JP2013030812A - Ｌｅｄチップ固定用基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】平板状の金属板を素材に用いて、板金加工によりＬＥＤチップ収納用凹部やＬＥ
Ｄチップ載置用凸部を形成する方法を用いて製造されるＬＥＤチップ固定用基板を改良し
、ＬＥＤチップから放出される光（または、この光によって励起された波長変換物質が放
出するルミネッセンス光）が高効率で外部に取り出される発光装置の製造を可能とするＬ
ＥＤチップ固定用基板を提供すること。
【解決手段】ＬＥＤチップ固定用基板１０は、金属板１１の一方の面にＬＥＤチップ２０
を収納するための凹部１４を板金加工により形成した後、少なくとも該凹部の表面を含む
金属板１１の一方の面上にメタル反射層を含む高反射コーティング１２を形成して得られ
る。
【選択図】図１
Ｄチップ載置用凸部を形成する方法を用いて製造されるＬＥＤチップ固定用基板を改良し
、ＬＥＤチップから放出される光（または、この光によって励起された波長変換物質が放
出するルミネッセンス光）が高効率で外部に取り出される発光装置の製造を可能とするＬ
ＥＤチップ固定用基板を提供すること。
【解決手段】ＬＥＤチップ固定用基板１０は、金属板１１の一方の面にＬＥＤチップ２０
を収納するための凹部１４を板金加工により形成した後、少なくとも該凹部の表面を含む
金属板１１の一方の面上にメタル反射層を含む高反射コーティング１２を形成して得られ
る。
【選択図】図１
Description
本発明は、ＬＥＤチップを光源とする発光装置に用いるためのＬＥＤチップ固定用基板と
、その製造方法に関する。
、その製造方法に関する。
金属板をベースとしたＬＥＤチップ固定用基板が公知である。非特許文献１には、金属板
（銅板）をエッチング加工して、その一方の面にＬＥＤチップを載置するための凸部を設
けてなるＬＥＤチップ固定用基板を用いた、発光装置が開示されている。この非特許文献
１に記載の発光装置では、凹凸面とされた銅板の表面の凹部に回路基板が圧着されており
、凸部上に固定されたＬＥＤチップはボンディングワイヤによりこの回路基板と接続され
ている。特許文献１には、金属板の一方の面にＬＥＤチップを収納するための凹部を板金
加工により形成してなるＬＥＤチップ固定用基板が開示されている。この特許文献１に記
載のＬＥＤチップ固定用基板では、ベースとなる金属板上に電気絶縁層を介して回路形成
用の導体層を積層してなる３層構造の絶縁金属基板を素材とし、プレス機などを用いた絞
り加工によって、ＬＥＤチップ収納用の窪みを形成している。これらの、金属板をベース
としたＬＥＤチップ固定用基板は、放熱性に優れているために、青色〜紫外の光を放出す
るＡｌＧａＩｎＮ系ＬＥＤチップを光源とする発光装置、とりわけ、照明用や自動車のヘ
ッドライト用の発光装置に好適に使用することができる。なぜなら、ＡｌＧａＩｎＮ系Ｌ
ＥＤは発光波長が短いことから消費電力が大きく、動作時に大量の熱を放出するからであ
る。また、照明用や自動車のヘッドライト用の発光装置ではＬＥＤが大電流で駆動される
ことから、放熱性の良いＬＥＤチップ固定用基板の使用が必須だからである。
（銅板）をエッチング加工して、その一方の面にＬＥＤチップを載置するための凸部を設
けてなるＬＥＤチップ固定用基板を用いた、発光装置が開示されている。この非特許文献
１に記載の発光装置では、凹凸面とされた銅板の表面の凹部に回路基板が圧着されており
、凸部上に固定されたＬＥＤチップはボンディングワイヤによりこの回路基板と接続され
ている。特許文献１には、金属板の一方の面にＬＥＤチップを収納するための凹部を板金
加工により形成してなるＬＥＤチップ固定用基板が開示されている。この特許文献１に記
載のＬＥＤチップ固定用基板では、ベースとなる金属板上に電気絶縁層を介して回路形成
用の導体層を積層してなる３層構造の絶縁金属基板を素材とし、プレス機などを用いた絞
り加工によって、ＬＥＤチップ収納用の窪みを形成している。これらの、金属板をベース
としたＬＥＤチップ固定用基板は、放熱性に優れているために、青色〜紫外の光を放出す
るＡｌＧａＩｎＮ系ＬＥＤチップを光源とする発光装置、とりわけ、照明用や自動車のヘ
ッドライト用の発光装置に好適に使用することができる。なぜなら、ＡｌＧａＩｎＮ系Ｌ
ＥＤは発光波長が短いことから消費電力が大きく、動作時に大量の熱を放出するからであ
る。また、照明用や自動車のヘッドライト用の発光装置ではＬＥＤが大電流で駆動される
ことから、放熱性の良いＬＥＤチップ固定用基板の使用が必須だからである。
「工業材料（日刊工業新聞社）」，２００７年４月号（Ｖｏｌ．５５、Ｎｏ．４），ｐ．４９
金属板をベースとするＬＥＤチップ固定用基板は、平板状の金属板を素材に用いて、板金
加工によりＬＥＤチップ収納用凹部やＬＥＤチップ載置用凸部を形成する方法により、安
価かつ大量に製造することができる。本発明は、このような方法を用いて製造されるＬＥ
Ｄチップ固定用基板を改良し、ＬＥＤチップから放出される光（または、この光によって
励起された波長変換物質が放出するルミネッセンス光）が高効率で外部に取り出される発
光装置の製造を可能とするＬＥＤチップ固定用基板を提供することを、その主な目的とす
る。
加工によりＬＥＤチップ収納用凹部やＬＥＤチップ載置用凸部を形成する方法により、安
価かつ大量に製造することができる。本発明は、このような方法を用いて製造されるＬＥ
Ｄチップ固定用基板を改良し、ＬＥＤチップから放出される光（または、この光によって
励起された波長変換物質が放出するルミネッセンス光）が高効率で外部に取り出される発
光装置の製造を可能とするＬＥＤチップ固定用基板を提供することを、その主な目的とす
る。
上記目的を達成するための好適な手段として、次の発明を開示する。
（１）金属板の一方の面にＬＥＤチップを収納するための凹部を板金加工により形成した
後、少なくとも該凹部の表面を含む該金属板の一方の面上にメタル反射層を含む高反射コ
ーティングを形成して得られる、ＬＥＤチップ固定用基板。
（２）金属板の一方の面にＬＥＤチップを載置するための凸部を板金加工により形成した
後、少なくとも該凸部の表面を含む該金属板の一方の面上にメタル反射層を含む高反射コ
ーティングを形成して得られる、ＬＥＤチップ固定用基板。
