JP2013056850A - 光学活性エポキシ化合物の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】光学活性エポキシ化合物の新規な製造方法の提供。
【解決手段】脱水剤の存在下、酸化剤と分子内に二重結合を有する不飽和化合物を反応させる工程を含み、トリスフェノールアミン配位子のフェノール骨格部分にビナフチル骨格及び軸不斉を有する骨格を導入することにより、トリスフェノールアミン配位子の骨格に起因するプロペラ型不斉のラセミ化を抑制する。さらに、光学活性トリスナフトールアミン配位子を有するハフニウム錯体を用いて、高い選択性で光学活性エポキシ化学物を製造する。
【選択図】なし
【解決手段】脱水剤の存在下、酸化剤と分子内に二重結合を有する不飽和化合物を反応させる工程を含み、トリスフェノールアミン配位子のフェノール骨格部分にビナフチル骨格及び軸不斉を有する骨格を導入することにより、トリスフェノールアミン配位子の骨格に起因するプロペラ型不斉のラセミ化を抑制する。さらに、光学活性トリスナフトールアミン配位子を有するハフニウム錯体を用いて、高い選択性で光学活性エポキシ化学物を製造する。
【選択図】なし
Description
本発明は、光学活性エポキシ化合物の製造方法に関する。
従来、光学活性エポキシ化合物は医薬、農薬又は電子材料等の製造中間体として良く用いられていることが知られている（例えば、特許文献１参照）。
一方、トリスフェノールアミン配位子と、チタン、ジルコニウム及びハフニウム等の４族の金属からなる錯体に関する記述があり、さらに、トリスフェノールアミン配位子からなるＣ3対称の三方両錐形の錯体は、プロペラ型不斉を有することが記載されている（例
えば、非特許文献１）。該錯体を触媒として用いたラクチドの開環重合に関する報告がある（例えば、非特許文献２−４参照）。
えば、非特許文献１）。該錯体を触媒として用いたラクチドの開環重合に関する報告がある（例えば、非特許文献２−４参照）。
トリスフェノールアミン配位子を有する錯体を触媒として用い、酸化反応を実施した例としては、トリスフェノールアミン配位子を有するチタン錯体を触媒に用いて、スルホキシド化合物を製造する報告（例えば、非特許文献５参照）、第２級アミン化合物からニトロン化合物を製造する報告（例えば、非特許文献６参照）等がある。さらに低エナンチオ選択性であるが、光学活性スルホキシド化合物を製造する報告がある（例えば、非特許文献７参照）。
Ｄａｌｔｏｎ．Ｔｒａｎｓ． ２００９年，５２６５貢
Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ ２００７年，４８（２）巻，８８１貢
Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ． ２００８年，１２９３貢
ＰＭＳＥ Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ ２００９年，１００巻，５７３貢
Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ． ２００７年，９巻，２１貢
Ａｄｖ．Ｓｙｎｔｈ．Ｃａｔａｌ． ２００８年，３５０巻，２５０３貢
Ｄａｌｔｏｎ．Ｔｒａｎｓ． ２００９年，１０１６９貢
トリスフェノールアミン配位子について、Ｃ3対称の三方両錐形の錯体は、プロペラ型
不斉を有することが知られている。しかし、そのラセミ化の活性化エネルギーが低いことから、各エナンチオマーを分離して不斉触媒として利用することは困難であった。
不斉を有することが知られている。しかし、そのラセミ化の活性化エネルギーが低いことから、各エナンチオマーを分離して不斉触媒として利用することは困難であった。
本発明者らは、上記の課題解決を目標に鋭意研究を重ねた結果、トリスフェノールアミン配位子のフェノール骨格部分にビナフチル骨格及び軸不斉を有する骨格を導入することにより、トリスフェノールアミン配位子の骨格に起因するプロペラ型不斉のラセミ化を抑制できることを見出した。さらに、光学活性トリスナフトールアミン配位子を有するハフニウム錯体を用いて不斉エポキシ化反応を検討した結果、高いエナンチオ選択性で光学活
性エポキシ化合物を製造できることを見い出し、本発明を完成した。
性エポキシ化合物を製造できることを見い出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は下記〔１〕〜〔１６〕に関するものである。
〔１〕
光学活性エポキシ化合物の製造方法であって、脱水剤の存在下、酸化剤と分子内に二重結合を有する不飽和化合物を反応させる工程を含み、該工程において
式（１）：
［式中、Ａｒは、フェニル基又は（Ｚ）p1で置換されたフェニル基を表し、
Ｚは各々独立して、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を表し、
Ｔ1は、ヒドロキシ基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ置換−（Ｃ1〜Ｃ4）アルコキシ基を表し、
ｐ１は、１乃至３の整数を表す。］
で表される光学活性ハフニウム錯体を触媒として使用することを特徴とする、製造方法。
〔２〕
式（１）で表される光学活性ハフニウム錯体が、式（１２−１）又は式（１２−２）：
［式中、Ａｒ及びＴ1は〔１〕に記載の定義と同じ意味を表す。］で表される光学活性ハ
フニウム錯体である、〔１〕に記載の光学活性エポキシ化合物の製造方法。
〔３〕
Ａｒは、フェニル基又は（Ｚ）p1で置換されたフェニル基を表し、
Ｚは、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基を表し、
Ｔ1は、ヒドロキシ基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を表し、
ｐ１は、１乃至２の整数を表す、〔１〕又は〔２〕に記載の光学活性エポキシ化合物の製造方法。
〔４〕
光学活性エポキシ化合物の製造方法であって、脱水剤の存在下、酸化剤と分子内に二重結合を有する不飽和化合物を反応させる工程を含み、該工程において
式（２）：
［式中、Ａｒ’は、フェニル基又は（Ｚ’）p2で置換されたフェニル基を表し、
Ｚ’は各々独立して、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル基又はＣ1〜Ｃ4アル
コキシ基を表し、
ｐ２は、１乃至３の整数を表す。］で表されるトリスナフトールアミン配位子と、ハフニウムテトラｔ−ブトキシドを塩化メチレン中で反応させることによって得られる光学活性ハフニウム錯体を、触媒として使用することを特徴とする、製造方法。
〔５〕
Ａｒ’は、フェニル基又は（Ｚ’）p2で置換されたフェニル基を表し、
Ｚ’は、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基を表し、
ｐ２は、１乃至２の整数を表す、〔４〕に記載の光学活性エポキシ化合物の製造方法。
〔６〕
酸化剤として、尿素―過酸化水素付加体を用いる、〔１〕乃至〔５〕のうち何れか一項に記載の光学活性エポキシ化合物の製造方法。
〔７〕
脱水剤として、硫酸マグネシウムを用いる、〔１〕乃至〔６〕のうち何れか一項に記載の光学活性エポキシ化合物の製造方法。
〔８〕
分子内に二重結合を有する不飽和化合物が、式（Ａ）：
［式中、Ｒa、Ｒb、Ｒc及びＲdは、各々独立して水素原子、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基又はＣ2〜Ｃ4アルケニル基を表し、
Ｒeは、水素原子を表し、
Ｒfは、水素原子又はＣ1〜Ｃ6アルキル基を表し、
あるいは、ＲeとＲfとが互いに一緒になって、メチレン基、エチレン基又はトリメチレン基を形成してもよく、
Ｒgは、水素原子又はＣ1〜Ｃ6アルキル基を表し、
Ｒhは、水素原子を表す。］で表される不飽和化合物であり、得られる光学活性エポキ
シ化合物が式（Ｂ）：
［式中のＲa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg及びＲhは、前記と同じ意味を表し、＊はキラル中心を表す。］
で表される光学活性エポキシ化合物である、〔１〕乃至〔７〕のうち何れか一項に記載の光学活性エポキシ化合物の製造方法。
〔９〕
式（１）：
［式中、Ａｒは、フェニル基又は（Ｚ）p1で置換されたフェニル基を表し、
Ｚは各々独立して、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を表し、
Ｔ1は、ヒドロキシ基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ置換−（Ｃ1〜Ｃ4）アルコキシ基を表し、
ｐ１は、１乃至３の整数を表す。］で表される光学活性ハフニウム錯体。
〔１０〕
式（１２−１）又は式（１２−２）：
［式中、Ａｒ及びＴ1は〔９〕に記載の定義と同じ意味を表す。］で表される、〔９〕に
記載の式（１）で表される光学活性ハフニウム錯体。
〔１１〕
Ａｒは、フェニル基又は（Ｚ）p1で置換されたフェニル基を表し、
Ｚは、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基を表し、
Ｔ1は、ヒドロキシ基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を表し、
ｐ１は、１乃至２の整数を表す、〔９〕又は〔１０〕に記載の光学活性ハフニウム錯体。
〔１２〕
式（２）：
［式中、Ａｒ’は、フェニル基又は（Ｚ’）p2で置換されたフェニル基を表し、
