JP2013012780A - 誘導駆動プラズマ光源 - Google Patents

誘導駆動プラズマ光源 Download PDF

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Abstract

【課題】望ましくない放出物（例えば、粒子、赤外線、および可視光線）を最低限に抑えたプラズマ光源を実現する。
【解決手段】光源１００は、プラズマ放電領域１１２を有し、イオン性媒体を含む室１０４、プラズマ放電領域１１２の一部を囲む磁気コア１０８、エネルギーの少なくとも１つのパルスを磁気コア１０８に供給し、プラズマ放電領域内に形成されるプラズマに電力を送るためのパルス電力システム１３６を備える。プラズマは、局所的高輝度ゾーン１４４を有する。
【選択図】図１

Description

本出願は、２００４年７月９日に出願された米国出願第１０／８８８，４３４号、第１０／８８８，７９５号、および第１０／８８８，９５５号の優先権および利益を主張するものである。
本発明は、プラズマを発生するための方法および装置に関するものであり、より具体的には、誘導駆動プラズマ光源を実現するための方法および装置に関するものである。
プラズマは、さまざま用途に使用することができる。例えば、プラズマ放電は、ガスを励起してイオン、フリーラジカル、原子、および分子を含む活性ガスを生成するために使用することができる。プラズマ放電は、さらに、電磁放射線（例えば、光）を発生するために使用することもできる。プラズマ放電の結果発生する電磁放射線は、それ自体、さまざまな用途に使用することができる。例えば、プラズマ放電により生成される電磁放射線は、半導体ウェハの製造で使用されるリソグラフィシステムの照明源とすることが可能である。プラズマ放電により生成される電磁放射線は、別に、顕微鏡システム、例えば、軟Ｘ線顕微鏡システムの照明源として使用することができる。光のパラメータ（例えば、波長および電力レベル）は、用途により大きく異なる。
（例えば、極紫外線およびＸ線）プラズマ光源の現在の技術は、目標物質に高エネルギーレーザービーム、電子、または他の粒子を照射することにより、または電極間の放電により、発生したプラズマからなるか、または特徴とする。レーザービーム、電子、または他の粒子を発生し、目標物質に向けて発射するために、大量のエネルギーが使われる。電源は、作業ガス中で超高温、高密度プラズマを生成するために電極間に放電を生じさせる十分に高い電圧を発生しなければならない。しかし、その結果、プラズマ光源は、電極からの望ましくない粒子放出を生じる。
したがって、本発明の主な目的はプラズマ源を実現することである。本発明の他の目的は、発生する望ましくない放出物（例えば、粒子、赤外線、および可視光線）を最低限に抑えたプラズマ源を実現することである。本発明の他の目的は、高エネルギー光源を実現することである。
本発明の他の目的は、半導体製造用の改善されたリソグラフィシステムを実現することである。本発明のさらに他の目的は、改善された顕微鏡システムを実現することである。
本発明は、電磁放射線を発生するためのプラズマ源を備えることを特徴とする。
本発明は、一態様では、光源を備えることを特徴とする。光源は、プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室を備える。光源は、さらに、プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアを備える。光源は、さらに、エネルギーの少なくとも１つのパルスを磁気コアに供給し、プラズマ放電領域内に形成されるプラズマに電力を送るためのパルス電力システムも備える。プラズマは、局所的高輝度ゾーンを有する。
プラズマは、プラズマ内の電流経路にそって電流密度を実質的に変化させることができる。ゾーンは、高輝度光の点源とすることができる。ゾーンは、プラズマがピンチ効果で収縮し、ネックを形成する領域とすることができる。プラズマは、非一様なプラズマとすることができる。ゾーンは、例えば、ガス圧、電力システムの出力、またはプラズマ中の電流により形成することができる。
