JP2013172086A - ダイボンダ及びダイボンディング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】大気中で線はんだの表面に形成された酸化膜を除去することによりボイドの発生を抑え、常に一定の量のはんだを安定的に供給することを可能にする。
【解決手段】、被接続部材上に線状のはんだを供給して溶融させるはんだ供給工程と、供給された線状のはんだが溶融した状態の被接続部材上に半導体チップを搭載するチップ搭載工程とを所定の雰囲気中で行うダイボンディング方法において、はんだ供給工程において、線はんだの表面の同じ領域を複数の個所でプラズマ処理してから被接続部材上に供給して溶融させるようにした。
【選択図】図1
【解決手段】、被接続部材上に線状のはんだを供給して溶融させるはんだ供給工程と、供給された線状のはんだが溶融した状態の被接続部材上に半導体チップを搭載するチップ搭載工程とを所定の雰囲気中で行うダイボンディング方法において、はんだ供給工程において、線はんだの表面の同じ領域を複数の個所でプラズマ処理してから被接続部材上に供給して溶融させるようにした。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体チップを基板に接続するダイボンダに関するものであり、特に線状のはんだを接合材として基板に供給してその上に半導体チップを搭載してはんだ接続するダイボンダ及びダイボンディング方法に関する。
半導体チップ(ダイ)を回路基板上に実装する手段の一つとして、回路基板の電極上にはんだを供給して半導体チップを回路基板にはんだ接続するダイボンディングがある。はんだ接続が使われる半導体デバイスは、一般的にパワー半導体、パワーモジュールの用途が多く、エアコン、パソコンなどの家電用途の半導体装置の他に、自動車機器、鉄道、産業機器などにも用いられ、性能、信頼性に影響するはんだ接合部の品質が非常に重要となっている。
ダイボンディングにおける接続の品質を低下させる原因の一つに、はんだ材料の表面に形成される酸化膜が原因となって発生するボイドの影響がある。
このボイドの発生を抑える方法として、従来の半導体素子をダイボンディングする装置であるダイボンダでは、空間を窒素等の不活性なガスで充填し、その中で基板を加熱し、はんだを供給し、基板に半導体素子を搭載することが行われる。不活性ガスを充填した空間で行うのは、高温下で基板などの酸化を抑制するためである。
特許文献1では、半導体素子の装着装置において、はんだを供給するための経路を有しながら密閉性を確保することで、酸素が密閉空間に入り込むのを抑えて基板などの酸化を防止することが開示されている。
また、特許文献2には、窒素と水素の混合ガスが充填されたルツボ内に線はんだを供給して溶融し、溶融させたはんだの表面に形成された酸化膜を真空吸引してルツボから排除し、酸化膜が除去されたはんだをルツボのノズルから吐出するはんだ酸化物除去装置が記載されている。
一般に、ダイボンダに供給する線状のはんだ(以下、線はんだと記す)は、大気中にさらされているために表面が大気中の酸素と反応して薄い酸化膜が形成されている。
このダイボンダに供給する線はんだの表面に形成された酸化膜がはんだ接続部のボイド発生の原因となり、はんだ接続の品質を低下させる原因の一つとなってしまう。
特許文献1に記載されている方法では、基板やはんだを加熱するときに、空気中の酸素による酸化を抑制することはできる。しかしながら、前述したように、供給する線はんだの表面に形成された酸化膜を除去することについては配慮されておらず、表面に酸化膜が形成された線はんだを用いることではんだ接続部に酸化膜による酸素が持ち込まれ、基板の酸化やはんだ中のボイド発生の原因となってしまう。
また、特許文献2には、表面に酸化膜が形成された線はんだを一旦るつぼの内部で溶融して酸化膜を溶融したはんだの表面に浮かせ真空吸着して排出しながらルツボ内部のガス圧力を調整することによりルツボの先端のノズルからリードフレームに一定の量供給することが記載されているが、リードフレームに供給したはんだの表面に酸化膜が形成されるのを防止することについては記載されていない。また、ルツボ内部で、溶融したはんだの表面に浮かんだ酸化膜を吸引してルツボの外に排出しながらルツボ内の圧力を制御してノズルから一定の量の溶融したはんだをリードフレームに供給するように圧力を制御することは、かなりの困難が伴う。
本願発明は、上記した従来技術の課題を解決して、大気中で線はんだの表面に形成された酸化膜を除去することによりボイドの発生を抑え、常に一定の量のはんだを安定的に供給することが可能な、ダイボンダ及びダイボンディング方法を提供するものである。
上記した課題を解決するために、本発明では、被接続部材上に線状のはんだを供給するはんだ供給ユニットと、該供給され溶融したはんだ上に半導体チップを搭載する半導体チップ搭載ユニットと、前記被接続部材を搬送する搬送ユニットと、前記被接続部材が前記はんだ供給ユニットによりはんだを供給される位置及び前記半導体チップ搭載ユニットにより半導体チップを搭載される位置を所定の雰囲気中に維持する雰囲気維持ユニットとを備えたダイボンダにおいて、前記はんだ供給ユニットは、前記線状のはんだを送り出す線状はんだ送り出し部と、前記線状はんだ送り出し部により送り出された線状のはんだをガイドするガイド部と、該ガイド部の内部で前記線状はんだを送り出す方向の複数の個所でプラズマを発生させるプラズマ発生部とを有するプラズマ処理部とを備えて構成した。
また、上記した課題を解決するために、本発明では、被接続部材上に線状のはんだを供給して溶融させるはんだ供給工程と、前記供給された線状のはんだが溶融した状態の前記被接続部材上に半導体チップを搭載するチップ搭載工程とを所定の雰囲気中で行うダイボンディング方法において、前記はんだ供給工程において、前記線はんだの表面の同じ領域を複数の個所でプラズマ処理してから前記被接続部材上に供給して溶融させるようにした。
本発明によれば、線切れを起こすことなく線はんだの表面に形成された酸化膜を除去してはんだを安定に基板へ供給することができ、これによって品質の高い接合を行うことができるようになった。
図1を用いて、本発明によるダイボンダの1実施形態の概略の構成を説明する。
ダイボンダ50は、基板4を搬入する基板搬入部501、基板4にはんだ2を供給して基板4上にはんだ部5を形成するはんだ供給部502、基板4に形成したはんだ部5を成形するはんだ成形部503、基板4上の成形されたはんだ部5に半導体チップ60を搭載してはんだ接続するチップ搭載部504、チップ60を搭載した基板4を搬出する基板搬出部505を備えて構成され、はんだ供給部502とはんだ成形部503、及びチップ搭載部504は外気を遮断する壁51に覆われており、図示していないガス供給手段及びガス排出手段により、壁51で覆われた空間の内部に窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスや水素などの還元ガスが混合して充填された雰囲気に維持されている。また、基板4は、基板搬入部501、はんだ供給部502、はんだ成形部503、チップ搭載部504、基板搬出部505の間をガイドレール52に沿って図示していない駆動手段により駆動されて間欠的に移動する。
ダイボンダ50は、基板4を搬入する基板搬入部501、基板4にはんだ2を供給して基板4上にはんだ部5を形成するはんだ供給部502、基板4に形成したはんだ部5を成形するはんだ成形部503、基板4上の成形されたはんだ部5に半導体チップ60を搭載してはんだ接続するチップ搭載部504、チップ60を搭載した基板4を搬出する基板搬出部505を備えて構成され、はんだ供給部502とはんだ成形部503、及びチップ搭載部504は外気を遮断する壁51に覆われており、図示していないガス供給手段及びガス排出手段により、壁51で覆われた空間の内部に窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスや水素などの還元ガスが混合して充填された雰囲気に維持されている。また、基板4は、基板搬入部501、はんだ供給部502、はんだ成形部503、チップ搭載部504、基板搬出部505の間をガイドレール52に沿って図示していない駆動手段により駆動されて間欠的に移動する。
54a、54b、54cは、それぞれはんだ供給部502、はんだ成形部503、チップ搭載部504に対応して壁51に設けられた開口窓である。壁51で覆われた室内をシュート3と称し、シュート3には入り口55及び出口56が備わっている。
次に、はんだ供給部502、はんだ成形部503、チップ搭載部504で行われる工程を順番に説明する。
