JP2013026617A - 熱電モジュール - Google Patents
熱電モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013026617A JP2013026617A JP2012126936A JP2012126936A JP2013026617A JP 2013026617 A JP2013026617 A JP 2013026617A JP 2012126936 A JP2012126936 A JP 2012126936A JP 2012126936 A JP2012126936 A JP 2012126936A JP 2013026617 A JP2013026617 A JP 2013026617A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermoelectric module
- substrate
- layer
- heat dissipation
- rectangular wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/13—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the heat-exchanging means at the junction
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
Abstract
【課題】熱電モジュールの放熱性能を増大させる手段の提供。
【解決手段】第1の基板110、第2の基板120、拡散防止層132、134及び熱電素子140を含む熱電モジュールであって、前記第1の基板及び第2の基板は、前記熱電モジュールに電源が印加される時、発熱または吸熱反応をする放熱層112,122と、前記放熱層の一面上に形成され、第1の突起部と第1の溝部からなる第1の矩形波パターンに形成される絶縁層114,124と、前記絶縁層の表面に形成された前記第1の溝部内に埋め込まれるように形成される電極層116,126と、が夫々積層される。これにより、上部及び下部基板の放熱層及び絶縁層の形状を矩形波に形成するため、夫々の総表面積が、ライン状に形成した場合より高くすることができる。
【選択図】図2
【解決手段】第1の基板110、第2の基板120、拡散防止層132、134及び熱電素子140を含む熱電モジュールであって、前記第1の基板及び第2の基板は、前記熱電モジュールに電源が印加される時、発熱または吸熱反応をする放熱層112,122と、前記放熱層の一面上に形成され、第1の突起部と第1の溝部からなる第1の矩形波パターンに形成される絶縁層114,124と、前記絶縁層の表面に形成された前記第1の溝部内に埋め込まれるように形成される電極層116,126と、が夫々積層される。これにより、上部及び下部基板の放熱層及び絶縁層の形状を矩形波に形成するため、夫々の総表面積が、ライン状に形成した場合より高くすることができる。
【選択図】図2
Description
本発明は、熱電モジュールに関し、特に、放熱性の高い基板を含む熱電モジュールに関する。
化石エネルギー使用の急増は地球温暖化及びエネルギー枯渇の問題を引き起こしており、これにより、熱電モジュール(Thermoelectric Module)に対する関心が高まっている。
熱電モジュールは、大気汚染を引き起こす原因物質の一つであるフロンガスなどに代えて冷却手段として活用されているだけでなく、ゼーベック効果(Seebeck Effect)による小型発電機としても広く用いられている素子である。
熱電モジュールは、熱電素子を介して金属が相互接地されて形成されたループに電流が流れると、フェルミエネルギー差により電位差が発生するようになり、電子が一方の金属面から他方に移動するために必要なエネルギーを持っていくため、吸熱または冷却が起こるようになる。
一方、他の金属面は前記電子が持ってきたエネルギーだけの熱エネルギーを逃がすことによって熱が発生するが、これがペルチェ効果(Peltier Effect)であり、熱電素子による冷却装置の作動原理となる。
この際、前記半導体の種類及び電流の流れる方向によって吸熱と放熱の位置が決まり、材質によってその効果にも差が発生する。
図1は、一般的な構造の熱電モジュールを示す概略的な断面図である。
通常の熱電モジュール10は、N型熱電素子11とP型熱電素子12とが電極3、6によって電気的に連結されており、これに直流電流が加えられると、上部及び下部基板13、14の何れか一つの基板では吸熱が、他の何れか一つの基板では放熱が起こる。この場合、上述したように、電流の方向によって吸熱と放熱の位置は変更されることができる。
この際、上部及び下部基板13、14は、高い熱伝達性及び絶縁性を有しなければならない。従って、最近は、上部及び下部基板13、14の熱伝達性及び絶縁性を向上させるための方法が模索されている。
本発明の実施形態は熱電モジュールに関するものであり、放熱性能を増大させるための手段を提供することをその目的とする。
