JP4859814B2 - Wafer processing equipment - Google Patents
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Description
本発明は、ウェーハを処理するウェーハ処理装置、特に複数の処理ユニットを備えたウェーハ処理装置に関する。 The present invention relates to a wafer processing apparatus for processing a wafer, and more particularly to a wafer processing apparatus including a plurality of processing units.
近年では半導体の微細化が進んでおり、これに伴い、半導体製造工程は年々増加する傾向にある。製造工程が増すほど作業時間も増大するので、複数の製造工程を連続して行うことにより作業時間の短縮を図ることが望まれている。 In recent years, miniaturization of semiconductors has progressed, and accordingly, semiconductor manufacturing processes tend to increase year by year. Since the working time increases as the number of manufacturing steps increases, it is desired to shorten the working time by continuously performing a plurality of manufacturing steps.
特許文献1においては、荒削り研削用研削装置と仕上研削用研削装置とラップ研磨用研磨装置とがコンベアに沿って直線状に配置されている処理装置が開示されている。特許文献1においては、荒削り研削加工工程と仕上研削加工工程とラップ研磨工程とを連続的に行うことができ、その結果、研削工程および研磨工程に要する作業時間が短縮される。
ここで、特許文献1に示されるような研削工程と研磨工程とは互いに類似した工程であり、これら研削工程および研磨工程においては、ウェーハの同一面が処理されている。このため、これら研削工程および研磨工程を同一の処理装置に組込むのはそれほど困難でない。
Here, the grinding process and the polishing process as disclosed in
ところで、半導体製造分野においては、実装密度を高めるためにウェーハの裏面を研削するバックグラインド(裏面研削)が行われている。バックグラインド後には、ウェーハの裏面にダイシングテープを貼付けるダイシングテープ貼付工程、ウェーハの表面に貼付けられた表面保護フィルムを剥離する表面保護フィルム剥離工程、およびダイサによりウェーハの表面からウェーハをダイシングするダイシング工程が順次行われる。 By the way, in the semiconductor manufacturing field, back grinding (back surface grinding) is performed to grind the back surface of a wafer in order to increase the mounting density. After back grinding, dicing tape sticking process to stick dicing tape on the back side of the wafer, surface protection film peeling process to peel off the surface protection film stuck on the wafer surface, and dicing to dice the wafer from the wafer surface with a dicer The steps are performed sequentially.
このような裏面研削工程、ダイシングテープ貼付工程、表面保護フィルム剥離工程、およびダイシング工程における処理内容は互いに異なっており、そのために使用される機器も各工程毎に異なっている。それゆえ、これら工程のそれぞれを行う機器を同一の処理装置に組込むのは容易でない。 The processing content in such a back grinding process, a dicing tape sticking process, a surface protection film peeling process, and a dicing process is different from each other, and the equipment used for this is also different for each process. Therefore, it is not easy to incorporate devices that perform each of these steps in the same processing apparatus.
さらに、これら全ての工程を実施できる処理装置を製作した場合であっても、処理装置の一部を修理するときには、処理装置全体を停止させる必要がある。このため、処理装置における全ての処理工程が停止することになるので、処理効率は大幅に低下する。 Furthermore, even when a processing apparatus capable of performing all these steps is manufactured, it is necessary to stop the entire processing apparatus when repairing a part of the processing apparatus. For this reason, since all the process steps in the processing apparatus are stopped, the processing efficiency is greatly reduced.
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、ウェーハ処理装置の一部を修理する必要がある場合であっても、ウェーハの処理を継続することのできる実用的なウェーハ処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and a practical wafer processing apparatus capable of continuing wafer processing even when it is necessary to repair a part of the wafer processing apparatus. The purpose is to provide.