Ｚ’は各々独立して、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を表し、
ｐ２は、１乃至３の整数を表す。］で表される光学活性トリスナフトールアミン配位子。
〔１３〕
式（２２−１）又は式（２２−２）：
（式中、Ａｒ’は、〔１２〕に記載の定義と同じ意味を表す。）で表される、〔１２〕に
記載の式（２）で表される光学活性トリスナフトールアミン配位子。
〔１４〕
Ａｒ’は、フェニル基又は（Ｚ’）p2で置換されたフェニル基を表し、
Ｚ’は、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基を表し、
ｐ２は、１乃至２の整数を表す、〔１２〕又は〔１３〕に記載の光学活性トリスナフトールアミン配位子。
〔１５〕
式（２）：
［式中、Ａｒ’は、フェニル基又は（Ｚ’）p2で置換されたフェニル基を表し、
Ｚ’は各々独立して、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を表し、
ｐ２は、１乃至３の整数を表す。］で表されるトリスナフトールアミン配位子と、ハフニウムテトラｔ−ブトキシドを塩化メチレン中で反応させることによって得られる、光学活性ハフニウム錯体。
〔１６〕
Ａｒ’は、フェニル基又は（Ｚ’）p2で置換されたフェニル基を表し、
Ｚ’は、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基を表し、
ｐ２は、１乃至２の整数を表す、〔１５〕に記載の光学活性ハフニウム錯体。
光学活性エポキシ化合物の製造方法であって、脱水剤の存在下、酸化剤と分子内に二重結合を有する不飽和化合物を反応させる工程を含み、該工程において
式（１）：
Ｚは各々独立して、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を表し、
Ｔ1は、ヒドロキシ基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ置換−（Ｃ1〜Ｃ4）アルコキシ基を表し、
ｐ１は、１乃至３の整数を表す。］
で表される光学活性ハフニウム錯体を触媒として使用することを特徴とする、製造方法。
〔２〕
式（１）で表される光学活性ハフニウム錯体が、式（１２−１）又は式（１２−２）：
フニウム錯体である、〔１〕に記載の光学活性エポキシ化合物の製造方法。
〔３〕
Ａｒは、フェニル基又は（Ｚ）p1で置換されたフェニル基を表し、
Ｚは、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基を表し、
Ｔ1は、ヒドロキシ基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を表し、
ｐ１は、１乃至２の整数を表す、〔１〕又は〔２〕に記載の光学活性エポキシ化合物の製造方法。
〔４〕
光学活性エポキシ化合物の製造方法であって、脱水剤の存在下、酸化剤と分子内に二重結合を有する不飽和化合物を反応させる工程を含み、該工程において
式（２）：
Ｚ’は各々独立して、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル基又はＣ1〜Ｃ4アル
コキシ基を表し、
ｐ２は、１乃至３の整数を表す。］で表されるトリスナフトールアミン配位子と、ハフニウムテトラｔ−ブトキシドを塩化メチレン中で反応させることによって得られる光学活性ハフニウム錯体を、触媒として使用することを特徴とする、製造方法。
〔５〕
Ａｒ’は、フェニル基又は（Ｚ’）p2で置換されたフェニル基を表し、
Ｚ’は、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基を表し、
ｐ２は、１乃至２の整数を表す、〔４〕に記載の光学活性エポキシ化合物の製造方法。
〔６〕
酸化剤として、尿素―過酸化水素付加体を用いる、〔１〕乃至〔５〕のうち何れか一項に記載の光学活性エポキシ化合物の製造方法。
〔７〕
脱水剤として、硫酸マグネシウムを用いる、〔１〕乃至〔６〕のうち何れか一項に記載の光学活性エポキシ化合物の製造方法。
〔８〕
分子内に二重結合を有する不飽和化合物が、式（Ａ）：
Ｒeは、水素原子を表し、
Ｒfは、水素原子又はＣ1〜Ｃ6アルキル基を表し、
あるいは、ＲeとＲfとが互いに一緒になって、メチレン基、エチレン基又はトリメチレン基を形成してもよく、
Ｒgは、水素原子又はＣ1〜Ｃ6アルキル基を表し、
Ｒhは、水素原子を表す。］で表される不飽和化合物であり、得られる光学活性エポキ
シ化合物が式（Ｂ）：
で表される光学活性エポキシ化合物である、〔１〕乃至〔７〕のうち何れか一項に記載の光学活性エポキシ化合物の製造方法。
〔９〕
式（１）：
Ｚは各々独立して、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を表し、
Ｔ1は、ヒドロキシ基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ置換−（Ｃ1〜Ｃ4）アルコキシ基を表し、
ｐ１は、１乃至３の整数を表す。］で表される光学活性ハフニウム錯体。
〔１０〕
式（１２−１）又は式（１２−２）：
記載の式（１）で表される光学活性ハフニウム錯体。
〔１１〕
Ａｒは、フェニル基又は（Ｚ）p1で置換されたフェニル基を表し、
Ｚは、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基を表し、
Ｔ1は、ヒドロキシ基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を表し、
ｐ１は、１乃至２の整数を表す、〔９〕又は〔１０〕に記載の光学活性ハフニウム錯体。
〔１２〕
式（２）：
Ｚ’は各々独立して、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を表し、
ｐ２は、１乃至３の整数を表す。］で表される光学活性トリスナフトールアミン配位子。
〔１３〕
式（２２−１）又は式（２２−２）：
記載の式（２）で表される光学活性トリスナフトールアミン配位子。
〔１４〕
Ａｒ’は、フェニル基又は（Ｚ’）p2で置換されたフェニル基を表し、
Ｚ’は、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基を表し、
ｐ２は、１乃至２の整数を表す、〔１２〕又は〔１３〕に記載の光学活性トリスナフトールアミン配位子。
〔１５〕
式（２）：
Ｚ’は各々独立して、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を表し、
ｐ２は、１乃至３の整数を表す。］で表されるトリスナフトールアミン配位子と、ハフニウムテトラｔ−ブトキシドを塩化メチレン中で反応させることによって得られる、光学活性ハフニウム錯体。
〔１６〕
Ａｒ’は、フェニル基又は（Ｚ’）p2で置換されたフェニル基を表し、
Ｚ’は、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基を表し、
ｐ２は、１乃至２の整数を表す、〔１５〕に記載の光学活性ハフニウム錯体。
本発明により、プロペラ型不斉を有する新規な光学活性触媒を使用し、不斉エポキシ化反応を行なうことにより、高いエナンチオ選択性で光学活性エポキシ化合物を製造できる。さらに本発明で得られる光学活性エポキシ化合物は、高血圧症、喘息症等の治療に有効な化合物の光学活性医薬中間体として有用である。
本明細書中の「ｎ」はノルマルを、「ｓ」はセカンダリーを、「ｔ」はターシャリーを、「ｍ」はメタを意味する。本明細書中の（Ｒ）及び（Ｓ）は、中心性キラリティーが存在するキラルな分子の立体配置を表示するものである。本明細書中の（ａＲ）及び（ａＳ）は、軸性キラリティーが存在するキラルな分子の立体配置を表示するものである。本明細書中の（Ｚ）及び（Ｅ）は、二重結合でつながれた分子の平面部分内で二重結合をつく
る原子に結合した基のうち、順位則上位のものが反対側に出ているときを（Ｅ）として、同じ側に出ているときを（Ｚ）として、立体化学を表示するものである。
る原子に結合した基のうち、順位則上位のものが反対側に出ているときを（Ｅ）として、同じ側に出ているときを（Ｚ）として、立体化学を表示するものである。
本明細書中の「ＭｅＯＨ」はメタノールを、「ＴＨＦ」はテトラヒドロフランを、「ＣＨ3ＣＮ」はアセトニトリルを、「ＣＨ2Ｃｌ2」はジクロロメタンを、「ＵＨＰ」は尿素
―過酸化水素付加体を、「ＭｇＳＯ4」は無水硫酸マグネシウムを意味する。
―過酸化水素付加体を、「ＭｇＳＯ4」は無水硫酸マグネシウムを意味する。
本明細書におけるＣ1〜Ｃ6アルキル基の表記は、炭素原子数が１乃至６個よりなる直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素から水素１原子が失われて生ずる１価の基を表し、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、１，１−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基及びイソヘキシル基等が具体例として挙げられる。
