JP2013039639A - Plate-like body polishing device and polishing system - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、板状体研磨装置及び研磨システムに関する。 The present invention relates to a plate-like body polishing apparatus and a polishing system.
液晶ディスプレイ等に使用されるFPD(Flat Panel Display)用のガラス基板は、フロート法と称されるガラス製法により溶融ガラスを板状に成形し、これを特許文献1等に開示された連続式の研磨装置によって、表面の微小な凹凸やうねりを研磨除去することにより、FPD用のガラス基板として要求される平坦度を満足した薄板に製造される。
A glass substrate for an FPD (Flat Panel Display) used for a liquid crystal display or the like is formed by forming a molten glass into a plate shape by a glass manufacturing method called a float method, and this is a continuous type disclosed in
特許文献1のような研磨装置は、研磨材を分散剤で分散させたスラリーを用いてガラス基板の表面(以下、被研磨面という)を研磨している。スラリーは、研磨パッドの中央部に設けられたスラリー供給孔から、研磨パッドの研磨面とガラス基板の被研磨面との間に供給される。研磨パッドの研磨面とガラス基板の被研磨面との間に供給されたスラリーの量が研磨面で不均一になると、研磨されたガラス基板の被研磨面の平坦度が悪化する。したがって、供給されたスラリーは、研磨面に均一に行き渡る必要がある。
A polishing apparatus such as
本出願人は、供給されたスラリーをガラス基板の被研磨面に均一に行き渡らせるため、研磨面の中央にスラリー供給孔を備え、研磨面が中心から外側に向かって形成された複数の溝により放射状に分割されている研磨パッドを特願2010−111116号において提案している。 In order to distribute the supplied slurry uniformly on the surface to be polished of the glass substrate, the applicant has a slurry supply hole in the center of the polishing surface, and the polishing surface is formed by a plurality of grooves formed from the center toward the outside. Japanese Patent Application No. 2010-11111 proposes a polishing pad that is radially divided.
また、例えば特許文献2に記載された研磨装置は、その研磨パッドが、基板と対向する面に平面度の高い研磨面を有し、研磨面には前後方向に略等間隔で溝が多数形成され、研磨加工の際に研磨剤の拡散を促進させており、さらに研磨パッドの内部には上下貫通して基板と対向する研磨剤供給孔及び研磨剤排出孔が研磨面の略全面に交互に並んで複数形成されている。 Further, for example, in the polishing apparatus described in Patent Document 2, the polishing pad has a highly flat polishing surface on the surface facing the substrate, and the polishing surface has many grooves formed at substantially equal intervals in the front-rear direction. In the polishing process, the diffusion of the polishing agent is promoted, and the polishing agent supply hole and the polishing agent discharge hole that penetrate vertically through the polishing pad and face the substrate are alternately arranged on almost the entire polishing surface. A plurality are formed side by side.
しかしながら、従来のように、研磨パッドの中央部に供給されたスラリーを、研磨パッドの研磨面に形成した溝によって研磨パッドの外側まで流して排出する方法では、スラリーの流量を増やすには限界があり、スラリーの流量を制御して中央付近の研磨量を確保することが困難であった。 However, in the conventional method in which the slurry supplied to the central portion of the polishing pad is discharged to the outside of the polishing pad by a groove formed on the polishing surface of the polishing pad, there is a limit to increasing the flow rate of the slurry. In addition, it was difficult to secure the polishing amount near the center by controlling the flow rate of the slurry.
例えば特許文献1のような研磨装置では、上述したように研磨材を分散剤で分散させたスラリーを用いてガラス基板の被研磨面を研磨している。このとき一辺1000mm以上のガラス基板を研磨する場合、ガラス基板の被研磨面全面にスラリーを行き渡らせるために、スラリー供給量を多くする必要がある。しかし、研磨パッドの研磨面に形成された溝によってガラス基板の中央部から周縁部に供給されるスラリー量以上に、研磨パッドの供給孔から供給されるスラリー量が多くなる。すなわち、図10に示すように、キャリアの膜体310に貼着されたガラス基板Gの被研磨面を、研磨パッド320の中央に設けられたスラリー供給孔330からスラリーSを供給しながら研磨パッド320で研磨していると、ガラス基板Gの中央部ZにスラリーSが溜まってしまう。その結果、ガラス基板Gの中央部Zが研磨パッド320から離れ、ガラス基板Gの中央部Zは研磨され難くなり、研磨不足が生じてしまうという問題がある。
For example, in a polishing apparatus such as
また、上記特許文献2に記載のものでは、研磨時、スラリーは研磨パッドの全面で吸引されガラス基板外に排出されるが、さらにスラリー吸引孔を設けると、ガラス基板の被研磨面の周縁部に供給されるスラリー量が少なくなり、研磨傷などが発生しやすくなる。また、スラリーを吸引する吸引ポンプの容量も限られているため、吸引ポンプを増やす必要がある。すると、スラリーの供給及び吸引の配管経路が複雑になり、コスト及びメンテナンスが増加する。また、スラリー供給及び吸引の制御が面倒になり、特に研磨対象物であるガラス基板が大きくなればなるほど、その調整が複雑になるという問題がある。 Moreover, in the thing of the said patent document 2, at the time of grinding | polishing, although slurry is attracted | sucked on the whole surface of a polishing pad and discharged | emitted out of a glass substrate, if a slurry suction hole is further provided, the peripheral part of the surface to be polished of a glass substrate The amount of slurry supplied to the surface is reduced, and polishing scratches and the like are likely to occur. Further, since the capacity of the suction pump for sucking the slurry is limited, it is necessary to increase the number of suction pumps. This complicates the slurry supply and suction piping paths, increasing costs and maintenance. Further, the control of slurry supply and suction becomes troublesome, and there is a problem that the adjustment becomes complicated as the glass substrate which is an object to be polished becomes larger.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、特に大きなサイズの基板を研磨する際、スラリー流量を減らすことなく、背厚を低減しながら基板中央付近の研磨量を確保し正常な研磨を行うとともに、スラリーの循環を良くすることで、研磨した基板の成分が基板の被研磨面に再付着することを抑制することのできる板状体研磨装置及び研磨システムを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and particularly when polishing a large size substrate, without reducing the slurry flow rate, while ensuring a polishing amount near the center of the substrate while reducing the back thickness. An object of the present invention is to provide a plate-like body polishing apparatus and polishing system capable of suppressing polishing and re-deposition of the components of the substrate on the surface to be polished by improving the circulation of the slurry while performing polishing. And
前記目的を達成するために、本発明の板状体研磨装置は、一辺の長さが1000mm以上の板状体を保持する板状体保持手段と、前記板状体保持手段に保持された前記板状体に対向して設置された研磨パッドと、を有し、前記研磨パッドは、前記板状体の対向面に形成され、前記研磨パッドと前記板状体との当接部にスラリーを供給する複数のスラリー供給孔と、前記板状体の対向面の中央部のみに形成され、前記当接部に供給された前記スラリーを吸引するスラリー吸引孔と、が形成されていることを特徴とする。 In order to achieve the object, the plate-like body polishing apparatus of the present invention comprises a plate-like body holding means for holding a plate-like body having a side length of 1000 mm or more and the plate-like body holding means held by the plate-like body holding means. A polishing pad disposed opposite the plate-like body, and the polishing pad is formed on the opposing surface of the plate-like body, and slurry is applied to a contact portion between the polishing pad and the plate-like body. A plurality of slurry supply holes to be supplied, and a slurry suction hole that is formed only in the central portion of the opposing surface of the plate-like body and sucks the slurry supplied to the contact portion are formed. And
これにより、例えば1000mm角以上の大きなサイズの板状の基板を研磨する場合においても、研磨パッドの中央部のみからスラリーを吸引することにより、スラリー流量を減らすことなく中央付近の研磨代を確保し正常な研磨を行うことができる。 As a result, for example, even when polishing a plate-like substrate having a large size of 1000 mm square or more, the polishing margin near the center is ensured without reducing the slurry flow rate by sucking the slurry only from the center portion of the polishing pad. Normal polishing can be performed.