前記課題を解決するための本発明の実施形態による熱電モジュールは、第1の基板、第2の基板、拡散防止層及び熱電素子を含む熱電モジュールであって、前記第1の基板及び第2の基板は、前記熱電モジュールに電源が印加される時、発熱または吸熱反応をする放熱層と、前記放熱層の一面上に形成され、第1の突起部と第1の溝部からなる第1の矩形波パターンに形成される絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成された前記第1の溝部内に埋め込まれるように形成される電極層と、が夫々積層される。
また、前記課題を解決するための本発明の実施形態による熱電モジュールは、第1の基板、第2の基板、拡散防止層及び熱電素子を含む熱電モジュールであって、前記第1の基板及び第2の基板は、前記熱電モジュールに電源が印加される時、発熱または吸熱反応をし、長側の両面が互いに異なるパターンに形成される放熱層と、前記放熱層の前記両面のうち一面上に形成され、第1の突起部と第1の溝部とからなる第1の矩形波パターンに形成される絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成された前記溝部内に埋め込まれるように形成される電極層と、が夫々積層される。
前記課題を解決するための本発明の実施形態による熱電モジュールは、第1の基板、第2の基板、拡散防止層及び熱電素子を含む熱電モジュールであって、前記第1の基板及び第2の基板は、前記熱電モジュールに電源が印加される時、発熱または吸熱反応をし、第1の矩形波パターンに形成される放熱層と、前記放熱層の上面に沿って形成され、第2の矩形波パターンに形成される絶縁層と、前記絶縁層の上面に沿って形成され、第3の矩形波パターンに形成される電極層と、が夫々積層される。
本発明の実施形態は熱電モジュールに関するものであり、本発明による熱電モジュールは、上部及び下部基板の放熱層及び絶縁層の形状を矩形波に形成するため、夫々の総表面積が、ライン状に形成した場合より2.5倍程度高くなることができる。
従って、熱電モジュールの上部及び下部基板夫々の表面積は、放熱層と絶縁層の表面積の和の5倍以上に形成されることができる。
これにより、本発明による熱電モジュールは、熱拡散係数も既存より5倍以上増加させることができるため、放熱性能を増加させることができる。
以下、図面を参照して本発明の具体的な実施形態を説明する。しかし、これは例示に過ぎず、本発明はこれに限定されない。
本発明を説明するにあたり、本発明に係わる公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不明瞭にする可能性があると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。そして、後述する用語は本発明においての機能を考慮して定義された用語であり、これは使用者、運用者の意図または慣例などによって変わることができる。従って、その定義は本明細書の全体における内容を基に下すべきであろう。
本発明の技術的思想は請求範囲によって決まり、以下の実施形態は本発明の技術的思想を本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者に効率的に説明するための一つの手段に過ぎない。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態による熱電モジュールを説明すると、次のとおりである。
図2は本発明の一実施形態による熱電モジュールを示す図面である。
図2に図示されたように、本発明による熱電モジュール100は、基板110、120と、拡散防止層132、134と、熱電素子140と、を含む。
基板110、120は、熱電モジュール100に電源が印加される時、発熱または吸熱反応を起こす。
本発明による基板110、120は、上部基板110及び下部基板120で構成され、この上部基板110及び下部基板120により上面及び下面の外観が形成される。
上述の上部基板110及び下部基板120は夫々、放熱層112、122と、絶縁層114、124と、電極層116、126と、が積層されて形成されることができる。
より具体的には、上部基板110は第1の放熱層112、第1の絶縁層114及び第1の電極層116が積層されて形成され、下部基板120は第2の放熱層122、第2の絶縁層124及び第2の電極層126が積層されて形成されることができる。
この際、本発明の第1実施形態による第1及び第2の放熱層112、122は同一の物質及び形状に形成されることができ、第1及び第2の絶縁層114、124も同一の物質及び形状に形成されることができ、第1及び第2の電極層116、126も同一の物質及び形状に形成されることができる。従って、本発明の明細書では、基板について説明するにあたり、上部基板110の第1の放熱層112、第1の絶縁層114及び第1の電極層116についてのみ説明し、下部基板120の第2の放熱層122、第2の絶縁層124及び第2の電極層126についての説明は、上部基板110と重複されるため省略する。
第1の放熱層112は、熱電モジュール100に電源が印加される時、発熱または吸熱反応を起こすことができる。