（３）前記金属板がアルミニウムまたは銅を用いて形成されている、前記（１）または（
２）に記載のＬＥＤチップ固定用基板。
（４）前記メタル反射層が銀を用いて形成されている、前記（１）〜（３）のいずれかに
記載のＬＥＤチップ固定用基板。
（５）前記メタル反射層の表面を覆う透明な保護層を有している、前記（１）〜（４）の
いずれかに記載のＬＥＤチップ固定用基板。
（６）前記凹部の外側に導体層を備えた回路基板を有し、前記凹部の底から見たとき、前
記導体層の表面の高さが、前記凹部の側壁面の高さと同じかまたはより高い、前記（１）
に記載のＬＥＤチップ固定用基板。
（７）金属板の一方の面にＬＥＤチップを収納するための凹部を板金加工により形成した
後、少なくとも該凹部の表面を含む該金属板の一方の面上にメタル反射層を含む高反射コ
ーティングを形成する、ＬＥＤチップ固定用基板の製造方法。
（８）金属板の一方の面にＬＥＤチップを載置するための凸部を板金加工により形成した
後、少なくとも該凸部の表面を含む該金属板の一方の面上にメタル反射層を含む高反射コ
ーティングを形成する、ＬＥＤチップ固定用基板の製造方法。
（１）金属板の一方の面にＬＥＤチップを収納するための凹部を板金加工により形成した
後、少なくとも該凹部の表面を含む該金属板の一方の面上にメタル反射層を含む高反射コ
ーティングを形成して得られる、ＬＥＤチップ固定用基板。
（２）金属板の一方の面にＬＥＤチップを載置するための凸部を板金加工により形成した
後、少なくとも該凸部の表面を含む該金属板の一方の面上にメタル反射層を含む高反射コ
ーティングを形成して得られる、ＬＥＤチップ固定用基板。
（３）前記金属板がアルミニウムまたは銅を用いて形成されている、前記（１）または（
２）に記載のＬＥＤチップ固定用基板。
（４）前記メタル反射層が銀を用いて形成されている、前記（１）〜（３）のいずれかに
記載のＬＥＤチップ固定用基板。
（５）前記メタル反射層の表面を覆う透明な保護層を有している、前記（１）〜（４）の
いずれかに記載のＬＥＤチップ固定用基板。
（６）前記凹部の外側に導体層を備えた回路基板を有し、前記凹部の底から見たとき、前
記導体層の表面の高さが、前記凹部の側壁面の高さと同じかまたはより高い、前記（１）
に記載のＬＥＤチップ固定用基板。
（７）金属板の一方の面にＬＥＤチップを収納するための凹部を板金加工により形成した
後、少なくとも該凹部の表面を含む該金属板の一方の面上にメタル反射層を含む高反射コ
ーティングを形成する、ＬＥＤチップ固定用基板の製造方法。
（８）金属板の一方の面にＬＥＤチップを載置するための凸部を板金加工により形成した
後、少なくとも該凸部の表面を含む該金属板の一方の面上にメタル反射層を含む高反射コ
ーティングを形成する、ＬＥＤチップ固定用基板の製造方法。
金属板の一方の面に、ＬＥＤチップを収納するための凹部またはＬＥＤチップを載置する
ための凸部を板金加工により形成した後、少なくとも該凹部の表面または該凸部の表面を
含む該金属板の一方の面上にメタル反射層を含む高反射コーティングを形成して得られる
ＬＥＤチップ固定用基板は、板金加工の後で金属板上に高反射コーティングを形成するこ
とから、高反射コーティングが板金加工に起因する亀裂、しわ等を有さない高品質なもの
となる。従って、このＬＥＤチップ固定用基板を用いることにより、ＬＥＤチップから放
出される光（または、この光によって励起された波長変換物質が放出するルミネッセンス
光）が高効率で外部に取り出される発光装置の製造が可能となる。
ための凸部を板金加工により形成した後、少なくとも該凹部の表面または該凸部の表面を
含む該金属板の一方の面上にメタル反射層を含む高反射コーティングを形成して得られる
ＬＥＤチップ固定用基板は、板金加工の後で金属板上に高反射コーティングを形成するこ
とから、高反射コーティングが板金加工に起因する亀裂、しわ等を有さない高品質なもの
となる。従って、このＬＥＤチップ固定用基板を用いることにより、ＬＥＤチップから放
出される光（または、この光によって励起された波長変換物質が放出するルミネッセンス
光）が高効率で外部に取り出される発光装置の製造が可能となる。
図１に、本発明の一実施形態に係るＬＥＤチップ固定用基板を用いて構成した発光装置の
断面図を示す。図１に示す発光装置１は、ＬＥＤチップ収納用凹部１４を有するＬＥＤチ
ップ固定用基板１０と、該ＬＥＤチップ収納用凹部１４内に固定されたＬＥＤチップ２０
と、ボンディングワイヤ３０と、ＬＥＤチップ２０およびボンディングワイヤ３０を覆う
保護コーティング４０とを有している。以下の説明では、便宜上、ＬＥＤチップ固定用基
板の主たる構成要素である金属板の、ＬＥＤチップが固定される側の面を「おもて面」と
呼び、その反対側の面を「裏面」と呼ぶことにする。
断面図を示す。図１に示す発光装置１は、ＬＥＤチップ収納用凹部１４を有するＬＥＤチ
ップ固定用基板１０と、該ＬＥＤチップ収納用凹部１４内に固定されたＬＥＤチップ２０
と、ボンディングワイヤ３０と、ＬＥＤチップ２０およびボンディングワイヤ３０を覆う
保護コーティング４０とを有している。以下の説明では、便宜上、ＬＥＤチップ固定用基
板の主たる構成要素である金属板の、ＬＥＤチップが固定される側の面を「おもて面」と
呼び、その反対側の面を「裏面」と呼ぶことにする。
ＬＥＤチップ固定用基板１０は、金属板１１と、金属板１１のおもて面側に形成された高
反射コーティング１２と、高反射コーティング１２上の一部に形成された回路基板１３と
を有している。回路基板１３は、絶縁体層１３１とその上に形成された導体層１３２とか
ら構成されており、ＬＥＤチップ収納用凹部１４の外側の高反射コーティング１２上に設
けられている。ＬＥＤチップ２０は凹部１４内に固定され、その電極（図示せず）はボン
ディングワイヤ３０により回路基板１３の導体層１３２に接続されている。
反射コーティング１２と、高反射コーティング１２上の一部に形成された回路基板１３と
を有している。回路基板１３は、絶縁体層１３１とその上に形成された導体層１３２とか
ら構成されており、ＬＥＤチップ収納用凹部１４の外側の高反射コーティング１２上に設
けられている。ＬＥＤチップ２０は凹部１４内に固定され、その電極（図示せず）はボン
ディングワイヤ３０により回路基板１３の導体層１３２に接続されている。
発光装置１は、次のようにして製造することができる。
まず、図２に示すように、裸の金属板１１を準備する。「裸」とは、金属板１１が実質的
に金属材料のみから構成されていることを意味している。金属板１１の材料に特に限定は
なく、各種の金属の単体や合金で形成されたものを用いることができる。アルミニウム（
Ａｌ）や銅（Ｃｕ）は、熱伝導性が良好で、加工性も良く、また材料コストも低いことか
ら、特に好ましい材料である。金属板１１は、コーティング、表面処理、圧着などにより
形成された多層構造を有していてもよい。金属板１１の厚さは、例えば、０．２ｍｍ〜５
ｍｍであるが、板金加工による凹部の形成が容易となるように、好ましくは２ｍｍ以下、
より好ましくは１．５ｍｍ以下、更に好ましくは１ｍｍ以下である。
まず、図２に示すように、裸の金属板１１を準備する。「裸」とは、金属板１１が実質的
に金属材料のみから構成されていることを意味している。金属板１１の材料に特に限定は
なく、各種の金属の単体や合金で形成されたものを用いることができる。アルミニウム（
Ａｌ）や銅（Ｃｕ）は、熱伝導性が良好で、加工性も良く、また材料コストも低いことか
ら、特に好ましい材料である。金属板１１は、コーティング、表面処理、圧着などにより
形成された多層構造を有していてもよい。金属板１１の厚さは、例えば、０．２ｍｍ〜５
ｍｍであるが、板金加工による凹部の形成が容易となるように、好ましくは２ｍｍ以下、
より好ましくは１．５ｍｍ以下、更に好ましくは１ｍｍ以下である。
次に、図３に示すように、裸の金属板１１のおもて面１１ａに、板金加工により凹部１４
ａを形成する。具体的な板金加工の方法としては、プレス機を用いた絞り加工が好ましく
例示される。この工程では、好ましくは１枚の金属板に多数の凹部を形成するが、便宜上
、図面にはひとつの凹部のみを示している。凹部１４ａの形状とサイズは、最終的に形成
しようとするＬＥＤチップ収納用凹部１４の形状とサイズに応じて（後工程で形成する高
反射コーティング１２の膜厚等を考慮して）定める。形状は、半球状、円錐台状、角錐台
状などとすることができる他、溝状とすることも可能である。凹部１４ａの底は、後工程
で形成する高反射コーティング１２を介してその上に載置するＬＥＤチップ２０を、安定
した姿勢にて固定し得るよう、平坦面とすることが好ましい。凹部１４ａの幅、深さ、側
壁面の傾斜角などは、発光装置の用途に応じて設計すればよい。最終的に形成しようとす
るＬＥＤチップ収納用凹部１４は、形状を円錐台状とする場合であれば、例えば、底面の
直径を０．４ｍｍ〜２０ｍｍ、深さを０．１ｍｍ〜２ｍｍ、側壁面の傾斜角を１０度〜８
０度とすることができる。なお、この例では、凹部１４ａを形成するにあたり、凹部の側
壁部分を形成すべき部分のみ、金属板１１を裏面１１ｂ側からおもて面１１ａ側に向かっ
て膨出するように変形させており、該変形させた部分を除き、金属板１１の裏面１１ｂは
平坦面となっている。そのために、この金属板１１の裏面１１ｂは、ヒートシンクなどの
外部の放熱構造体の平坦な表面に、密着させることができる。
ａを形成する。具体的な板金加工の方法としては、プレス機を用いた絞り加工が好ましく
例示される。この工程では、好ましくは１枚の金属板に多数の凹部を形成するが、便宜上
、図面にはひとつの凹部のみを示している。凹部１４ａの形状とサイズは、最終的に形成
しようとするＬＥＤチップ収納用凹部１４の形状とサイズに応じて（後工程で形成する高
反射コーティング１２の膜厚等を考慮して）定める。形状は、半球状、円錐台状、角錐台
状などとすることができる他、溝状とすることも可能である。凹部１４ａの底は、後工程
で形成する高反射コーティング１２を介してその上に載置するＬＥＤチップ２０を、安定
した姿勢にて固定し得るよう、平坦面とすることが好ましい。凹部１４ａの幅、深さ、側
壁面の傾斜角などは、発光装置の用途に応じて設計すればよい。最終的に形成しようとす
るＬＥＤチップ収納用凹部１４は、形状を円錐台状とする場合であれば、例えば、底面の
直径を０．４ｍｍ〜２０ｍｍ、深さを０．１ｍｍ〜２ｍｍ、側壁面の傾斜角を１０度〜８
０度とすることができる。なお、この例では、凹部１４ａを形成するにあたり、凹部の側
壁部分を形成すべき部分のみ、金属板１１を裏面１１ｂ側からおもて面１１ａ側に向かっ
て膨出するように変形させており、該変形させた部分を除き、金属板１１の裏面１１ｂは
平坦面となっている。そのために、この金属板１１の裏面１１ｂは、ヒートシンクなどの
外部の放熱構造体の平坦な表面に、密着させることができる。
次に、図４に示すように、金属板１１のおもて面１１ａ上に高反射コーティング１２を形
成する。高反射コーティング１２は、金属板１１を加工した後に形成することによって、
亀裂、しわ等を有さない高品質なものとすることができる。高反射コーティング１２の膜
厚に特に限定はない。
成する。高反射コーティング１２は、金属板１１を加工した後に形成することによって、
亀裂、しわ等を有さない高品質なものとすることができる。高反射コーティング１２の膜
厚に特に限定はない。
高反射コーティング１２はメタル反射層を含む。メタル反射層は、金属板１１を構成する
材料よりも、光反射性の高い金属で形成することが望ましい。光反射性の高い金属は、一
般的には銀白色の外観を有することが多く、具体的には銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ
）、ニッケル（Ｎｉ）などが好ましく例示される。これらの金属は単体または合金として
用いられる。特に好ましいのは銀である。メタル反射層の形成方法に限定はなく、蒸着、
スパッタリング、ＣＶＤなどの乾式メッキであってもよいし、メッキ液を用いて行う湿式
メッキ（電解メッキまたは無電解メッキ）であってもよく、また、乾式メッキと湿式メッ
キとを併用してもよい。
材料よりも、光反射性の高い金属で形成することが望ましい。光反射性の高い金属は、一
般的には銀白色の外観を有することが多く、具体的には銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ
）、ニッケル（Ｎｉ）などが好ましく例示される。これらの金属は単体または合金として
用いられる。特に好ましいのは銀である。メタル反射層の形成方法に限定はなく、蒸着、
スパッタリング、ＣＶＤなどの乾式メッキであってもよいし、メッキ液を用いて行う湿式
メッキ（電解メッキまたは無電解メッキ）であってもよく、また、乾式メッキと湿式メッ
キとを併用してもよい。
メタル反射層を銀で形成する場合、銀は変色劣化し易いことから、メタル反射層の最表面
に、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）
、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム
（Ｃｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、銅（Ｃｕ）などの遷移金属元素の単体あるいはこれらを合金化
させたものを、保護膜として形成してもよい。この保護膜の膜厚は、光吸収を最小限に抑
えるために、０．１ｎｍ〜１００ｎｍとすることが好ましい。銀に対するかかる保護膜の
技術は特許文献２（特開２００７−３５７４８）に開示されており、保護膜の形成方法そ
の他の詳細については特許文献２を参照されたい。その他、メタル反射層の表面保護につ
いては、特許文献３（特開２００７−４２７４５）、特許文献４（特開２００７−６７１
１６）、特許文献５（特開２００６−３５１８０８）などに開示された技術を用いること
もできる。
に、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）
、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム
（Ｃｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、銅（Ｃｕ）などの遷移金属元素の単体あるいはこれらを合金化
させたものを、保護膜として形成してもよい。この保護膜の膜厚は、光吸収を最小限に抑
えるために、０．１ｎｍ〜１００ｎｍとすることが好ましい。銀に対するかかる保護膜の
技術は特許文献２（特開２００７−３５７４８）に開示されており、保護膜の形成方法そ
の他の詳細については特許文献２を参照されたい。その他、メタル反射層の表面保護につ
いては、特許文献３（特開２００７−４２７４５）、特許文献４（特開２００７−６７１
１６）、特許文献５（特開２００６−３５１８０８）などに開示された技術を用いること
もできる。
好ましい実施形態では、高反射コーティング１２が、メタル反射層の表面に形成された、
絶縁体材料からなる透明な絶縁保護層を含む。絶縁体材料は、一般に、可視波長域におけ
る光吸収が小さいことから、メタル反射層の保護膜の材料として好適である。この絶縁保
護層を低屈折率材料を用いて形成すると、高反射コーティング１２の光反射性を向上させ
ることができる。低屈折率材料としては、２未満の屈折率を有する金属酸化物（酸化ケイ
素など）、ガラス、樹脂が、好ましく例示される。酸化ケイ素膜の場合は、プラズマＣＶ
Ｄ法、真空蒸着法、ゾル−ゲル法などにより形成することができる。ＰＳＧ（Phospho S
ilicate Glass）、ＢＰＳＧ（Boro-Phospho Silicate Glass）などからなるガラス膜
は、プラズマＣＶＤ法により形成することができる。樹脂としては、シリコーン樹脂、ア
クリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、およびこれらの変性樹脂から選択される透明
樹脂が好ましく例示される。樹脂膜は、印刷、スプレーなどの方法により形成することが
できる。高反射コーティングに最外層として絶縁保護層を設けることにより得られる他の
効果として、ボンディングワイヤ３０と金属板１１との短絡が防止されることが挙げられ
る。特に、高反射コーティング１２を金属板１１の加工後に形成することから、絶縁保護
層も亀裂などの欠陥を有さないものとなるので、良好な短絡防止効果が得られる。
絶縁体材料からなる透明な絶縁保護層を含む。絶縁体材料は、一般に、可視波長域におけ
る光吸収が小さいことから、メタル反射層の保護膜の材料として好適である。この絶縁保
護層を低屈折率材料を用いて形成すると、高反射コーティング１２の光反射性を向上させ
ることができる。低屈折率材料としては、２未満の屈折率を有する金属酸化物（酸化ケイ
素など）、ガラス、樹脂が、好ましく例示される。酸化ケイ素膜の場合は、プラズマＣＶ
Ｄ法、真空蒸着法、ゾル−ゲル法などにより形成することができる。ＰＳＧ（Phospho S
ilicate Glass）、ＢＰＳＧ（Boro-Phospho Silicate Glass）などからなるガラス膜
は、プラズマＣＶＤ法により形成することができる。樹脂としては、シリコーン樹脂、ア
クリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、およびこれらの変性樹脂から選択される透明
樹脂が好ましく例示される。樹脂膜は、印刷、スプレーなどの方法により形成することが
できる。高反射コーティングに最外層として絶縁保護層を設けることにより得られる他の
効果として、ボンディングワイヤ３０と金属板１１との短絡が防止されることが挙げられ
る。特に、高反射コーティング１２を金属板１１の加工後に形成することから、絶縁保護
層も亀裂などの欠陥を有さないものとなるので、良好な短絡防止効果が得られる。
次に、図５に示すように、高反射コーティング１２上の一部に回路基板１３を形成する。
回路基板１３は一般的なものであってよく、例えば、ガラスエポキシ基板上に銅（Ｃｕ）
配線パターンを形成したものを使用できる。この場合、ガラスエポキシ基板が絶縁体層１
３１にあたり、銅配線パターンが導体層１３２にあたる。このような回路基板は、接着剤
を用いて高反射コーティング１２の表面に取り付けることができる。ここで、絶縁体層１
３１の厚さ、導体層１３２の厚さなどを調節することによって、ＬＥＤチップ収納用凹部
１４の底から見たときに、導体層１３２の表面の高さＨ１３２が、該凹部１４の側壁面の
高さＨ１４と同じかまたはより高くなるようにすると（Ｈ１３２−Ｈ１４≧０）、ボンデ
ィングワイヤ３０が凹部１４の側壁面の頂部に接触し難くなるので、ボンディングワイヤ
３０と金属板１１との短絡を好ましく防止することができる。この効果をより確実に得る
ためには、Ｈ１３２−Ｈ１４≧０．１５（ｍｍ）とすることが好ましく、Ｈ１３２−Ｈ１
４≧０．３（ｍｍ）とすることがより好ましい。Ｈ１３２−Ｈ１４＞０．５（ｍｍ）とす
ると、ＬＥＤチップから放出される光が回路基板１３の側面により受ける吸収が強くなる
ので、好ましくない。
回路基板１３は一般的なものであってよく、例えば、ガラスエポキシ基板上に銅（Ｃｕ）
配線パターンを形成したものを使用できる。この場合、ガラスエポキシ基板が絶縁体層１
３１にあたり、銅配線パターンが導体層１３２にあたる。このような回路基板は、接着剤
を用いて高反射コーティング１２の表面に取り付けることができる。ここで、絶縁体層１
３１の厚さ、導体層１３２の厚さなどを調節することによって、ＬＥＤチップ収納用凹部
１４の底から見たときに、導体層１３２の表面の高さＨ１３２が、該凹部１４の側壁面の
高さＨ１４と同じかまたはより高くなるようにすると（Ｈ１３２−Ｈ１４≧０）、ボンデ
ィングワイヤ３０が凹部１４の側壁面の頂部に接触し難くなるので、ボンディングワイヤ
３０と金属板１１との短絡を好ましく防止することができる。この効果をより確実に得る
ためには、Ｈ１３２−Ｈ１４≧０．１５（ｍｍ）とすることが好ましく、Ｈ１３２−Ｈ１
４≧０．３（ｍｍ）とすることがより好ましい。Ｈ１３２−Ｈ１４＞０．５（ｍｍ）とす
ると、ＬＥＤチップから放出される光が回路基板１３の側面により受ける吸収が強くなる
ので、好ましくない。
次に、図６に示すように金属板１１を切断して、個々に独立したＬＥＤチップ固定用基板
１０を得る。なお、工程の順序を変えて、この切断工程を、後述する、ＬＥＤチップ２０
を実装する工程の後や、あるいは、保護コーティング４０を形成する工程の後に行うこと
もできる。この切断工程は、前述の、高反射コーティング１２を形成する工程の前や、回
路基板１３を取り付ける工程の前に行っても構わない。
１０を得る。なお、工程の順序を変えて、この切断工程を、後述する、ＬＥＤチップ２０
を実装する工程の後や、あるいは、保護コーティング４０を形成する工程の後に行うこと
もできる。この切断工程は、前述の、高反射コーティング１２を形成する工程の前や、回
路基板１３を取り付ける工程の前に行っても構わない。
次に、図７に示すように、ＬＥＤチップ固定用基板１０のＬＥＤチップ収納用凹部１４内
にＬＥＤチップ２０を固定する（チップ・ボンディング）とともに、ワイヤボンディング
を行う。ＬＥＤチップ２０は、従来公知のものを用いてよく、ＡｌＧａＡｓ系半導体を用
いた赤色ＬＥＤチップ、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体を用いた黄色ＬＥＤチップ、ＧａＰ系半
導体を用いた緑色ＬＥＤチップ、ＺｎＳｅ系半導体を用いた緑〜青色ＬＥＤチップ、Ａｌ
ＧａＩｎＮ系半導体を用いた緑色〜紫外ＬＥＤチップなどが例示される。ＬＥＤチップの
サイズに限定はなく、例えば、０．３ｍｍ角のものから、１ｍｍ角を越えるものまで使用
できる。
にＬＥＤチップ２０を固定する（チップ・ボンディング）とともに、ワイヤボンディング
を行う。ＬＥＤチップ２０は、従来公知のものを用いてよく、ＡｌＧａＡｓ系半導体を用
いた赤色ＬＥＤチップ、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体を用いた黄色ＬＥＤチップ、ＧａＰ系半
導体を用いた緑色ＬＥＤチップ、ＺｎＳｅ系半導体を用いた緑〜青色ＬＥＤチップ、Ａｌ
ＧａＩｎＮ系半導体を用いた緑色〜紫外ＬＥＤチップなどが例示される。ＬＥＤチップの
サイズに限定はなく、例えば、０．３ｍｍ角のものから、１ｍｍ角を越えるものまで使用
できる。
ＬＥＤチップの固定方法自体は、従来技術を用いてよい。図７は、正負の電極がチップの
一方の面上に設けられた水平電極構造のＬＥＤチップを用いた場合を示しており、ＬＥＤ
チップ２０には２本のボンディングワイヤ３０が接続されている。ＬＥＤチップ２０は、
接着剤を用いて高反射コーティング１２の表面に固着されている。ＬＥＤチップ収納用凹
部１４内には、ＬＥＤチップをサブマウント上に固定したアセンブリーを固定することも
できる。この場合、サブマウントに設けた電極と、回路基板１３とをボンディングワイヤ
により接続する。ひとつのＬＥＤチップ収納用凹部内に固定するＬＥＤチップの個数は、
ひとつであってもよいし、複数であってもよい。複数とする場合、複数のＬＥＤチップの
発光波長は同じであってもよいし、異なっていてもよい。
一方の面上に設けられた水平電極構造のＬＥＤチップを用いた場合を示しており、ＬＥＤ
チップ２０には２本のボンディングワイヤ３０が接続されている。ＬＥＤチップ２０は、
接着剤を用いて高反射コーティング１２の表面に固着されている。ＬＥＤチップ収納用凹
部１４内には、ＬＥＤチップをサブマウント上に固定したアセンブリーを固定することも
できる。この場合、サブマウントに設けた電極と、回路基板１３とをボンディングワイヤ
により接続する。ひとつのＬＥＤチップ収納用凹部内に固定するＬＥＤチップの個数は、
ひとつであってもよいし、複数であってもよい。複数とする場合、複数のＬＥＤチップの
発光波長は同じであってもよいし、異なっていてもよい。
最後に、ＬＥＤチップ２０とボンディングワイヤ３０を被覆する保護コーティング４０を
形成する。保護コーティング４０は、従来より知られているＬＥＤチップ被覆用の透明な
樹脂またはガラスを用いて形成することができる。保護コーティング４０は多層構造とし
てもよい。例えば、ＬＥＤチップ２０とボンディングワイヤ３０を軟質樹脂で埋め込んだ
うえで、その上から硬質樹脂を被覆して、保護コーティング４０を２層構造とすると、ボ
ンディングワイヤ３０の断線を防止することができる。軟質樹脂としては、シリコーン樹
脂、ポリ−４−メチルペンテン、ウレタン樹脂、アクリル系樹脂、ポリオレフィン、ゴム
系ポリマーなどが例示される。硬質樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリ
カーボネート、環状オレフィン系重合体などが例示される。ＬＥＤチップ２０の発光波長