はんだ供給部502では、線はんだ供給ユニット511により線はんだ2が巻かれたスプール6から、送り装置7により線はんだ2を窓54aを介して基板4へと供給する。線はんだ2は、線はんだ供給ノズル8により基板4上の所定の位置に線はんだ2が移動するよう誘導される。基板4は、シュート3に入って以降ヒータ57により加熱されている為、線はんだ供給ノズル8から供給された線はんだ2が基板4に接触した状態で溶融し、その結果、基板4上にはんだ部5が形成される。
次のはんだ成形部503では、はんだ成形ユニット512により窓54bを介してはんだ成形棒58を基板4上のはんだ部5に押圧することによりはんだ部5を、所望の範囲まで基板4に濡れ広がらせる。この目的は、次のチップ搭載部504において、半導体チップ60をはんだ部5に搭載しやすくするためである。
最後の、チップ搭載部504では、チップ搭載ユニット513により窓54cを介してコレット59を使って、図示していない手段により供給された半導体チップ60を保持したまま、はんだ成形部503で成形して濡れ広がらせたはんだ面に押し付ける。これにより、半導体チップ60と基板4とが、はんだ接合される。
すなわち本発明では、ダイボンダを、被接続部材上に線状のはんだを供給するはんだ供給ユニットと、供給され溶融したはんだ上に半導体チップを搭載する半導体チップ搭載ユニットと、被接続部材を搬送する搬送ユニットと、被接続部材がはんだ供給ユニットによりはんだを供給される位置及び半導体チップ搭載ユニットにより半導体チップを搭載される位置を所定の雰囲気中に維持する雰囲気維持ユニットとを備えて構成し、はんだ供給ユニットは、線状のはんだを送り出す線状はんだ送り出し部と、線状はんだ送り出し部により送り出された線状のはんだをガイドするガイド部と、ガイド部の内部で前記線状はんだを送り出す方向の複数の個所でプラズマを発生させるプラズマ発生部とを有するプラズマ処理部とを備えて構成した。
また、本発明では、ダイボンディング方法を、被接続部材上に線状のはんだを供給して溶融させるはんだ供給工程と、供給された線状のはんだが溶融した状態の被接続部材上に半導体チップを搭載するチップ搭載工程とを所定の雰囲気中で行うようにし、はんだ供給工程において、線はんだの表面の同じ領域を複数の個所でプラズマ処理してから被接続部材上に供給して溶融させるようにした。
以下に、本発明においてダイボンダ50に搭載するはんだ供給部502の実施形態を、図面を用いて説明する。
本実施例におけるダイボンダの線はんだ供給ユニット511は、ダイレクト式プラズマ処理部を分割して複数の個所に設け、比較的短時間で酸化膜除去を行えるようにすると共に、供給する線はんだを切断させることなく安定に供給できるようにしたものである。
まず、図2乃至図8を用いて、本実施例1におけるダイレクト式プラズマ処理部を用いた線はんだの表面の酸化膜を除去する原理を説明する。
図2は、本実施例の原理を説明するダイレクト式大気圧プラズマ処理部9をダイボンダ50の線はんだ供給ユニット1(図1の線はんだ供給ユニット511に相当)に搭載し、シュート3内の基板4に線はんだ2を所定の量ずつ供給する線はんだ供給ユニット1の様子を示す正面の断面図である。
線はんだ供給ユニット1は、線はんだ2をシュート3に送り出す。シュート3に送り出された線はんだ2は、線はんだ供給ユニット1の下へ搬送された基板4と接触する。基板4は搬送中にヒータ57で加熱されて高温になっているため、線はんだ2が基板4に接触した段階で溶解し、基板4上にはんだ部5が形成される。
ここで、基板4は、例えば銅(Cu)、または銅の表面に銀(Ag)やニッケル(Ni)をめっきしたような金属である一般的には導体と呼ばれる導電性の高い材質からなる物体である場合もあるし、また、セラミクスのような導電性の低い材質からなる物体である場合もある。
線はんだ供給ユニット1は、スプール6、送り機構部7、線はんだ供給ノズル8、ダイレクト式大気圧プラズマ処理部9を有する。スプール6は、線はんだ2を糸巻き様に収納する。送り機構部7は、スプール6にある線はんだ2をノズル8へと送り出す。ダイレクト式大気圧プラズマ処理部9は、ノズル8を通して送られる線はんだ2の表面にあるスズ酸化膜などの酸化膜を還元除去する。
ダイレクト式大気圧プラズマ処理部9は、絶縁体10、高電圧電極11、誘電体12、大気圧プラズマ発生領域13、交流高圧電源14、を有する。
本実施例の原理を説明する線はんだ供給ユニット1のダイレクト式大気圧プラズマ処理部9は、線形状はんだ2が基板4に供給されるまでの途中経路に搭載される。図2に示した構成ではダイレクト式大気圧プラズマ処理部9は、シュート3の外に搭載されているが、シュート3の内部、またはシュート3の内部から外部のスプール6側にわたる領域に搭載してもよい。
次に、図2を用いて、実施例1の原理を説明する線はんだ供給ユニット1のダイレクト式大気圧プラズマ処理部9の構成及びその作用を詳しく説明する。
11は第1の電極であり、交流高圧電源14の一端に接続されて高周波電力が印加される電圧印加電極である。交流高圧電源14の他端は、接地されている。電圧印加電極11は、例えばアルミニウム(Al)またはステンレススティールのような金属で形成され、一般的には導体と呼ばれる導電性の高い材質からなり、ノズル8の外周部を囲むように円筒状に形成されている。
ノズル8の内部に供給された線はんだ2は、第2の電極として、電圧印加電極1と対向して設けられた接地電極として作用する。また、線はんだ2は、プラズマ処理の対象となる被処理物でもある。線はんだ2は、一般的にははんだと呼ばれるスズを含む合金からなる棒状の物体である。本実施例では、線はんだ2はスズを主体とする200〜300℃程度の融点を有する材料で構成されていることを想定している。
12は、電圧印加電極11に設けられた誘電体である。誘電体12は、アルミナ、ガラス、またはポリイミドなどの絶縁体からなり、ノズル8の外周部を囲むように形成された円筒状の物体である。誘電体12の厚みは、誘電体バリア放電を実現するために、好ましくは0.1〜5mmとする。厚みが薄すぎると誘電体バリア放電が不十分になり、ストリーマ、またはアーク放電が起こりやすくなる。厚すぎると、電圧印加電極11と線はんだ2間の空間に発生する電界が減少し、プラズマを発生させる為に必要な印加電圧が増大してしまう。
次に、電圧印加電極11、誘電体12、線はんだ2の位置関係の詳細を説明する。図3は、図2の領域15における拡大図である。電圧印加電極11の長さは、その端部が誘電体12より短くするのが好ましい。電圧印加電極11が誘電体12より外側に出ると、外側に出た端部において誘電体によるバリアがされない。その場合、電圧印加電極11と線はんだ2間にてアークまたはストリーマ放電が発生してしまう。また、電圧印加電極11と誘電体12との端部が同じ程度の位置にあっても、わずかな隙間を経由して、電圧印加電極11と線はんだ2間にアークまたはストリーマ放電が発生することがある。
図4は、図2の面16での断面図である。線はんだ2と誘電体12とのギャップt1は、好ましくは0.5〜5mmとする。t1が0.5mmより小さい場合、交流高圧電源14の出力電圧が増加側に変動する、または線はんだ2が曲がった状態でダイレクト式大気圧プラズマ処理部9に供給される条件が重なると、誘電体12と線はんだ2間に発生する電界が更に高くなる。結果として、誘電体12と線はんだ2間にストリーマまたはアーク放電が発生することがある。t1が5mmより大きい場合、誘電体12と線はんだ2間の空間に発生する電界が減少し、プラズマを発生させる為に必要な印加電圧が増大してしまう。
10は、プラズマ発生領域13に対向する面を除き、高電圧印加電極11の周囲に設けられた絶縁体である。絶縁体10は、誘電体12と同様に、アルミナ、ガラス、またはポリイミドなどの絶縁体からなる物体であるが、厚みについては好ましくは10mm以上とする。これは、厚みを十分大きくすることにより電気絶縁性を高め、絶縁体10の周囲に高い電界が発生しないようにするためである。その結果、高電圧印加電極11と線はんだ2との間の空間、すなわちプラズマ発生領域13のみに高い電界を発生させることができ、プラズマが発生する領域を限定することができる。
14は、電圧印加電極11と線はんだ2との間に、1kV以上の高電圧を印加できる交流高圧電源であり、電圧印加部である。交流高圧電源14の周波数は、30kHz以上1000kHz未満が好ましい。
30kHz未満の場合、発生するプラズマの密度が低い為に、線はんだ2の表面に形成された酸化膜の除去速度が低い。ここで、電源周波数が酸化膜除去速度へ与える影響を、実験結果により説明する。図2に示した本実施例1の原理を説明する構成における線はんだ供給ユニット1のダイレクト式大気圧プラズマ処理部9において、交流高圧電源14の出力周波数を30kHz以下にした場合の線はんだ2の酸化膜除去速度を評価した。
