JP2013040369A - イオン注入法及び磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
イオン注入法及び磁気記録媒体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013040369A JP2013040369A JP2011177439A JP2011177439A JP2013040369A JP 2013040369 A JP2013040369 A JP 2013040369A JP 2011177439 A JP2011177439 A JP 2011177439A JP 2011177439 A JP2011177439 A JP 2011177439A JP 2013040369 A JP2013040369 A JP 2013040369A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion implantation
- ions
- processing gas
- active species
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明は、XmYn(式中、X及びYのいずれか一方を水素原子とし、いずれか他方を質量数が11〜40の原子とし、水素原子の数を1〜6、他方の原子の数を1〜2とする)で表される分子の中から選択される少なくとも1種を含む処理ガスを用い、この処理ガスを減圧下で導入してプラズマを形成し、プラズマ中で電離したイオンを引き出し、引き出したイオンを加速して処理対象物W内に注入するイオン注入法であって、処理ガスの分圧、イオンの注入エネルギ及びイオンの注入ドーズ量の少なくとも1つを制御して、処理対象物W表面に堆積する活性種の堆積速度よりも、加速したイオンによる活性種のエッチング速度を遅くする。
【選択図】図1
Description
Claims (6)
- XmYn(式中、X及びYのいずれか一方を水素原子とし、いずれか他方を質量数が11〜40の原子とし、水素原子の数を1〜6、他方の原子の数を1〜2とする)で表される分子の中から選択される少なくとも1種を含む処理ガスを用い、この処理ガスを減圧下で導入してプラズマを形成し、プラズマ中で電離したイオンを引き出し、引き出したイオンを加速して処理対象物内に注入するイオン注入法であって、
イオン注入中、処理ガスの分圧、イオンの注入エネルギ及びイオンの注入ドーズ量の少なくとも1つを制御して、処理対象物表面に堆積する活性種の堆積速度よりも、引き出したイオンによる処理対象物表面に堆積した活性種のエッチング速度を遅くすることを特徴とするイオン注入法。 - 前記処理ガスとして、CH4、PH3及びC2H2の少なくとも1種を含むものを用いることを特徴とする請求項1記載のイオン注入法。
- 請求項1又は2記載のイオン注入法であって、前記処理ガスの分圧を制御して、前記活性種の堆積速度よりもエッチング速度を遅くするものにおいて、
前記処理ガスの分圧を1×10−5〜1Paの範囲内に制御することを特徴とするイオン注入法。 - 請求項1又は2記載のイオン注入法であって、前記イオンの注入エネルギを制御して、前記活性種の堆積速度よりもエッチング速度を遅くするものにおいて、
前記イオンの注入エネルギを0.01〜50keVの範囲内に制御することを特徴とするイオン注入法。 - 処理すべき基板表面に磁性膜を形成する磁性膜形成工程と、
磁性膜表面に、所定の保護領域を形成するマスク形成工程と、
XmYn(式中、X及びYのいずれか一方を水素原子とし、いずれか他方を質量数が11〜40の原子とし、水素原子の数を1〜6、他方の原子の数を1〜2とする)で表される分子の中から選択される少なくとも1種を含む処理ガスを用い、この処理ガスを減圧下で導入してプラズマを形成し、プラズマ中で電離したイオンを引き出し、引き出したイオンを加速して基板に照射するイオン注入工程と、を備え、
イオン注入工程での処理ガスの分圧、イオンの注入エネルギ及びイオンの注入ドーズ量の少なくとも1つを制御して、処理対象物表面に堆積する活性種の堆積速度よりも、引き出したイオンによる処理対象物表面に堆積した活性種のエッチング速度を遅くすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 前記処理ガスとして、CH4、PH3及びC2H2の少なくとも1種を含むものを用いることを特徴とする請求項5記載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011177439A JP5794858B2 (ja) | 2011-08-15 | 2011-08-15 | イオン注入法及び磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011177439A JP5794858B2 (ja) | 2011-08-15 | 2011-08-15 | イオン注入法及び磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013040369A true JP2013040369A (ja) | 2013-02-28 |
JP5794858B2 JP5794858B2 (ja) | 2015-10-14 |
Family
ID=47889022
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011177439A Active JP5794858B2 (ja) | 2011-08-15 | 2011-08-15 | イオン注入法及び磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5794858B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015142284A1 (en) * | 2014-03-19 | 2015-09-24 | National University Of Singapore | A method of fabricating a bit-patterned medium |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100261040A1 (en) * | 2009-04-13 | 2010-10-14 | Applied Materials, Inc. | Modification of magnetic properties of films using ion and neutral beam implantation |
JP2012505550A (ja) * | 2008-10-08 | 2012-03-01 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 分子イオンのイオン注入技術 |
JP2012079379A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
JP2012512327A (ja) * | 2008-12-18 | 2012-05-31 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 低いエネルギーを有している粒子によって絶縁層を形成する方法 |
-
2011
- 2011-08-15 JP JP2011177439A patent/JP5794858B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012505550A (ja) * | 2008-10-08 | 2012-03-01 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 分子イオンのイオン注入技術 |
JP2012512327A (ja) * | 2008-12-18 | 2012-05-31 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 低いエネルギーを有している粒子によって絶縁層を形成する方法 |
US20100261040A1 (en) * | 2009-04-13 | 2010-10-14 | Applied Materials, Inc. | Modification of magnetic properties of films using ion and neutral beam implantation |
JP2012079379A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015142284A1 (en) * | 2014-03-19 | 2015-09-24 | National University Of Singapore | A method of fabricating a bit-patterned medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5794858B2 (ja) | 2015-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI564941B (zh) | 用於圖案化之磁碟媒體應用的電漿離子佈植製程 | |
TWI567848B (zh) | Hdd圖案佈植系統 | |
JP5380464B2 (ja) | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および被処理基板を備える素子の製造方法 | |
US20180274100A1 (en) | Alternating between deposition and treatment of diamond-like carbon | |
CN103035513B (zh) | 无定形碳膜的形成方法 | |
JP4344019B2 (ja) | イオン化スパッタ方法 | |
EP3086356B1 (en) | Method for etching organic film | |
US8673162B2 (en) | Methods for substrate surface planarization during magnetic patterning by plasma immersion ion implantation | |
US20180277340A1 (en) | Plasma reactor with electron beam of secondary electrons | |
US6909087B2 (en) | Method of processing a surface of a workpiece | |
WO2011056433A2 (en) | Temperature control of a substrate during a plasma ion implantation process for patterned disc media applications | |
US20120111722A1 (en) | Film-forming apparatus | |
KR101721020B1 (ko) | 자기 저항 효과 소자의 제조 방법 | |
US8053747B2 (en) | Substrate processing apparatus and cleaning method of the same | |
US8536539B2 (en) | Ion beam generator, and substrate processing apparatus and production method of electronic device using the ion beam generator | |
JP5794858B2 (ja) | イオン注入法及び磁気記録媒体の製造方法 | |
US9111566B2 (en) | Carbon film forming method, magnetic-recording-medium manufacturing method, and carbon film forming apparatus | |
JP5892684B2 (ja) | イオン注入法及び磁気記録媒体の製造方法 | |
JP3970600B2 (ja) | エッチング方法 | |
WO2004079045A1 (ja) | 磁性材のドライエッチング方法、磁性材及び磁気記録媒体 | |
CN108231575B (zh) | 蚀刻方法 | |
JP5824192B1 (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法および製造システム | |
JP5318109B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP5605941B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP2002043277A (ja) | 半導体装置の製造方法、及びそれに用いるプラズマエッチング装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140613 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150217 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150420 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150804 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150811 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5794858 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |