JP2013021163A - ダイボンダ及びダイボンダの接合材供給方法 - Google Patents
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Abstract
大気中で線はんだの表面に形成された酸化膜を除去することによりボイドの発生を抑え、常に一定の量のはんだを安定的に供給することが可能にする。
【解決手段】
試料上の所定の位置に所定の量のはんだを供給し、この試料上の所定の位置に供給されたはんだを成形し、この成形されたはんだ上に半導体チップを搭載することを試料を外気と遮断された雰囲気中に維持した状態で行うダイボンダを用いて半導体チップを接続する方法において、ダイボンダの接合材料を、試料上の所定の位置に所定の量のはんだを供給することを、線状のはんだを所定の量送り出し、大気圧中でプラズマを発生させて送り出された線状はんだの表面を発生させたプラズマで処理し、このプラズマで表面が処理された線状はんだを試料上の所定の位置に外気に晒すことなくガイドしてこの試料上に供給するようにした。
【選択図】図1
Description
はんだを接合材として基板に供給してその上に半導体チップを搭載してはんだ接続するダイボンダ及びダイボンダの接合材供給方法に関する。
はんだ接続が使われる半導体デバイスは、一般的にパワー半導体、パワーモジュールの用途が多く、エアコン、パソコンなどの家電用途の半導体装置の他に、自動車機器、鉄道、産業機器などにも用いられ、性能、信頼性に影響するはんだ接合部の品質が非常に重要となっている。
を供給するはんだ供給ユニットと、このはんだ供給ユニットにより試料上の所定の位置に供給されたはんだを成形するはんだ成形ユニットと、このはんだ成形ユニットにより成形されたはんだ上に半導体チップを搭載する半導体チップ搭載ユニットと、試料をはんだ供給ユニットとはんだ成形ユニットと半導体チップ搭載ユニットとの間を搬送する基板搬送ユニットと、この基板搬送ユニットによりはんだ供給ユニットとはんだ成形ユニットと半導体チップ搭載ユニットとの間を搬送される試料を外気と遮断された雰囲気中に維持する外気遮蔽ユニットとを備えたダイボンダにおいて、はんだ供給ユニットを、線状のはんだを所定の量送り出す線状はんだ送り出し部と、大気圧中でプラズマを発生させて線状はんだ送り出し部により送り出された線状はんだの表面を発生させたプラズマで処理するプラズマ処理手段と、このプラズマ処理手段で表面が処理された線状はんだを外気遮蔽ユニットの内部にある試料上の所定の位置に外気に晒すことなくガイドするノズル手段とを備えて構成した。
ダイボンダ50は、基板4を搬入する基板搬入部501、基板4にはんだ2を供給して基板4上にはんだ部5を形成するはんだ供給部502、基板4に形成したはんだ部5を成形するはんだ成形部503、基板4上の成形されたはんだ部5に半導体チップ60を搭載してはんだ接続するチップ搭載部504、チップ60を搭載した基板4を搬出する基板搬出部505を備えて構成され、はんだ供給部502とはんだ成形部503、及びチップ搭載部504は外気を遮断する壁51に覆われており、図示していないガス供給手段及びガス排出手段により、壁51で覆われた空間の内部に窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスや水素などの還元ガスが混合して充填されている。また、基板4は、基板搬入部501、はんだ供給部502、はんだ成形部503、チップ搭載部504、基板搬出部505の間をガイドレール52に沿って図示していない駆動手段により駆動されて間欠的に移動する。
はんだダイボンダの線はんだ供給ユニット1において、基板4へのはんだ供給量を精度よく所定の量にするため、線はんだ2と基板4との接触検知をすることがある。
図9に、実施例1で説明したダイレクト式大気圧プラズマ処理部9の断面図である図3に関して、線はんだ2の位置を変えた場合の断面図を示す。図9に示すように、線はんだ2が電圧印加電極11の内側の誘電体12で囲まれたプラズマ発生領域13の中心軸からずれて、外周の点Aと誘電体12との間のギャップt3が狭まくなった場合、点Aの線はんだ中心に対して反対側の点Bと誘電体12とのギャップt4は広くなる。実施例1で説明したように、線はんだ2と誘電体12とのギャップは、電界および放電処理に影響を与える。そのため、図9の場合、線はんだ2の点Aと点Bとでは、プラズマ処理、すなわちスズ酸化膜除去速度において不均一になってしまう。
