JP2013033994A - 多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物、基材付き絶縁シート、多層プリント配線板及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下記成分を必須成分とする多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
(A)官能基含有シラン類及び/又はアルキルシラザン類で表面処理されたシリカ
(B)エポキシ樹脂
(C)硬化促進剤
【選択図】 なし
Description
(1)下記成分を必須成分とする多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
(A)官能基含有シラン類及び/又はアルキルシラザン類で表面処理されたシリカ
(B)エポキシ樹脂
(C)硬化促進剤
(2)前記(A)官能基含有シラン類及び/又はアルキルシラザン類で表面処理されたシ
リカの平均粒径が2.0μm以下である(1)記載の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
(3)前記(A)官能基含有シラン類及び/又はアルキルシラザン類で表面処理されたシ
リカの官能基含有シラン類が、2級アミノシラン化合物である(1)または(2)に記載の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
(4)前記(A)官能基含有シラン類及び/又はアルキルシラザン類で表面処理されたシ
リカの比表面積は、1.0m2/g以上200m2/g以下である(1)ないし(3)のいずれかに記載の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
(5)前記(A)官能基含有シラン類及び/又はアルキルシラザン類で表面処理されたシ
リカの含有量が、多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物の20重量%以上80重量%以下である(1)ないし(4)のいずれかに記載の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
(6)多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物は、シアネートエステル樹脂を含むものであ
る(1)ないし(5)のいずれかに記載の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
(7)前記シアネートエステル樹脂は、フェノールノボラック骨格を含むもので(6)に
記載の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
(8)多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物は、フェノキシ樹脂を含むものである(1)
ないし(7)のいずれかに記載の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
(9)前記フェノキシ樹脂は、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、及びビスフェ
ノールS型よりなる群から選ばれる少なくとも1種の骨格を有するフェノキシ樹脂の1種以上含むものである(8)のいずれかに記載の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
(10)(1)ないし(9)のいずれかに記載の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物を含
む基材付き絶縁シート。
(11)(10)に記載の基材付き絶縁シートを内層回路板の片面または両面に重ね合わせ
て加熱加圧成型してなる多層プリント配線板。
(12)(11)に記載の多層プリント配線板に半導体素子を搭載した半導体装置。
が好ましい。
これらエポキシ樹脂の中でも特にアリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、吸湿半田耐熱性および難燃性を向上させることができる。
前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えばGPCで測定することができる。
前記シアネート樹脂等の重量平均分子量は、例えばGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質:ポリスチレン換算)で測定することができる。
またフェノキシ樹脂として、これら中の骨格を複数種類有した構造を用いることもできるし、それぞれの骨格の比率が異なるフェノキシ樹脂を用いることができる。さらに異なる骨格のフェノキシ樹脂を複数種類用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有するフェノキシ樹脂を複数種類用いたり、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。