このような第1の放熱層112は、第1の突起部112aと第1の溝部112bとを有する矩形波パターンに形成されることができる。本発明において、第1の放熱層112を矩形波パターンに形成することは、ライン状に形成する場合より、総表面積を一例として2.5倍増加させることができるため熱拡散係数を高めることができ、これにより熱拡散速度を増大させることができるためである。
この際、第1の放熱層112は、一例として、導電性金属である銅(Gu)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)の何れか一つの金属で形成されることができる。
第1の絶縁層114は、第1の放熱層112と第1の電極層116との間に形成され、放熱の役割をするとともに、第1の放熱層112と第1の電極層116との間の電気的ショート(Short)が発生しないように絶縁体として用いられることができる。
このような第1の絶縁層114は、第1の放熱層112の表面に沿って形成されることにより、第2の突起部114aと第2の溝部114bとを有する矩形波パターンに形成されることができる。
従って、第1の絶縁層114も、第1の放熱層112と同様に、ライン状に形成する場合より、総表面積が一例として2.5倍増加されるため熱拡散係数を高めることができ、これにより熱拡散速度を増大させることができる。
この際、第1の絶縁層114は、一例として、絶縁性及び放熱性の高い絶縁物質であるアルミナ(Alumina)、窒化ホウ素(Boron nitride)、窒化アルミニウム(Aluminium nitride)、シリカ(Silica)、及びポリイミド(Polyimide)の何れか一つで形成されることができる。
第1の電極層116は、熱電素子140と電気的に連結されるように形成され、熱電モジュール100に電源が印加される時、電源の流れを案内することができる。
このような第1の電極層116は、第1の絶縁層114の第2の溝部114bに埋め込まれるように形成されることができ、電気伝導度の高い導電性金属である銅(Gu)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)の何れか一つの金属で形成されることができる。
拡散防止層130は、熱電素子140の上面と第1の電極層116の下面との間に形成され、第1の電極層116の電極物質が熱電素子140に拡散して駆動信頼性を低下させることを防止する第1の拡散防止層132と、熱電素子140の下面と第2の電極層126の上面との間に形成され、第2の電極層126の電極物質が熱電素子140に拡散して駆動信頼性を低下させることを防止する第2の拡散防止層134と、を含んで構成されることができる。
熱電素子140は、第1及び第2の電極層116、126の間に形成され、第1及び第2の電極層116、126に直流電流が加えられると、上部基板110では放熱が、下部基板120では吸熱が発生する。しかし、本発明の一実施形態はこれに限定されず、下部基板120では放熱が、上部基板110では吸熱が発生することもできる。
さらに具体的には、熱電素子140の上部面は第1の電極層116の下面と接触するように形成され、熱電素子140の下面は第2の電極層126の上面と接触するように形成されることができる。
このような熱電素子140は、P型熱電素子PとN型熱電素子Nとを含んで構成されることができる。
この際、熱電素子140は、一例として、ビスマス(Bi)、テルル(Te)、セレン(Se)及びアンチモン(Sb)の何れか一つの物質または少なくとも一つ以上を組み合わせた物質で形成されることができる。
このように、本発明による熱電モジュール100は、上部及び下部基板110、120の放熱層112、122及び絶縁層114、124の形状を矩形波に形成することにより、夫々の総表面積が、ライン状に形成する場合より2.5倍程度高くなることができる。
従って、熱電モジュール100の上部及び下部基板110、120夫々の表面積は、放熱層112、122及び絶縁層114、124の表面積の和の5倍以上に形成されることができる。これにより、熱電モジュール100は、熱拡散係数も既存より5倍以上増加させることができるため、放熱性能を増加させることができる。
図3aから図3dは、図2の上部基板を製造するための方法を示す断面図である。
まず、図3aに図示されたように、凹凸状の第1の予備電極層116aを形成する。
より具体的には、金属物質を蒸着した後、乾式または湿式エッチング工程によって凹凸状の上部面を有する第1の予備電極層116aを形成することができる。
この際、第1の予備電極層116aの上部面に形成された凹凸間の距離(A)は、一例として5〜100μmであることができ、各凹凸の高さ(B)は、一例として2〜10μmであることができる。
ここで、金属物質は一例として、導電性金属である銅(Gu)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)の何れか一つであることができる。
次に、図3bに示すように、第1の予備電極層116aの表面に沿って矩形波パターンの第1の絶縁層114を形成する。
より具体的には、第1の予備電極層116aの全面に高分子絶縁物質を蒸着し、コンフォーマル(conformal)に第1の絶縁層114を形成することができる。
この際、高分子絶縁物質は、絶縁性及び放熱性の高い絶縁物質であるアルミナ(Alumina)、窒化ホウ素(Boron nitride)、窒化アルミニウム(Aluminium nitride)、シリカ(Silica)、及びポリイミド(Polyimide)の何れか一つで形成されることができる。