また、一つの実施態様として、前記スラリー吸引孔が形成される前記研磨パッドの前記板状体の対向面の中央部とは、研磨パッドの中心からその径の25%以内の範囲であることが好ましい。 Moreover, as one embodiment, the central part of the opposing surface of the plate-like body of the polishing pad in which the slurry suction hole is formed is within a range of 25% or less of the diameter from the center of the polishing pad. preferable.
このように、研磨パッドの中央部からのみスラリーを吸引することにより、スラリー流量を減らすことなく中央付近の研磨代を確保し正常な研磨を行うことができる。 In this way, by sucking the slurry only from the central portion of the polishing pad, it is possible to ensure a polishing margin near the center and perform normal polishing without reducing the slurry flow rate.
また、一つの実施態様として、前記研磨パッドの前記板状体の対向面に、任意の方向に直線状に複数の溝が形成され、前記方向に直交する方向に沿って中央部に形成された溝の幅が前記揺動方向に沿って中央部の外側に形成された溝の幅よりも広く形成されたことが好ましい。 Moreover, as one embodiment, a plurality of grooves are linearly formed in an arbitrary direction on the opposing surface of the plate-like body of the polishing pad, and are formed in the central portion along a direction orthogonal to the direction. It is preferable that the width of the groove is formed wider than the width of the groove formed outside the central portion along the swing direction.
また、一つの実施態様として、さらに、前記研磨パッドを前記板状体保持手段に対して相対的に水平方向に揺動させる手段と、前記研磨パッドを自転及び公転させる手段を備え、前記研磨パッドの前記板状体の対向面に、前記揺動方向に直線状に複数の溝が形成され、前記揺動方向に直交する方向に沿って中央部に形成された溝の幅が前記揺動方向に沿って中央部の外側に形成された溝の幅よりも広く形成されたことが好ましい。 In one embodiment, the polishing pad further includes means for swinging the polishing pad in a horizontal direction relative to the plate-like body holding means, and means for rotating and revolving the polishing pad. A plurality of grooves are formed linearly in the swing direction on the opposing surface of the plate-like body, and the width of the groove formed in the center along the direction orthogonal to the swing direction is the swing direction. It is preferable that the groove is formed wider than the width of the groove formed outside the central portion.
これにより、研磨パッド中央部のスラリーをよく排出することができ、中央付近の研磨代を確保することができる。 Thereby, the slurry at the center of the polishing pad can be discharged well, and a polishing allowance near the center can be secured.
また、一つの実施態様として、前記揺動方向に沿った中央部とは、中心から前記研磨パッドの径の25%以内の範囲であることが好ましい。 In one embodiment, the central portion along the swing direction is preferably within a range of 25% or less of the diameter of the polishing pad from the center.
これにより、研磨パッド中央部のスラリーをよく排出することができ、中央付近の研磨代を確保することができる。 Thereby, the slurry at the center of the polishing pad can be discharged well, and a polishing allowance near the center can be secured.
また、同様に前記目的を達成するために、本発明の研磨システムは、一辺の長さが1000mm以上の板状体を保持する板状体保持手段と、前記板状体保持手段に保持された前記板状体に対向して設置された研磨パッドと、を有し、前記研磨パッドには、前記板状体の対向面に形成され前記研磨パッドと前記板状体との当接部にスラリーを供給する複数のスラリー供給孔と、前記板状体の対向面の中央部のみに形成され前記当接部に供給された前記スラリーを吸引するスラリー吸引孔とが形成されており、研磨剤として砥粒を含むスラリーを貯留するスラリータンクと、前記スラリータンクから、前記スラリー供給孔を介して、前記研磨パッドと前記板状体との当接部に前記スラリーを供給するスラリー供給手段と、前記スラリー吸引孔を介して、前記当接部に供給された前記スラリーを吸引し、該吸引したスラリーを前記スラリータンクに戻すスラリー回収手段と、前記スラリー供給手段に設けられた前記スラリーの濃度を検出する濃度計と、前記濃度計の検出結果に基づいて、前記スラリーの濃度が予め設定された下限値を下回った場合に、前記スラリータンクに研磨材及び所定の添加剤を加えるように制御するとともに、前記スラリーの濃度が予め設定された上限値を超えた場合に、前記濃度計の洗浄を行うように制御する制御部と、を有することを特徴とする。 Similarly, in order to achieve the object, the polishing system of the present invention is held by a plate-like body holding means for holding a plate-like body having a side length of 1000 mm or more, and the plate-like body holding means. A polishing pad installed opposite to the plate-like body, and the polishing pad is formed on a surface facing the plate-like body, and a slurry is formed at a contact portion between the polishing pad and the plate-like body. A plurality of slurry supply holes for supplying the slurry, and a slurry suction hole formed only in the central portion of the opposing surface of the plate-like body for sucking the slurry supplied to the contact portion, A slurry tank for storing a slurry containing abrasive grains, a slurry supply means for supplying the slurry from the slurry tank to a contact portion between the polishing pad and the plate-like body through the slurry supply hole, Through slurry suction hole A slurry recovery means for sucking the slurry supplied to the contact portion and returning the sucked slurry to the slurry tank; a concentration meter for detecting the concentration of the slurry provided in the slurry supply means; Based on the detection result of the densitometer, when the concentration of the slurry falls below a preset lower limit value, the slurry is controlled to add an abrasive and a predetermined additive to the slurry tank, and the concentration of the slurry And a controller that controls the densitometer to be washed when it exceeds a preset upper limit value.