本明細書におけるＣ1〜Ｃ6ハロアルキル基の表記は、炭素原子に結合した水素原子が、後述するハロゲン原子によって任意に置換された、炭素原子数が１乃至６個よりなる直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素から水素１原子が失われて生ずる１価の基を表す。このとき、２個以上のハロゲン原子によって置換されている場合、それらのハロゲン原子は互いに同一でも、または互いに相異なっていてもよい。例えばフルオロメチル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、ヨードメチル基、ジフルオロメチル基、ジクロロメチル基、トリフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、トリクロロメチル基、ブロモジフルオロメチル基、２−フルオロエチル基、２−クロロエチル基、２−ブロモエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２−クロロ−２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリクロロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロエチル基、２−クロロ−１，１，２−トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、１，１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、ヘプタフルオロプロピル基、２，２，２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチル基、１，２，２，２−テトラフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチル基、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチル基及びノナフルオロブチル基等が具体例として挙げられる。
本明細書におけるＣ1〜Ｃ4アルコキシ基の表記は、炭素原子数が１乃至４個よりなる前記の意味であるアルキル基が、酸素と結合した形の１価の基を表し、例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓ−ブトキシ基及びｔ−ブトキシ基等が具体例として挙げられる。
本明細書におけるＣ1〜Ｃ4アルコキシ置換−（Ｃ1〜Ｃ4）アルコキシ基の表記は、（Ｃ1〜Ｃ4）アルコキシ基に存在する任意の水素原子の１つが、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基によって置換された基を表し、例えば２−メトキシエトキシ基、２−エトキシエトキシ基、１−メトキシ−２−メチル−２−プロポキシ基及び１−エトキシ−２−メチル−２−プロポキシ基等が具体例として挙げられる。
本明細書におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。尚、本明細書におけるハロの表記もこれらのハロゲン原子を表す。
本明細書におけるＣ2〜Ｃ4アルケニル基の表記は、炭素原子数が２乃至４個よりなる二重結合をもつ直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素から水素１原子が失われて生ずる１価の基を表し、例えばビニル基、アリル基、イソプロペニル基、（Ｅ）−プロパ−１−エン−１−イル基、（Ｚ）−プロパ−１−エン−１−イル基、プロパジエン−１−イル基、（Ｅ）−ブタ−１−エン−１−イル基、（Ｚ）−ブタ−１−エン−１−イル基、（Ｅ）−ブ
タ−２−エン−１−イル基、（Ｚ）−ブタ−２−エン−１−イル基、ブタ−３−エン−１−イル基、１−メチルプロパ−２−エン−１−イル基、１−メチリデンプロピル基、（Ｅ）−１−メチルプロパ−１−エン−１−イル基、（Ｚ）−１−メチルプロパ−１−エン−１−イル基、２−メチルプロパ−１−エン−１−イル基、２−メチルプロパ−２−エン−１−イル基、（Ｅ）−ブタ−１，２−ジエン−１−イル基、（Ｚ）−ブタ−１，２−ジエン−１−イル基、ブタ−１，３−ジエン−１−イル基、ブタ−２，３−ジエン−１−イル基、１−メチリデンプロパ−２−エン−１−イル基及び１−メチルプロパジエン−１−イル基等が具体例として挙げられる。
タ−２−エン−１−イル基、（Ｚ）−ブタ−２−エン−１−イル基、ブタ−３−エン−１−イル基、１−メチルプロパ−２−エン−１−イル基、１−メチリデンプロピル基、（Ｅ）−１−メチルプロパ−１−エン−１−イル基、（Ｚ）−１−メチルプロパ−１−エン−１−イル基、２−メチルプロパ−１−エン−１−イル基、２−メチルプロパ−２−エン−１−イル基、（Ｅ）−ブタ−１，２−ジエン−１−イル基、（Ｚ）−ブタ−１，２−ジエン−１−イル基、ブタ−１，３−ジエン−１−イル基、ブタ−２，３−ジエン−１−イル基、１−メチリデンプロパ−２−エン−１−イル基及び１−メチルプロパジエン−１−イル基等が具体例として挙げられる。
本発明における、一般式（１）で表される光学活性ハフニウム錯体について、詳細に説明する。
本明細書における一般式（１）で表される光学活性ハフニウム錯体は以下の構造を有する錯化合物である。
上記式中、Ａｒは、フェニル基又は（Ｚ）p1で置換されたフェニル基を表し、Ｚは各々独立して、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を表し、Ｔ1は、ヒドロキシ基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ置換−（Ｃ1〜Ｃ4）アルコキシ基を表し、ｐ１は、１乃至３の整数を表す。
なお、ｐ１が２又は３を表すとき、Ｚは同一であっても異なっていても良い。
好ましくはＡｒがフェニル基又は（Ｚ）p1で置換されたフェニル基を表し、ＺがＣ1〜
Ｃ6アルキル基を表し、Ｔ1がヒドロキシ基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を表し、ｐ１が１乃至２の整数を表す。
これらアルキル基等の具体例は前述したものが挙げられる。
なお、ｐ１が２又は３を表すとき、Ｚは同一であっても異なっていても良い。
好ましくはＡｒがフェニル基又は（Ｚ）p1で置換されたフェニル基を表し、ＺがＣ1〜
Ｃ6アルキル基を表し、Ｔ1がヒドロキシ基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を表し、ｐ１が１乃至２の整数を表す。
これらアルキル基等の具体例は前述したものが挙げられる。
上記式（１）で表される光学活性ハフニウム錯体には、上記式（１）中の炭素原子の位置ａ位及びａ’位の結合を軸とする、回転が規制された軸不斉に起因する光学活性体が存在する。軸不斉に起因する式（１）で表される光学活性体には、下記一般式（１−１）、
一般式（１−２）、一般式（１−３）及び一般式（１−４）［式中、Ａｒ及びＴ1は、前
記と同じ意味を表す。］で表される錯化合物が含まれる。
一般式（１−２）、一般式（１−３）及び一般式（１−４）［式中、Ａｒ及びＴ1は、前
記と同じ意味を表す。］で表される錯化合物が含まれる。
本発明における光学活性ハフニウム錯体とは、一般式（１−１）、一般式（１−２）、一般式（１−３）又は一般式（１−４）で表される錯化合物であるか、若しくはこれらの化合物の任意の比率による混合物を表す。但し、一般式（１−１）と一般式（１−２）で表される錯化合物、又は一般式（１−３）と一般式（１−４）で表される錯化合物の１：１の比率の混合物を除く。
中でも一般式（１−１）又は式（１−２）で表される錯化合物が好ましい。
中でも一般式（１−１）又は式（１−２）で表される錯化合物が好ましい。
次に本発明における、一般式（２）で表される光学活性トリスナフトールアミン配位子について、詳細に説明する。
本明細書における一般式（２）で表される光学活性トリスナフトールアミン配位子は以下の構造を有する化合物である。
上記式中、Ａｒ’は、フェニル基又は（Ｚ’）p2で置換されたフェニル基を表し、Ｚ’は各々独立して、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を表し、ｐ２は、１乃至３の整数を表す。
なお、ｐ２が２又は３を表すとき、Ｚ’は同一であっても異なっていても良い。
好ましくは、Ａｒ’がフェニル基又は（Ｚ’）p2で置換されたフェニル基を表し、Ｚ’がＣ1〜Ｃ6アルキル基を表し、ｐ２が１乃至２の整数を表す。
またこれらアルキル基等の具体例は前述したものが挙げられる。
なお、ｐ２が２又は３を表すとき、Ｚ’は同一であっても異なっていても良い。
好ましくは、Ａｒ’がフェニル基又は（Ｚ’）p2で置換されたフェニル基を表し、Ｚ’がＣ1〜Ｃ6アルキル基を表し、ｐ２が１乃至２の整数を表す。
またこれらアルキル基等の具体例は前述したものが挙げられる。
上記式（２）で表される化合物には、上記式（２）中に示す炭素原子の位置ａ位及びａ’位の結合を軸とする、回転が規制された軸不斉に起因する光学活性体が存在する。軸不斉に起因する式（２）で表される光学活性体には、下記一般式（２−１）、一般式（２−２）、一般式（２−３）及び一般式（２−４）［式中、Ａｒ’は、前記と同じ意味を表す。］で表される化合物が含まれる。
本発明における、光学活性トリスナフトールアミン配位子とは、一般式（２−１）、（２−２）、（２−３）又は（２−４）で表される化合物であるか、若しくはこれらの化合物の任意の比率による混合物を表す。但し、一般式（２−１）と一般式（２−２）で表される化合物、又は一般式（２−３）と一般式（２−４）で表される化合物の１：１の比率の混合物を除く。
中でも一般式（２−１）又は式（２−２）で表される化合物が好ましい。
中でも一般式（２−１）又は式（２−２）で表される化合物が好ましい。
次に本発明の製造方法、すなわち前述の式（１）で表される光学活性ハフニウム錯体を用いる不斉エポキシ化反応による、光学活性エポキシ化合物の製造方法について詳細に説明する。
光学活性エポキシ化合物の製造方法