次に、図3cに示すように、第1の絶縁層114の表面に沿ってコンフォーマルに金属物質を蒸着し、第1の放熱層112を形成することができる。
この際、金属物質は一例として、導電性金属である銅(Gu)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)の何れか一つの金属物質であることができる。
その後、図3dに示すように、第1の予備電極層116aの下部面をエッチング工程によって除去し、第1の絶縁層114の溝内部に埋め込まれるように第1の電極層116を形成することにより、上部基板110を完成することができる。
この際、エッチング工程は、一例として、ラッピング(Lapping)またはポリッシング(Polishing)工程であることができる。
このように、本発明による熱電モジュール100は、上部及び下部基板110、120の放熱層112、122及び絶縁層114、124の形状を矩形波に形成することにより、夫々の総表面積が、ライン状に形成する場合より2.5倍程度高くなることができる。
従って、熱電モジュール100の上部及び下部基板110、120夫々の表面積は、放熱層112、122及び絶縁層114、124の表面積の和の5倍以上に形成されることができる。これにより、熱電モジュール100は熱拡散係数も既存より5倍以上増加させることができるため、放熱性能を増加させることができる。
図4は本発明の第2実施形態による上部基板を示す断面図である。
図4に図示されたように、本発明の第2実施形態による上部基板110は、第1の放熱層112と、第1の絶縁層114と、第1の電極層116と、を含む。
第1の放熱層112は、熱電モジュール(図1の100)に電源が印加される時、発熱または吸熱反応を起こすことができる。
第1の放熱層112の一面は突起部112a及び溝部112bを有する矩形波パターンに形成されることができ、第1の放熱層112の他面は後述する第1の絶縁層114と接触される面であり、ライン状に形成されることができる。
本発明において、第1の放熱層112の一面を矩形波パターンに形成することは、両面をライン状に形成する場合より、総表面積を一例として1.5倍以上増加させて熱拡散係数を増加させることができ、これにより熱拡散速度も増加させることができるためである。
この際、第1の放熱層112は一例として、導電性金属である銅(Gu)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)の何れか一つの金属で形成されることができる。
第1の絶縁層114は、第1の放熱層112と第1の電極層116との間に形成され、放熱の役割をするとともに、第1の放熱層112と第1の電極層116との間の電気的ショート(Short)が発生しないように絶縁体として用いられることができる。
このような第1の絶縁層114は、第1の放熱層112の他面の表面に沿って形成されることによりライン状に形成されることができる。
この際、第1の絶縁層114は一例として、絶縁性及び放熱性の高い絶縁物質であるアルミナ(Alumina)、窒化ホウ素(Boron nitride)、窒化アルミニウム(Aluminium nitride)、シリカ(Silica)、及びポリイミド(Polyimide)の何れか一つで形成されることができる。
第1の電極層116は、熱電素子(図1の140)と電気的に連結されるように形成され、熱電モジュール100に電源が印加される時、電源の流れを案内することができる。
このような第1の電極層116は複数個で形成されることができ、第1の絶縁層114の他面上に一定間隔を隔てて形成されることができる。
この際、前記第1の電極層116は、電気伝導度の高い導電性金属である銅(Gu)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)の何れか一つの金属で形成されることができる。
一方、本発明の第2実施形態では、上部及び下部基板110、120のうち上部基板110についてのみ記載したが、下部基板120も上部基板110と同一の構成及び形状に形成され、説明が重複されるため省略する。
このように、本発明による熱電モジュール100は、上部及び下部基板110、120の放熱層112、122及び絶縁層114、124の形状を矩形波に形成することにより、夫々の総表面積が、ライン状に形成する場合より2.5倍程度高くなることができる。
従って、熱電モジュール100の上部及び下部基板110、120夫々の表面積は、放熱層112、122及び絶縁層114、124の表面積の和の5倍以上に形成されることができる。これにより、熱電モジュール100は熱拡散係数も既存より5倍以上増加させることができるため、放熱性能を増加させることができる。
図5は本発明の第3実施形態による上部基板を示す断面図である。
図5に図示されたように、本発明の第3実施形態による上部基板110は、第1の放熱層112と、第1の絶縁層114と、第1の電極層116と、を含む。
第1の放熱層112は、熱電モジュール100に電源が印加される時、発熱または吸熱反応を起こすことができる。