これにより、スラリーを循環させるとともに濃度計によりスラリーの濃度を検出し、濃度値が所定の下限値より低い場合にスラリーに酸化セリウムや添加剤を追加したり、濃度値が所定の上限値を超えた場合に濃度計の洗浄を行うようにした場合には、研磨レートを一定に維持し研磨代を確保するとともに、スラリー循環量を増やしたことにより研磨したガラス成分の研磨面への再付着を抑制することができる。 As a result, the slurry is circulated and the concentration of the slurry is detected by a densitometer. When the concentration value is lower than a predetermined lower limit value, cerium oxide or an additive is added to the slurry, or the concentration value exceeds a predetermined upper limit value. When the densitometer is cleaned, the polishing rate is kept constant to ensure a polishing allowance, and the slurry is reattached to the polished surface by increasing the slurry circulation rate. Can be suppressed.
また、一つの実施態様として、前記所定の添加剤は、前記研磨材の凝集を防止する分散剤であることが好ましい。 In one embodiment, the predetermined additive is preferably a dispersant that prevents aggregation of the abrasive.
これにより、酸化セリウムの凝集を防止し、研磨レートを維持することができる。 Thereby, aggregation of cerium oxide can be prevented and the polishing rate can be maintained.
また、一つの実施形態として、前記スラリー吸引孔が形成される前記研磨パッドの前記板状体の対向面の中央部とは、研磨パッドの中心からその径の25%以内の範囲であることが好ましい。 In one embodiment, the central portion of the opposing surface of the plate-like body of the polishing pad in which the slurry suction hole is formed is within a range of 25% of the diameter from the center of the polishing pad. preferable.
これにより、研磨パッド中央部のスラリーをよく排出することができ、中央付近の研磨代を確保することができる。 Thereby, the slurry at the center of the polishing pad can be discharged well, and a polishing allowance near the center can be secured.
また、一つの実施態様として、前記濃度計の洗浄は、前記スラリーの濃度が予め設定された上限値を超えた場合に加えて、またはそれに代えて、30分〜40分毎に行うことが好ましい。 In one embodiment, the concentration meter is preferably washed every 30 to 40 minutes in addition to or instead of when the concentration of the slurry exceeds a preset upper limit. .
これにより、濃度計が詰まって異常な値が検出されることなく、常に正しく濃度値の検出を行うことができる。 Thereby, the concentration value can always be detected correctly without the concentration meter clogging and detecting an abnormal value.
以上説明したように、本発明によれば、例えば1000mm角以上の大きなサイズの板状の基板を研磨する場合においても、スラリー流量を減らすことなく中央付近の研磨代を確保し正常な研磨を行うことができる。また、スラリーを循環させるとともに濃度計によりスラリーの濃度を検出し、濃度値が所定の下限値より低い場合にスラリーに酸化セリウムや添加剤を追加したり、濃度値が所定の上限値を超えた場合に濃度計の洗浄を行うようにした場合には、研磨レートを一定に維持し研磨代を確保するとともに、スラリー循環量を増やしたことにより研磨したガラス成分の研磨面への再付着を抑制することができる。 As described above, according to the present invention, even when a large-sized plate-like substrate of, for example, 1000 mm square or more is polished, the polishing margin near the center is ensured and normal polishing is performed without reducing the slurry flow rate. be able to. Further, the slurry is circulated and the concentration of the slurry is detected by a densitometer. When the concentration value is lower than a predetermined lower limit value, cerium oxide or an additive is added to the slurry, or the concentration value exceeds a predetermined upper limit value. If the densitometer is cleaned in some cases, the polishing rate is kept constant, the polishing allowance is secured, and the adhesion of the polished glass component to the polished surface is suppressed by increasing the slurry circulation rate. can do.
以下、添付図面を参照して、本発明に係る板状体研磨装置及び研磨システムについて詳細に説明する。 Hereinafter, a plate-like body polishing apparatus and a polishing system according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図1は、本発明の研磨システムに用いられる板状体研磨装置の一実施形態としての研磨装置の全体構造を示す平面図である。 FIG. 1 is a plan view showing the entire structure of a polishing apparatus as an embodiment of a plate-like polishing apparatus used in the polishing system of the present invention.
図1に示す研磨装置10は、例えば、縦1000mm×横1000mmあるいはそれ以上の大きなサイズのガラス基板Gで、厚みが0.7mm以下(例えば厚み0.2mm〜0.7mm)の大型のガラス基板Gの被研磨面を液晶ディスプレイ用ガラス基板に必要な平坦度に研磨する研磨装置である。 The polishing apparatus 10 shown in FIG. 1 is, for example, a large glass substrate G having a size of 1000 mm in length × 1000 mm in width or larger and a thickness of 0.7 mm or less (for example, a thickness of 0.2 mm to 0.7 mm). This is a polishing apparatus for polishing the surface to be polished of G to a flatness necessary for a glass substrate for a liquid crystal display.
