2013-12-12 Applied Materials Israel Ltd 製造ツールのレシピを生成する方法及びそのシステム
WO2016117103A1 (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 半導体測定装置、或いは半導体検査装置に用いられるレシピ作成装置
US10984143B2 (en) 2015-01-23 2021-04-20 Hitachi High-Tech Corporation Recipe creation device for use in semiconductor measurement device or semiconductor inspection device
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