第1の放熱層112は矩形波パターンに形成されることができる。ここで、本発明の第1の放熱層112を矩形波パターンに形成することは、両面をライン状に形成する場合より、総表面積を一例として2.5倍以上増加させて熱拡散係数を増加させることができ、これにより、熱拡散速度も増加させることができるためである。
この際、第1の放熱層112は一例として、導電性金属である銅(Gu)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)の何れか一つの金属で形成されることができる。
第1の絶縁層114は、第1の放熱層112と第1の電極層116との間に形成され、放熱の役割をするとともに、第1の放熱層112と第1の電極層116との間の電気的ショート(Short)が発生しないように絶縁体として用いられることができる。
このような第1の絶縁層114は、第1の放熱層112の他面の表面に沿って形成されることにより、第1の放熱層112と同様に矩形波パターンに形成されることができる。これにより、第1の絶縁層114は、両面をライン状に形成する場合より、表面積を一例として2.5倍以上増加させて熱拡散係数を増加させることができるため、熱拡散速度も増加させることができる。
この際、第1の絶縁層114は一例として、絶縁性及び放熱性の高い絶縁物質であるアルミナ(Alumina)、窒化ホウ素(Boron nitride)、窒化アルミニウム(Aluminium nitride)、シリカ(Silica)、及びポリイミド(Polyimide)の何れか一つで形成されることができる。
第1の電極層116は、熱電素子(図1の140)と電気的に連結されるように形成され、熱電モジュール100に電源が印加される時、電源の流れを案内することができる。
このような第1の電極層116は、第1の絶縁層114の他面の表面に沿って形成されることにより、第1の絶縁層114と同様に矩形波パターンに形成されることができる。これにより、ライン状に形成する場合より、第1の電極層116の表面積が一例として2.5倍以上増加され、熱拡散係数を増加させることができるため、熱拡散速度も増加させることができる。
この際、前記第1の電極層116は、電気伝導度の高い導電性金属である銅(Gu)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)の何れか一つの金属で形成されることができる。
一方、本発明の第2実施形態では、上部及び下部基板110、120のうち上部基板110についてのみ記載したが、下部基板120も上部基板110と同一の構成及び形状に形成され、説明が重複されるため省略する。
このように、本発明による熱電モジュール100は、基板110、120の放熱層112、122、絶縁層114、124及び電極層116、126夫々の形状を矩形波パターンに形成し、総熱拡散係数を7.5倍以上に高めることができ、これにより、熱拡散速度を増加させることができる。
なお、上記では、上部基板110及び下部基板120の両方の放熱層112の形状が、矩形波パターンに形成されている場合を説明したが、上部基板110及び下部基板120の少なくとも一方の放熱層112の形状のみが矩形波パターンに形成されていてもよい。また、上部基板110と下部基板120とが異なる形態であってもよい。例えば、上部基板110の形態が第1実施形態の形態であり、下部基板120の形態が第2実施形態又は第3実施形態の形態であってもよい。
100 熱電モジュール
Claims (11)
- 第1の基板、第2の基板、拡散防止層及び熱電素子を含む熱電モジュールであって、
前記第1の基板及び前記第2の基板の少なくとも一方は、
前記熱電モジュールに電源が印加される時、発熱または吸熱反応をする放熱層と、前記放熱層の一面上に形成され、第1の突起部と第1の溝部からなる第1の矩形波パターンに形成される絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成された前記第1の溝部内に埋め込まれるように形成される電極層と、が夫々積層される熱電モジュール。 - 前記放熱層は、
第2の突起部と第2の溝部からなる第2の矩形波パターンに形成される請求項1に記載の熱電モジュール。 - 前記第1の矩形波パターンは、
前記第2の矩形波パターンの一面を包むように形成される請求項2に記載の熱電モジュール。 - 第1の基板、第2の基板、拡散防止層及び熱電素子を含む熱電モジュールであって、
前記第1の基板及び前記第2の基板の少なくとも一方は、
前記熱電モジュールに電源が印加される時、発熱または吸熱反応をし、長手方向に形成されたパターンが一方の面と他方の面とで互いに異なる放熱層と、前記放熱層の前記一方の面上に形成され、第1の突起部と第1の溝部とからなる第1の矩形波パターンに形成される絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成された前記溝部内に埋め込まれるように形成される電極層と、が夫々積層される熱電モジュール。 - 前記放熱層の前記一方の面は、
第2の突起部と第2の溝部からなる第2の矩形波パターンに形成される請求項4に記載の熱電モジュール。 - 前記放熱層の前記他方の面は、ライン状に形成される請求項5に記載の熱電モジュール。