研磨装置10は、研磨前のガラス基板Gを搬入するガラス基板搬入用コンベア12、ガラス基板Gを膜枠(板状体貼着部材)14に貼着するガラス基板貼着ステージ16、第1の研磨ステージ18、第2の研磨ステージ20、研磨完了したガラス基板Gを膜枠14から取り外すガラス基板取り外しステージ22、ガラス基板搬出用コンベア24、膜枠洗浄ステージ26、膜枠乾燥ステージ28、及び膜枠返送コンベア30を主として備えている。
The polishing apparatus 10 includes a glass substrate carry-in
以下、説明を簡略するために、ガラス基板貼着ステージ16、第1の研磨ステージ18、第2の研磨ステージ20、ガラス基板取り外しステージ22、膜枠洗浄ステージ26、及び膜枠乾燥ステージ28については、単にステージ16、18、20、22、26、28と記載する。
Hereinafter, in order to simplify the description, the glass
研磨装置10には、ステージ16からステージ18に膜枠14を搬送する搬送装置150、ステージ18からステージ20に膜枠14を搬送する搬送装置152、及びステージ20からステージ22に膜枠14を搬送する搬送装置154が設けられている。これらの搬送装置150、152、154は、同一構成であって研磨装置10を統括制御する制御部200によってその動作が制御されており、図1上で左右方向に同期して往復移動される。
The polishing apparatus 10 includes a
ガラス基板搬入用コンベア12によって搬入された研磨前のガラス基板Gは、ロボット32のアーム33に設けられた吸着パッド34に吸着保持される。そして、アーム33の回転動作によってガラス基板搬入用コンベア12からコンベア36に移動され、コンベア36によってステージ16に搬送される。
The unpolished glass substrate G carried in by the glass
ステージ16において、研磨前のガラス基板Gが膜枠14に貼着される。
On the
図2に、膜枠14及び膜枠14を取り付けるキャリア52の組み立て斜視図を示す。
FIG. 2 shows an assembled perspective view of the
図2に示すように、膜枠14は、ガラス基板Gを貼着可能な矩形状の膜体38を、同じく矩形状の上枠40と下枠42との間で張設した後、上枠40と下枠42とを不図示のボルトによって締結することによって構成される。
As shown in FIG. 2, the
なお、膜枠14や膜体38は、矩形状に限定されるものではなく、円形形状でもよい。
The
研磨前のガラス基板Gを膜枠14に貼着する方法について説明すると、膜枠14はステージ16において、不図示の昇降装置に保持されており、膜枠14の下方にガラス基板Gが位置したところで、膜枠14が昇降装置により下降移動され、図2に示す膜枠14に張設された可撓性及び自己吸着性のある膜体38がガラス基板Gの被研磨面に押し付けられる。この押圧力によってガラス基板Gの被研磨面が膜体38に貼着される。その後、膜枠14が図1の搬送装置150に保持されて、ステージ18に搬送され、ステージ18において研磨ヘッド(後述)のキャリア(板状体保持部)52に取り付けられる。なお、以下に述べる膜枠14は、膜体38が張設された全体を指して称する。
The method of sticking the glass substrate G before polishing to the
また図2に示すように、キャリア52の上部外周部には、吊上フレーム78が不図示のボルトによって固定されている。吊上フレーム78のフランジ部には、貫通孔80、80、・・・が所定の等間隔で開口され、貫通孔80、80、・・・に摺動フレーム82(slide-contact frame)の上面に突設された摺動フレーム吊具84が下方から貫通される。また、摺動フレーム吊具84は、吊上ばね88に貫通されるとともに、不図示のスクリュウジャッキに連結されている。
As shown in FIG. 2, a lifting
そして、スクリュウジャッキを動作させ、摺動フレーム吊具84を吊上ばね88の付勢力に抗して上方に引き上げることによって、摺動フレーム82がキャリア52に対して引き上げられる。これにより、摺動フレーム82に着脱自在に取り付けられた膜枠14が引き上げられて、膜体38に所定の張力が付与されるようになっている。
Then, the sliding
また、キャリア52にはスピンドル56が連結されている。
A
図3は、研磨ステージ及び研磨ヘッドの実施の形態を示す側面図である。 FIG. 3 is a side view showing an embodiment of a polishing stage and a polishing head.
次に、図3に示した研磨ヘッド50について説明する。なお、ステージ18の研磨ヘッド50及びステージ20の研磨ヘッド50は同一構造なので、同一の符号を付して説明する。
Next, the polishing
図3に示すように、研磨ヘッド50は、本体ケーシング51を備えており、本体ケーシング51には不図示の公転駆動機構部が内蔵されている。公転駆動機構部は、プラネタリーギア機構部とモータとによって構成され、モータで駆動されるプラネタリーギア機構部の出力軸が、鉛直方向に垂下されたスピンドル56に連結されている。上述したように、スピンドル56にはキャリア52が連結されている。これにより、プラネタリーギア機構部が駆動されると、キャリア52及び膜枠14は所定の公転中心を中心に公転される。
As shown in FIG. 3, the polishing
さらに、図3に示す本体ケーシング51は、スライダ158を介して昇降機構156に連結されている。昇降機構156によって本体ケーシング51がスライダ158に対して昇降されることにより、キャリア 52がステージ18の円形の研磨パッド58、及びステージ20の円形の研磨パッド60に対し進退移動されるとともに、膜枠14に貼着されたガラス基板Gの研磨面が研磨パッド58、60に所定の研磨圧力で押圧される。
Further, the
なお、研磨装置10からスライダ158を取り外し、本体ケーシング51が昇降機構156に直接連結されてもよい。
The
研磨パッド58は、研磨定盤62の上面に貼り付けられる。研磨定盤62は、研磨テーブル64に軸受(不図示)を介して回転自在に支持されており、その回転中心は研磨パッド58の中心軸と同軸上に設定されている。そして不図示のモータを駆動することにより、研磨パッド58がその中心軸を中心に回動(自転)される。また、研磨パッド58側は回転しなくてもよい場合があり、必ずしもモータを必要としない。次に記載するように研磨パッド58側を揺動させてもよい。
The
研磨テーブル64は、平行に配置された一対のガイドレール69、69にスライド移動自在に支持されている。研磨テーブル64をガイドレール69、69に沿って往復動作させる駆動部(不図示)を備えることにより、研磨パッド58が必要時において水平方向に揺動される。研磨パッド58の揺動方向は、図1の搬送装置150による搬送方向に対して直交する方向でもよく、この搬送方向に平行な方向でもよい。すなわち、研磨パッド58を水平方向に揺動させる方向であればよい。
The polishing table 64 is slidably supported by a pair of
なお、研磨定盤62には、研磨パッド58の裏側にスラリーを供給するための多数のホース(不図示)が連結されている。これらのホースを絡めさせないために、研磨パッド58は所定の基準位置から所定の角度範囲で旋回するようにその回転が規制されている。前記ホースから研磨パッド58の裏側に供給されたスラリーは、研磨パッド58の内部を貫通するスラリー供給孔を通過して研磨パッド58の研磨面に供給される。
The polishing
また、研磨パッド58の旋回角度の範囲、旋回速度等の旋回動作、単位時間当たりの公転回転数等の公転動作は、図1の制御部200によって独立して制御される。
Further, the range of the turning angle of the
なお、研磨パッド60の各部構成については、上述した研磨パッド58の構成と同一なので、ここではその説明を省略する。
Note that the configuration of each part of the
また、図3の如くステージ18のスライダ158には、直動ガイド70、70が取り付けられている。直動ガイド70、70はガイドレール72、72に嵌合されている。このガイドレール72、72は、図1の破線の如くステージ18のスピンドル56やキャリア52をメンテナンスするメンテナンスステージ74に向けて配設されている。
Further, as shown in FIG. 3, linear motion guides 70 are attached to the
また、図3の如くステージ20のスライダ158にも同様に、直動ガイド70、70が取り付けられ、直動ガイド70、70はガイドレール160、160に嵌合されている。このガイドレール160、160は、図1の破線の如くステージ20のスピンドル56やキャリア52をメンテナンスするメンテナンスステージ76に向けて配設されている。
Further, as shown in FIG. 3, linear motion guides 70, 70 are similarly attached to the
なお、研磨装置10からスライダ158を取り外し、直動ガイド70、70が昇降装置156に直接取り付けられてもよい。
Note that the
また、キャリア52には図3では不図示の空気室が設けられ、図3上の破線で示された空気供給路102に連通している。空気供給路102は、研磨ヘッド50に取り付けられた不図示のロータリージョイントを介して研磨ヘッド50の外部に延設され、バルブ104を介して空気ポンプ106に接続されている。これにより、バルブ104を開放すると、空気ポンプ106からの圧縮空気が空気供給路102を介してキャリア52に設けられた空気室に供給される。この空気室に供給された圧縮空気の圧力が膜体38を介してガラス基板Gに伝達され、この圧力によってガラス基板Gの被研磨面が図3の研磨パッド58、60に押し付けられて研磨される。
The
ガラス基板Gの研磨は、図3の如く搬送装置150によって、ガラス基板Gが貼付された膜枠14をステージ16からステージ18に搬送し、ステージ18においてガラス基板Gの被研磨面を研磨後、搬送装置152によってガラス基板Gが貼付された膜枠14をステージ18からステージ20に順次搬送し、ステージ20でガラス基板 Gの被研磨面を研磨することにより2段階で実施される。
As for the polishing of the glass substrate G, the
本実施形態は、研磨パッドの研磨面の中央部のスラリー供給孔付近にスラリーを吸引するスラリー吸引孔を設け、スラリー吸引孔からスラリーを吸引して戻すことによりスラリーを循環させ、研磨パッドの研磨面の中央部に発生する背圧を低減して所望の研磨量を確保し正常な研磨を行う。 In this embodiment, a slurry suction hole for sucking slurry is provided near the slurry supply hole near the center of the polishing surface of the polishing pad, and the slurry is circulated by sucking and returning the slurry from the slurry suction hole, thereby polishing the polishing pad. The back pressure generated at the center of the surface is reduced to ensure a desired polishing amount and perform normal polishing.
図4は、図1に示す研磨装置10の研磨パッド58(前述したように研磨パッド60も同一構成なので以下研磨パッド58として説明する)の平面図である。
FIG. 4 is a plan view of the
図4には、研磨パッド58の研磨面に形成されたスラリー供給孔122及びスラリー吸引孔124とスラリーを流すための溝126とが表示されている。
In FIG. 4, the
図4に示すように、研磨パッド58の研磨面には、白丸で示すスラリー供給孔122と、黒丸で示すスラリー吸引孔124とが設けられている。図4に示すスラリー供給孔122及びスラリー吸引孔124の個数や配置及び溝126の本数は一例にすぎずこれに限定されるものではなく、実際にはより多数の溝126等が形成されている。
As shown in FIG. 4, the polishing surface of the
このように、研磨パッド58とガラス基板G(図4では不図示)との間にスラリーを供給するスラリー供給孔122は、研磨パッド58の略全面に多数(例えば数十個)設けられている。
Thus, a large number (for example, several tens) of
一方、スラリーを吸引するスラリー吸引孔124は、研磨パッド58の中央部にのみ形成されており、特に中央部からスラリーを吸引する。
On the other hand, the
図5は、研磨パッド58の研磨面のスラリー吸引孔の形成範囲を示す平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing the formation range of the slurry suction holes on the polishing surface of the
図5に破線の円で示すように、研磨パッド58の研磨面上にスラリー吸引孔124が形成される範囲は、研磨パッド58の中心から半径Cで描かれる円の内側の領域Fが好ましい。ここで半径Cは、研磨パッド58の研磨面の直径Hの25%以下である。半径Cが、直径Hの25%以内の場合、ガラス基板Gの被研磨面の中央部の研磨不足を解消でき、直径Hの25%超の場合、ガラス基板Gの研磨面の周縁部にスラリーが行き渡り難くなる。
As indicated by a broken-line circle in FIG. 5, the area where the
また、図4に示すように、研磨パッド58の研磨面には、スラリー供給孔から研磨パッド58の研磨面の中央部に供給されたスラリーを、研磨パッド58の中央部から研磨パッド58の外側に流し、研磨パッド58の研磨面全体にスラリーを行き渡らせるための溝126が形成されている(いわゆる、「目切り」がされている。)。
Further, as shown in FIG. 4, the slurry supplied to the central portion of the polishing surface of the
このスラリーを流す溝126は、直線的な揺動動作を行う研磨ヘッド50(図3参照)の揺動方向と略平行な、研磨パッド58の研磨面の一つの直径Hに沿って直径Hの全体Dに亙って、直径Hに略垂直な直線状に形成されている。すなわち、溝126は、研磨ヘッド50の揺動方向に対して直交する方向に形成される。
The
また、図4に示すように、直径Hに沿って、直径Hの中央部Eとその外側とでは、溝126の幅が異なっている。すなわち、直径Hの中央部Eにおいては、中央部Eの外側よりも幅が広く形成され、直径Hに沿って直径Hの全体Dに対し中央部Eの外側では中央部Eにおける幅よりも狭く形成されている。なお、ここで溝126の幅とは、図6Aに符号W1で示すとともに図6Bに符号W2で示すように、溝126を形成する凸条の角と角の間の距離をいうものとする。
As shown in FIG. 4, the width of the
このように、溝126の幅を形成したのは、研磨パッド58の中央部Eに溜まるスラリーを中央部Eに形成された溝126を通って溝126の両方の端部から溝126の外側に排出し易くすることによって、中央部にスラリーが滞留しないようにするためである。なお、中央部E及び中央部Eの外側それぞれの溝126の深さは、同じであってもよく、異なっていてもよい。
Thus, the width of the
図6Aは、図4に示す研磨パッド58の研磨面の直径Hに沿った中央部Eの溝の断面図であり、図6Bは、研磨パッド58の研磨面の直径Hに沿った中央部Eの外側の溝の断面図である。研磨パッド58の中央部Eにおいては、溝126の側方断面形状は凹状であり、その幅W1は3mmである。また、研磨パッド58の研磨面の直径Hに沿った中央部Eの外側においては、溝126の側方断面形状は凹状であり、その幅W2は1.5mmである。ただし、幅W1、W2は前記値に限定されず、好ましくは1.5〜3.0mmである。なお、溝126の間隔L1、L2はいずれも3mmであるがこれに限定されず、好ましくは3.0〜9.0mmである。溝126の深さT1、T2はいずれも2.0mmであるがこれに限定されず、深さT1、T2が同じであればよい。
6A is a cross-sectional view of the groove in the central portion E along the diameter H of the polishing surface of the
したがって、研磨パッド58の研磨面には、図4に示すように、スラリー供給孔122及びスラリー吸引孔124と、スラリーを流す溝126の両方が形成されている。
Therefore, as shown in FIG. 4, both the
本実施形態では、研磨パッド58とガラス基板Gとの当接部にスラリーを供給するとともにスラリーを吸引してスラリーをスラリータンク(後述)に戻し、戻したスラリーを再度研磨パッド58とガラス基板Gとの当接部に供給して、スラリーを循環させている。
In the present embodiment, the slurry is supplied to the contact portion between the polishing
図7に、このスラリー循環システムの概略図を示す。 FIG. 7 shows a schematic diagram of this slurry circulation system.