が青色〜紫外の場合には、脂環式エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、環状オレフィン重合体
などの、劣化による黄変が生じ難い樹脂、あるいは、ガラス材料を用いて保護コーティン
グ４０を形成することが好ましい。保護コーティング４０内には、ＬＥＤチップ２０から
放出される光を散乱または乱反射させる粒子状物を分散したり、ＬＥＤチップ２０から放
出される光で励起されて、この光とは異なる波長のルミネッセンス光を放出する波長変換
物質を分散することができる。保護コーティング４０はレンズ機能を有する形状など、種
々の形状に成形することができる。
形成する。保護コーティング４０は、従来より知られているＬＥＤチップ被覆用の透明な
樹脂またはガラスを用いて形成することができる。保護コーティング４０は多層構造とし
てもよい。例えば、ＬＥＤチップ２０とボンディングワイヤ３０を軟質樹脂で埋め込んだ
うえで、その上から硬質樹脂を被覆して、保護コーティング４０を２層構造とすると、ボ
ンディングワイヤ３０の断線を防止することができる。軟質樹脂としては、シリコーン樹
脂、ポリ−４−メチルペンテン、ウレタン樹脂、アクリル系樹脂、ポリオレフィン、ゴム
系ポリマーなどが例示される。硬質樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリ
カーボネート、環状オレフィン系重合体などが例示される。ＬＥＤチップ２０の発光波長
が青色〜紫外の場合には、脂環式エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、環状オレフィン重合体
などの、劣化による黄変が生じ難い樹脂、あるいは、ガラス材料を用いて保護コーティン
グ４０を形成することが好ましい。保護コーティング４０内には、ＬＥＤチップ２０から
放出される光を散乱または乱反射させる粒子状物を分散したり、ＬＥＤチップ２０から放
出される光で励起されて、この光とは異なる波長のルミネッセンス光を放出する波長変換
物質を分散することができる。保護コーティング４０はレンズ機能を有する形状など、種
々の形状に成形することができる。
以上、実施例を用いて本発明を説明したが、本発明は上記実施例の構成に限定されるもの
ではない。
ではない。
図１に示すＬＥＤ固定用基板１０では、高反射コーティング１２が金属板１１のおもて面
全体を覆うように形成されているが、必須ではない。高反射コーティングはＬＥＤチップ
収納用凹部の表面のみに設けてもよく、その場合、該凹部内の一部（例えば、凹部の側壁
面）のみを覆うように形成してもよい。
全体を覆うように形成されているが、必須ではない。高反射コーティングはＬＥＤチップ
収納用凹部の表面のみに設けてもよく、その場合、該凹部内の一部（例えば、凹部の側壁
面）のみを覆うように形成してもよい。
前記の例では、予め組み立てられた回路基板（ガラスエポキシ基板を用いたもの）を金属
板上に接着固定しているが、本発明のＬＥＤ固定用基板に設ける回路基板は、金属板のお
もて面上に絶縁体層と導体層とを順次形成することにより構成することもできる。絶縁体
層はエポキシ樹脂、（架橋）ポリオレフィン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポ
リカーボネート、アクリル系樹脂などで形成することができ、好ましくは、熱伝導性を高
めるために、アルミナ粉末やガラス繊維などの無機フィラーを充填する。絶縁体層の形成
は塗布、印刷、スプレーなどの方法を用いて行うことができる。導体層のパターンに応じ
て、絶縁体層のパターニングを行うこともできる。一実施形態では、高反射コーティング
に設ける絶縁保護層に、回路基板の絶縁体層を兼用させることもできる。回路基板の導体
層は、金属箔の貼り合わせ、メッキ（湿式メッキ、乾式メッキ）、印刷により塗布した金
属微粒子層を焼結させる方法、などの方法を用いて、絶縁体層上に形成することができる
。導体層の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）などの単体や合金である
。導体層は多層構造を有していてもよく、例えば、銅層の表面にニッケル（Ｎｉ）メッキ
を施したものや、その上に更に金（Ａｕ）メッキを施したものであってよい。導体層のパ
ターニングは公知の方法（サブトラクティブ法、アディティブ法）を用いて行うことがで
きる。
板上に接着固定しているが、本発明のＬＥＤ固定用基板に設ける回路基板は、金属板のお
もて面上に絶縁体層と導体層とを順次形成することにより構成することもできる。絶縁体
層はエポキシ樹脂、（架橋）ポリオレフィン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポ
リカーボネート、アクリル系樹脂などで形成することができ、好ましくは、熱伝導性を高
めるために、アルミナ粉末やガラス繊維などの無機フィラーを充填する。絶縁体層の形成
は塗布、印刷、スプレーなどの方法を用いて行うことができる。導体層のパターンに応じ
て、絶縁体層のパターニングを行うこともできる。一実施形態では、高反射コーティング
に設ける絶縁保護層に、回路基板の絶縁体層を兼用させることもできる。回路基板の導体
層は、金属箔の貼り合わせ、メッキ（湿式メッキ、乾式メッキ）、印刷により塗布した金
属微粒子層を焼結させる方法、などの方法を用いて、絶縁体層上に形成することができる
。導体層の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）などの単体や合金である
。導体層は多層構造を有していてもよく、例えば、銅層の表面にニッケル（Ｎｉ）メッキ
を施したものや、その上に更に金（Ａｕ）メッキを施したものであってよい。導体層のパ
ターニングは公知の方法（サブトラクティブ法、アディティブ法）を用いて行うことがで
きる。
図８に断面図を示すＬＥＤチップ固定用基板は、本発明の他の実施形態に係るＬＥＤチッ
プ固定用基板である。この図８に示すＬＥＤチップ固定用基板はＬＥＤチップ載置用凸部
１５を有するものであり、金属板１１と、金属板１１のおもて面側に形成された高反射コ
ーティング１２と、高反射コーティング１２の一部上に形成された回路基板１３とから構
成されている。金属板１１の成形は板金加工により行われており、高反射コーティング１