本発明において、一般式（１）［式中、Ａｒ及びＴ1は、前記と同じ意味を表す。］で
表される光学活性ハフニウム錯体を触媒に用いて、脱水剤存在下で、酸化剤と一般式（Ａ）で表される不飽和化合物を反応させることにより、一般式（Ｂ）で表される光学活性エポキシ化合物を得ることができる。
表される光学活性ハフニウム錯体を触媒に用いて、脱水剤存在下で、酸化剤と一般式（Ａ）で表される不飽和化合物を反応させることにより、一般式（Ｂ）で表される光学活性エポキシ化合物を得ることができる。
上記式（Ａ）及び式（Ｂ）中、Ｒa、Ｒb、Ｒc及びＲdは、各々独立して水素原子、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基又はＣ2〜Ｃ4アルケニル基を表し、Ｒeは、水素原子を表し、Ｒfは、水素原子又はＣ1〜Ｃ6アルキル基を表し、あるいは、ＲeとＲfとが互いに一緒になり、メチレン基、エチレン基又はトリメチレン基を形成してもよく、Ｒgは、水素原子又はＣ1〜Ｃ6アルキル基を表し、Ｒhは、水素原子を表し、＊はキラル中心を表す。
これらアルキル基等の具体例は前述したものが挙げられる。
これらアルキル基等の具体例は前述したものが挙げられる。
本発明の不斉エポキシ化反応で使用する溶媒は、芳香族系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、ハロゲン系溶媒、又はエステル系溶媒が挙げられる。具体的には、トルエン、ヘキサン、ヘプタン、ジクロロメタン、クロロホルム、酢酸エチル等が挙げられ、好ましい溶媒としてハロゲン系溶媒が挙げられ、さらに好ましい溶媒としては、ジクロロメタンが挙げられる。
本発明の不斉エポキシ化反応の反応温度は、特に限定されるものではないが、−７８℃から溶媒の還流温度が挙げられ、好ましい反応温度としては−２０℃から１０℃が挙げられ、さらに好ましい温度としては−１５℃から−５℃が挙げられる。
本発明の不斉エポキシ化反応で使用する酸化剤は、特に限定されるものではないが、具体的にはヨードソベンゼン、次亜塩素酸ナトリウム、ｍ−クロロ過安息香酸、オキソン（登録商標）（２ＫＨＳＯ5・ＫＨＳＯ4・Ｋ2ＳＯ4；カリウムイオン並びに過硫酸水素イオン、硫酸イオン及び硫酸水素イオンからなる複塩）、過酸化水素水、尿素―過酸化水素付加体（ＵＨＰ）、Ｎ−メチルモルホリンオキシド（ＮＭＯ）、ｔ−ブチルヒドロペルオキシド（ＴＢＨＰ）、クメンヒドロペルオキシド（ＣＨＰ）等が挙げられ、好ましい酸化剤としては尿素―過酸化水素付加体が挙げられる。
本発明の不斉エポキシ化反応で使用する脱水剤は、特に限定されるものではないが、具体的には無水硫酸ナトリウム、無水硫酸マグネシウム、無水ホウ酸、モレキュラシーブス等が挙げられ、好ましい脱水剤としては、無水硫酸マグネシウム又はモレキュラシーブスが挙げられ、さらに好ましい脱水剤としては、無水硫酸マグネシウムが挙げられる。
本発明の光学活性エポキシ化合物の製造方法では、鏡像異性体の一方のみを高い選択率で製造することができる。すなわち、一般式（１）：
ム錯体のうち、例えば一般式（１−１）又は一般式（１−２）：
［式中、Ａｒ及びＴ1は、前記の定義と同じ意味を表す。］で表される光学活性ハフニウ
ム錯体を触媒として使い分けて使用することで、前記一般式（Ｂ）で表される光学活性エポキシ化合物の両鏡像異性体を選択的に製造することができる。
ム錯体を触媒として使い分けて使用することで、前記一般式（Ｂ）で表される光学活性エポキシ化合物の両鏡像異性体を選択的に製造することができる。
光学活性トリスナフトールアミン配位子を有する一般式（１）で表される光学活性ハフニウム錯体は、例えば次のようにして合成することができる。
光学活性トリスナフトールアミン配位子を有する光学活性ハフニウム錯体の製造方法
すなわち、一般式（２）［式中、Ａｒ’は前記と同じ意味を表す。］で表される光学活性トリスナフトールアミン配位子と、一般式がＨｆ（Ｔ2）4で表されるハフニウム化合物［式中、Ｔ2は各々独立して、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ置換−（Ｃ1〜Ｃ4）アルコキシ基を表す。アルキル基等の具体例は前述したものが挙げられる。］と
を反応させることにより、一般式（１）［式中、Ａｒ及びＴ1は前記と同じ意味を表す。
］で表される光学活性ハフニウム錯体を合成することができる。
を反応させることにより、一般式（１）［式中、Ａｒ及びＴ1は前記と同じ意味を表す。
］で表される光学活性ハフニウム錯体を合成することができる。
ハフニウム化合物としては、ハフニウムテトライソプロポキシド、ハフニウムテトライソプロポキシドのイソプロピルアルコール付加物、ハフニウムテトラｎ−ブトキシド、ハフニウムテトラｔ−ブトキシド、テトラキス（１−メトキシ−２−メチル−２−プロポキシド）ハフニウム等が挙げられ、好ましいハフニウム化合物としては、ハフニウムテトラｔ−ブトキシドが挙げられる。ハフニウムテトラｔ−ブトキシドはＡｌｄｒｉｃｈ社より試薬として入手できる。
本光学活性トリスナフトールアミン配位子を有するハフニウム錯体の製造で使用する溶媒は、芳香族系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、ハロゲン系溶媒、エーテル系溶媒又はニトリル系溶媒が挙げられる。具体的には、トルエン、ヘキサン、ヘプタン、ジクロロメタン、クロロホルム、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、アセトニトリル等が挙げられ、好ましい溶媒としては、ハロゲン系溶媒が挙げられ、さらに好ましい溶媒としては、ジクロロメタンが挙げられる。
なお、前記一般式（１）で表される光学活性ハフニウム錯体及び一般式（２）で表される光学活性トリスナフトールアミン配位子も、本発明の対象である。
そして前記光学活性トリスナフトールアミン配位子は、例えば次のようにして合成することができる。
そして前記光学活性トリスナフトールアミン配位子は、例えば次のようにして合成することができる。
光学活性トリスナフトールアミン配位子の製造方法
すなわち、一般式（３）［式中、Ａｒ’は式（２）における定義と同じ意味を表す。］で表される化合物のフェノール性ヒドロキシ基を保護しているアリル基を脱保護することで、一般式（２）［式中、Ａｒ’は前記と同じ意味を表す。］に表される化合物（配位子）を得ることができる。
一般式（３）で表される化合物は、例えば次のようにして合成することができる。
すなわち、文献記載（例えばＴｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ １９９４年，５０（４１）巻，１１８２７貢）の公知化合物である一般式（５）［式中、Ａｒ’は式（２）における定義と同じ意味を表す。］で表される化合物のヒドロキシ基を、アリル基で保護し、一般式（４）［式中、Ａｒ’は式（２）における定義と同じ意味を表す。］で表される化合物に変換した後、酢酸アンモニウムを窒素源にする３度にわたる還元的アミノ化反応を行ない、一般式（３）［式中、Ａｒ’は式（２）における定義と同じ意味を表す。］で表される化合物を得ることができる。
以下に本発明の合成例を実施例として具体的に述べることで、本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
実施例のプロトン核磁気共鳴（1Ｈ ＮＭＲ）分光法のケミカルシフト値は、基準物質
としてＭｅ4Ｓｉ（テトラメチルシラン）を用い、重クロロホルム溶媒中で、４００ＭＨ
ｚにて測定した。
実施例のプロトン核磁気共鳴（1Ｈ ＮＭＲ）分光法のケミカルシフト値は、基準物質
としてＭｅ4Ｓｉ（テトラメチルシラン）を用い、重クロロホルム溶媒中で、４００ＭＨ
ｚにて測定した。
［合成例］
合成例１−１
光学活性トリスナフトールアミン配位子（１２−１）の合成
合成例１−１
光学活性トリスナフトールアミン配位子（１２−１）の合成
反応容器中に化合物（１３−１）（１．５７ｇ，１．２１ｍｍｏｌ）及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（３０ｍｇ，０．０２６ｍｍｏｌ）を、窒素雰囲気下にて、メタノール（１０ｍＬ）及びテトラヒドロフラン（１５ｍＬ）に溶解させた後、該反応混合物を室温で撹拌した。次に、該反応混合物中に、炭酸カリウム（５０２ｍｇ，３．６３ｍｍｏｌ）を添加し、室温で２時間撹拌した。撹拌終了後、該反応混合物に１ｍｏｌ／Ｌの塩酸を添加して、反応を停止させた。該反応混合物を、酢酸エチルにて抽出した。得られた有機層を、水及び飽和食塩水にて洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下にて溶媒を留去した。得られた粗生成物をヘキサン：酢酸エチル〔２０：１〜９：１のグラジエント（体積比、以下同じである）〕にて溶出するシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、目的化合物（１２−１）１．１６ｇを得た（収率８１％）。得られた化合物（１２−１）の1Ｈ ＮＭＲを以下に記載する。
化合物（１２−１）
1H NMR(ppm):
δ8.06-8.04(d,J=8.8Hz,3H),7.99-7.97(d,J=8.3Hz,3H),7.68-7.65(d,J=8.3Hz,3H),
7.53-7.43(m,9H),7.34-7.32(d,J=8.3Hz,3H),7.25-7.18(m,9H),7.11-7.09(m,3H),
6.71(s,6H),6.31(s,3H),3.49-3.45(d,J=13.2Hz,3H),3.32-3.28(d,J=13.2Hz,3H),
1.70(s,18H).
1H NMR(ppm):
δ8.06-8.04(d,J=8.8Hz,3H),7.99-7.97(d,J=8.3Hz,3H),7.68-7.65(d,J=8.3Hz,3H),
7.53-7.43(m,9H),7.34-7.32(d,J=8.3Hz,3H),7.25-7.18(m,9H),7.11-7.09(m,3H),
6.71(s,6H),6.31(s,3H),3.49-3.45(d,J=13.2Hz,3H),3.32-3.28(d,J=13.2Hz,3H),
1.70(s,18H).
合成例１−２及び合成例１−３
合成例１−１に記載されている同じ反応条件下で、出発原料、出発原料の使用量、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムの使用量、メタノールの使用量、テトラヒドロフランの使用量、炭酸カリウムの使用量及び反応時間を変更して合成を実施した。出発原料、使用した化合物及びその使用量、反応時間、並びに目的生成物について下記に表す。表中のＲ1は前記一般式（３）で表される化合物におけるＡｒ’位置の置換基を表す
。表中の「Ｐｄ（ＰＰｈ3）4」はテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムを、「ＭｅＯＨ」はメタノールを、「ＴＨＦ」はテトラヒドロフランを、「Ｋ2ＣＯ2」は炭酸カリウムを表す。
合成例１−１に記載されている同じ反応条件下で、出発原料、出発原料の使用量、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムの使用量、メタノールの使用量、テトラヒドロフランの使用量、炭酸カリウムの使用量及び反応時間を変更して合成を実施した。出発原料、使用した化合物及びその使用量、反応時間、並びに目的生成物について下記に表す。表中のＲ1は前記一般式（３）で表される化合物におけるＡｒ’位置の置換基を表す
。表中の「Ｐｄ（ＰＰｈ3）4」はテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムを、「ＭｅＯＨ」はメタノールを、「ＴＨＦ」はテトラヒドロフランを、「Ｋ2ＣＯ2」は炭酸カリウムを表す。
結果を表２に記載する。
得られた化合物（２２−１）及び化合物（３２−１）の1Ｈ ＮＭＲをそれぞれ記載す
る。
る。
化合物（２２−１）
1H NMR(ppm):
δ8.04-8.02(d,J=8.3Hz,3H),7.96-7.94(d,J=7.8Hz,3H),7.64-7.62(d,J=8.3Hz,3H),
7.59-7.58(m,3H),7.49(s,3H),7.47-7.43(dd,J=7.3,7.3Hz,3H),7.33-7.31(d,J=8.8Hz,3H),7.23-7.12(m,9H),7.09-7.04(m,9H),6.71-6.63(m,9H),3.73-3.69(d,J=13.7Hz,3H),
3.33-3.30(d,J=13.7Hz,3H).
1H NMR(ppm):
δ8.04-8.02(d,J=8.3Hz,3H),7.96-7.94(d,J=7.8Hz,3H),7.64-7.62(d,J=8.3Hz,3H),
7.59-7.58(m,3H),7.49(s,3H),7.47-7.43(dd,J=7.3,7.3Hz,3H),7.33-7.31(d,J=8.8Hz,3H),7.23-7.12(m,9H),7.09-7.04(m,9H),6.71-6.63(m,9H),3.73-3.69(d,J=13.7Hz,3H),
3.33-3.30(d,J=13.7Hz,3H).
化合物（３２−１）
1H NMR(ppm):
δ8.04-8.01(d,J=8.2Hz,3H),7.97-7.94(d,J=7.9Hz,3H),7.64-7.61(m,3H),
7.58-7.55(m,3H),7.48-7.43(m,6H),7.33-7.16(d,J=8.3Hz,12H),7.09-7.05(m,3H),
6.98-6.95(d,J=7.9Hz,6H),6.54-6.51(d,J=7.9Hz,6H),3.61-3.56(d,J=13.2Hz,3H),
3.37-3.32(d,J=13.2Hz,3H),1.73(s,9H).
1H NMR(ppm):
δ8.04-8.01(d,J=8.2Hz,3H),7.97-7.94(d,J=7.9Hz,3H),7.64-7.61(m,3H),
7.58-7.55(m,3H),7.48-7.43(m,6H),7.33-7.16(d,J=8.3Hz,12H),7.09-7.05(m,3H),
6.98-6.95(d,J=7.9Hz,6H),6.54-6.51(d,J=7.9Hz,6H),3.61-3.56(d,J=13.2Hz,3H),
3.37-3.32(d,J=13.2Hz,3H),1.73(s,9H).
合成例２−１
光学活性トリスナフトールアミン配位子を有するハフニウム錯体（１１−１）の合成
光学活性トリスナフトールアミン配位子を有するハフニウム錯体（１１−１）の合成
窒素雰囲気下、化合物（１２−１）（２１５．０ｍｇ，０．１８３ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（１．８ｍＬ）に溶解させた後、ハフニウムテトラｔ−ブトキシド（７４．０μＬ，０．１８１ｍｍｏｌ）を添加し、室温にて６時間撹拌した。反応終了後、減圧下にて溶媒を留去した後、１００℃にて真空乾燥することで化合物（１１−１）２３８．０ｍｇを白色粉末状で得た（収率９２％）。得られた化合物（１１−１）の質量分析の測定結果を以下に記載する。
化合物（１１−１）
ＨＲＭＳ（ＥＳＩ）：［Ｍ］＝［Ｃ91Ｈ75ＨｆＮＯ4］
ｍ／ｚ Ｃ87Ｈ68ＨｆＮＯ4 ［Ｍ−ＯｔＢｕ＋Ｈ2Ｏ］+
計算値：１３７０．４６１４
実測値：１３７０．４６２４．
ＨＲＭＳ（ＥＳＩ）：［Ｍ］＝［Ｃ91Ｈ75ＨｆＮＯ4］
ｍ／ｚ Ｃ87Ｈ68ＨｆＮＯ4 ［Ｍ−ＯｔＢｕ＋Ｈ2Ｏ］+
計算値：１３７０．４６１４
実測値：１３７０．４６２４．
合成例２−２
光学活性トリスナフトールアミン配位子を有するハフニウム錯体（２１−１）の合成
光学活性トリスナフトールアミン配位子を有するハフニウム錯体（２１−１）の合成
窒素雰囲気下、化合物（２２−１）（１０９．２ｍｇ，０．１００ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（０．５ｍＬ）に溶解させた後、ハフニウムテトラｔ−ブトキシド（４０．４μＬ，０．０９９ｍｍｏｌ）を添加し、室温にて２時間撹拌した。反応終了後、該反応混合物を氷浴で冷却した。次に沈殿物をろ取し、氷浴で冷却したジクロロメタンにて洗浄して化合物（２１−１）１１１．０ｍｇを白色粉末状で得た（収率８３％）。得られた化合物（２１−１）の質量分析の測定結果を以下に記載する。
化合物（２１−１）
ＨＲＭＳ（ＥＳＩ）：［Ｍ］＝［Ｃ85Ｈ63ＨｆＮＯ4］
ｍ／ｚ Ｃ81Ｈ54ＨｆＮＯ3 ［Ｍ−ＯｔＢｕ］+
計算値：１２６８．３５６９
実測値：１２６８．３５８６．
ＨＲＭＳ（ＥＳＩ）：［Ｍ］＝［Ｃ85Ｈ63ＨｆＮＯ4］
ｍ／ｚ Ｃ81Ｈ54ＨｆＮＯ3 ［Ｍ−ＯｔＢｕ］+
計算値：１２６８．３５６９
実測値：１２６８．３５８６．
合成例２−３
光学活性トリスナフトールアミン配位子を有するハフニウム錯体（３１−１）の合成
光学活性トリスナフトールアミン配位子を有するハフニウム錯体（３１−１）の合成
窒素雰囲気下、化合物（３２−１）（１１３．４ｍｇ，０．１００ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（０．５ｍＬ）に溶解させた後、ハフニウムテトラｔ−ブトキシド（４０．４μ
Ｌ，０．０９９ｍｍｏｌ）を添加し、室温にて１時間撹拌した。反応終了後、該反応混合物の沈殿物をろ取し、氷浴で冷却したジクロロメタンにて洗浄して化合物（３１−１）１０８．０ｍｇを白色粉末状で得た（収率７９％）。得られた化合物（３１−１）の質量分析の測定結果を以下に記載する。
Ｌ，０．０９９ｍｍｏｌ）を添加し、室温にて１時間撹拌した。反応終了後、該反応混合物の沈殿物をろ取し、氷浴で冷却したジクロロメタンにて洗浄して化合物（３１−１）１０８．０ｍｇを白色粉末状で得た（収率７９％）。得られた化合物（３１−１）の質量分析の測定結果を以下に記載する。
化合物（３１−１）
ＨＲＭＳ（ＥＳＩ）：［Ｍ］＝［Ｃ88Ｈ69ＨｆＮＯ4］
ｍ／ｚ Ｃ84Ｈ60ＨｆＮＯ3 ［Ｍ−ＯｔＢｕ］+
計算値：１３１０．４０３９
実測値：１３１０．４０４０．
ＨＲＭＳ（ＥＳＩ）：［Ｍ］＝［Ｃ88Ｈ69ＨｆＮＯ4］
ｍ／ｚ Ｃ84Ｈ60ＨｆＮＯ3 ［Ｍ−ＯｔＢｕ］+
計算値：１３１０．４０３９
実測値：１３１０．４０４０．
合成例３−１
光学活性トリスナフトールアミン配位子を有するハフニウム錯体（１１−１）を触媒に用いた、不斉エポキシ化反応による光学活性エポキシ化合物の製造
光学活性トリスナフトールアミン配位子を有するハフニウム錯体（１１−１）を触媒に用いた、不斉エポキシ化反応による光学活性エポキシ化合物の製造