図7に示すように、研磨パッド58の研磨面14aの対向面側にはロータリージョイント128が設置されており、これを介して、研磨パッド58の研磨面58a全体に形成されたスラリー供給孔122からスラリーが供給されるとともに、研磨パッド58の研磨面58aの中央部に形成されたスラリー吸引孔124からスラリーが吸引される。
As shown in FIG. 7, a rotary joint 128 is installed on the side of the
スラリーを供給する場合は、スラリータンク130からポンプ132によってスラリーがスラリー供給管路123に取り込まれ、ロータリージョイント128を介してスラリー供給孔122から研磨パッド58の研磨面58aとガラス基板G(図7では不図示)との当接部にスラリーが供給される。
When supplying the slurry, the slurry is taken into the
また、スラリーを吸引する場合には、ポンプ134によって、研磨パッド58の研磨面58aの中央部にのみ形成されたスラリー吸引孔124からスラリーが吸引される。吸引されたスラリーは、ロータリージョイント128を介してスラリー回収管路125に取り込まれ、パンチングメタルフィルタ136を介してスラリータンク130に戻される。パンチングメタルフィルタ136によって、吸引されたスラリーに含まれるガラス基板Gのカレットが除去される。スラリータンク130に戻ったスラリーは、再びポンプ132によって吸引されて研磨パッド58の研磨面58aに供給される。このようにして、スラリーの循環が行われる。
Further, when the slurry is sucked, the slurry is sucked by the
また、ロータリージョイント128とポンプ132との間のスラリー供給管路123には、流量計138が設置されており、供給されるスラリーの流量を常に監視している。
A
また、スラリー供給管路123から分岐させた管路123aには濃度計140が設置されており、例えば毎分10リット程度の流量を分岐させた管路123aに流してスラリーの濃度を監視している。濃度計140を通過したスラリーは再びスラリータンク130に戻される。なお、スラリー濃度とは、スラリー中に占める研磨材の質量割合(質量%)である。
A
流量計138及び濃度計140の検出結果は制御部142に入力される。
The detection results of the
制御部142は、流量計138の検出結果に応じて、ポンプ132、134を制御して、研磨中におけるスラリーの供給量を制御する。
The
また、制御部142は、濃度計140の検出結果に応じて、スラリーの濃度が下がっている場合には、電磁弁144を開いて研磨材収納容器146から研磨材(砥粒)をスラリータンク130に注入するとともに、電磁弁148を開いて分散剤収納容器149から分散剤をスラリータンク130に注入する。
In addition, when the concentration of the slurry is lowered according to the detection result of the
これは、研磨材は凝集する傾向があり、長時間研磨し続けていると、研磨材が凝集沈澱してスラリーの濃度が低くなり、それによって研磨レートが次第に悪くなって行くので、スラリーに対する添加剤として分散剤を添加して、研磨材の凝集を防止し、研磨レートを維持しようとするものである。 This is because the abrasive tends to agglomerate, and if the polishing is continued for a long time, the abrasive agglomerates and precipitates and the concentration of the slurry is lowered, thereby the polishing rate gradually worsens. A dispersant is added as an agent to prevent agglomeration of the abrasive and maintain the polishing rate.
研磨材としては、例えば、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化鉄、二酸化ケイ素が挙げられ、これらの研磨材は単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。 Examples of the abrasive include cerium oxide, zirconium oxide, iron oxide, and silicon dioxide, and these abrasives may be used alone or in combination of two or more.
分散剤としては、例えば、アクリル酸/マレイン酸共重合体Na塩(ポリティA−550、ライオン(株)製)が考えられ、この他に、メタノール、クエン酸Naなどを添加してもよい。 As the dispersant, for example, acrylic acid / maleic acid copolymer Na salt (Polyty A-550, manufactured by Lion Co., Ltd.) is conceivable. In addition, methanol, Na citrate, or the like may be added.
なお、研磨材の凝集を防止するため、スラリーに対して1〜2.5Vの微小電圧を印加してもよい。 Note that a minute voltage of 1 to 2.5 V may be applied to the slurry in order to prevent agglomeration of the abrasive.
これらの分散剤の添加及び微小電圧の印加によって、研磨材の凝集を防止して、研磨レートの低下防止さらには研磨レートの向上を図ることが可能となる。 By adding these dispersants and applying a minute voltage, it is possible to prevent the agglomeration of the abrasives, prevent the polishing rate from decreasing, and improve the polishing rate.
濃度計140の検出結果によるスラリーの濃度管理について図8を用いて説明する。
The slurry concentration management based on the detection result of the
図8は、濃度計140による濃度検出値の時間変化を示すグラフである。縦軸はスラリー濃度、横軸は時間を示している。縦軸の上限値及び下限値は、所望のスラリー濃度の範囲の上限値及び下限値である。
FIG. 8 is a graph showing the time change of the density detection value by the
研磨初期において、スラリーのスラリー濃度は所望の範囲内で推移しているが、一定時間を過ぎるとスラリー濃度が低下する。そこで、制御部142において予め設定されたスラリー濃度の下限値を下回った時点tLで、上述したように、制御部142は、電磁弁144及び148を開いて、所定量の研磨材及び分散剤をスラリータンク130内のスラリーに加える。
At the initial stage of polishing, the slurry concentration of the slurry changes within a desired range, but after a certain time, the slurry concentration decreases. Therefore, at time t L when the
また、濃度計140内部においてスラリーが詰まったとき、スラリー濃度が上昇する。このときも、制御部142において予め設定されたスラリー濃度の上限値を超えた時点tUで、濃度計140が詰まったと制御部140が判断して、濃度計140のフラッシング(洗浄)を行う。
Further, when the slurry is clogged inside the
濃度計140には管路123aの他に、フラッシング用の管路(不図示)が接続されているが、通常作業中においては、フラッシング用の管路の開閉弁は閉じており、管路123aの開閉弁が開いている。フラッシングをするときは、濃度計140への接続を管路123aからフラッシング用の管路に切り替えるため、フラッシング用の管路の開閉弁を開け、管路123aの開閉弁を閉じる。その後、フラッシング用の管路から送られた水と圧縮空気との混合物を濃度計140の入口から入れて、前記混合物で濃度計140の内部に詰まったスラリーを除去する。除去されたスラリーは、濃度計140の出口から排出される。フラッシング終了後、フラッシング用の管路から管路123aに接続を切り替えるため、それぞれの管路の開閉弁を元に戻す。
In addition to the
フラッシングは、このように濃度計140が検出した濃度値が上限値を超えたときに行ってもよいが、30分〜40分毎に1回行うように、定期的に行ってもよい。これにより、濃度計が詰まって異常な値が検出されることなく、常に正しく濃度値の検出を行うことができる。
The flushing may be performed when the concentration value detected by the
図8A、図8Bに、本実施形態による効果を示す。図8A、図8Bは、ガラス基板Gの被研磨面の位置別の研磨量を示した図であり、ガラス基板Gの被研磨面の周縁部の研磨量を100として規格化している。図8Aはスラリー吸引をした場合であり、図8Bはスラリー吸引をしない場合を示している。 8A and 8B show the effects of this embodiment. 8A and 8B are diagrams showing the polishing amount for each position of the surface to be polished of the glass substrate G, and the amount of polishing at the peripheral portion of the surface to be polished of the glass substrate G is normalized as 100. FIG. FIG. 8A shows a case where slurry is sucked, and FIG. 8B shows a case where slurry is not sucked.