次に、図12Aと図12Bを用いて、実施例1の変形例3におけるダイレクト式大気圧プラズマ処理部9を説明する。図12A及び図12Bは、実施例1の変形例3に係る線はんだ供給ユニット120a及び120bの一部の断面拡大図である。図12A及び図12Bでは、実施例1で図2を用いて説明した構成に対して、線はんだ供給ノズル8及び絶縁体10について、材質及び形状が変更されている点が相違点である。その他は実施例1で図2を用いて説明した構成と同じであるので、同じ部品番号を付して説明を省略する。
実施例1で説明したダイレクト式大気圧プラズマ処理部9の面16での断面である図4Aに関して、線はんだ2を断面が円形の棒状から、断面が矩形のリボン状に変えた場合の断面を図4Bに示す。図4Aでは、棒状の線はんだを取り囲むように高電圧電極11および誘電体12は円筒形状だが、図4Bでは、高電圧電極11は線はんだ2両面と対向する2枚の平板状であり、誘電体12は高電圧電極11の線はんだ面側に設けられた平板状である。その為、誘電体12を挟んだ高電圧電極11と線はんだ2とが平行平板電極として対向するため、ギャップt1に均一な電界が発生する。これにより、大気圧プラズマ領域13は、高電圧電極11に接した誘電体12と線はんだ2との間に平板状に生成し、その結果、線はんだ2の表面を均一にプラズマ処理できる。
図14は、リモート式大気圧プラズマ処理装置部90の第1の構成例である。ガス導入口17に対して、近い方から高電圧電極31、接地電極32が配置され、それら高電圧電極31と接地電極32とに交流高圧電源14が接続され、接地電極32は接地されている。絶縁体33は、高電圧電極31と接地電極32との間でガス導入ノズル30の外側に配置される。高電圧電極31と接地電極32との間のガス導入ノズル30の内部に高電界が発生し、その高電界中にてプラズマおよび活性種29が生成される。高電圧電極31および接地電極32間のガス導入ノズル30外側は、絶縁体33で覆われているため、高電界が発生せず、プラズマが生成されないようになっている。高電圧電極31と接地電極32とはガス導入ノズル30に対して覆うように接している為、それらの形状は管状であり、またそれらの材質は、ステンレススティール、アルミニウム(Al)といった一般的に導体と呼ばれる金属である。なお、高電圧電極31と接地電極32との配置を入れ替えても良い。
図18に、実施例2の変形例1として、前記の実施例2で説明したリモート式大気圧プラズマ処理装置90を、線はんだ2および線はんだ供給ノズル8を挟んで対向して設けた例を示す。図18に示すように、リモート式大気圧プラズマ処理装置90を線はんだ供給ノズル8の左右に1台ずつ対向して配置することにより、供給ノズル8内の線はんだ2に対して左右の両方向から活性種29を吹き付けられるようにしてある。これにより、線はんだ2の円形の外周に対して、なるべく広い面に活性種29が吹き付けられ、線はんだ2の酸化膜の内、除去されない部分が生じるのを抑制できる。なお、図18ではリモート式大気圧プラズマ処理部90を線はんだ供給ノズル8に対して2台を左右に配置したが、それ以上の台数を等間隔に並べて配置させても良い。リモート式大気圧プラズマ処理部90の配置台数を増加させることにより、線はんだ2の酸化膜の除去速度の増加、および除去の均一性が向上することが期待できる。
[実施例2の変形例2]
図21は、実施例2の変形例2に係るプラズマ処理装置の断面拡大図である。図21では、図13で説明した実施例2の構成に対して、ガス導入ノズル30の材質及び形状が変更されている点が相違点である。その他は図13で説明した実施例2の構成と同じであるので、説明を省略する。
Claims (12)
- 試料上の所定の位置に所定の量のはんだを供給するはんだ供給ユニットと、
該はんだ供給ユニットにより前記試料上の所定の位置に供給されたはんだを成形するはんだ成形ユニットと、
該はんだ成形ユニットにより成形されたはんだ上に半導体チップを搭載する半導体チップ搭載ユニットと、