また、ビスフェノールA骨格とビスフェノールF骨格とを有するフェノキシ樹脂を用いることができる。これにより、多層プリント配線板の製造時に内層回路基板への密着性を向上させることができる。さらに、前記ビフェニル骨格とビスフェノールS骨格とを有するフェノキシ樹脂と、ビスフェノールA骨格とビスフェノールF骨格とを有するフェノキシ樹脂とを併用してもよい。
ここで、実質的にハロゲン原子を含まないとは、例えば、エポキシ樹脂あるいはフェノキシ樹脂中のハロゲン原子の含有量が1重量%以下のものをいう。
前記樹脂ワニス中の固形分含有量としては特に限定されないが、30〜80重量%が好
ましく、特に40〜70重量%が好ましい。
また、前記多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物には、必要に応じて、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤等の前記成分以外の添加物を添加しても良い。
本発明の基材付き絶縁シートは、前記本発明の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物を含む基材付き絶縁シートであり、基材付き絶縁シートを作製する方法としては特に限定されないが、例えば、樹組成物を溶剤などに溶解・分散させて樹脂ワニスを調製して、各種塗工装置を用い、樹脂ワニスを基材に塗工した後、これを乾燥する方法、スプレー装置により樹脂ワニスを基材に噴霧塗工した後、これを乾燥する方法、などが挙げられる。
これらの中でも、コンマコーター、ダイコーターなどの各種塗工装置を用いて、樹脂ワニスを基材に塗工した後、これを乾燥する方法が好ましい。これにより、ボイドがなく、均一な絶縁シート層の厚みを有する基材付き絶縁シートを効率よく製造することができる。
前記基材の厚みとしては特に限定されないが、10〜70μmのものを用いると、基材付き絶縁シートを製造する際の取り扱い性が良好であり好ましい。
なお、本発明の基材付き絶縁シートを製造するにあたっては、絶縁シートと接合される側の絶縁基材表面の凹凸は極力小さいものであることが好ましい。これにより、本発明の作用を効果的に発現させることができる。
このような粗化処理後の絶縁樹脂層表面に金属メッキ処理を行うと、粗化処理面の平滑性が高いため、微細な導体回路を精度よく形成することができる。また、微小な凹凸形状によりアンカー効果を高め、絶縁樹脂層とメッキ金属との間に高い密着性を付与することができる。
前記多層プリント回路板は、前記基材付き絶縁シートを内層回路板の片面又は両面に重ね合わせて加熱加圧成形してなるものである。
具体的には、前記本発明の基材付き絶縁シートの絶縁シート層側と内層回路板とを合わせて、真空加圧式ラミネーター装置などを用いて真空加熱加圧成形させ、その後、熱風乾燥装置等で加熱硬化させることにより得ることができる。
ここで加熱加圧成形する条件としては特に限定されないが、温度60〜160℃、圧力0.2〜3MPaで実施することが好ましい。また、加熱硬化させる条件としては特に限定されないが、温度140〜240℃、時間30〜120分間で実施することが好ましい。
あるいは、前記本発明の基材付き絶縁シートの絶縁シート層側を内層回路板に重ね合わせ、平板プレス装置などを用いて加熱加圧成形することにより得ることができる。ここで加熱加圧成形する条件としては特に限定されないが、温度140〜240℃、圧力1〜4MPaで実施することが好ましい。
なお、前記多層プリント配線板を得る際に用いられる内層回路板は、例えば、銅張積層版の両面に、エッチング等により所定の導体回路を形成し、導体回路部分を黒化処理したものを好適に用いることができる。
前記半導体装置は、前記多層プリント配線板に半導体素子を実装し、封止樹脂によって封止することによって製造する。半導体素子の実装方法、封止方法は特に限定されない。本発明の多層プリント配線板をパッケージ用基板として使用することにより、高密度実装が可能なうえ、信頼性に優れた半導体装置を製造することができる。
(1)シアネート樹脂/ノボラック型シアネート樹脂:ロンザ社製・「プリマセットPT−30」、重量平均分子量700
(2)エポキシ樹脂/ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂:日本化薬社製・「NC−3000」、エポキシ当量275、重量平均分子量1000
(3)フェノキシ樹脂A/ビフェニルエポキシ樹脂とビスフェノールSエポキシ樹脂との
共重合体であり、末端部はエポキシ基を有している:ジャパンエポキシレジン社製・「Y
X−8100H30」、重量平均分子量30000)
(4)フェノキシ樹脂B/ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキ
シ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有している:ジャパンエポキシレジン
社製・「jER4275」、重量平均分子量60000)