図8Bに示すように、スラリー吸引をしない場合には、ガラス基板Gの被研磨面の中央部は研磨量が80であり、被研磨面の周縁部の研磨量より大幅に低くなっている。これに対して、図8Aに示すように、スラリー吸引をした場合には、ガラス基板Gの中央部における研磨量は90であり、スラリー吸引しない場合に対して改善されていることがわかる。 As shown in FIG. 8B, when slurry suction is not performed, the polishing amount of the central portion of the surface to be polished of the glass substrate G is 80, which is significantly lower than the polishing amount of the peripheral portion of the surface to be polished. On the other hand, as shown in FIG. 8A, when the slurry is sucked, the polishing amount at the central portion of the glass substrate G is 90, which is improved compared to the case where the slurry is not sucked.
以上説明したように、本実施形態においては、少なくとも1000mm角以上の大きなサイズのガラス基板を研磨する際、研磨中のスラリーを研磨パッドの中央部から強制的に吸引することで中央部に滞留するスラリーを少なくしてスラリーの背圧を抑制し、中央部における研磨量を確保することができる。 As described above, in the present embodiment, when polishing a glass substrate having a large size of at least 1000 mm square, the slurry being polished is forcibly sucked from the central portion of the polishing pad to stay in the central portion. By reducing the slurry, the back pressure of the slurry can be suppressed, and the polishing amount at the center can be ensured.
また、研磨パッド面内に形成された孔からスラリーを吸引し、吸引したスラリーを再び研磨パッドの研磨面に供給して循環させて、スラリーの循環量を増やしている。また、このように研磨中のスラリーを吸引してスラリーの循環量を増やしたことで、研磨したガラス成分がスラリー中に滞留するのを低減することができる。またこれにより、研磨したガラス成分が研磨面に再付着するのを抑制することができる。 In addition, the slurry is sucked from the holes formed in the polishing pad surface, and the sucked slurry is supplied again to the polishing surface of the polishing pad and circulated to increase the circulation amount of the slurry. Further, by sucking the slurry being polished and increasing the circulation amount of the slurry in this way, it is possible to reduce the retention of the polished glass component in the slurry. Thereby, it can suppress that the grind | polished glass component adheres to a grinding | polishing surface again.
また、吸引によりスラリーの循環量を増やすことで、スラリーの温度上昇を抑制し、ガラス基板への汚れ付着を抑制することができる。さらに、スラリーの温度上昇を抑制することにより、研磨パッドの軟化による選択研磨性の劣化を抑制することができる。 Further, by increasing the circulation amount of the slurry by suction, it is possible to suppress the temperature rise of the slurry and to suppress the adhesion of dirt to the glass substrate. Furthermore, by suppressing the temperature rise of the slurry, it is possible to suppress deterioration of the selective polishing property due to softening of the polishing pad.
以上、本発明に係る板状体研磨装置及び研磨システムについて詳細に説明したが、本発明は、以上の例には限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変形を行ってもよいのはもちろんである。 The plate-like body polishing apparatus and the polishing system according to the present invention have been described in detail above. However, the present invention is not limited to the above examples, and various improvements and modifications can be made without departing from the gist of the present invention. Of course you can go.
10…(板状体)研磨装置、12…ガラス基板搬入用コンベア、14…膜枠(板状体貼着部材)、16…ガラス基板貼着ステージ、18…第1の研磨ステージ、20…第2の研磨ステージ、22…ガラス基板取り外しステージ、24…ガラス基板搬出用コンベア、26…膜枠洗浄ステージ、28…膜枠乾燥ステージ、30…膜枠返送コンベア、32…ロボット、33…アーム、34…吸着パッド、36…コンベア、38…膜体、51…本体ケーシング、52…キャリア(板状体保持部)、56…スピンドル、58、60…研磨パッド、62…研磨定盤、64…研磨テーブル、122…スラリー供給孔、124…スラリー吸引孔、126…溝、128…ロータリージョイント、130…スラリータンク、132、134…ポンプ、136…パンチングメタルフィルタ、138…流量計、140…濃度計、142…制御部、144、148…電磁弁、146…研磨材収納容器、149…分散剤収納容器、150…搬送装置、200…制御部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... (Plate-shaped body) Polishing apparatus, 12 ... Glass substrate carrying conveyor, 14 ... Film frame (plate-shaped body sticking member), 16 ... Glass substrate sticking stage, 18 ... First polishing stage, 20 ... First 2 polishing stage, 22 ... glass substrate removal stage, 24 ... glass substrate carry-out conveyor, 26 ... film frame cleaning stage, 28 ... film frame drying stage, 30 ... film frame return conveyor, 32 ... robot, 33 ... arm, 34 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Adsorption pad, 36 ... Conveyor, 38 ... Film body, 51 ... Main body casing, 52 ... Carrier (plate body holding part), 56 ... Spindle, 58, 60 ... Polishing pad, 62 ... Polishing surface plate, 64 ... Polishing table , 122 ... Slurry supply hole, 124 ... Slurry suction hole, 126 ... Groove, 128 ... Rotary joint, 130 ... Slurry tank, 132, 134 ... Pump, 136 ... Pan Ring metal filter, 138 ... flow meter, 140 ... densitometer, 142 ... control unit, 144, 148 ... electromagnetic valve, 146 ... abrasive container, 149 ... dispersing agent container, 150 ... transporting apparatus, 200 ... control unit
Claims (9)
前記板状体保持手段に保持された前記板状体に対向して設置された研磨パッドと、を有し、
前記研磨パッドは、
前記板状体の対向面に形成され、前記研磨パッドと前記板状体との当接部にスラリーを供給する複数のスラリー供給孔と、
前記板状体の対向面の中央部のみに形成され、前記当接部に供給された前記スラリーを吸引するスラリー吸引孔と、
が形成されていることを特徴とする板状体研磨装置。 Plate-like body holding means for holding a plate-like body having a side length of 1000 mm or more;
A polishing pad installed opposite to the plate-like body held by the plate-like body holding means,
The polishing pad is
A plurality of slurry supply holes that are formed on the opposing surface of the plate-like body and supply slurry to the contact portion between the polishing pad and the plate-like body;
A slurry suction hole that is formed only in the central portion of the opposing surface of the plate-like body and sucks the slurry supplied to the contact portion;
Is formed. A plate-like body polishing apparatus.