前述した目的を達成するために1番目の発明によれば、ウェーハに対して所定の処理を行う複数の処理ユニットを具備し、該複数の処理ユニットのそれぞれは隣接する処理ユニットに着脱可能に連結されていて共通の搬送経路を形成しており、前記複数の処理ユニットのうちの少なくとも一つは、前記吸着テーブルを回転させる回転駆動体を含んでおり、さらに、前記搬送経路上を摺動する摺動体を具備し、該摺動体は、前記ウェーハを吸着する吸着テーブルを少なくとも含んでおり、前記摺動体は、前記回転駆動体と前記吸着テーブルとを連結するクラッチをさらに含む、ウェーハ処理装置が提供される。 In order to achieve the above-described object, according to the first invention, a plurality of processing units for performing predetermined processing on a wafer are provided, and each of the plurality of processing units is detachably connected to an adjacent processing unit. And a common transport path is formed, and at least one of the plurality of processing units includes a rotation drive body that rotates the suction table, and further slides on the transport path. A wafer processing apparatus comprising: a sliding body, the sliding body including at least a suction table that sucks the wafer; and the sliding body further includes a clutch that connects the rotary driving body and the suction table. Provided.
すなわち1番目の発明においては、共通の吸着テーブルを使用しているので、或る処理ユニットから他の処理ユニットへ摺動体を移動させるときにウェーハを着脱する必要はない。その結果、複数の処理を行うのに必要な処理時間を短縮できる。さらに、一部の処理ユニットを修理する必要がある場合であっても、処理ユニットの配置を変更することにより搬送経路を維持し、それにより、ウェーハの処理を継続することが可能である。さらに、比較的重量のある回転駆動体、例えば駆動モータを摺動体と一緒に摺動させる必要性を排除できる。 That is, in the first invention, since a common suction table is used, it is not necessary to attach or detach the wafer when moving the sliding body from one processing unit to another processing unit. As a result, the processing time required for performing a plurality of processes can be shortened. Further, even when some of the processing units need to be repaired, it is possible to maintain the transfer path by changing the arrangement of the processing units, thereby continuing the wafer processing. Furthermore, it is possible to eliminate the necessity of sliding a relatively heavy rotary drive body, for example, a drive motor together with the slide body.
2番目の発明によれば、1番目の発明において、前記複数の処理ユニットのそれぞれは前記ウェーハを前記吸着テーブルに吸着するのに使用される真空源から延びる真空源用通路を含んでおり、前記摺動体は、前記吸着テーブルおよび前記真空源用通路を接続する吸着テーブル用通路と、該吸着テーブル用通路に備えられた開閉弁とを含んでいる。
すなわち2番目の発明においては、摺動体の摺動時に開閉弁を閉鎖することにより、ウェーハが吸着テーブルから脱落するのを防止できる。摺動体が他の処理ユニットに到着した後で開閉弁を開放し、それにより、真空源からの吸着作用を再び受けられる。
According to a second invention, in the first invention, each of the plurality of processing units includes a vacuum source passage extending from a vacuum source used to suck the wafer onto the suction table, The sliding body includes a suction table passage connecting the suction table and the vacuum source passage, and an on-off valve provided in the suction table passage.
That is, in the second aspect of the invention, it is possible to prevent the wafer from falling off the suction table by closing the on-off valve when the sliding body slides. After the sliding body arrives at the other processing unit, the on-off valve is opened so that the adsorption action from the vacuum source can be received again.
3番目の発明によれば、1番目または2番目の発明において、前記複数の処理ユニットのうちの少なくとも一つは、前記ウェーハに対して液体を供給する液体供給手段を含んでおり、前記摺動体は、前記吸着テーブル周りに配置されていて前記液体供給手段から供給された前記液体を受容する液体受容部を含む。
すなわち3番目の発明においては、液体受容部が吸着テーブルを囲むように配置されているので、液体供給手段から供給された液体が吸着テーブル以外の摺動体の部分に飛散するのを防止できる。
According to a third invention, in the first or second invention, at least one of the plurality of processing units includes a liquid supply means for supplying a liquid to the wafer, and the sliding body Includes a liquid receiving portion that is disposed around the suction table and receives the liquid supplied from the liquid supply means.
That is, in the third aspect of the invention, since the liquid receiving portion is arranged so as to surround the suction table, it is possible to prevent the liquid supplied from the liquid supply means from being scattered on the sliding body other than the suction table.