(5)硬化促進剤/イミダゾール化合物:四国化成工業社製・「キュアゾール1B2PZ
ベンジル−2−フェニルイミダゾール)」
(6)シリカA/球状溶融シリカ:電気化学工業社製・「SFP−20M(フェニルアミノシラン処理)」、平均粒径約0.3μm、比表面積約11.4m2/g
(7)シリカB/球状溶融シリカ:電気化学工業社製・「SFP−20M(ビニルシラン処理)」、平均粒径約0.3μm、比表面積約11.4m2/g
(8)シリカC/球状溶融シリカ:電気化学工業社製・「SFP−20M(HMDS処理)」、平均粒径約0.3μm、比表面積約10.7m2/g
(9)シリカD/球状溶融シリカ:電気化学工業社製・「SFP−20M」、平均粒径約0.3μm、比表面積約13.9m2/g
(10)カップリング剤/エポキシシランカップリング剤:日本ユニカー社製・「A−187」
(1)樹脂ワニスの調製
シリカA24.7重量部、シアネート樹脂45重量部、エポキシ樹脂25重量部、フェノキシ樹脂B5重量部を溶剤に溶解・分散させた。さらにカップリング剤0.2重量部、硬化促進剤0.1重量部を添加し、攪拌機にて攪拌し樹脂ワニスを調整した。
前記で得られた樹脂ワニスを、厚さ38μmのPET(ポリエチレンテレフタレート)フィルムの片面に、コンマコーター装置を用いて乾燥後の絶縁フィルムの厚さが40μmとなるように塗工し、これを110〜150℃の乾燥装置で乾燥して、基材付き絶縁シートを製造した。
所定の内層回路が両面に形成された内層回路基板の表裏に、前記で得られた基材付き絶縁樹脂層の絶縁樹脂面を内側にして重ね合わせ、これを、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度100℃、圧力1MPaにて真空加熱加圧成形させ、その後、熱風乾燥装置にて170℃で45分間加熱硬化行った。
なお、内層回路基板としては、ハロゲンフリー FR−4材(厚さ0.4mm)を用い、絶縁樹脂層に形成する導体層には厚み18μmの銅箔を用いた。
前記で得られた多層プリント配線板1から基材を剥離し、80℃の膨潤液(アトテックジャパン社製・「スウェリングディップ セキュリガント P500」)に10分間浸漬し、さらに80℃の過マンガン酸カリウム水溶液(アトテックジャパン社製・「コンセントレート コンパクト CP」)に20分浸漬後、中和して粗化処理を行った。
これを脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅メッキ皮膜を約1μm、電気メッキ銅30μm形成させ、熱風乾燥装置にて200℃で60分間アニール処理を行い、多層プリント配線板を得た。
50mm×50mmサイズの両面銅張積層板上に所定の回路配線を形成し、厚さ0.8mm、15mm×15mmサイズの半導体素子をフリップチップボンダーで実装し、リフロー炉にて接合し、アンダーフィルを充填することによって、半導体装置を作製した。
シリカA39.7重量部、シアネート樹脂30重量部、エポキシ樹脂25重量部、フェノキシ樹脂A5重量部を溶剤に溶解・分散させた。さらにカップリング剤0.2重量部、硬化促進剤0.1重量部を添加し、攪拌機にて攪拌し樹脂ワニスを調整した。この樹脂ワニスを用い、実施例1と同様にして、基材付き絶縁シート及び多層プリント配線板1、2、及び半導体装置を得た。
シリカB39.7重量部、シアネート樹脂35重量部、エポキシ樹脂20重量部、フェノキシ樹脂B5重量部を溶剤に溶解・分散させた。さらにカップリング剤0.2重量部、硬化促進剤0.1重量部を添加し、攪拌機にて攪拌し樹脂ワニスを調整した。この樹脂ワニスを用い、実施例1と同様にして、基材付き絶縁シート及び多層プリント配線板1、2、及び半導体装置を得た。
シリカC39.7重量部、シアネート樹脂35重量部、エポキシ樹脂20重量部、フェノキシ樹脂A5重量部を溶剤に溶解・分散させた。さらにカップリング剤0.2重量部、硬化促進剤0.1重量部を添加し、攪拌機にて攪拌し樹脂ワニスを調整した。この樹脂ワニスを用い、実施例1と同様にして、基材付き絶縁シート及び多層プリント配線板1、2、及び半導体装置を得た。
シリカD39.7重量部、シアネート樹脂20重量部、エポキシ樹脂20重量部、フェノキシ樹脂A20重量部を溶剤に溶解・分散させた。さらにカップリング剤0.2重量部、硬化促進剤0.1重量部を添加し、攪拌機にて攪拌し樹脂ワニスを調整した。この樹脂ワニスを用い、実施例1と同様にして、基材付き絶縁シート及び多層プリント配線板1、2、及び半導体装置を得た。
シリカD81.7重量部、シアネート樹脂6重量部、エポキシ樹脂6重量部、フェノキシ樹脂B6重量部を溶剤に溶解・分散させた。さらにカップリング剤0.2重量部、硬化促進剤0.1重量部を添加し、攪拌機にて攪拌し樹脂ワニスを調整した。この樹脂ワニスを用い、実施例1と同様にして、基材付き絶縁シート及び多層プリント配線板1、2、及び半導体装置を得た。
基材付き絶縁シートの内側を重ね合わせ、基材を除去した。トータル枚数が5枚重ねになるまで前記作業を繰り返し、最終的に基材を除去し、5枚重ねの絶縁樹脂層をサークルカッターで切り出した。また、同様に銅箔を絶縁樹脂層と同じ大きさにカットし、絶縁樹脂層の両面に重ね、170℃×5分でプレスし、銅箔からはみ出た樹脂分との重量減少量にて流動性を算出した。