前記試料を前記はんだ供給ユニットと前記はんだ成形ユニットと前記半導体チップ搭載ユニットとの間を搬送する基板搬送ユニットと、
該基板搬送ユニットにより前記はんだ供給ユニットと前記はんだ成形ユニットと前記半導体チップ搭載ユニットとの間を搬送される前記試料を外気と遮断された雰囲気中に維持する外気遮蔽ユニットと
を備えたダイボンダであって、前記はんだ供給ユニットは、
線状のはんだを所定の量送り出す線状はんだ送り出し部と、
大気圧中でプラズマを発生させて前記線状はんだ送り出し部により送り出された線状はんだの表面を前記発生させたプラズマで処理するプラズマ処理手段と、
該プラズマ処理手段で表面が処理された前記線状はんだを前記外気遮蔽ユニットの内部にある試料上の所定の位置に外気に晒すことなくガイドするノズル手段と
を備えたことを特徴とするダイボンダ。 - 前記ノズル手段は、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスと水素などの還元ガスが混合されたガスの雰囲気中で前記線状はんだを前記試料上の所定の位置にガイドすることを特徴とする請求項1記載のダイボンダ。
- 前記プラズマ処理手段は、前記線状はんだの表面をプラズマ処理することにより、前記線状はんだの表面の酸化膜を除去することを特徴とする請求項1記載のダイボンダ。
- 前記プラズマ処理手段は、前記ノズル手段の外部から高周波電解を印加することにより前記ノズル手段の内部に直接プラズマを発生させ、該発生させたプラズマにより前記線状はんだの表面を処理することを特徴とする請求項1記載のダイボンダ。
- 前記プラズマ処理手段は、高周波電界により発生させたプラズマを前記ノズル手段の内部に輸送し、該輸送させたプラズマにより前記線状はんだの表面を処理することを特徴とする請求項1記載のダイボンダ。
- 前記はんだ供給ユニットは前記線状はんだが前記試料に接触していることを電気的に検知する接触状態検知手段を更に備え、前記線状はんだ送り出し部は前記接触状態検知手段により前記線状はんだが前記試料に接触していることを検知した信号に基づいて前記線状はんだの送り出し量を制御することを特徴とする請求項1記載のダイボンダ。
- 試料上の所定の位置に所定の量のはんだを供給し、
該試料上の所定の位置に供給されたはんだを成形し、
該成形されたはんだ上に半導体チップを搭載することを前記試料を外気と遮断された雰囲気中に維持した状態で行うダイボンダを用いて半導体チップを接続する方法であって、
前記試料上の所定の位置に所定の量のはんだを供給することを、
線状のはんだを所定の量送り出し、
大気圧中でプラズマを発生させて前記送り出された線状はんだの表面を前記発生させたプラズマで処理し、
該プラズマで表面が処理された前記線状はんだを試料上の所定の位置に外気に晒すことなくガイドして該試料上に供給する
ことを特徴とするダイボンダの接合材供給方法。 - 前記プラズマで表面が処理された前記線状はんだを試料上の所定の位置に外気に晒すことなくガイドして該試料上に供給することを、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスと水素などの還元ガスが混合されたガスの雰囲気中で行うことを特徴とする請求項7記載のダイボンダの接合材供給方法。
- 前記線状はんだの表面をプラズマ処理することにより、前記線状はんだの表面の酸化膜を除去することを特徴とする請求項7記載のダイボンダの接合材供給方法。
- 前記ノズルの外部から高周波電解を印加することにより前記ノズルの内部に直接プラズマを発生させ、該発生させたプラズマにより前記線状はんだの表面を処理することを特徴とする請求項7記載のダイボンダの接合材供給方法。
- 前記プラズマを高周波電界により発生させ、該発生させたプラズマを前記ノズルの内部に輸送し、該輸送させたプラズマにより前記線状はんだの表面を処理することを特徴とする請求項7記載のダイボンダの接合材供給方法。
- 前記線状はんだの供給することを、前記線状はんだが前記試料に接触していることを電気的に検知した信号に基づいて制御することを特徴とする請求項7記載のダイボンダの接合材供給方法。
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