4番目の発明によれば、1番目から3番目のいずれかの発明において、前記搬送経路が循環経路を形成しており、少なくとも二つの前記摺動体を前記搬送経路に循環させられるようにした。
すなわち4番目の発明においては、搬送経路を構成する一つの処理ユニットにおいてウェーハをウェーハ処理装置に取入れると共に、他の処理ユニットにおいてウェーハをウェーハ処理装置から排出するようにする。この場合には、摺動体が搬送経路を逆走する必要がないので、複数の摺動体を搬送経路に循環させられる。
According to a fourth invention, in any one of the first to third inventions, the transport path forms a circulation path, and at least two of the sliding bodies can be circulated through the transport path.
That is, in the fourth aspect of the invention, the wafer is taken into the wafer processing apparatus in one processing unit constituting the transfer path, and the wafer is discharged from the wafer processing apparatus in another processing unit. In this case, since it is not necessary for the sliding body to reversely travel along the conveyance path, a plurality of sliding bodies can be circulated through the conveyance path.
5番目の発明によれば、1番目から4番目のいずれかの発明において、前記搬送経路の少なくとも一部においては、前記ウェーハに対して同一の処理を行う少なくとも二つの処理ユニットが並列に配置されている。
すなわち5番目の発明においては、処理時間が比較的長い処理ユニットを並列に配置することにより、ウェーハ処理装置全体における処理時間を短縮できる。
According to a fifth invention, in any one of the first to fourth inventions, at least two processing units for performing the same processing on the wafer are arranged in parallel in at least a part of the transfer path. ing.
That is, in the fifth aspect , the processing time in the entire wafer processing apparatus can be shortened by arranging processing units having a relatively long processing time in parallel.
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下の図面において同様の部材には同様の参照符号が付けられている。理解を容易にするために、これら図面は縮尺を適宜変更している。
図1は本発明に基づくウェーハ処理装置の略図である。図1に示されるウェーハ処理装置10は、複数の処理ユニットA〜I、J1〜M1、J2〜M2、Nを含んでいる。これら処理ユニットは、ホストコンピュータとしての制御部11により制御される。また、処理ユニットJ1〜M1と処理ユニットJ2〜M2とはそれぞれ互いに同一である。さらに、図1においては、制御部11により制御される二つの摺動体20が、複数の処理ユニットにより形成される搬送経路15に沿って同一方向に摺動している。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In the following drawings, the same members are denoted by the same reference numerals. In order to facilitate understanding, the scales of these drawings are appropriately changed.
FIG. 1 is a schematic diagram of a wafer processing apparatus according to the present invention. A
以下、図1に示されるウェーハ処理装置10の各処理ユニットについて説明する。これら処理ユニットのそれぞれは単独で動作可能である。複数の処理ユニットのうちの処理ユニットAはロボットハンド(図示しない)を備えている。図面には示さないものの、複数のウェーハ30が格納されたカセットが処理ユニットAに隣接して配置されている。カセットに格納されたウェーハ30の表面には表面保護フィルム31が予め貼付けられているものとする。処理ユニットAにおいては、ロボットハンドによって、外部のカセット内のウェーハ30がウェーハ処理装置10に一枚ずつ取入れられる(矢印X1参照)。そして、ウェーハ30は、処理ユニットAにおいて、その裏面が上方を向くように、摺動体20の吸着テーブル21に吸着される。
Hereinafter, each processing unit of the