多層プリント配線板2を作製した後,SEMにて多層プリント配線板2の表面を観察し、ひび割れの有無を確認した。
厚さ0.2mmの両面銅張積層板から50mm×50mmに切り出し、JIS C 6481に従い半面エッチングを行ってテストピースを作成した。121℃のプレッシャークッカーで2時間処理した後、260℃のはんだ槽に銅箔面を下にして浮かべ、120秒後の外観異常の有無を調べた。
厚さ0.8mmの両面銅張積層板を用いて半導体装置のテストピースを作製した。得られたテストピースをフロリナート中で−55℃10分、125℃10分、−55℃10分を1サイクルとして、1000サイクル処理し、テストピースにクラックが発生していないか確認した。
[流動性]
○:20%以上
△:10〜20%
×:10%未満
[デスミア性]
○:ひび割れ無し
×:ひび割れ有り
[吸湿半田耐熱]
○:異常なし
×:フクレあり
[熱衝撃試験]
○:異常なし
×:クラック発生
また、本発明の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物を用い、多層プリント配線板を製造した場合に、吸湿半田耐熱性に優れ、半導体装置を製造した場合は、熱衝撃試験に優れる。
(1)下記成分を必須成分とする多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物(ただし、熱可塑性ポリイミド樹脂を含有する多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物を除く)。
(A)ヘキサメチルジシラザンで表面処理されたシリカ
(B)エポキシ樹脂
(C)硬化促進剤
(D)シアネートエステル樹脂
(2)前記(A)ヘキサメチルジシラザンで表面処理されたシリカの平均粒径が2.0μm以下である(1)記載の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
(3)前記(A)ヘキサメチルジシラザンで表面処理されたシリカの比表面積は、1.0m2/g以上200m2/g以下である(1)または(2)に記載の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
(4)前記(A)ヘキサメチルジシラザンで表面処理されたシリカの含有量が、多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物の20重量%以上80重量%以下である(1)ないし(3)のいずれか一つに記載の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
(5)前記(D)シアネートエステル樹脂は、フェノールノボラック骨格を含むものである(1)ないし(4)のいずれか一つに記載の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
(6)多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物は、フェノキシ樹脂を含むものである(1)ないし(5)のいずれか一つに記載の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
(7)前記フェノキシ樹脂は、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、及びビスフェノールS型よりなる群から選ばれる少なくとも1種の骨格を有するフェノキシ樹脂の1種以上含むものである(6)に記載の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
(8)(1)ないし(7)のいずれか一つに記載の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物を含む基材付き絶縁シート。
(9)(8)に記載の基材付き絶縁シートを内層回路板の片面または両面に重ね合わせて加熱加圧成型してなる多層プリント配線板。
(10)(9)に記載の多層プリント配線板に半導体素子を搭載した半導体装置。
(1)樹脂ワニスの調製
シリカA24.7重量部、シアネート樹脂45重量部、エポキシ樹脂25重量部、フェノキシ樹脂B5重量部を溶剤に溶解・分散させた。さらにカップリング剤0.2重量部、硬化促進剤0.1重量部を添加し、攪拌機にて攪拌し樹脂ワニスを調整した。
シリカA39.7重量部、シアネート樹脂30重量部、エポキシ樹脂25重量部、フェノキシ樹脂A5重量部を溶剤に溶解・分散させた。さらにカップリング剤0.2重量部、硬化促進剤0.1重量部を添加し、攪拌機にて攪拌し樹脂ワニスを調整した。この樹脂ワニスを用い、参考例1と同様にして、基材付き絶縁シート及び多層プリント配線板1、2、及び半導体装置を得た。