評価条件は以下の通りである。処理試料の線はんだ2は、SnAg3Cu0.5からなる外径1mmの棒とした。誘電体12は、パイレックス(登録商標)ガラスからなる内径4mm、外径5mmの円筒体とした。電圧印加電極は、銅(Cu)からなる内径φ5.1mmの円筒体とした。処理ガスは、窒素(N2)+水素(H2)(4%)とし、ガス流量は、2slmとした。電源14は、サイン半波状の電圧波を出力する交流高圧電源とし、その出力周波数は12〜30kHzとした。電源による印加電圧は、ストリーマ、またはアーク放電が起こらない範囲において、高い電圧を印加するようにした。プラズマ処理前後での線はんだ2のスズ酸化膜(SnOx)厚をSERA(Sequential Electrochemical Reduction Analysis)法により測定し、その膜厚差を処理時間で除算することによりスズ酸化膜の除去速度を求めた。
図5に、スズ酸化膜除去速度の電源周波数依存性を示す。図5に示すように、酸化膜除去速度は、電源周波数が30kHz未満の場合、0.01〜0.02nm/sであり、一方、30kHzの場合、0.4nm/sだった。この結果は、周波数が30kHzであれば自然酸化膜2nmを約5秒で完全に除去でき、周波数が30kHz未満であれば、100〜200秒程度必要であることを意味する。
電源周波数が1000kHz以上となると、電源及び電力供給経路について、電力整合を考慮して設計及び作成する必要が生じる。その結果、電源の他にインピーダンス整合器を使用せねばならず、電源系統の費用が増大してしまう。
次に、プラズマ発生領域13へのプロセスガス導入について説明する。図2のガス導入口17は、ガス導入管(図示せず)、ガス供給源(図示せず)に接続されている。プロセスガスは、ガス導入口17経て、スプール6及び送り装置7の側から大気圧プラズマ処理部1のプラズマ発生領域13へ導入される。プロセスガスの構成は、ヘリウム(He)、アルゴン(Ar)などの希ガス、または窒素(N2)を主とする。処理コストの低減の観点から、窒素を使用することが好ましい。主たるガスに加え、線はんだ2の酸化膜を還元処理するために、水素等の解離した原子が還元性活性種となりうる反応性ガスを混合する。
図6は、第1実施形態の原理を説明する線はんだ供給ユニット1のダイレクト式大気圧プラズマ処理部9において、線はんだ2のプラズマ処理を開始する際の、ダイレクト式大気圧プラズマ処理部9の下部分の正面断面図である。
まず、図6に示すように、電圧印加電極11の下端と線はんだ2の先端との距離t2が10mm以下となるように配置し、線はんだ2を固定した状態で、交流高圧電源14により電圧印加電極11に電圧印加し、プラズマ発生領域13にプラズマを発生させてプラズマ処理を開始する。
プラズマ処理を開始すると、線はんだ2の電圧印加電極11と対向する部分に、水素原子(H)を含むプラズマが照射される。加えて、プロセスガスが上部のスプール6側からシュート3側に流れる為、水素原子もその方向に流される。t2が10mm以下であれば、プラズマで生成する水素原子を、誘電体12にてあまり失活をさせることなく、線はんだ2の先端まで供給できる。その結果、プラズマ処理開始時において、線はんだ2の先端の酸化膜を除去できる。線はんだ2の先端の酸化膜を除去した後、プラズマ処理を継続したまま、送り機構部7を駆動して線はんだ2の供給を開始する。
スプール6にある線はんだ2がなくなる等して、プラズマ処理を終了するときは、電圧印加電極11への電圧印加を停止して、プラズマ放電を停止する。その後、スプール6に線はんだ2を再充填し、図6の状態からプラズマ処理を再開する。
ところで、実施例1の原理の説明として図2に示した線はんだ供給ユニット1のダイレクト式大気圧プラズマ処理部9の構成では、線はんだ2をプラズマ処理する際、線はんだ2が切断してしまう場合がある。
図7を用いて、線はんだ切断のメカニズムを説明する。線はんだ2は、プラズマ発生領域13においてプラズマで加熱される。加熱により線はんだ2の温度が高くなり、その温度がある点Mにおいて融点まで増加する。融点になると点Mにて線はんだが軟化し、また同時に点Mよりシュート3側の線はんだ2(部分N)の自重により線はんだ2が引っ張られるため、線はんだ2が点Mより切断される。
線はんだ2の切断を防ぐ方法の一つは、線はんだ2の温度が融点まで増加しないようにすることである。そのためには、線はんだ2に対する熱の流入を低減し、熱の流出を促進することが有効である。
以下に、線はんだ2への熱の流入及び流出のメカニズムを説明する。
熱の流入機構は、高温のプラズマに線はんだ2が接触することによる熱伝導である。この熱の流入は、プラズマ発生領域13を通過中の線はんだ2に対して起こる。
熱の流入機構は、高温のプラズマに線はんだ2が接触することによる熱伝導である。この熱の流入は、プラズマ発生領域13を通過中の線はんだ2に対して起こる。
一方、熱の流出機構は2つある。1つ目は、線はんだ2自身の熱伝導である。高温であるプラズマ発生領域13に存在する線はんだ2から、それに比べて低温である両端方向へ熱が流出する。
2つ目は、プラズマ発生領域13に供給するプロセスガスによる冷却である。プロセスガスの一部はプラズマ発生領域13内ではプラズマとなり高温になるが、プラズマ発生領域13外の部分では低温である。低温のプロセスガスが線はんだ2と接触するため、線はんだ2から熱を奪う。プロセスガスによる線はんだ2からの熱の流出は、プロセスガスと接触する線はんだ2において起こる。但し、ガス導入口17から供給されたプロセスガスはプラズマ発生領域13を通過するに従いガス温度が増加するため、図7の構成ではプロセスガスがシュート3側に移動するほどガス温度が高くなり、その結果、シュート3側ほど線はんだ2の熱の流出効果が低減する。
また、熱の流出を促進する方法として、プロセスガス流量を増加する方法も考えられる。プロセスガス流量が増加するに従い、線はんだ2とプロセスガスとの熱交換が促進されるため、線はんだ2の熱の流出が促進される。しかし、処理コストの低減の観点から、プロセスガスの流量はできるかぎり低減した方が好ましいため、この方法を主として用いることは難しい。
次に、熱の流入を低減する、及び熱の流出を促進するいくつかの方法を説明する。
熱の流入を低減する方法の一つが、プラズマの放電電圧(電力)を低くすることである。これにより、プラズマ発生領域13での発熱が低減し、結果的に線はんだ2への熱の流入が低減する。しかし、プラズマの放電電圧を低減する方法には2つの短所がある。
熱の流入を低減する方法の一つが、プラズマの放電電圧(電力)を低くすることである。これにより、プラズマ発生領域13での発熱が低減し、結果的に線はんだ2への熱の流入が低減する。しかし、プラズマの放電電圧を低減する方法には2つの短所がある。
1つ目の短所は、プラズマ放電電圧の減少に従い、酸化膜除去速度が低減することである。図8に、酸化膜除去速度の放電電圧依存性を示す。評価条件は、電源周波数が30kHzであり、その他の条件は図5で示したスズ酸化膜除去速度の電源周波数依存性を評価したものと同じである。図8に示すように、プラズマ放電電圧が減少するに従い、酸化膜除去速度は顕著に減少した。また、印加電圧が70V以下の場合は、プラズマ放電が起こらなかった。
酸化膜除去速度が減少する場合、除去すべき酸化膜厚は変わらないため、代わりに処理時間を増加しなければならない。処理時間を増加するには、線はんだ2の送り速度を低くするか、またはプラズマ処理領域13の長さを増加する方法がある。前者はダイボンダのチップ処理速度に影響するので、低くすることが難しい。そのため、後者のプラズマ発生領域13を長くする必要がある。しかし、プラズマ発生領域13を長くすると、線はんだ2への熱の流入が増加するため、効果的に熱の流入を低減することができない。
2つ目の短所は、プラズマ放電電圧を低減しすぎるとプラズマ放電が維持できなくなることである。図8の例では、電圧値が70V以下ではプラズマ放電の維持ができなかった。すなわち、設定できる電圧範囲が狭いため、プラズマ処理条件及びダイボンダの周囲環境に応じて、電圧を変えることで熱の流入の度合いを制御することが難しい。
上記した検討結果に基づいて、本実施例では、プラズマ発生領域を分割して複数の個所で発生させ、その間のプラズマ処理を行わない領域においてプロセスガスでプラズマにより加熱された線はんだを一旦冷却し、この冷却された線はんだを再びプラズマ発生領域を通過させてるようにすることで、酸化膜除去処に伴う理線はんだの温度上昇を抑えるようにした。
本実施例1における線はんだへの熱の流入を低減する構造を備えた線はんだ供給ユニット101の構成を、図9を用いて説明する。図9に示した構成は、図2で本実施例の原理として説明した供給ユニット1と比べて、ダイレクト式大気圧プラズマ処理部91の電極の構造及び配置が異なる。他は図2の構成と同じであるので、説明を省略する。