処理ユニットB〜Eは研削用砥石(図示しない)とその回転機後部(図示しない)とをそれぞれ備えており、ウェーハ30の裏面を研削研磨する。処理ユニットBの砥石は荒砥であり、処理ユニットCの砥石は中砥であり、処理ユニットDの砥石は仕上砥であり、処理ユニットEの砥石は研磨用砥石である。なお、これら処理ユニットB〜Eにおける研削時または研磨時には、スラリーなどの液体も適宜使用されうる。
Each of the processing units B to E includes a grinding wheel (not shown) and a rear portion of the rotating machine (not shown), and grinds and polishes the back surface of the
処理ユニットFは研削研磨されたウェーハ30の裏面を洗浄するのに使用される。この目的のために、処理ユニットFはウェーハ30の裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段37(後述する)、例えばノズルを備えている。
The processing unit F is used to clean the back surface of the ground and polished
処理ユニットGはダイシングテープ用貼付機構部を含んでいる。処理ユニットGにおいては、ダイシングテープ用貼付機構部によりウェーハ30の裏面にダイシングテープが貼付けられ、それにより、ウェーハ30はマウントフレーム(図示しない)と一体化される。
The processing unit G includes a dicing tape attaching mechanism. In the processing unit G, a dicing tape is stuck to the back surface of the
処理ユニットHはロボットハンドを含んでいる。そして、処理ユニットHにおいては、ロボットハンドによってウェーハ30およびマウントフレームが反転される。また、処理ユニットIは表面保護フィルム剥離機構部(図示しない)を備えている。処理ユニットIにおいては、ウェーハ30の表面に貼付けられた表面保護フィルム31が剥離される。
The processing unit H includes a robot hand. In the processing unit H, the
処理ユニットJ1、J2はウェーハ30およびマウントフレーム(図示しない)を移動させるのに使用される。次いで、処理ユニットK1、K2はダイサなどを備えたダイシング機構部(図示しない)を含んでいる。これら処理ユニットK1、K2においては、ウェーハ30が公知の手法によりダイシングされる。処理ユニットL1、L2は前述した洗浄用の処理ユニットFと同様の構成であり、ダイシングされたウェーハ30を洗浄するのに使用される。
The processing units J1 and J2 are used to move the
処理ユニットM1、M2は処理ユニットAと同様のロボットハンド(図示しない)を備えている。これら処理ユニットM1、M2においては、ウェーハ30を吸着テーブル21から取外してウェーハ処理装置10から排出し、次いで空のカセット(図示しない)に格納する(矢印X2、X3参照)。さらに、処理ユニットNは吸着テーブル21を含む摺動体20を最初の処理ユニットAに帰還させるのに使用される。
The processing units M1 and M2 include the same robot hand (not shown) as the processing unit A. In these processing units M1 and M2, the
図1においては、これら処理ユニットA〜Nは隣接する他の処理ユニットに着脱可能に連結されている。そして、それぞれの処理ユニットA〜Nが閉じた搬送経路15を形成するようになる。図示されるように、処理ユニットJ1〜M1に対して並列に配置された処理ユニットJ2〜M2からなる分岐経路15’も形成されている。
In FIG. 1, these processing units A to N are detachably connected to other adjacent processing units. Each processing unit A to N forms a
図2は図1に示されるウェーハ処理装置を部分的に示す部分図である。図2においては、隣接する三つの処理ユニットB〜Dのみが部分的に示されているが、他のユニットも概ね同様の構成である。なお、簡潔にする目的で、図2においては後述する駆動モータ38等は示されていない。
FIG. 2 is a partial view partially showing the wafer processing apparatus shown in FIG. In FIG. 2, only the three adjacent processing units B to D are partially shown, but the other units have substantially the same configuration. For the sake of brevity, FIG. 2 does not show a
図2に示されるように、それぞれの処理ユニットB〜Dの上面16には、摺動体20が摺動するための一対のレール18が設けられている。これらレール18は、それぞれの処理ユニットの両端部まで長手方向に延びている。これらレール18はそれぞれ複数の永久磁石を含む界磁ヨークを構成している。
As shown in FIG. 2, a pair of
処理ユニットの寸法は同一であるので、処理ユニットB〜Dを隣接して配置すると、一対のレール18は互いに連結されるようになる。これにより、図1に示される搬送経路15および分岐通路15’が形成される。さらに、図2に示されるように、一対のレール18間に形成されたスリット17も隣接するスリット17と一体的になる。なお、図1に示される搬送経路15および分岐通路15’から分かるように、一部の処理ユニットA、F、H、J1、J2、M1、M2においてはレール18およびスリット17の形状が前述したのと異なることに注意されたい。