シリカB39.7重量部、シアネート樹脂35重量部、エポキシ樹脂20重量部、フェノキシ樹脂B5重量部を溶剤に溶解・分散させた。さらにカップリング剤0.2重量部、硬化促進剤0.1重量部を添加し、攪拌機にて攪拌し樹脂ワニスを調整した。この樹脂ワニスを用い、参考例1と同様にして、基材付き絶縁シート及び多層プリント配線板1、2、及び半導体装置を得た。
シリカC39.7重量部、シアネート樹脂35重量部、エポキシ樹脂20重量部、フェノキシ樹脂A5重量部を溶剤に溶解・分散させた。さらにカップリング剤0.2重量部、硬化促進剤0.1重量部を添加し、攪拌機にて攪拌し樹脂ワニスを調整した。この樹脂ワニスを用い、参考例1と同様にして、基材付き絶縁シート及び多層プリント配線板1、2、及び半導体装置を得た。
シリカD39.7重量部、シアネート樹脂20重量部、エポキシ樹脂20重量部、フェノキシ樹脂A20重量部を溶剤に溶解・分散させた。さらにカップリング剤0.2重量部、硬化促進剤0.1重量部を添加し、攪拌機にて攪拌し樹脂ワニスを調整した。この樹脂ワニスを用い、参考例1と同様にして、基材付き絶縁シート及び多層プリント配線板1、2、及び半導体装置を得た。
シリカD81.7重量部、シアネート樹脂6重量部、エポキシ樹脂6重量部、フェノキシ樹脂B6重量部を溶剤に溶解・分散させた。さらにカップリング剤0.2重量部、硬化促進剤0.1重量部を添加し、攪拌機にて攪拌し樹脂ワニスを調整した。この樹脂ワニスを用い、参考例1と同様にして、基材付き絶縁シート及び多層プリント配線板1、2、及び半導体装置を得た。
JIS C 6481に従い半面エッチングを行ってテストピースを作成した。121℃のプレッシャークッカーで2時間処理した後、260℃のはんだ槽に銅箔面を下にして浮かべ、120秒後の外観異常の有無を調べた。
Claims (12)
- 下記成分を必須成分とする多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
(A)官能基含有シラン類及び/又はアルキルシラザン類で表面処理されたシリカ
(B)エポキシ樹脂
(C)硬化促進剤 - 前記(A)官能基含有シラン類及び/又はアルキルシラザン類で表面処理されたシリカの平均粒径が2.0μm以下である請求項1記載の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
- 前記(A)官能基含有シラン類及び/又はアルキルシラザン類で表面処理されたシリカの官能基含有シラン類が、2級アミノシラン化合物である請求項1または2に記載の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
- 前記(A)官能基含有シラン類及び/又はアルキルシラザン類で表面処理されたシリカの比表面積は、1.0m2/g以上200m2/g以下である請求項1ないし3のいずれかに記載の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
- 前記(A)官能基含有シラン類及び/又はアルキルシラザン類で表面処理されたシリカの含有量が、多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物の20重量%以上80重量%以下である請求項1ないし4のいずれかに記載の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
- 多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物は、シアネートエステル樹脂を含むものである請求項1ないし5のいずれかに記載の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
- 前記シアネートエステル樹脂は、フェノールノボラック骨格を含むものである請求項6に記載の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
- 多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物は、フェノキシ樹脂を含むものである請求項1ないし7のいずれかに記載の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
- 前記フェノキシ樹脂は、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、及びビスフェノールS型よりなる群から選ばれる少なくとも1種の骨格を有するフェノキシ樹脂の1種以上含むものである請求項8に記載の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物。
- 請求項1ないし9のいずれかに記載の多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物を含む基材付き絶縁シート。
- 請求項10に記載の基材付き絶縁シートを内層回路板の片面または両面に重ね合わせて加熱加圧成型してなる多層プリント配線板。
- 請求項11に記載の多層プリント配線板に半導体素子を搭載した半導体装置。
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