JP2013026565A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板と、
   前記センサ基板において前記光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に設けられた駆動回路と、
   前記受光面上に設けられ、前記画素領域の膜厚が当該画素領域の外側に設けられた周辺領域の膜厚よりも薄い段差構造を有する絶縁層と、
   前記受光面側における前記周辺領域に設けられた配線と、
   前記絶縁層上において前記光電変換部に対応する各位置に設けられたオンチップレンズを備えた
   固体撮像装置。
2. 前記配線は、前記絶縁層に埋め込まれた埋込配線として設けられている
   請求項１記載の固体撮像装置。
3. 前記配線は、前記センサ基板の受光面側に埋め込まれた埋込配線として設けられている
   請求項１または２記載の固体撮像装置。
4. 前記画素領域における前記絶縁層と前記オンチップレンズとの間には、前記光電変換部に対応した受光開口を有する遮光膜が設けられている
   請求項１〜３の何れかに記載の固体撮像装置。
5. 前記絶縁層は、異なる材料を用いて構成された積層構造であり、
   前記画素領域においては、前記絶縁層において積層構造の上層部分を構成する膜が除去されている
   請求項１〜４の何れかに記載の固体撮像装置。
6. 前記絶縁層は、前記周辺領域にパターン形成された絶縁パターンと、当該絶縁パターンを覆う状態で前記センサ基板上に設けられた絶縁膜とを含み、
   前記画素領域には、前記絶縁膜が設けられている
   請求項１〜４の何れかに記載の固体撮像装置。
7. 前記センサ基板の表面側には、前記駆動回路を有する回路基板が貼り合わせられた
   請求項１〜６の何れかに記載の固体撮像装置。
8. 前記センサ基板には、前記受光面側の前記配線と前記表面側に配置された前記駆動回路とを接続する貫通ビアが設けられている
   請求項１〜７の何れかに記載の固体撮像装置。
9. 前記配線は、前記貫通ビアと一体に形成されている
   請求項８記載の固体撮像装置。
10. 前記遮光膜は、前記絶縁層の薄膜部分に形成された開口を介して前記センサ基板に接地されている
    請求項４記載の固体撮像装置。
11. センサ基板に設定された画素領域に光電変換部を配列形成することと、
    前記センサ基板において前記光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に駆動回路を形成することと、
    前記センサ基板における前記受光面上に絶縁層を成膜することと、
    前記受光面側において、前記画素領域の外側に設けられた周辺領域に配線を形成することと、
    前記絶縁層および前記配線を形成した後、当該絶縁層において前記画素領域に対応する部分を前記周辺領域に対して選択的に薄膜化することにより当該絶縁層に段差構造を形成することと、
    前記段差構造が形成された前記絶縁層上において前記光電変換部に対応する各位置にオンチップレンズを形成することを含む
    固体撮像装置の製造方法。
12. 前記配線を形成する際には、前記絶縁層に埋め込まれた埋込配線として当該配線を形成する
    請求項１１記載の固体撮像装置の製造方法。
13. 前記絶縁層を成膜する際には、異なる材料を用いて構成された積層構造として当該絶縁層を成膜し、
    前記絶縁層に段差構造を形成する際には、当該絶縁層において積層構造の上層部分を構成する膜を、下層部分を構成する膜に対して選択的に除去する
    請求項１１または１２記載の固体撮像装置の製造方法。
14. 光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板と、
    前記センサ基板において前記光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に設けられた駆動回路と、
    前記受光面上に設けられ、前記画素領域の膜厚が当該画素領域の外側に設けられた周辺領域の膜厚よりも薄い段差構造を有する絶縁層と、
    前記受光面側における前記周辺領域に設けられた配線と、
    前記絶縁層上において前記光電変換部に対応する各位置に設けられたオンチップレンズと、
    前記光電変換部に入射光を導く光学系を備えた
    電子機器。