Since the processing units have the same dimensions, when the processing units B to D are arranged adjacent to each other, the pair of
図3はウェーハ処理装置の洗浄用処理ユニットFにおける断面図である。図3においては、処理ユニットFは洗浄水を貯える洗浄水源36を備えている。洗浄水源36の洗浄水は洗浄液供給手段37、例えば洗浄ノズルを通じて、吸着テーブル21上のウェーハ30に供給されるようになっている。
FIG. 3 is a cross-sectional view of the cleaning processing unit F of the wafer processing apparatus. In FIG. 3, the processing unit F includes a cleaning
図3に示されるように、摺動体20は、吸着テーブル21が内部に備えられたハウジング26を含んでいる。そして、吸着テーブル21の下面には、エアベアリング23が取付けられており、エアベアリング23の下方にはロータリジョイント24がハウジング26の下面を越えて延びている。さらに、上方電磁クラッチ29がロータリジョイント24の下方に取付けられている。図示されるように、この上方電磁クラッチ29はスリット17を通って洗浄用処理ユニットFの上面16よりも下方に位置している。
As shown in FIG. 3, the sliding
一方、洗浄用処理ユニットFには、駆動モータ38が配置されている。駆動モータ38から延びる下方電磁クラッチ39は、摺動体20の上方電磁クラッチ29に係合するようになっている。これら電磁クラッチ29、39が係合すると、吸着テーブル21は駆動モータ38により回転可能になる。
On the other hand, a
このような駆動モータ38および下方電磁クラッチ39は、ウェーハ30を回転させる必要のある処理ユニット、例えば処理ユニットF等にのみ設けられている。摺動体20は搬送経路15上を摺動するものの、本発明においては、比較的重量のある駆動モータ38を摺動体20と一緒に摺動させる必要はない。このため、摺動体20を摺動するのに要するエネルギを抑えると共に、摺動体20を所望の位置でより正確に停止させることが可能である。
Such a
図3に示されるように、ハウジング26の内方でかつエアベアリング23の上方においては、概ね桶状の液体受容部25が吸着テーブル21の周りに配置されている。この液体受容部25は、洗浄液供給手段37から供給された洗浄水または処理ユニットB〜Eにおいて研削、研磨時に使用されるスラリーなどの液体を受容して一時的に貯える役目を果たす。この液体受容部25によって、洗浄水などが吸着テーブル21以外の箇所に飛散するのを防止できる。なお、ウェーハ処理装置10が、洗浄水またはスラリーなどを使用しない処理ユニットのみから構成されている場合には、液体受容部25および液体受容部25に関連する部材を排除してもよい。
As shown in FIG. 3, a generally bowl-shaped
摺動体20は、吸着テーブル21と、エアベアリング23と、ロータリジョイント24と、上方電磁クラッチ29と、ハウジング26と、液体受容部25とを含む。そして、ハウジング26の下面には、コイルで構成された電機子28が洗浄用処理ユニットFのレール18に対向して取付けられている。このような構成であるので、摺動体20は界磁ヨークからなるレール18の搬送経路15上を摺動することが可能である。
The sliding
さらに、図3に示されるように、吸着テーブル21の下面から延びる吸着テーブル用管路43がハウジング26の側壁に配置されたマルチコネクタ49に接続されている。この吸着テーブル用管路43には開閉弁44が設けられている。
Further, as shown in FIG. 3, a suction
図4はマルチコネクタの正面図である。図4に示されるようにマルチコネクタ49は複数の管路および電気配線をブロック48内に含んでいる。これら複数の管路および電気配線は、処理ユニット側のマルチコネクタ59への連結時に同時に接続される。
FIG. 4 is a front view of the multi-connector. As shown in FIG. 4, the multi-connector 49 includes a plurality of conduits and electrical wiring within the
さらに、処理ユニットFに取付けられたマルチコネクタ59は真空源用管路53を通じて真空源56に接続されている。マルチコネクタ49、59は互いに対向可能な高さに配置されており、一方が雌型、他方が雄型である。このような真空源56、真空源用管路53およびマルチコネクタ59は全ての処理ユニットに個別に設けられている。あるいは、真空源用管路53を分岐することにより、共通の真空源56を複数の処理ユニットにおいて使用してもよい。
Further, the multi-connector 59 attached to the processing unit F is connected to the
本発明においては、開閉弁44を閉鎖することにより、ウェーハ30を吸着テーブル21に吸着させた状態で、摺動体20を一つの処理ユニットから他の処理ユニットまで摺動させられる。そして、摺動体20が隣の処理ユニットに到着すると、処理ユニット側のマルチコネクタ59が図示しない機構により摺動体20のマルチコネクタ49まで突出する。これにより、これらマルチコネクタ49、59が互いに接続される。その後、開閉弁44を開放すると、ウェーハ30は真空源56からの吸引作用を再び受けるようになる。また、摺動体20が或る処理ユニットに到着したときには、図示しないガイドピンが突出して、摺動体20をその処理ユニットに固定しているものとする。