電極11は複数あり(図では2つ)、それぞれ距離をあけて配置される。電極11への交流高電圧(高周波電力)印加のために、交流高圧電源(高周波電源)14からの配線を分岐して接続する。複数の電極11は、同じ交流高圧電源14に接続されており、同じ位相の交流電圧が印加される。複数の電極11に対して共通の交流高圧電源14から印加される交流電圧が同位相なので、複数の電極11の間では放電が発生しない。また、複数の電極に対して同数の電源を用意し、電源から電極へ1対1で高圧線を接続してもよい。この場合、複数の電源間の交流電圧の位相を一致させるような位相調整手段(図示せず)を設けると、安定して放電させることができる。なお、図9に示した構成では、電極11を2つに分割した構成を示したが、本実施例ではこれに限らず、3つ以上に分割してもよい。
複数の電極の半径方向内側にプラズマが生成し、それぞれのプラズマ発生領域13において線はんだがプラズマ処理される。複数あるプラズマ領域13の合計の長さが、図2で示した1つのプラズマ領域13と同じ長さになるように設定すれば、図2の場合と同じ処理時間(プラズマ発生領域を通過する時間の合計)で酸化膜を除去できる。
プラズマ発生領域13の間にある長さt3の領域18では、線はんだ2からの熱の流出だけ起こる。そのため、図2で示したプラズマ領域13が1つだけの場合に比べて、線はんだ2の最高温度を低減させることができ、その結果、線はんだ2の溶融を防止できる。
領域18の長さt3は、供給するはんだの熱伝導率や熱容量、ガス供給口17から供給するプロセスガスの流量などに応じて設定すればよい。
本実施例に拠れば、表面の酸化膜が除去された線はんだを線切れを起こすことなく、基板4に安定して供給することが可能になった。
[実施例1の変形例1]
実施例1の変形例として、線はんだからの熱の流出を促進する構造を備えた線はんだ供給ユニット102の線はんだ供給ユニット511の構成を、図10Aを用いて説明する。図10Aに示した構成では、図9を用いて説明した実施例1の線はんだ供給ユニット101の構成に対して、スプール6近傍に冷却装置19が設けられたことが相違点であり、その他は図9で説明した実施例1の構成と同じであるので、説明を省略する。
実施例1の変形例として、線はんだからの熱の流出を促進する構造を備えた線はんだ供給ユニット102の線はんだ供給ユニット511の構成を、図10Aを用いて説明する。図10Aに示した構成では、図9を用いて説明した実施例1の線はんだ供給ユニット101の構成に対して、スプール6近傍に冷却装置19が設けられたことが相違点であり、その他は図9で説明した実施例1の構成と同じであるので、説明を省略する。
冷却装置19により、スプール6に巻かれた線はんだ2を冷却する。図10B及び図10Cを用いて、冷却方法の詳細を説明する。
図10Bには、冷却装置19がスプール6及びスプール6に巻かれた線はんだ2に対して矢印に向きで冷媒を循環させることで、線はんだ2を冷却する構成を示す。冷媒は、空気、窒素などの気体、または、水、液体窒素などの液体から構成される。冷媒の循環の仕方として、スプール6及びスプール6に巻かれた線はんだ2に直接冷媒を接触させてもよいし、冷媒との接触で線はんだ2が汚染されたり、酸化したりする恐れがあれば、スプール6周囲に遮蔽物を設けて、間接的に冷媒を接触させてもよい。
図10Cには、冷却装置19の一部である軸19bをスプール6と接触させ、更に軸19bと放熱板19cとを接触させ、線はんだ2を冷却する構成を示す。この例では、スプール6を金属等の熱伝導性の高い材質にして、スプール6から軸19bへの熱伝導性を高めることが好ましい。
冷却装置19によりスプール6に巻かれた線はんだ2の温度が減少すると、プラズマ発生領域13付近の線はんだ2とスプール6に巻かれた線はんだ2との温度差が増加する。温度差の増加により、プラズマ発生領域13付近の線はんだ2におけるスプール6の側への熱の流出が促進され、線はんだ2の温度が減少し、その結果、線はんだ2の溶融を防止できる。
[実施例1の変形例2]
実施例1の第2の変形例として、線はんだ2からの熱の流出を促進する構造を備えた線はんだ供給ユニット103のダイレクト式大気圧プラズマ処理部92の構成を、図11を用いて説明する。図11に示した構成では、図9で説明した実施例1の線はんだ供給ユニット101のダイレクト式大気圧プラズマ処理部91の構成に対して、電極11および誘電体12の周囲に冷媒を循環させるための筐体20が絶縁体10の代わりに設けられたことが相違点であり、その他は図9で説明した実施例1の線はんだ供給ユニット101の構成と同じであるので、説明を省略する。
実施例1の第2の変形例として、線はんだ2からの熱の流出を促進する構造を備えた線はんだ供給ユニット103のダイレクト式大気圧プラズマ処理部92の構成を、図11を用いて説明する。図11に示した構成では、図9で説明した実施例1の線はんだ供給ユニット101のダイレクト式大気圧プラズマ処理部91の構成に対して、電極11および誘電体12の周囲に冷媒を循環させるための筐体20が絶縁体10の代わりに設けられたことが相違点であり、その他は図9で説明した実施例1の線はんだ供給ユニット101の構成と同じであるので、説明を省略する。
筐体20は、ガラス、セラミクスのような導電性の低い絶縁体と呼ばれる材質からなる。筐体20は、電極11および誘電体12の周囲に冷媒が循環されるよう、内部が空洞になっている。また、筐体20には、冷媒の出入り口となる穴20a及び20bが設けられる。冷媒は、導電性の低い、一般的に絶縁体と呼ばれる材質からなる物体であり、空気、窒素などの気体、または、水、液体窒素などの液体を用いることができる。
冷媒の循環により、電極11及び誘電体12の温度が低下する。これにより、プロセスガスと誘電体12及び電極11との温度差が増加する。温度差の増加により、プロセスガスから誘電体12及び電極11への熱の伝導が促進され、プロセスガスの温度が減少する。そのため、プロセスガスによる線はんだ2の熱の流出が促進され、線はんだ2の温度が減少し、その結果、線はんだ2の溶融を防止できる。
[実施例1の変形例3]
実施例1の第3の変形例として、本変形例では、線はんだ2が自重により引っ張られる現象に着目した、線はんだ2の切断を防ぐ手段について説明する。
実施例1の第3の変形例として、本変形例では、線はんだ2が自重により引っ張られる現象に着目した、線はんだ2の切断を防ぐ手段について説明する。
線はんだに引っ張り及び押し込みの力が加わりにくい構造を備えた線はんだ供給ユニット104の構成を、図12を用いて説明する。図12に示した構成では、図9を用いて説明した実施例1の線はんだ供給ユニット101の構成に対して、送り機7bがダイレクト式大気圧プラズマ処理部91のシュート3側にも設けられているのが相違点であり、その他は図9で説明した実施例1の構成と同じであるので、説明を省略する。
大気圧プラズマ処理部91のスプール6側およびシュート3側にそれぞれ送り機7a及び7bを設ける。それら送り機7a及び7bには、送り速度を指示する制御部21が接続される。
送り機7bは送り機7aの送り速度と略同じ速度で運転するように制御部21より指示を出す。これにより送り機7aと送り機7bの間の線はんだLpに印加される引っ張り及び押し込みの力は大幅に減少される。その結果、プラズマ処理領域13かその近傍の線はんだ2のある点において、線はんだ2が溶融しても、線はんだ2の切断は起こらず、線はんだ2の供給を続けることができる。
[実施例1の変形例4]
実施例1で説明した大気圧プラズマ処理部91の断面図である図9に関して、ガスの流れを記載した拡大断面図を図13に示す。図13のガス導入口17から導入されたプロセスガスは、破線矢印の向きで表される経路Pgのように、プラズマ処理領域13、シュート3側にある線はんだ導入ノズル8へと流れ、最終的にノズル8の穴と中央を通る線はんだ2との隙間Gからノズル8の外へと放出される。
実施例1で説明した大気圧プラズマ処理部91の断面図である図9に関して、ガスの流れを記載した拡大断面図を図13に示す。図13のガス導入口17から導入されたプロセスガスは、破線矢印の向きで表される経路Pgのように、プラズマ処理領域13、シュート3側にある線はんだ導入ノズル8へと流れ、最終的にノズル8の穴と中央を通る線はんだ2との隙間Gからノズル8の外へと放出される。
線はんだ導入ノズル8は、線はんだ2をシュート3の中の基板4の所定の位置へ精度よく供給するためのものである。そこで、ノズル8の穴と線はんだ2との間でがたつきが少なくなるよう、ノズル8の穴の径は、線はんだ2の外径に対してわずかに大きい程度に設定される。
上記理由で隙間Gが狭いため、プロセスガスが隙間Gを通る際のガスコンダクタンスは比較的小さくなる。ガスコンダクタンスが小さいため、経路Pgには少ないガス流量しか流せなくなる、または、プラズマ処理に寄与しない、例えば、スプール6側の隙間から外気へのガスが流れやすくなる。前者の場合は、プロセスガスによる線はんだ2の熱の流出が低減するため、線はんだ2が溶融しやすくなるし、後者の場合は、不要なガスの使用が増大して処理コストが増大してしまう。
上記の理由から、プラズマ処理領域13に効率的にプロセスガスを導入する手段を提案する。