２は、該板金加工がなされた後に、金属板１１の表面に形成されたものである。ＬＥＤチ
ップ載置用凸部１５の高さは、例えば、０．３ｍｍ〜５ｍｍである。ＬＥＤチップ載置用
凸部１５の上面は好ましくは平坦面であり、該上面の形状は、例えば、円形、楕円形また
は多角形（三角形、正方形、長方形、正六角形など）である。ＬＥＤチップ載置用凸部１
５はリッジ状に形成することも可能である。ＬＥＤチップ載置用凸部１５の上面を正方形
とする場合、その一辺の長さは、例えば、０．４ｍｍ〜５ｍｍである。ＬＥＤチップ載置
用凸部１５上に固定するＬＥＤチップのサイズに限定はなく、０．３ｍｍ角のものから１
ｍｍ角以上のものであり得る。ひとつのＬＥＤチップ載置用凸部１５上に固定することの
できるＬＥＤチップの数は、例えば、１個〜５個である。高反射コーティング１２は、金
属板１１のおもて面の全体を覆うように形成する代わりに、ＬＥＤチップ載置用凸部の上
面のみを覆うように形成してもよい。図示していないが、ＬＥＤチップ載置用凸部１５上
に固定されるＬＥＤチップから放出される光を反射させるためのリフレクタを、ＬＥＤチ
ップ載置用凸部１５を取り囲むように設けることもできる。
プ固定用基板である。この図８に示すＬＥＤチップ固定用基板はＬＥＤチップ載置用凸部
１５を有するものであり、金属板１１と、金属板１１のおもて面側に形成された高反射コ
ーティング１２と、高反射コーティング１２の一部上に形成された回路基板１３とから構
成されている。金属板１１の成形は板金加工により行われており、高反射コーティング１
２は、該板金加工がなされた後に、金属板１１の表面に形成されたものである。ＬＥＤチ
ップ載置用凸部１５の高さは、例えば、０．３ｍｍ〜５ｍｍである。ＬＥＤチップ載置用
凸部１５の上面は好ましくは平坦面であり、該上面の形状は、例えば、円形、楕円形また
は多角形（三角形、正方形、長方形、正六角形など）である。ＬＥＤチップ載置用凸部１
５はリッジ状に形成することも可能である。ＬＥＤチップ載置用凸部１５の上面を正方形
とする場合、その一辺の長さは、例えば、０．４ｍｍ〜５ｍｍである。ＬＥＤチップ載置
用凸部１５上に固定するＬＥＤチップのサイズに限定はなく、０．３ｍｍ角のものから１
ｍｍ角以上のものであり得る。ひとつのＬＥＤチップ載置用凸部１５上に固定することの
できるＬＥＤチップの数は、例えば、１個〜５個である。高反射コーティング１２は、金
属板１１のおもて面の全体を覆うように形成する代わりに、ＬＥＤチップ載置用凸部の上
面のみを覆うように形成してもよい。図示していないが、ＬＥＤチップ載置用凸部１５上
に固定されるＬＥＤチップから放出される光を反射させるためのリフレクタを、ＬＥＤチ
ップ載置用凸部１５を取り囲むように設けることもできる。
図９に断面図を示すＬＥＤチップ固定用基板は、本発明の他の実施形態に係るＬＥＤチッ
プ固定用基板である。この図９に示すＬＥＤチップ固定用基板は、ＬＥＤチップ収納用凹
部１４を有するとともに、該凹部１４内に設けられたＬＥＤチップ載置用凸部１５を有す
るものであり、金属板１１と、金属板１１のおもて面側に形成された高反射コーティング
１２と、図示しない回路基板とから構成されている。金属板１１の成形は板金加工により
行われており、高反射コーティング１２は、該板金加工がなされた後に、金属板１１の表
面に形成されたものである。ひとつのＬＥＤチップ収納用凹部内に設けられるＬＥＤチッ
プ載置用凸部の数は、１個であってもよいし、複数であってもよい。ＬＥＤチップ収納用
凹部が溝であり、その内側に、ＬＥＤチップ載置用凸部を該溝に平行なリッジ状に形成す
ることもできる。
プ固定用基板である。この図９に示すＬＥＤチップ固定用基板は、ＬＥＤチップ収納用凹
部１４を有するとともに、該凹部１４内に設けられたＬＥＤチップ載置用凸部１５を有す
るものであり、金属板１１と、金属板１１のおもて面側に形成された高反射コーティング
１２と、図示しない回路基板とから構成されている。金属板１１の成形は板金加工により
行われており、高反射コーティング１２は、該板金加工がなされた後に、金属板１１の表
面に形成されたものである。ひとつのＬＥＤチップ収納用凹部内に設けられるＬＥＤチッ
プ載置用凸部の数は、１個であってもよいし、複数であってもよい。ＬＥＤチップ収納用
凹部が溝であり、その内側に、ＬＥＤチップ載置用凸部を該溝に平行なリッジ状に形成す
ることもできる。
本発明のＬＥＤチップ固定用基板において、基板ひとつ当りに設けられるＬＥＤチップ収
納用凹部またはＬＥＤチップ載置用凸部の個数に限定はなく、１個であってもよいし、数
個であってもよく、数十個を超える数であってもよい。本発明のＬＥＤチップ固定用基板
に１個ないし複数個のＬＥＤチップを固定してなる発光装置は、ＳＭＤ型ＬＥＤパッケー
ジ（「チップＬＥＤ」と呼ばれるものを含む）であり得るし、チップ・オン・ボード型の
発光ユニットであり得る。
納用凹部またはＬＥＤチップ載置用凸部の個数に限定はなく、１個であってもよいし、数
個であってもよく、数十個を超える数であってもよい。本発明のＬＥＤチップ固定用基板
に１個ないし複数個のＬＥＤチップを固定してなる発光装置は、ＳＭＤ型ＬＥＤパッケー
ジ（「チップＬＥＤ」と呼ばれるものを含む）であり得るし、チップ・オン・ボード型の
発光ユニットであり得る。
本発明により提供されるＬＥＤチップ固定用基板は、高出力が要求される照明用や自動車
のヘッドライト用の発光装置に、好適に使用することができる。
のヘッドライト用の発光装置に、好適に使用することができる。
１ 発光装置
１０ ＬＥＤチップ固定用基板
１１ 金属板
１２ 高反射コーティング
１３ 回路基板
１３１ 絶縁体層
１３２ 導体層
１４ ＬＥＤチップ収納用凹部
１５ ＬＥＤチップ載置用凸部
２０ ＬＥＤチップ
３０ ボンディングワイヤ
４０ 保護コーティング
１０ ＬＥＤチップ固定用基板
１１ 金属板
１２ 高反射コーティング
１３ 回路基板
１３１ 絶縁体層
１３２ 導体層
１４ ＬＥＤチップ収納用凹部
１５ ＬＥＤチップ載置用凸部
２０ ＬＥＤチップ
３０ ボンディングワイヤ
４０ 保護コーティング
Claims (8)
- 金属板の一方の面にＬＥＤチップを収納するための凹部を板金加工により形成した後、少