In the present invention, by closing the on-off
さらに、図3に示されるように、廃液管路41が液体受容部25の下面からマルチコネクタ49まで延びている。この廃液管路41には開閉弁42が設けられている。そして、処理ユニットFには、廃液タンク55が備えられており、廃液タンク55から延びる管路51がマルチコネクタ59に接続されている。これら廃液タンク55および管路51は、洗浄水またはスラリーなどの液体を使用する処理ユニット、例えば処理ユニットF等においてのみ設けられている。
Further, as shown in FIG. 3, the
そのような処理ユニットの動作時には開閉弁42は開放されて、洗浄水などの液体が廃液管路41および管路51を通じて廃液タンク55に排出される。そして、摺動体20が摺動するときには開閉弁42は閉鎖され、液体受容部25に貯まった洗浄水などが他の処理ユニットに流出するのを防止する。
During the operation of such a processing unit, the on-off
再び図1を参照すると、本発明の典型的な実施形態においては、表面保護フィルム31が貼付けられたウェーハ30が処理ユニットAにおいてウェーハ処理装置10に取入れられ、摺動体20の吸着テーブル21に吸着される。次いで、ウェーハ30は摺動体20と共に搬送経路15を摺動し、それにより、処理ユニットB〜I、J1〜L1において前述した所定の処理を順次受けるようになる。次いで、処理ユニットM1においてウェーハ30は、ウェーハ処理装置10から排出されてカセット(図示しない)に格納される。その後、摺動体20は処理ユニットNを通って処理ユニットAまで戻る。
Referring again to FIG. 1, in a typical embodiment of the present invention, the
このように、本発明においては、共通の吸着テーブル21を用いて、それぞれの処理ユニットA〜M1において各種の処理を受けている。そして、ウェーハ30を処理ユニット間で移動させるときには、ウェーハ30を吸着テーブル21から着脱する必要がない。その結果、複数の処理の全てを行うのに必要な処理時間を短縮することが可能である。なお、本発明においては、処理ユニットHにおいてウェーハ30を反転させるときにのみ、ウェーハ30の着脱が行われる。
As described above, in the present invention, each processing unit A to M1 receives various processes using the common suction table 21. When the
さらに、本発明においては、他の処理ユニットM1、M2においてウェーハ30を排出した後で、摺動体20が最初の処理ユニットAまで戻るようにしている。このため、摺動体20を逆走させて処理ユニットAまで戻す必要はない。それゆえ、本発明においては、複数の摺動体20を搬送経路15に同一方向に搬送させることが可能である。また、搭載可能な摺動体20の最大値は処理ユニットの数に等しいのが分かるであろう。
Further, in the present invention, the
また、本発明のウェーハ処理装置10において、一部の処理ユニットを修理する必要がある場合には、その処理ユニットを同一の新規な処理ユニットに単に交換すれば足りる。つまり、本発明においては、一部の処理ユニットの修理が完了するまでウェーハ処理装置10全体を停止させる必要はない。同様に、一部の処理ユニットのみをバージョンアップする場合にもウェーハ処理装置10全体を停止させる必要はない。
Further, in the
また、例えばダイシング用の処理ユニットK1のみが破損した場合には、処理ユニットK1を取除いて、処理ユニットK2を処理ユニットK1の位置まで移動させればよい。これにより、搬送経路15を維持できるので、ウェーハ30の処理を継続させられる。あるいは、例えばダイシング用の処理ユニットK1のみが破損した場合には、処理ユニットK2を含む分岐通路15’を代わりに使用するようにしてもよい。
For example, when only the processing unit K1 for dicing is damaged, the processing unit K1 may be removed and the processing unit K2 may be moved to the position of the processing unit K1. Thereby, since the conveyance path |
また、特定の処理ユニット、例えば処理ユニットK1における処理時間が比較的長い場合には、分岐通路15’を搬送通路15と併用するのが好ましい。このような場合には、一つの摺動体20のウェーハ30を処理ユニットK1において処理しつつ、他の摺動体20を分岐通路15’上の処理ユニットK2まで摺動させ、他の摺動体20のウェーハ30を同様に処理できる。すなわち、本発明においては、処理ユニットJ2〜M2からなる分岐通路15’を並置することにより、同一内容の処理を複数の処理ユニットで同時に行うことが可能である。
Further, when the processing time in a specific processing unit, for example, the processing unit K1, is relatively long, it is preferable to use the branch passage 15 'together with the