図14は、実施例1の変形例4に係る大気圧プラズマ処理部91を含む、線はんだ供給ユニット105の正面断面図である。実施例1の変形例4では、図9を用いて説明した実施例1で線はんだ供給ユニット101の構成に対して、大気圧プラズマ処理装置91のシュート3側の線はんだ供給ノズル8にプロセスガス導出口22が設けてあるのが相違点である。その他は第1実施形態の図9を用いて説明した構成と同じにあるので、説明を省略する。
図14は、実施例1の変形例4に係る大気圧プラズマ処理部91を含む、線はんだ供給ユニット105の正面断面図である。実施例1の変形例4では、図9を用いて説明した実施例1で線はんだ供給ユニット101の構成に対して、大気圧プラズマ処理装置91のシュート3側の線はんだ供給ノズル8にプロセスガス導出口22が設けてあるのが相違点である。その他は第1実施形態の図9を用いて説明した構成と同じにあるので、説明を省略する。
図示していないプロセスガス供給手段によりガス導入口17から供給されたプロセスガスは、プラズマ領域13を流れてガス導出口22より外気へ流れ出る、ガスコンダクタンスの大きい経路が形成される。その結果、導入口17から導入したプロセスガスを効率的にプラズマ処理に利用できる。なお、ガス導出口22は、大気圧プラズマ処理装置9内のシュート3よりの絶縁体10を貫通させるように設けてもよいし、シュート3内に入っている線はんだ供給ノズル8に設けてもよい。
[実施例1の変形例5]
ところで、図9に示した実施例1のはんだダイボンダの線はんだ供給ユニット101において、基板4へのはんだ供給量を精度よく所定の量にするためには、線はんだ2と基板4との接触状態を検知する必要がある。
ところで、図9に示した実施例1のはんだダイボンダの線はんだ供給ユニット101において、基板4へのはんだ供給量を精度よく所定の量にするためには、線はんだ2と基板4との接触状態を検知する必要がある。
図15は、線はんだ供給ユニット101に組み込む線はんだ2と基板4との接触を検知する原理を説明する図である。電流式接触検知部180の線はんだ2と基板4との接触を検知するためのものであって、電流式接触検知部180は、直流電源119、過電流保護用抵抗120、接触検知回路121、送り機制御部122を備えている。直流電源119から印加される直流電圧は、スプール6、送り機構部7を通して、線はんだ2に印加される。また、シュート3内の基板4は電気的に接地されている。
以下に、電流式接触検知部180における接触検知、及び所定量の線はんだ供給の動作を説明する。直流電源119により線はんだ2に数10V程度の所定の直流電圧が印加されている。線はんだ2がシュート3内の基板4に接触しない限り、電流は流れない。線はんだ2が基板4と接触すると、直流電源119から基板4の経路で直流電流が流れ、接触検知回路121が電流を検知する。電流検知のタイミングに基づき、送り機構制御部122は送り機構部7に所定量(所定の長さ)の線はんだ2を送る。このようにして、線はんだ2が基板4に接触した時から基板4に対して、所定量の線はんだ2を送る。
上記のような電流による接触検知をするため、本変形例で用いる基板4は、例えば銅(Cu)、または銅の表面に銀(Ag)やニッケル(Ni)をめっきしたような金属である一般的には導体と呼ばれる導電性の高い材質からなる物体である。
図15に示した電流式接触検知部180を組み込んだダイボンダに、実施例1の図9で示したダイレクト式大気圧プラズマ処理部91を搭載する場合、以下の問題が起こる。
1つ目は、電気的に接地されている箇所が電流検知回路である為、交流高圧電源14からの交流高電圧が、線はんだ2から電流検知回路121までの電流式接触検知部180の各部品に印加されることである。電流式接触検知部180の各部品は、交流高圧電源14からの数kVの電圧印加には耐えられないので、各部品が損傷してしまう。2つ目は、線はんだ2に対して、電流式接触検知部180により数10Vの直流電圧が印加されるが、同時に、交流高圧電源14により数kVの交流高電圧が印加され、その結果、接触検知の為の直流電圧を安定に印加できないことである。
上記2つの問題を解決するために、大気圧プラズマ放電のための交流高電圧が電流式接触検知部180に印加されず、かつ線はんだ2に所定の直流電圧を印加されるようにするための構成を、以下に説明する。
図16は、実施例1の変形例5に係る線はんだ供給ユニット100の正面断面図である。図16に示した本変形例5に係る線はんだ供給ユニット106では、図9を用いて説明した実施例1の線はんだ供給ユニット101に対して、電気フィルタ回路123を含む電流式接触検知部181が設けられている点が相違点である。その他は実施例1で説明した構成と同じであり、同じ番号を付してあるので、説明を省略する。
電気フィルタ回路123は、コイル124、コンデンサ125、126を備えている。ここで、コイル124は、交流高圧電源14により印加される交流電圧に対して、100Ω以上の高インピーダンスを有し、一方、コンデンサ125、126のインピーダンスは1Ω以下の、コイル124のインピーダンスに対して1/100以下小さいことが好ましい。以下に、電気フィルタ回路の働きを説明する。
交流高圧電源14からの交流高電圧は、電圧印加電極11からスプール6までの電気経路に印加されるが、コンデンサ125が低インピーダンスのため、コンデンサ125を通じて交流的に接地されている状態になる。コンデンサ125が低インピーダンスであり、かつコイル124が高インピーダンスである為、交流高電圧は電流式接触検知部181にほとんど印加されない。なお、コンデンサ126は、コンデンサ125、コイル124によるフィルタ特性を更に高める為に付属されてものである。
一方、直流電源119から出力される直流電圧に対して、コイル124が電気的に短絡、及びコンデンサ124、125が電気的に開放となるため、線はんだに所定の直流電圧が印加される。
なお、上記電気フィルタ回路123は、コイル124、コンデンサ125、126からなる電気回路としたが、コイル124の代わりに抵抗を用いる、コンデンサ126を省略するなどの適宜変更可能である。
なお、本変形例を、実施例1の変形例として説明したが、上記に説明した実施例1の変形例1乃至4で説明した構成に対しても適用することができる。
また、電流式接触検知部181で接触検知した信号を用いて、交流高圧電源(高周波電源)14から複数の電圧印加電極11に印加する交流高電圧(高周波電力)のオン・オフを制御することもできる。
すなわち、電流式接触検知部181で線はんだ2と基板4との接触を検知した場合には、送り機構制御部122で制御して送り機構部7で所定量(所定の長さ)の線はんだ2を送るとともに、交流高圧電源(高周波電源)14から複数の電圧印加電極11に交流高電圧(高周波電力)を印加して、送られている線はんだの表面をプラズマ処理する。一方、電流式接触検知部181で線はんだ2と基板4との接触を検知しなくなった場合には、送り機構制御部122で制御して送り機構部7による線はんだ2の送りを停止するとともに、交流高圧電源(高周波電源)14から複数の電圧印加電極11に交流高電圧(高周波電力)を印加を停止して、線はんだ3の表面のプラズマ処理を停止する。
このように線はんだ3の送りとプラズマの発生を連動させることにより、シュート3の内部で基板4が搬送されている間は、送りが停止中の線はんだ3がプラズマにさらされ続けることが無いので、送りが停止中に線はんだ3の温度が上昇して線切れを発生することを防止できる。
[実施例1の変形例6]
図17に、実施例1及びその変形例1乃至5で説明したダイレクト式大気圧プラズマ処理部9,91,92の構成に関して、線はんだ2の位置が電圧印加電極11の中心に対してずれた場合の断面図を示す。図17に示すように、線はんだ2が電圧印加電極11の内側の誘電体12で囲まれたプラズマ発生領域13の中心軸からずれて、外周の点Aと誘電体12との間のギャップt3が狭まくなった場合、線はんだ2の点Aと反対側の点Bと誘電体12とのギャップt4は広くなる。実施例1で説明したように、線はんだ2と誘電体12とのギャップは、電界および放電処理に影響を与える。そのため、図17の場合、線はんだ2の点Aと点Bとでは、プラズマ処理、すなわちスズ酸化膜除去速度において不均一になってしまう。
図17に、実施例1及びその変形例1乃至5で説明したダイレクト式大気圧プラズマ処理部9,91,92の構成に関して、線はんだ2の位置が電圧印加電極11の中心に対してずれた場合の断面図を示す。図17に示すように、線はんだ2が電圧印加電極11の内側の誘電体12で囲まれたプラズマ発生領域13の中心軸からずれて、外周の点Aと誘電体12との間のギャップt3が狭まくなった場合、線はんだ2の点Aと反対側の点Bと誘電体12とのギャップt4は広くなる。実施例1で説明したように、線はんだ2と誘電体12とのギャップは、電界および放電処理に影響を与える。そのため、図17の場合、線はんだ2の点Aと点Bとでは、プラズマ処理、すなわちスズ酸化膜除去速度において不均一になってしまう。