- 第1の基板、第2の基板、拡散防止層及び熱電素子を含む熱電モジュールであって、
前記第1の基板及び前記第2の基板の少なくとも一方は、
前記熱電モジュールに電源が印加される時、発熱または吸熱反応をし、第1の矩形波パターンに形成される放熱層と、前記放熱層の一方側の面に沿って形成され、第2の矩形波パターンに形成される絶縁層と、前記絶縁層の一方側の面に沿って形成され、第3の矩形波パターンに形成される電極層と、が夫々積層される熱電モジュール。 - 前記放熱層は、
銅(Gu)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)の何れか一つの導電性金属物質を含む請求項1から7の何れか1項に記載の熱電モジュール。 - 前記絶縁層は、
前記放熱層と前記電極層との間に配列され、前記放熱層と前記電極層との間の電気的ショートを防止する請求項1から8の何れか1項に記載の熱電モジュール。 - 前記絶縁層は、
絶縁性及び放熱性の高い絶縁物質であるアルミナ(Alumina)、窒化ホウ素(Boron nitride)、窒化アルミニウム(Aluminium nitride)、シリカ(Silica)、及びポリイミド(Polyimide)の何れか一つを含む請求項1から9の何れか1項に記載の熱電モジュール。 - 前記電極層は、
電気伝導度の高い導電性金属である銅(Gu)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)の何れか一つの導電性金属物質を含む請求項1から0の何れか1項に記載の熱電モジュール。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2011-0070563 | 2011-07-15 | ||
KR1020110070563A KR20130009442A (ko) | 2011-07-15 | 2011-07-15 | 열전 모듈 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013026617A true JP2013026617A (ja) | 2013-02-04 |
Family
ID=47518124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012126936A Pending JP2013026617A (ja) | 2011-07-15 | 2012-06-04 | 熱電モジュール |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130014516A1 (ja) |
JP (1) | JP2013026617A (ja) |
KR (1) | KR20130009442A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021512488A (ja) * | 2018-01-23 | 2021-05-13 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 熱電モジュール |
JP2021520627A (ja) * | 2018-04-04 | 2021-08-19 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 熱電素子 |
JP7431759B2 (ja) | 2018-06-26 | 2024-02-15 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 熱電素子 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9748466B2 (en) | 2013-01-08 | 2017-08-29 | Analog Devices, Inc. | Wafer scale thermoelectric energy harvester |
US9620700B2 (en) | 2013-01-08 | 2017-04-11 | Analog Devices, Inc. | Wafer scale thermoelectric energy harvester |
US9960336B2 (en) | 2013-01-08 | 2018-05-01 | Analog Devices, Inc. | Wafer scale thermoelectric energy harvester having trenches for capture of eutectic material |
US9620698B2 (en) * | 2013-01-08 | 2017-04-11 | Analog Devices, Inc. | Wafer scale thermoelectric energy harvester |
US10224474B2 (en) | 2013-01-08 | 2019-03-05 | Analog Devices, Inc. | Wafer scale thermoelectric energy harvester having interleaved, opposing thermoelectric legs and manufacturing techniques therefor |