反応容器中に光学活性トリスナフトールアミン配位子を有するハフニウム錯体（１１−１）（２８．５ｍｇ，０．０２０ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気下にて、ジクロロメタン：トルエン〔１：１（体積比）〕の混合溶媒（１．０ｍＬ）に溶解させた後、無水硫酸マグネシウム（５０ｍｇ）と１，２−ジヒドロナフタレン（６１）（５２．２μＬ，０．４００ｍｍｏｌ）を添加し、該反応容器を−１０℃の恒温槽に設置した。次に該反応混合物に尿素―過酸化水素付加体（ＵＨＰ）（４５．２ｍｇ，０．４８ｍｍｏｌ）を添加し、同温度で７２時間撹拌した。撹拌終了後、該反応混合物から一部サンプリングし、1Ｈ ＮＭＲ（
４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）により、８０％の転化率で目的生成物（６２−１）が得られ
ていることを確認した。さらに該反応混合物から一部サンプリングし、ペンタン：ジエチルエーテル〔１：０〜２０：１〕にて溶出するシリカゲルクロマトグラフィーにて精製を行なった後に、キラルカラム（カラム名：ＤＡＩＣＥＬ ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＢ−Ｈ）を搭載したＨＰＬＣにより、目的生成物（６２−１）の鏡像異性体過剰率が８６％ｅｅであることを決定した。ＨＰＬＣとは高速液体クロマトマトグラフィーである。
４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）により、８０％の転化率で目的生成物（６２−１）が得られ
ていることを確認した。さらに該反応混合物から一部サンプリングし、ペンタン：ジエチルエーテル〔１：０〜２０：１〕にて溶出するシリカゲルクロマトグラフィーにて精製を行なった後に、キラルカラム（カラム名：ＤＡＩＣＥＬ ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＢ−Ｈ）を搭載したＨＰＬＣにより、目的生成物（６２−１）の鏡像異性体過剰率が８６％ｅｅであることを決定した。ＨＰＬＣとは高速液体クロマトマトグラフィーである。
ＨＰＬＣ条件：
溶離液： ヘキサン：２−プロパノール＝９９：１（体積比）
流速：１．０ｍＬ／分，カラム温度：３０℃
溶離液： ヘキサン：２−プロパノール＝９９：１（体積比）
流速：１．０ｍＬ／分，カラム温度：３０℃
絶対立体配置については、非特許論文、Ｓｙｎｌｅｔｔ．２００７年，２４４５頁を参照して、ＨＰＬＣの溶出順にて（１Ｓ，２Ｓ）と決定した。
合成例３−２から合成例３−４
光学活性トリスナフトールアミン配位子を有するハフニウム錯体（１１−１）を触媒に用いた、不斉エポキシ化反応による各種光学活性エポキシ化合物の製造
光学活性トリスナフトールアミン配位子を有するハフニウム錯体（１１−１）を触媒に用いた、不斉エポキシ化反応による各種光学活性エポキシ化合物の製造
各種光学活性エポキシ化合物の製造を実施した。出発原料の不飽和化合物及び分析条件を変更した以外は、合成例３−１と同じ反応条件で実施した。使用した不飽和化合物（Ａ）について、Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg及びＲhと化合物番号を表３に表す。表
中の「Ｈ」は水素原子を、「Ｃｌ」は塩素原子を、「Ｑ」は（Ｅ）−プロパ−１−エン−１−イル基を表す。
中の「Ｈ」は水素原子を、「Ｃｌ」は塩素原子を、「Ｑ」は（Ｅ）−プロパ−１−エン−１−イル基を表す。
不斉エポキシ化反応の結果を表４に記載する。
得られた光学活性エポキシ化合物の分析条件をそれぞれ記載する。
（１ａＲ，８ｂＳ）−１ａ，３，４，８ｂ−テトラヒドロ−２Ｈ−ベンゾ［３，４］シクロヘプタ［１，２−ｂ］オキシレン（６４−１）
鏡像異性体過剰率はキラルカラム（カラム名：ＤＡＩＣＥＬ ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ ＡＳ−Ｈ）を搭載したＨＰＬＣにて決定した。
ＨＰＬＣ条件：
溶離液： ヘキサン：２−プロパノール＝９９．９：０．１（体積比）
流速：０．８０ｍＬ／分，カラム温度：３０℃
絶対立体配置については、非特許論文、Ｓｙｎｌｅｔｔ．２００７年，２４４５頁を参照して、ＨＰＬＣの溶出順にて（１ａＲ，８ｂＳ）と決定した。
鏡像異性体過剰率はキラルカラム（カラム名：ＤＡＩＣＥＬ ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ ＡＳ−Ｈ）を搭載したＨＰＬＣにて決定した。
ＨＰＬＣ条件：
溶離液： ヘキサン：２−プロパノール＝９９．９：０．１（体積比）
流速：０．８０ｍＬ／分，カラム温度：３０℃
絶対立体配置については、非特許論文、Ｓｙｎｌｅｔｔ．２００７年，２４４５頁を参照して、ＨＰＬＣの溶出順にて（１ａＲ，８ｂＳ）と決定した。
（Ｓ）−２−（４−クロロフェニル）オキシラン（６６−１）
鏡像異性体過剰率はキラルカラム（カラム名：ＤＡＩＣＥＬ ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ ＡＳ−Ｈ）を搭載したＨＰＬＣにて決定した。
ＨＰＬＣ条件：
溶離液： ヘキサン：２−プロパノール＝９９．９：０．１（体積比）
流速：１．０ｍＬ／分，カラム温度：３０℃
鏡像異性体過剰率はキラルカラム（カラム名：ＤＡＩＣＥＬ ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ ＡＳ−Ｈ）を搭載したＨＰＬＣにて決定した。
ＨＰＬＣ条件：
溶離液： ヘキサン：２−プロパノール＝９９．９：０．１（体積比）
流速：１．０ｍＬ／分，カラム温度：３０℃
（１ａＲ*，７ｂＳ*）−６−（（Ｅ）−プロパ−１−エニル）−１ａ，２，３，７ｂ−テトラヒドロナフト［２，１−ｂ］オキシレン（６８−１）
絶対配置については、決定していない。化合物の表記*は、相対配置を意味する。
鏡像異性体過剰率はキラルカラム（カラム名：ＤＡＩＣＥＬ ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＤ−Ｈ）を搭載したＨＰＬＣにて決定した。
ＨＰＬＣ条件：
溶離液： ヘキサン：２−プロパノール＝９９．９：０．１（体積比）
流速：０．８０ｍＬ／分，カラム温度：室温
絶対配置については、決定していない。化合物の表記*は、相対配置を意味する。
鏡像異性体過剰率はキラルカラム（カラム名：ＤＡＩＣＥＬ ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＤ−Ｈ）を搭載したＨＰＬＣにて決定した。
ＨＰＬＣ条件：
溶離液： ヘキサン：２−プロパノール＝９９．９：０．１（体積比）
流速：０．８０ｍＬ／分，カラム温度：室温
合成例３−５
光学活性トリスナフトールアミン配位子を有するハフニウム錯体（１１−１）を触媒に用いた、不斉エポキシ化反応による光学活性エポキシ化合物の製造
光学活性トリスナフトールアミン配位子を有するハフニウム錯体（１１−１）を触媒に用いた、不斉エポキシ化反応による光学活性エポキシ化合物の製造
反応容器中に光学活性トリスナフトールアミン配位子を有するハフニウム錯体（１１−１）（１４．３ｍｇ，０．０１０ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気下にて、ジクロロメタン（１．０ｍＬ）に溶解させた後、無水硫酸マグネシウム（５０ｍｇ）と１，２−ジヒドロ−６−メトキシナフタレン（６９）（６１．４μＬ，０．４００ｍｍｏｌ）を添加し、該反応容器を−１０℃の恒温槽に設置した。次に該反応混合物に尿素―過酸化水素付加体（ＵＨＰ）（７５．３ｍｇ，０．８０ｍｍｏｌ）を添加し、同温度で２４時間撹拌した。撹拌終了後、該反応混合物から一部サンプリングし、1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）により、８５％の転化率で目的生成物（７０−１）が得られていることを確認した。さらに該反応混合物から一部サンプリングし、ペンタン：ジエチルエーテル〔１：０〜２０：１〕にて溶出するシリカゲルクロマトグラフィーにて精製を行なった後に、キラルカラム（カラム名：ＤＡＩＣＥＬ ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＡＤ−Ｈ）を搭載したＨＰＬＣにより、目的生成物（６２−１）の鏡像異性体過剰率が８３％ｅｅであることを決定した。ＨＰＬＣとは高速液体クロマトマトグラフィーである。絶対配置については、決定していない。化合物（７０−１）の表記は、相対配置を意味する。
ＨＰＬＣ条件：
溶離液： ヘキサン：２−プロパノール＝９９：１（体積比）
流速：０．５ｍＬ／分，カラム温度：室温
溶離液： ヘキサン：２−プロパノール＝９９：１（体積比）
流速：０．５ｍＬ／分，カラム温度：室温
合成例３−６から合成例３−７