上記の理由から、線はんだ2を外周全体に渡って均一にプラズマ処理するには、線はんだ2がダイレクト式大気圧プラズマ処理部91又は92の内部を通過する時に、誘電体12で囲まれたプラズマ発生領域13の中心軸上を通過するようにすることが望ましい。そこで、実施例1の変形例6として、線はんだ2が誘電体12で囲まれたプラズマ発生領域13の中心軸上を通過するようにする装置を提案する。
図18は、実施例1の変形例6に係るダイレクト式大気圧プラズマ処理部91の正面断面図である。本変形例では、実施例1で説明した図9に示した線はんだ供給ユニット101の構成に対して、線はんだ位置補正部品27が設けられている点が相違点である。その他は実施例1及びその変形例1乃至5と同じであるので、説明を省略する。
線はんだ位置補正部品27は、高電圧印加電極11の上下端に設けられている。線はんだ位置補正部品27は、絶縁体10と同様に、アルミナ、ガラス、またはポリイミドなどの絶縁体からなる物体である。図18に示した構成では、線はんだ位置補正部品27を高電圧印加電極11の上下端に設けた構成を示したが、上下に分割した電圧印加電極11に挟まれる中間位置に更に1つ追加して設けてもよい。
図19に、線はんだ位置補正部品27の配置、形状の詳細を説明する。線はんだ位置補正部品27は、線はんだ2の供給方向(図17の矢印方向)に対して勾配を有し、その勾配の角度はαとする。角度αは45°より大きく85°以下が好ましい。45°より小さい場合、線はんだ2が線はんだ位置補正部品27と当たった後に、線はんだ2の先端が供給方向の反対に向き、線はんだ2の供給が適切にできなくなることが起こりやすいためである。
線はんだ位置補正部品27は、中空を有し、その内径はd1とする。内径d1は、線はんだ2の外径よりも0.1〜1mm大きくする。0.1mmより小さいと線はんだが通過し難くなり、1mmより大きいと線はんだのがたつきが大きくなり、中心軸に補正する効果が小さくなる。
なお、上記線はんだ位置補正部品27は、断面形状が台形状としたが、線はんだ2と当たる角度αが上記角度範囲内であれば、断面形状が半円状のものなどに適宜変更可能である。
なお、上記した実施例では線はんだを用いた場合について説明したが、本発明はこれに限らず、例えば帯状に成型したリボンはんだを供給する場合にも適用できる。
本実施例2では、線はんだ供給ノズル8の外部でプラズマを発生させ、この発生させたプラズマを線はんだ供給ノズル8の内部に搬送して線はんだをプラズマ処理するリモート式大気圧プラズマ処理部900を線はんだ供給ノズル8の複数の個所に設置した線はんだ供給ユニット130の例を説明する。まず、本実施例の原理を説明を図20乃至27を用いて説明する。
図20は、本実施例2におけるリモート式大気圧プラズマ処理装置の原理を説明する図で、リモート式大気圧プラズマ処理部900をダイボンダの線はんだ供給ユニット130に搭載し、シュート3の内部の基板4に線はんだ2を供給する構成を示す正面断面図である。本実施例2におけるリモート式大気圧プラズマ処理装置は、実施例1で示したダイレクト式大気圧プラズマ処理部9の代わりに、リモート式大気圧プラズマ処理部900を搭載している点が相違点であり、その他は実施例1で図9を用いて説明した構成と同じであるので、説明を省略する。
図20に示した構成において、ガス導入口17よりガス導入ノズル30に導入されるプロセスガスを原料として、リモート式大気圧プラズマ処理部900のプラズマ生成部28内にてプラズマが生成される。プラズマ内で発生した活性種29は、ガス導入口17から供給されるガス流により押し出され、ガス導入ノズル30に沿って流れて線はんだ供給ノズル8の内部に導入されて線はんだ2へと吹き付けられる。吹き付けられる領域43にて、活性種29が線はんだ2の酸化膜を還元し、酸化膜が除去される。
ここで、ガス導入ノズル30は、ガラス、セラミクスのような導電性の低い、一般的に絶縁体と呼ばれる材質からなる物体である。但し、ガス導入ノズル30の内、プラズマ生成部28と接していない部分の一部を、ステンレススティール、アルミニウム(Al)といった一般的に導体と呼ばれる金属にしてもよい。ガス導入ノズル30の形状は、中央部にガスを導入する為に管状であり、その断面は円形の場合もあるし、矩形の場合もある。
本実施例の特徴の一つは、リモート式大気圧プラズマ処理部900のプラズマ生成部28と線はんだ2及び線はんだ供給ノズル8とが電気的に絶縁されていることである。これにより、実施例1の変形例5で説明したような、線はんだ2と基板4との接触検知手段を設ける際、図16を用いて説明したような電気フィルタ回路123を必要とせず、図15を用いて説明した電流式接触検知部180のような比較的簡単な構成を備えればよい。
図20には、線はんだ2と基板4との接触を検知するための電流式接触検知部18を備えた構成を、また、図21乃至図27には、本実施例に係るリモート式大気圧プラズマ処理部900の種々の構成の原理を示す。
図21は、図20におけるリモート式大気圧プラズマ処理装置の原理で説明したリモート式大気圧プラズマ処理部900の第1の構成例として、リモート式大気圧プラズマ処理部901の原理の構成を示す。ガス導入口17に対して、近い方から高電圧電極31、接地電極32が配置され、それら高電圧電極31と接地電極32とに交流高圧電源14が接続され、接地電極32は接地されている。絶縁体33は、高電圧電極31と接地電極32との間でガス導入ノズル30の外側に配置される。高電圧電極31と接地電極32との間のガス導入ノズル30の内部に高電界が発生し、その高電界中にてプラズマおよび活性種29が生成される。高電圧電極31および接地電極32間のガス導入ノズル30外側は、絶縁体33で覆われているため、高電界が発生せず、プラズマが生成されないようになっている。高電圧電極31と接地電極32とはガス導入ノズル30に対して覆うように接している為、それらの形状は管状であり、またそれらの材質は、ステンレススティール、アルミニウム(Al)といった一般的に導体と呼ばれる金属である。なお、高電圧電極31と接地電極32との配置を入れ替えても良い。
図22は、図20におけるリモート式大気圧プラズマ処理装置の原理で説明したリモート式大気圧プラズマ処理部900の原理の第2の構成例として、リモート式大気圧プラズマ処理部902の構成を示す。ガス導入ノズル30の半径方向外側に接地電極34、ガス導入ノズル30の半径方向内側にガス導入ノズル30とギャップを設けて高電圧電極35が配置され、それら接地電極34と高電圧電極35とに交流高圧電源14が接続され、接地電極34が接地されている。接地電極34と高電圧電極35との間のギャップに高電界が発生し、その中にてプラズマおよび活性種29が生成される。接地電極34はガス導入ノズル30に対して覆うように接している為、それらの形状は管状である。一方、高電圧電極35の形状は棒状、または管状である。接地電極34と高電圧電極35の材質は、それぞれステンレススティール、アルミニウム(Al)といった一般的に導体と呼ばれる金属である。また、高電圧電極35の表面をアルミナ、ガラス、またはポリイミドなどの絶縁体にて覆ってもよい。なお、接地電極34と高電圧電極35との配置を入れ替えても良い。
図23は、図20におけるリモート式大気圧プラズマ処理装置の原理で説明したリモート式大気圧プラズマ処理装置900の原理の第3の構成例として、リモート式大気圧プラズマ処理部903の構成を示す。ガス導入ノズル30の外側に巻きつくように、コイル36が配置され、コイル36の両端は、交流高圧電源14に接続されており、コイル36の一端は接地されている。なお、交流高圧電源14の高電圧側と接地側の配置向きは順不同である。コイル36およびガス導入ノズル30の内側に高交番磁界が発生し、その中に誘導結合プラズマ(ICP)が発生する。ICPによりガス導入ノズル30の内部空間に活性種29が生成される。コイル36は、銅(Cu)、アルミニウム(Al)といった一般的に導体と呼ばれる金属である。また、コイル36の表面をアルミナ、ガラス、またはポリイミドなどの絶縁体にて覆ってもよい。
図24は、図20におけるリモート式大気圧プラズマ処理装置の原理で説明したリモート式大気圧プラズマ処理部900の原理の第4の構成例として、リモート式大気圧プラズマ処理部904の構成を示す。1組の平行平板電極38と39が配置され、それら電極間のギャップ部にガス導入口17からガスを導入されるように導入管40が接続される。導入管40のうち平行平板電極38と39とのギャップ部よりガス経路の下流にある部分41は、ガス導入ノズル30と接続される。平行平板電極38と39には、互いが対向する面に誘電体板37が配置される。平行平板電極38には交流高圧電源14が接続され、平行平板電極39は接地されている。なお、一組の電極38,39に対して、どちらを交流高圧電源14の高電圧側か、または接地側とするかの向きは、順不同である。平行平板電極37と38との間のギャップに高電界が発生し、その中にプラズマおよび活性種29が発生する。