なくとも該凹部の表面を含む該金属板の一方の面上にメタル反射層を含む高反射コーティ
ングを形成して得られる、ＬＥＤチップ固定用基板。 - 金属板の一方の面にＬＥＤチップを載置するための凸部を板金加工により形成した後、少
なくとも該凸部の表面を含む該金属板の一方の面上にメタル反射層を含む高反射コーティ
ングを形成して得られる、ＬＥＤチップ固定用基板。 - 前記金属板がアルミニウムまたは銅を用いて形成されている、請求項１または２に記載の
ＬＥＤチップ固定用基板。 - 前記メタル反射層が銀を用いて形成されている、請求項１〜３のいずれかに記載のＬＥＤ
チップ固定用基板。 - 前記メタル反射層の表面を覆う透明な保護層を有している、請求項１〜４のいずれかに記
載のＬＥＤチップ固定用基板。 - 前記凹部の外側に導体層を備えた回路基板を有し、前記凹部の底から見たとき、前記導体
層の表面の高さが、前記凹部の側壁面の高さと同じかまたはより高い、請求項１に記載の
ＬＥＤチップ固定用基板。 - 金属板の一方の面にＬＥＤチップを収納するための凹部を板金加工により形成した後、少
なくとも該凹部の表面を含む該金属板の一方の面上にメタル反射層を含む高反射コーティ
ングを形成する、ＬＥＤチップ固定用基板の製造方法。 - 金属板の一方の面にＬＥＤチップを載置するための凸部を板金加工により形成した後、少
なくとも該凸部の表面を含む該金属板の一方の面上にメタル反射層を含む高反射コーティ
ングを形成する、ＬＥＤチップ固定用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012244148A JP2013030812A (ja) | 2012-11-06 | 2012-11-06 | Ｌｅｄチップ固定用基板およびその製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007193953A Division JP5130815B2 (ja) | 2007-07-25 | 2007-07-25 | Ｌｅｄチップ固定用基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013030812A true JP2013030812A (ja) | 2013-02-07 |
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|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150025219A (ko) * | 2013-08-28 | 2015-03-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 모듈, 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
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|---|---|---|---|---|
| WO2003030274A1 (fr) * | 2001-09-27 | 2003-04-10 | Nichia Corporation | Dispositif emetteur de lumiere et procede de fabrication associe |
| JP2005159263A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-06-16 | Kyocera Corp | 発光装置および照明装置 |
| JP2006086469A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置及び半導体発光装置の製造方法 |
| JP2006100444A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Kyocera Corp | 発光素子搭載基板およびそれを用いた発光装置 |
| JP2007005709A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Asahi Glass Co Ltd | Ｌｅｄ照明装置用の低熱抵抗配線基板およびｌｅｄ照明装置 |
| JP2007019505A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-25 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 改善した側壁反射構造を有する側面型発光ダイオード |
| JP2007027433A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 発光装置 |
| JP2007042320A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Sony Corp | 面状光源装置及びカラー液晶表示装置組立体 |
-
2012
- 2012-11-06 JP JP2012244148A patent/JP2013030812A/ja active Pending
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| KR102130524B1 (ko) * | 2013-08-28 | 2020-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 모듈, 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121205 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121205 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130927 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131008 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140225 |