光学活性トリスナフトールアミン配位子を有するハフニウム錯体（１１−１）を触媒に用いた、不斉エポキシ化反応による各種光学活性エポキシ化合物の製造
光学活性トリスナフトールアミン配位子を有するハフニウム錯体（１１−１）を触媒に用いた、不斉エポキシ化反応による各種光学活性エポキシ化合物の製造
各種光学活性エポキシ化合物の製造を実施した。出発原料の不飽和化合物及び分析条件を変更した以外は、合成例３−１と同じ反応条件で実施した。使用した不飽和化合物（Ａ
）について、Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg及びＲhと化合物番号を表８に表す。表中の「Ｈ」は水素原子を、「Ｂｒ」は臭素原子を、「Ｍｅ」はメチル基を表す。
）について、Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg及びＲhと化合物番号を表８に表す。表中の「Ｈ」は水素原子を、「Ｂｒ」は臭素原子を、「Ｍｅ」はメチル基を表す。
不斉エポキシ化反応の結果を表６に記載する。
得られた光学活性エポキシ化合物の分析条件をそれぞれ記載する。
（１ａＲ*，７ｂＳ*）−６−ブロモ−１ａ，２，３，７ｂ−テトラヒドロナフト［２，１−ｂ］オキシレン（７２−１）
絶対配置については、決定していない。化合物の表記*は、相対配置を意味する。
鏡像異性体過剰率はキラルカラム（カラム名：ＤＡＩＣＥＬ ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＤ−Ｈ）を搭載したＨＰＬＣにて決定した。
ＨＰＬＣ条件：
溶離液： ヘキサン：２−プロパノール＝９９．９：０．１（体積比）
流速：０．５ｍＬ／分，カラム温度：室温
絶対配置については、決定していない。化合物の表記*は、相対配置を意味する。
鏡像異性体過剰率はキラルカラム（カラム名：ＤＡＩＣＥＬ ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＤ−Ｈ）を搭載したＨＰＬＣにて決定した。
ＨＰＬＣ条件：
溶離液： ヘキサン：２−プロパノール＝９９．９：０．１（体積比）
流速：０．５ｍＬ／分，カラム温度：室温
（２Ｒ*，３Ｓ*）−２−メチル−３−フェニルオキシラン（７４−１）
絶対配置については、決定していない。化合物の表記*は、相対配置を意味する。
鏡像異性体過剰率はキラルカラムＣＨＩＲＡＬＤＥＸ Ｂ−ＤＭ（Ａｓｔｅｃ社製）を装着したガスクロマトグラフィーにて決定した。
カラム条件：
１００℃
絶対配置については、決定していない。化合物の表記*は、相対配置を意味する。
鏡像異性体過剰率はキラルカラムＣＨＩＲＡＬＤＥＸ Ｂ−ＤＭ（Ａｓｔｅｃ社製）を装着したガスクロマトグラフィーにて決定した。
カラム条件：
１００℃
［参考例］
参考例１
化合物（１３−１）の製造
参考例１
化合物（１３−１）の製造
反応容器中に、化合物（１５−１）（２．５１ｇ，６．２４ｍｍｏｌ）を、窒素雰囲気下にて、アセトニトリル（３５ｍＬ）に溶解させた後、該反応混合物を炭酸カリウム（１．０３ｇ，７．４５ｍｍｏｌ）及びアリルブロミド（６３５μＬ，７．３４ｍｍｏｌ）を添加し、還流温度で６時間撹拌した。該反応混合物を室温に戻して、１ｍｏｌ／Ｌの塩酸を添加して反応を停止させた。酢酸エチルを添加し、分液して有機層を抽出した。得られた有機層を、水及び食塩水にて洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下にて溶媒を留去し、目的化合物（１４−１）を得た。得られた化合物をこれ以上の精製を実施せずに次の反応を実施した。
反応容器中に、化合物（１４−１）を窒素雰囲気下にて、テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）に溶解させた後、酢酸アンモニウム（１６０ｍｇ，２．０８ｍｍｏｌ）を添加した。該反応混合物を室温で３０分撹拌した後、水素化トリアセトキシホウ素ナトリウム（１．９８ｇ，９．３４ｍｍｏｌ）を添加し、室温で１１時間撹拌を継続した。撹拌終了後、該反応混合物に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を添加して反応を停止させた。酢酸エチルを添加し、分液して有機層を抽出した。得られた有機層を、水及び食塩水にて洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下にて溶媒を留去した。得られた粗生成物をヘキサン：酢酸エチル〔２０：１〕にて溶出するシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、目的化合物（１３−１）１．５７ｇを得た（収率５８％，２ステップ）。得られた化合物（１３−１）の1Ｈ ＮＭＲを以下に記載する。
化合物（１３−１）
1H NMR(ppm):
δ7.98-7.93(m,6H),7.83-7.80(d,J=8.3Hz,3H),7.60-7.58(d,J=8.3Hz,3H),7.53(s,3H),
7.48-7.27(m,18H),6.58(s,6H),6.16(s,3H),5.34-5.25(m,3H),4.76-4.71(m,6H),
3.76-3.72(m,3H),3.44-3.40(m,3H),3.09-3.06(d,J=12.7Hz,3H),
2.70-2.67(d,J=12.7Hz,3H),1.72(s,18H).
1H NMR(ppm):
δ7.98-7.93(m,6H),7.83-7.80(d,J=8.3Hz,3H),7.60-7.58(d,J=8.3Hz,3H),7.53(s,3H),
7.48-7.27(m,18H),6.58(s,6H),6.16(s,3H),5.34-5.25(m,3H),4.76-4.71(m,6H),
3.76-3.72(m,3H),3.44-3.40(m,3H),3.09-3.06(d,J=12.7Hz,3H),
2.70-2.67(d,J=12.7Hz,3H),1.72(s,18H).
参考例２
化合物（２３−１）の製造
化合物（２３−１）の製造
反応容器中に、化合物（２５−１）（１．８７ｇ，４．９９ｍｍｏｌ）を、窒素雰囲気下にて、アセトニトリル（２０ｍＬ）に溶解させた後、該反応混合物を炭酸カリウム（０．８３０ｇ，６．０１ｍｍｏｌ）及びアリルブロミド（５１０μＬ，５．８９ｍｍｏｌ）を添加し、還流温度で４時間撹拌した。該反応混合物を室温に戻して、１ｍｏｌ／Ｌの塩酸を添加して反応を停止させた。酢酸エチルを添加し、分液して有機層を抽出した。得られた有機層を、水及び食塩水にて洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下にて溶媒を留去し、目的化合物（２４−１）を得た。得られた化合物をこれ以上の精製を実施せずに次の反応を実施した。
反応容器中に、化合物（２４−１）を窒素雰囲気下にて、テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）に溶解させた後、酢酸アンモニウム（１２８ｍｇ，１．６６ｍｍｏｌ）を添加した。該反応混合物を室温で２０分撹拌した後、水素化トリアセトキシホウ素ナトリウム（１．６０ｇ，７．５５ｍｍｏｌ）を添加し、室温で１７時間撹拌を継続した。撹拌終了後、該反応混合物に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を添加して反応を停止させた。酢酸エチルを添加し、分液して有機層を抽出した。得られた有機層を、水及び食塩水にて洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下にて溶媒を留去した。得られた粗生成物をヘキサン：酢酸エチル〔２０：１〕にて溶出するシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、目的化合物（２３−１）１．７０ｇを得た（収率８４％，２ステップ）。得られた化合物（２３−１）の1Ｈ ＮＭＲを以下に記載する。
化合物（２３−１）
1H NMR(ppm):
δ8.02-8.00(d,J=8.3Hz,3H),7.97-7.95(d,J=8.3Hz,3H),7.80-7.79(m,6H),
7.64-7.62(d,J=8.3Hz,3H),7.49-7.45(dd,J=7.3,7.3Hz,3H),7.40-7.23(m,15H),
7.02-7.00(d,J=7.8Hz,6H),6.78-6.74(dd,J=7.8,7.8Hz,6H),
6.52-6.48(dd,J=7.8,7.8Hz,3H),5.36-5.26(m,3H),4.76-4.73(dd,J=1.5,10.2Hz,3H),
4.70-4.66(dd,J=1.5,16.6Hz,3H),3.83-3.78(dd,J=5.4,12.7Hz,3H),
3.55-3.51(dd,J=5.4,12.7Hz,3H),3.23-3.20(d,J=13.7Hz,3H),
3.06-3.03(d,J=13.7Hz,3H).