KR101454639B1 (ko) * | 2013-09-03 | 2014-10-27 | 주식회사 제펠 | 확산방지층을 구비한 열전소자 및 그 제조방법 |
DE102014115694B4 (de) * | 2013-10-29 | 2022-02-03 | Analog Devices, Inc. | Thermoelektrischer energiesammler im wafermassstab |
KR102281065B1 (ko) * | 2014-01-23 | 2021-07-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 열전모듈 및 이를 포함하는 냉각장치 |
US10380352B2 (en) * | 2014-02-04 | 2019-08-13 | International Business Machines Corporation | Document security in enterprise content management systems |
KR102276513B1 (ko) * | 2014-11-10 | 2021-07-14 | 삼성전기주식회사 | 열전 모듈을 갖는 기판, 반도체 패키지 및 이들의 제조방법 |
US10672968B2 (en) | 2015-07-21 | 2020-06-02 | Analog Devices Global | Thermoelectric devices |
KR20210122606A (ko) * | 2020-04-01 | 2021-10-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 열전 소자 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3943553A (en) * | 1973-06-14 | 1976-03-09 | Elfving Sven T | Thermoelectric assembly and thermoelectric couples and subcouples therefor |
JPH0997930A (ja) * | 1995-07-27 | 1997-04-08 | Aisin Seiki Co Ltd | 熱電冷却モジュール及びその製造方法 |
JP3510831B2 (ja) * | 1999-12-22 | 2004-03-29 | 株式会社小松製作所 | 熱交換器 |
US6403876B1 (en) * | 2000-12-07 | 2002-06-11 | International Business Machines Corporation | Enhanced interface thermoelectric coolers with all-metal tips |
JP2002232022A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Aisin Seiki Co Ltd | 熱電モジュール及びその製造方法 |
US6672076B2 (en) * | 2001-02-09 | 2004-01-06 | Bsst Llc | Efficiency thermoelectrics utilizing convective heat flow |
US6759586B2 (en) * | 2001-03-26 | 2004-07-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thermoelectric module and heat exchanger |
US6739138B2 (en) * | 2001-11-26 | 2004-05-25 | Innovations Inc. | Thermoelectric modules and a heating and cooling apparatus incorporating same |
JP4255691B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2009-04-15 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 熱電変換材料を利用した電子部品の冷却装置 |
FR2878077B1 (fr) * | 2004-11-18 | 2007-05-11 | St Microelectronics Sa | Composant electronique vertical autorefroidi |
TWI254432B (en) * | 2005-01-14 | 2006-05-01 | Ind Tech Res Inst | Solid cooling structure and formation thereof with integrated package |
JP2009295878A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Yamaha Corp | 熱交換装置 |