図25に、図20におけるリモート式大気圧プラズマ処理装置の原理で用いて説明したリモート式大気圧プラズマ処理装置900の原理として、線はんだ2および線はんだ供給ノズル8を挟んで対向して設けた例を示す。図25に示すように、リモート式大気圧プラズマ処理装置905を線はんだ供給ノズル8の左右に1台ずつ対向して配置することにより、供給ノズル8内の線はんだ2に対して左右の両方向から活性種29を吹き付けられるようにしてある。これにより、線はんだ2の円形の外周に対して、なるべく広い面に活性種29が吹き付けられ、線はんだ2の酸化膜の内、除去されない部分が生じるのを抑制できる。なお、図25ではリモート式大気圧プラズマ処理部905を線はんだ供給ノズル8に対して2台を左右に配置した構成を示したが、それ以上の台数を等間隔に並べて配置させても良い。リモート式大気圧プラズマ処理部905の配置台数を増加させることにより、線はんだ2の酸化膜の除去速度の増加、および除去の均一性が向上することが期待できる。
図26および図27は、それぞれ、図24に示したリモート式大気圧プラズマ処理部904の配置を変えた場合の、正面図および上面図である。図24に示した一組の平行平板電極38、39の代わりに、線はんだ供給ノズル8に対して取り囲むように、中空のある一組の平行円板電極41、42が配置されている。図24で説明した誘電体板37に対して、その働きをガス導入ノズル30により代替される。以上の配置により、図27に示すように4か所に配置したガス導入口17から平行円板電極41,42間に配置したガス導入ノズル30の内部に生成される活性種29が、線はんだ供給ノズル8の内部の線はんだ2の外周に対して均一に吹き付けられる。その結果、線はんだ2の酸化膜を均一に処理することが可能となる。
ところで、実施例2に係るリモート式大気圧プラズマ処理装置の原理を説明した図20乃至図27に示したリモート式大気圧プラズマ処理装置900乃至906では、プラズマ生成部28内から線はんだ2へ向かって流れるガス及び活性種29は高温になる。そのため、プラズマ生成部28の状態によっては、実施例1で述べた場合と同じメカニズムにより、ガス及び活性種29が線はんだ2へ照射することに伴う線はんだ2への熱の流入が顕著になり、線はんだ2が切断することがある。
この対策として、実施例1で提案した線はんだ2の溶融及び切断を防止する手段、及びガスを有効に使用する手段を、実施例2に係るリモート式大気圧プラズマ処理装置900において適用した例を以下に説明する。
例えば、図20で説明した実施例2の原理を説明するリモート式大気圧プラズマ処理装置の構成において、酸化膜除去速度を増加するためにリモート大気圧プラズマ処理部900の印加電圧(電力)を高くし、かつ使用ガスの節約のため、ガス流量を減少させるか変えないとする。その場合、ガス及び活性種29による線はんだ2への熱の流入だけが顕著になり、かつ熱の流出は変わらないか低減するため、線はんだ2の溶融リスクが増加する。
図28を用いて、実施例2における線はんだ2への熱の流入を低減する構造を有するリモート式大気圧プラズマ処理部900を複数備えた線はんだ供給ユニット131について説明する。図28に示した構成では、図20でその原理を説明したリモート式大気圧プラズマ処理装置を2式900−1と900−2と備えており、それらが線はんだ2の供給方向に距離をあけて配置される点が異なる。他は図20で説明した構成と同じであるので、説明を省略する。また、図20で説明した線はんだ2と基板4との接触を検知するための電流式接触検知部18も備えているが、その記載を省略している。
図28に示した構成のようにリモート式大気圧プラズマ処理装置を2式備えた構成とすることにより、線はんだ2が2つの大気圧プラズマ処理部900−1と900−2とによるそれぞれのプラズマ処理領域43を通過してプラズマ処理される時間が長くなる。このプラズマ処理される時間が長くなった分プラズマ処理速度を低減させるために、それぞれの大気圧プラズマ処理部900−1と900−2とへの印加電圧を減少させることができる。このように大気圧プラズマ処理部900−1と900−2とへの印加電圧を減少させることにより、2つあるプラズマ処理領域43における線はんだ2への熱の流入を低減させることができる。実施例1で説明したメカニズムと同様に、大気圧プラズマ処理部900−1と900−2との間の活性種29が照射されない長さt4の領域44では、線はんだ2から熱の流出だけ起こる。そのため、図20で説明したようにプラズマ処理部900を1つだけ備えた構成で熱の流入が大きい場合に比べて、線はんだ2の最高温度が減少し、その結果、線はんだ2の溶融を防止できる。
[実施例2の変形例1]
実施例2の第1の変形における線はんだ2からの熱の流出を促進する構造を備えた線はんだ供給ユニット132の構成を、図29Aを用いて説明する。図29Aに示した構成では、実施例1の変形例1で図10を用いて説明した構成に対して、ダイレクト式大気圧プラズマ処理部9の代わりに実施例2で説明した2つのリモート式大気圧プラズマ処理部900−1と900−2とが設けられたとことが相違点であり、その他は実施例1の変形例1の図10と同じであるので、説明を省略する。
実施例2の第1の変形における線はんだ2からの熱の流出を促進する構造を備えた線はんだ供給ユニット132の構成を、図29Aを用いて説明する。図29Aに示した構成では、実施例1の変形例1で図10を用いて説明した構成に対して、ダイレクト式大気圧プラズマ処理部9の代わりに実施例2で説明した2つのリモート式大気圧プラズマ処理部900−1と900−2とが設けられたとことが相違点であり、その他は実施例1の変形例1の図10と同じであるので、説明を省略する。
図10で説明した場合と同様に、図29B及び図29Cに示した冷却装置19(19a、19b,19c)の働きにより、スプールに巻かれた線はんだ2の温度が減少する。そのため、高温になる活性種29の照射領域43における線はんだ2の熱の流出が促進され、線はんだ2の温度が減少し、その結果、線はんだ2の溶融を防止できる。
[実施例2の変形例2]
実施例2の第2の変形における線はんだ2からの熱の流出を促進する構造を備えた線はんだ供給ユニット133の構成を、図30を用いて説明する。図30に示した構成では、実施例1の変形例2で図11を用いて説明した構成に対して、ダイレクト式大気圧プラズマ処理部92の代わりにリモート式大気圧プラズマ処理部906が設けられたことが相違点であり、その他は実施例1の変形例2の図11に示した構成と同じであるので、説明を省略する。
実施例2の第2の変形における線はんだ2からの熱の流出を促進する構造を備えた線はんだ供給ユニット133の構成を、図30を用いて説明する。図30に示した構成では、実施例1の変形例2で図11を用いて説明した構成に対して、ダイレクト式大気圧プラズマ処理部92の代わりにリモート式大気圧プラズマ処理部906が設けられたことが相違点であり、その他は実施例1の変形例2の図11に示した構成と同じであるので、説明を省略する。
筐体20内での冷媒の循環により、線はんだ供給ノズル8、リモート式大気圧プラズマ処理部906のプラズマ生成部28、ガス導入ノズル30の温度が低下する。これにより、リモート式大気圧プラズマ処理部906から線はんだ2へ流れてくるガス及び活性種29の温度、及び線はんだ供給ノズル内を流れるガスの温度が低下する。そのため、プロセスガスによる線はんだ2の熱の流出が促進され、線はんだ2の温度が減少し、その結果、線はんだ2の溶融を防止できる。
[実施例2の変形例3]
実施例2の第3の変形例における線はんだ2に引っ張り及び押し込みの力が加わりにくい構造を備えた線はんだ供給ユニット線はんだ送り部9の構成を、図31を用いて説明する。図31に示した構成においては、実施例1の変形例3で図12を用いて説明した構成に対して、ダイレクト式大気圧プラズマ処理部91の代わりにリモート式大気圧プラズマ処理部900−1と900−2とが設けられたことが相違点であり、その他は実施例1の変形例3の図12に示した構成と同じであるので、説明を省略する。
実施例2の第3の変形例における線はんだ2に引っ張り及び押し込みの力が加わりにくい構造を備えた線はんだ供給ユニット線はんだ送り部9の構成を、図31を用いて説明する。図31に示した構成においては、実施例1の変形例3で図12を用いて説明した構成に対して、ダイレクト式大気圧プラズマ処理部91の代わりにリモート式大気圧プラズマ処理部900−1と900−2とが設けられたことが相違点であり、その他は実施例1の変形例3の図12に示した構成と同じであるので、説明を省略する。
大気圧プラズマ処理部9のスプール側およびシュート3側にそれぞれ送り機7a及び7bを設け、それぞれの送り機7a及び7bは送り速度を指示する制御部21と接続される。