1H NMR(ppm):
δ8.02-8.00(d,J=8.3Hz,3H),7.97-7.95(d,J=8.3Hz,3H),7.80-7.79(m,6H),
7.64-7.62(d,J=8.3Hz,3H),7.49-7.45(dd,J=7.3,7.3Hz,3H),7.40-7.23(m,15H),
7.02-7.00(d,J=7.8Hz,6H),6.78-6.74(dd,J=7.8,7.8Hz,6H),
6.52-6.48(dd,J=7.8,7.8Hz,3H),5.36-5.26(m,3H),4.76-4.73(dd,J=1.5,10.2Hz,3H),
4.70-4.66(dd,J=1.5,16.6Hz,3H),3.83-3.78(dd,J=5.4,12.7Hz,3H),
3.55-3.51(dd,J=5.4,12.7Hz,3H),3.23-3.20(d,J=13.7Hz,3H),
3.06-3.03(d,J=13.7Hz,3H).
参考例３
化合物（３３−１）の製造
化合物（３３−１）の製造
反応容器中に、化合物（３５−１）（１．７３ｇ，４．４５ｍｍｏｌ）を、窒素雰囲気下にて、アセトニトリル（２０ｍＬ）に溶解させた後、該反応混合物を炭酸カリウム（０．７３５ｇ，５．３２ｍｍｏｌ）及びアリルブロミド（４５０μＬ，５．３２ｍｍｏｌ）を添加し、還流温度で４時間撹拌した。該反応混合物を室温に戻して、１ｍｏｌ／Ｌの塩酸を添加して反応を停止させた。酢酸エチルを添加し、分液して有機層を抽出した。得られた有機層を、水及び食塩水にて洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下にて溶媒を留去し、目的化合物（３４−１）を得た。得られた化合物をこれ以上の精製を実施せずに次の反応を実施した。
反応容器中に、化合物（３４−１）を窒素雰囲気下にて、テトラヒドロフラン（１０ｍＬ）に溶解させた後、酢酸アンモニウム（１１４ｍｇ，１．４８ｍｍｏｌ）を添加した。該反応混合物を室温で３０分撹拌した後、水素化トリアセトキシホウ素ナトリウム（１．４１ｇ，６．６５ｍｍｏｌ）を添加し、室温で１７時間撹拌を継続した。撹拌終了後、該反応混合物に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を添加して反応を停止させた。酢酸エチルを添加し、分液して有機層を抽出した。得られた有機層を、水及び食塩水にて洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下にて溶媒を留去した。得られた粗生成物をヘキサン：酢酸エチル〔２０：１〜９：１〕にて溶出するシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、目的化合物（３３−１）１．１８ｇを得た（収率６３％，２ステップ）。得られた化合物（３３−１）の1Ｈ ＮＭＲを以下に記載する。
化合物（３３−１）
1H NMR(ppm):
δ8.00-7.93(m,6H),7.83-7.80(d,J=7.9Hz,3H),7.62-7.58(m,6H),7.48-7.22(m,18H),
6.91-6.88(d,J=7.9Hz,6H),6.58-6.55(d,J=7.9Hz,6H),5.41-5.27(m,3H),4.77-4.71(m,6H),3.82-3.75(dd,J=5.3,12.2Hz,3H),3.53-3.47(dd,J=5.0,12.2Hz,3H),
3.11-3.06(d,J=13.2Hz,3H),2.83-2.78(d,J=13.2Hz,3H),1.45(s,9H).
1H NMR(ppm):
δ8.00-7.93(m,6H),7.83-7.80(d,J=7.9Hz,3H),7.62-7.58(m,6H),7.48-7.22(m,18H),
6.91-6.88(d,J=7.9Hz,6H),6.58-6.55(d,J=7.9Hz,6H),5.41-5.27(m,3H),4.77-4.71(m,6H),3.82-3.75(dd,J=5.3,12.2Hz,3H),3.53-3.47(dd,J=5.0,12.2Hz,3H),
3.11-3.06(d,J=13.2Hz,3H),2.83-2.78(d,J=13.2Hz,3H),1.45(s,9H).
本発明により、プロペラ型不斉を有する新規な光学活性触媒を使用し、不斉エポキシ化反応を行なうことにより、高いエナンチオ選択性で光学活性エポキシ化合物を製造できる。
Claims (16)
- 光学活性エポキシ化合物の製造方法であって、脱水剤の存在下、酸化剤と分子内に二重結合を有する不飽和化合物を反応させる工程を含み、該工程において
式（１）：
Ｚは各々独立して、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を表し、
Ｔ1は、ヒドロキシ基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ置換−（Ｃ1〜Ｃ4）アルコキシ基を表し、
ｐ１は、１乃至３の整数を表す。］
で表される光学活性ハフニウム錯体を触媒として使用することを特徴とする、製造方法。 - 式（１）で表される光学活性ハフニウム錯体が、式（１２−１）又は式（１２−２）：
ハフニウム錯体である、請求項１に記載の光学活性エポキシ化合物の製造方法。 - Ａｒは、フェニル基又は（Ｚ）p1で置換されたフェニル基を表し、
Ｚは、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基を表し、
Ｔ1は、ヒドロキシ基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を表し、
ｐ１は、１乃至２の整数を表す、請求項１又は請求項２に記載の光学活性エポキシ化合物の製造方法。 - 光学活性エポキシ化合物の製造方法であって、脱水剤の存在下、酸化剤と分子内に二重結合を有する不飽和化合物を反応させる工程を含み、該工程において
式（２）：
Ｚ’は各々独立して、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル基又はＣ1〜Ｃ4アル
コキシ基を表し、
ｐ２は、１乃至３の整数を表す。］で表されるトリスナフトールアミン配位子と、ハフニウムテトラｔ−ブトキシドを塩化メチレン中で反応させることによって得られる光学活性ハフニウム錯体を、触媒として使用することを特徴とする、製造方法。 - Ａｒ’は、フェニル基又は（Ｚ’）p2で置換されたフェニル基を表し、
Ｚ’は、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基を表し、
ｐ２は、１乃至２の整数を表す、請求項４に記載の光学活性エポキシ化合物の製造方法。 - 酸化剤として、尿素―過酸化水素付加体を用いる、請求項１乃至請求項５のうち何れか一項に記載の光学活性エポキシ化合物の製造方法。
- 脱水剤として、硫酸マグネシウムを用いる、請求項１乃至請求項６のうち何れか一項に記載の光学活性エポキシ化合物の製造方法。
- 分子内に二重結合を有する不飽和化合物が、式（Ａ）：
Ｒeは、水素原子を表し、
Ｒfは、水素原子又はＣ1〜Ｃ6アルキル基を表し、
あるいは、ＲeとＲfとが互いに一緒になって、メチレン基、エチレン基又はトリメチレン基を形成してもよく、
Ｒgは、水素原子又はＣ1〜Ｃ6アルキル基を表し、
Ｒhは、水素原子を表す。］で表される不飽和化合物であり、得られる光学活性エポキ
シ化合物が式（Ｂ）：
で表される光学活性エポキシ化合物である、請求項１乃至請求項７のうち何れか一項に記載の光学活性エポキシ化合物の製造方法。 - 式（１）：
Ｚは各々独立して、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を表し、
Ｔ1は、ヒドロキシ基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ置換−（Ｃ1〜Ｃ4）アルコキシ基を表し、
ｐ１は、１乃至３の整数を表す。］で表される光学活性ハフニウム錯体。 - 式（１２−１）又は式（１２−２）：
９に記載の式（１）で表される光学活性ハフニウム錯体。 - Ａｒは、フェニル基又は（Ｚ）p1で置換されたフェニル基を表し、
Ｚは、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基を表し、
Ｔ1は、ヒドロキシ基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を表し、
ｐ１は、１乃至２の整数を表す、請求項９又は請求項１０に記載の光学活性ハフニウム錯体。 - 式（２）：
Ｚ’は各々独立して、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を表し、
ｐ２は、１乃至３の整数を表す。］で表される光学活性トリスナフトールアミン配位子。 - 式（２２−１）又は式（２２−２）：
- Ａｒ’は、フェニル基又は（Ｚ’）p2で置換されたフェニル基を表し、
Ｚ’は、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基を表し、
ｐ２は、１乃至２の整数を表す、請求項１２又は請求項１３に記載の光学活性トリスナフトールアミン配位子。 - 式（２）：
Ｚ’は各々独立して、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基、Ｃ1〜Ｃ6ハロアルキル基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を表し、
ｐ２は、１乃至３の整数を表す。］で表されるトリスナフトールアミン配位子と、ハフニウムテトラｔ−ブトキシドを塩化メチレン中で反応させることによって得られる、光学活性ハフニウム錯体。 - Ａｒ’は、フェニル基又は（Ｚ’）p2で置換されたフェニル基を表し、
Ｚ’は、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基を表し、
ｐ２は、１乃至２の整数を表す、請求項１５に記載の光学活性ハフニウム錯体。
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| CN111233913A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-06-05 | 中国科学院上海有机化学研究所 | 一种制备区分和识别对映异构体的含氟试剂 |
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| WO2007105658A1 (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 光学活性クロメンオキシド化合物の製造方法 |
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