KR101124632B1 (ko) * | 2010-09-06 | 2012-03-20 | 주식회사 포스코 | 코크스 건식 소화설비의 배관 부식 검출장치 |
-
2011
- 2011-07-15 KR KR1020110070563A patent/KR20130009442A/ko not_active Application Discontinuation
-
2012
- 2012-05-24 US US13/480,022 patent/US20130014516A1/en not_active Abandoned
- 2012-06-04 JP JP2012126936A patent/JP2013026617A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021512488A (ja) * | 2018-01-23 | 2021-05-13 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 熱電モジュール |
JP7407718B2 (ja) | 2018-01-23 | 2024-01-04 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 熱電モジュール |
JP2021520627A (ja) * | 2018-04-04 | 2021-08-19 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 熱電素子 |
JP7442456B2 (ja) | 2018-04-04 | 2024-03-04 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 熱電素子 |
JP7431759B2 (ja) | 2018-06-26 | 2024-02-15 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 熱電素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130014516A1 (en) | 2013-01-17 |
KR20130009442A (ko) | 2013-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2013026617A (ja) | 熱電モジュール | |
KR100997994B1 (ko) | 열전소자 | |
JP2008544540A5 (ja) | ||
US20150204585A1 (en) | Thermoelectric module and heat conversion device including the same | |
KR20110119334A (ko) | 열전 모듈 및 이의 제조방법 | |
CN105895794B (zh) | 热转换装置 | |
US20120023970A1 (en) | Cooling and heating water system using thermoelectric module and method for manufacturing the same | |
JP5598152B2 (ja) | 熱電変換モジュールおよびその製造方法 | |
JP2013026618A (ja) | 熱電モジュール | |
US20120145209A1 (en) | Thermoelectric element and thermoelectric module including the same | |
KR20210145703A (ko) | 열변환장치 | |
KR100984112B1 (ko) | 수평형 박막 열전모듈의 제조방법 및 이를 이용한 발열소자 패키지 | |
KR20120019536A (ko) | 나노입자가 도핑된 열전소자를 포함하는 열전모듈 및 그 제조 방법 | |
KR102359057B1 (ko) | 열전 소자 | |
US20110290293A1 (en) | Thermoelectric module and method for manufacturing the same | |
JP2002335021A (ja) | 薄膜熱電対集積型熱電変換デバイス | |
JP2012532468A (ja) | 複数の熱電素子を有するモジュール | |
CN113745395A (zh) | 热电元件 | |
KR101046130B1 (ko) | 열전소자 | |
KR101047478B1 (ko) | 열전모듈 제조방법 및 이를 이용하여 제조한 열전모듈 | |
JP2012033848A (ja) | 積層型熱電素子及びその製造方法 | |
KR102456680B1 (ko) | 열전소자 | |
JP2017092407A (ja) | 熱電変換素子 | |
KR101207300B1 (ko) | 열전 소자 제조방법 | |
KR102373052B1 (ko) | 열전모듈 및 이를 포함하는 열전환장치 |