これにより、特定の処理ユニットにおける処理時間が比較的長い場合であっても、摺動体20が特定の処理ユニットで滞留するのを防止し、ウェーハ処理装置10全体に要する処理時間を短縮することができる。当然のことながら、二つ以上の分岐通路を備える構成または他の処理ユニットからなる他の分岐通路を備える構成にしてもよい。
Thereby, even when the processing time in the specific processing unit is relatively long, the sliding
さらに、本発明に基づくウェーハ処理装置10は図1に示される構成に限定されるものではない。他の処理を行う処理ユニットをウェーハ処理装置10にさらに組付けるか、あるいは前述したいくつかの処理ユニットを取外すことも可能である。
Further, the
さらに、図1に示されるように、制御部11は表示手段12、例えば液晶ディスプレイを備えている。表示手段12には、ウェーハ処理装置10の概略が表示されており、摺動体20が複数の処理ユニットのうちのどの処理ユニットに位置しているかが示されている。このため、一人の操作者がウェーハ処理装置10全体の動作を管理できるのが分かるであろう。
Further, as shown in FIG. 1, the
10 ウェーハ処理装置
11 制御部
12 表示手段
15 搬送経路
15’ 分岐経路
16 上面
17 スリット
18 レール
20 摺動体
21 吸着テーブル
23 エアベアリング
24 ロータリジョイント
25 液体受容部
26 ハウジング
28 電機子
29 上方電磁クラッチ
30 ウェーハ
31 表面保護フィルム
36 洗浄水源
37 洗浄液供給手段
38 駆動モータ
39 下方電磁クラッチ
41 廃液管路
42 開閉弁
43 吸着テーブル用管路
44 開閉弁
49、59 マルチコネクタ
51 管路
53 真空源用管路
55 廃液タンク
56 真空源
A〜N 処理ユニット
DESCRIPTION OF
Claims (5)
さらに、前記搬送経路上を摺動する摺動体を具備し、
該摺動体は、前記ウェーハを吸着する吸着テーブルを少なくとも含んでおり、前記摺動体は、前記回転駆動体と前記吸着テーブルとを連結するクラッチをさらに含む、ウェーハ処理装置。 A plurality of processing units for performing predetermined processing on the wafer, each of the plurality of processing units being detachably connected to an adjacent processing unit to form a common transfer path , At least one of the processing units includes a rotary drive that rotates the suction table,
Furthermore, it comprises a sliding body that slides on the transport path,
The sliding body includes at least a suction table that sucks the wafer, and the sliding body further includes a clutch that connects the rotary drive body and the suction table .
前記摺動体は、前記吸着テーブルおよび前記真空源用通路を接続する吸着テーブル用通路と、該吸着テーブル用通路に備えられた開閉弁とを含んでいる、請求項1に記載のウェーハ処理装置。 Each of the plurality of processing units includes a vacuum source passage extending from a vacuum source used to suck the wafer onto the suction table;
The wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the sliding body includes a suction table passage connecting the suction table and the vacuum source passage, and an opening / closing valve provided in the suction table passage.
前記摺動体は、前記吸着テーブル周りに配置されていて前記液体供給手段から供給された前記液体を受容する液体受容部を含む、請求項1または2に記載のウェーハ処理装置。 At least one of the plurality of processing units includes a liquid supply means for supplying a liquid to the wafer,
The wafer processing apparatus according to claim 1 , wherein the sliding body includes a liquid receiving portion that is disposed around the suction table and receives the liquid supplied from the liquid supply unit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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