送り機7a及び7bが線はんだ2を略同速度で移動させることにより、線はんだLpに印加される引っ張り及び押し込みの力は大幅に減少される。その結果、活性種29の照射領域43かその付近のある点において、線はんだ2が溶融しても、線はんだ2の切断は起こらず、線はんだ2の供給を続けることができる。
[実施例2の変形例4]
図32は、実施例2の変形例4に係る大気圧プラズマ処理部90の正面断面図である。
実施例2の変形例4では、実施例1の変形例4で図14を用いて説明した構成に対して、ダイレクト式大気圧プラズマ処理部91の代わりにリモート式大気圧プラズマ処理部900−1と900−2とが設けられたことが相違点であり、その他は実施例1の変形例4の図14に示した構成と同じであるので、説明を省略する。
図32は、実施例2の変形例4に係る大気圧プラズマ処理部90の正面断面図である。
実施例2の変形例4では、実施例1の変形例4で図14を用いて説明した構成に対して、ダイレクト式大気圧プラズマ処理部91の代わりにリモート式大気圧プラズマ処理部900−1と900−2とが設けられたことが相違点であり、その他は実施例1の変形例4の図14に示した構成と同じであるので、説明を省略する。
ガス導出口44を設けることにより、ガス導入口17、ガス導入ノズル30、プラズマ生成部28、線はんだ供給ノズル8、ガス導出口35というガスコンダクタンスの大きい経路にてプロセスガスが流れる。このようにすると、線はんだ供給ノズル8のある一部分に滞留することなくガスが流れるため、プロセスガスの流れによる線はんだ2からの熱の流出が促進され、その結果、線はんだ2の溶融を防止できる。
なお、実施例2の変形例1乃至3の説明において複数のリモート式大気圧プラズマ処理部として900−1と900−2とを用いて例を説明したが、900−1と900−2とを、図21乃至図27で説明したようなリモート式大気圧プラズマ処理部901乃至906と置き換えて、それらを900−1及び900−2に対応するそれぞれの位置に設置してもよい。
なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
2…線はんだ 3…シュート 4…基板 6…スプール 7、7a、7b…送り装置 8…線はんだ供給ノズル 91,92…ダイレクト式大気圧プラズマ処理装置 10…絶縁体 11…高電圧電極 12…誘電体 14…交流高圧電源 17…ガス導入口 19・・冷却装置 20・・冷媒循環用筐体 21…制御部 22…ガス導出口 28…プラズマ生成部 30…ガス導入ノズル 50…ダイボンダ 501…基板搬入部 502…はんだ供給部 503…はんだ成型部 504…チップ搭載部 505…基板搬出部 101〜106、131〜135、511…線はんだ供給ユニット 512…はんだ成形ユニット 513…チップ搭載ユニット 91、92…ダイレクト式大気圧プラズマ処理部 900−1,900−2…リモート式大気圧プラズマ処理装置 119…直流電源 120…過電流保護用抵抗 121…接触検知回路 122…送り機制御器 123…電気フィルタ回路 124…コイル 125、126…コンデンサ 180,181…電流式接触検知部。
Claims (13)
- 被接続部材上に線状のはんだを供給するはんだ供給ユニットと、
該供給され溶融したはんだ上に半導体チップを搭載する半導体チップ搭載ユニットと、
前記被接続部材を搬送する搬送ユニットと、
前記被接続部材が前記はんだ供給ユニットによりはんだを供給される位置及び前記半導体チップ搭載ユニットにより半導体チップを搭載される位置を所定の雰囲気中に維持する雰囲気維持ユニットと
を備えたダイボンダであって、
前記はんだ供給ユニットは、
前記線状のはんだを送り出す線状はんだ送り出し部と、
前記線状はんだ送り出し部により送り出された線状のはんだをガイドするガイド部と、該ガイド部の内部で前記線状はんだを送り出す方向の複数の個所でプラズマを発生させるプラズマ発生部とを有するプラズマ処理部と、
を備えたことを特徴とするダイボンダ。 - 前記プラズマ処理部は、前記ガイド部の内部を窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスと水素などの還元ガスが混合されたガスの雰囲気にした状態で前記複数の個所に発生させたプラズマ中を前記線状はんだ送り出し部から送り出された線状のはんだを通過させることにより、前記線状はんだの表面を処理することを特徴とする請求項1記載のダイボンダ。
- 前記プラズマ処理部は高周波電源を有し、該高周波電源から前記複数の個所に高周波電力を印加することにより前記複数の個所に高周波プラズマを発生することを特徴とする請求項1又は2に記載のダイボンダ。
- 前記高周波電源は、前記複数の個所に同じ位相の高周波電力を印加して前記複数の個所に高周波プラズマを発生させることを特徴とする請求項3記載のダイボンダ。
- 前記プラズマ処理部は、内部に空洞部分を有して該空洞部分を前記線状はんだ送り出し部から送り出された線状のはんだを通過させる誘電体と、該誘電体の外周部を囲むように前記線状のはんだの送り方向の複数の個所に配置した複数の電極とを有し、該複数の電極に前記高周波電源から高周波電力を印加することにより前記誘電体の内部の空洞部分の複数の個所にプラズマを発生させることを特徴とする請求項4記載のダイボンダ。
- 前記プラズマ処理部は、前記ノズルの外部の複数の個所にプラズマ発生部を有し、該複数の個所のプラズマ発生部に前記高周波電源から高周波電力を印加することにより発生させたプラズマを前記ノズルの内部の複数の個所に搬送することを特徴とする請求項4記載のダイボンダ。
- 前記はんだ供給ユニットは前記線状はんだが前記被接続部材に接触していることを電気的に検知する接触状態検知部を更に備え、前記線状はんだ送り出し部は、前記接触状態検知部により前記線状はんだが前記被接続部材に接触していることを検知した信号に基づいて前記はんだの送り出し量を制御することを特徴とする請求項1又は2に記載のダイボンダ。
- 被接続部材上に線状のはんだを供給して溶融させるはんだ供給工程と、
前記供給された線状のはんだが溶融した状態の前記被接続部材上に半導体チップを搭載するチップ搭載工程と、
を所定の雰囲気中で行うダイボンディング方法であって、
前記はんだ供給工程において、前記線はんだの表面の同じ領域を複数の個所でプラズマ処理してから前記被接続部材上に供給して溶融させることを特徴とするダイボンディング方法。 - 前記線はんだの表面の同じ領域を複数の個所でプラズマ処理することを、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスと水素などの還元ガスが混合されたガスの雰囲気中で前記線はんだの送り方向に沿った複数の個所にプラズマを発生させ、該発生させたプラズマ中を前記線状はんだを通過させることにより行うことを特徴とする請求項8記載のダイボンディング方法。
- 前記線はんだの表面の同じ領域を複数の個所でプラズマ処理することを、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスと水素などの還元ガスが混合されたガスの雰囲気中で前記線はんだの送り方向に沿った複数の個所の前記線はんだを送る領域から離れた位置で発生させたプラズマを前記線はんだを送る領域に搬送し、前記複数の個所のそれぞれに搬送したプラズマを中を前記線状はんだを通過させることにより行うことを特徴とする請求項8記載のダイボンディング方法。
- 前記プラズマ中を線はんだを通過させる複数の個所の間の前記プラズマが発生していない個所において、前記混合されたガスにより前記線はんだを冷却することを特徴とする請求項9又は10に記載のダイボンディング方法。
- 前記複数の個所に発生させるプラズマは、同じ高周波電源から前記複数の個所に同じ位相の高周波電力を印加することにより発生させたプラズマであることを特徴とする請求項8乃至10の何れかに記載のダイボンディング方法。
- 前記はんだ供給工程において、前記線状はんだが前記被接続部材に接触していることを電気的に検知し、前記線状はんだが前記被接続部材に接触していることを検知した信号に基づいて前記はんだの送り出し量を制御することを特徴とする請求項8乃至10の何れかに記載のダイボンディング方法。
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JP2017110294A (ja) * | 2015-12-10 | 2017-06-22 | キヤノン株式会社 | 原料粉体処理方法、原料粉体処理装置、および造形物の製造方法 |
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2012
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