前記研磨パッドの前記板状体の対向面に、任意の方向に直線状に複数の溝が形成され、前記方向に直交する方向に沿って中央部に形成された溝の幅が前記揺動方向に沿って中央部の外側に形成された溝の幅よりも広く形成された板状体研磨装置。 The plate-like body polishing apparatus according to claim 1 or 2,
A plurality of grooves are formed linearly in an arbitrary direction on the opposing surface of the plate-like body of the polishing pad, and the width of the groove formed in the center portion along the direction orthogonal to the direction is the swing direction. A plate-like body polishing apparatus formed so as to be wider than the width of the groove formed on the outer side of the central portion along the line.
前記研磨パッドの前記板状体の対向面に、前記揺動方向に直線状に複数の溝が形成され、前記揺動方向に直交する方向に沿って中央部に形成された溝の幅が前記揺動方向に沿って中央部の外側に形成された溝の幅よりも広く形成された板状体研磨装置。 The plate-like body polishing apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising: a means for swinging the polishing pad in a horizontal direction relative to the plate-like body holding means; A means for rotating and revolving the polishing pad;
A plurality of grooves are formed linearly in the swing direction on the opposing surface of the plate-like body of the polishing pad, and the width of the groove formed in the central portion along the direction orthogonal to the swing direction is A plate-like body polishing apparatus formed wider than the width of a groove formed on the outer side of the central portion along the swinging direction.
前記板状体保持手段に保持された前記板状体に対向して設置された研磨パッドと、を有し、
前記研磨パッドには、前記板状体の対向面に形成され前記研磨パッドと前記板状体との当接部にスラリーを供給する複数のスラリー供給孔と、前記板状体の対向面の中央部のみに形成され前記当接部に供給された前記スラリーを吸引するスラリー吸引孔とが形成されており、
研磨剤として砥粒を含むスラリーを貯留するスラリータンクと、
前記スラリータンクから、前記スラリー供給孔を介して、前記研磨パッドと前記板状体との当接部に前記スラリーを供給するスラリー供給手段と、
前記スラリー吸引孔を介して、前記当接部に供給された前記スラリーを吸引し、該吸引したスラリーを前記スラリータンクに戻すスラリー回収手段と、
前記スラリー供給手段に設けられた前記スラリーの濃度を検出する濃度計と、
前記濃度計の検出結果に基づいて、前記スラリーの濃度が予め設定された下限値を下回った場合に、前記スラリータンクに研磨材及び所定の添加剤を加えるように制御するとともに、前記スラリーの濃度が予め設定された上限値を超えた場合に、前記濃度計の洗浄を行うように制御する制御部と、
を有することを特徴とする研磨システム。 Plate-like body holding means for holding a plate-like body having a side length of 1000 mm or more;
A polishing pad installed opposite to the plate-like body held by the plate-like body holding means,
The polishing pad includes a plurality of slurry supply holes that are formed on an opposing surface of the plate-like body and supply slurry to a contact portion between the polishing pad and the plate-like body, and a center of the opposing surface of the plate-like body. A slurry suction hole for sucking the slurry that is formed only in the portion and supplied to the contact portion,
A slurry tank for storing a slurry containing abrasive grains as an abrasive;
Slurry supply means for supplying the slurry from the slurry tank to the contact portion between the polishing pad and the plate-like body via the slurry supply hole;
Slurry collecting means for sucking the slurry supplied to the contact portion through the slurry suction hole and returning the sucked slurry to the slurry tank;
A concentration meter for detecting the concentration of the slurry provided in the slurry supply means;
Based on the detection result of the densitometer, when the concentration of the slurry falls below a preset lower limit value, the slurry is controlled to add an abrasive and a predetermined additive to the slurry tank, and the concentration of the slurry A control unit that controls to perform cleaning of the densitometer when a preset upper limit is exceeded,
A polishing system comprising:
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1015823A (en) * | 1996-07-04 | 1998-01-20 | Canon Inc | Polishing slurry feeding method and its device for chemical-mechanical polishing device |
JP2002028853A (en) * | 2000-07-14 | 2002-01-29 | Ebara Corp | Polishing device |
JP2004306210A (en) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Speedfam Co Ltd | Processing method and processing equipment for reusing cerium oxide-based polishing agent and water, in drainage in glass polishing |
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---|---|---|---|---|
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US5695392A (en) * | 1995-08-09 | 1997-12-09 | Speedfam Corporation | Polishing device with improved handling of fluid polishing media |
CN1080620C (en) * | 1998-09-08 | 2002-03-13 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | Chemical and mechanical grinding bench |
JP2001009699A (en) * | 1999-07-05 | 2001-01-16 | Nichiden Mach Ltd | Plane surface grinding device |
JP2003220553A (en) * | 2002-01-28 | 2003-08-05 | Mitsubishi Materials Corp | Polishing head and polishing method |
DE10220273A1 (en) * | 2002-05-07 | 2003-11-27 | Hydac Process Technology Gmbh | Process for the production of conical filter elements |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1015823A (en) * | 1996-07-04 | 1998-01-20 | Canon Inc | Polishing slurry feeding method and its device for chemical-mechanical polishing device |
JP2002028853A (en) * | 2000-07-14 | 2002-01-29 | Ebara Corp | Polishing device |
JP2004306210A (en) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Speedfam Co Ltd | Processing method and processing equipment for reusing cerium oxide-based polishing agent and water, in drainage in glass polishing |
JP2010208015A (en) * | 2009-03-06 | 2010-09-24 | Lg Chem Ltd | Float glass polishing system and method for the same |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014156114A1 (en) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Hoya株式会社 | Method for manufacturing glass substrate for information recording medium |
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