光源は、プラズマ中に非一様性を生じさせるため室内に一特徴を備えることができる。この特徴は、プラズマによる発光を実質的に局在化するように構成することができる。この特徴は、取り外し可能であるか、またはそれとは別に、恒久的なものでもよい。この特徴は、磁気コアに関して離れた場所に配置することができる。一実施形態では、この特徴は、高い圧力の領域を発生し、ゾーンを生じさせるためのガス入口とすることができる。他の実施形態では、この特徴は、プラズマ放電領域内に配置された挿入物とすることができる。この特徴は、ガス入口を含むことができる。本発明のいくつかの実施形態では、特徴または挿入物は、この光源の挿入物または他の部分を冷却する冷却機能を備えることができる。いくつかの実施形態では、冷却機能は、加圧された過冷却対流沸騰を伴う。光源は、さらに、光源の動作中にプラズマ放電領域の交互曝露を行うことができる回転円盤を備えることができる。この円盤内の少なくとも１つのアパーチャは、局所的高輝度ゾーンを形成する特徴とすることができる。回転円盤は、冷却剤を搬送するための中空領域を含むことができる。ガス薄層は、円板から熱を冷えている表面に伝達することができる。
いくつかの実施形態では、磁気コアに供給されるエネルギーのパルスは、プラズマを形成することができる。エネルギーのそれぞれのパルスは、異なる特性を持つことができる。エネルギーのそれぞれのパルスは、毎秒約１００パルスから毎秒約１５，０００パルスまでの範囲の周波数で供給することができる。エネルギーのそれぞれのパルスは、約１０ｎｓから約１０μｓまでの持続時間の間に、供給することができる。このエネルギーの少なくとも１つのパルスは、複数のパルスであってもよい。
本発明のさらに他の実施形態では、パルス電力システムは、エネルギー蓄積装置、例えば、少なくとも１つのキャパシタおよび／または第２の磁気コアを備えることができる。第２の磁気コアは、エネルギーの毎パルスを第１の磁気コアに放出し、プラズマに電力を送ることができる。パルス電力システムは、磁気パルス圧縮発生器、エネルギーのそれぞれのパルスを磁気コアに選択的に送出するための磁気スイッチ、および／または可飽和インダクタを備えることができる。光源の磁気コアは、室内に配置されたチャネル領域内に少なくとも本質的に１つのＺピンチを、または、それとは別に、室内のｎチャネル領域内に少なくとも１つのキャピラリ放電を発生させるように構成することができる。プラズマ（例えば、プラズマループ）は、トランスの二次側を形成することができる。
本発明の光源は、さらに、イオン性媒体を室内に導入するための少なくとも１つの口を備えることもできる。イオン性媒体は、イオン性流体（例えば、気体または液体）とすることができる。イオン性媒体は、１つまたは複数のガス、例えば、キセノン、リチウム、窒素、アルゴン、ヘリウム、フッ素、スズ、アンモニア、スタンナン、クリプトン、またはネオンのうちの１つまたは複数を含むことができる。イオン性媒体は、室内で熱プロセスまたはスパッタリングプロセスにより蒸発させるか、または外部で蒸発させ、室内に導入することができる固体（例えば、スズまたはリチウム）とすることができる。光源は、さらに、イオン性媒体をあらかじめイオン化するためイオン源（例えば、紫外線灯、ＲＦ源、スパークプラグ、またはＤＣ放電源）を備えることもできる。イオン源は、さらに、第２の磁気コアからプラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアに流れる誘導漏れ電流とすることもできる。
光源は、少なくとも部分的に磁気コアを取り囲むエンクロージャを備えることができる。エンクロージャは、エンクロージャ内に複数の孔を定めることができる。複数のプラズマループは、磁気コアがプラズマに電力を送るときに複数の孔を通ることができる。エンクロージャは、２つの平行な（例えば、円盤状の）板を備えることができる。平行板は、伝導性とし、磁気コアの周りに一次巻線を形成することができる。エンクロージャは、例えば、銅、タングステン、アルミニウム、またはさまざまな銅タングステン合金のうちの１つなどの金属物質を含むか、またはそれらから形成することができる。冷却剤は、局所的高輝度ゾーンに隣接する場所を冷却するためエンクロージャ内を貫流することができる。
本発明のいくつかの実施形態では、光源は、異なる用途向けの光を発生するように構成できる。本発明の他の実施形態では、光源は、光源がプラズマ放電を発生する場合に約１００ｎｍよりも短い波長の光を発生するように構成することができる。本発明の他の実施形態では、光源は、光源がプラズマ放電を発生する場合に約１５ｎｍよりも短い波長の光を発生するように構成することができる。光源は、半導体製造用リソグラフィシステムに好適なプラズマ放電を発生するように構成できる。光源は、顕微鏡システムに好適なプラズマ放電を発生するように構成できる。
本発明は、他の態様では、誘導駆動光源を備えることを特徴とする。
本発明の他の態様では、光源は、プラズマ放電領域を有し、イオン性物質を含む室を備えることを特徴とする。光源は、さらに、プラズマ放電領域の一部を囲む第１の磁気コアを有するトランスも備える。光源は、さらに、電流による第１の磁気コアとリンクされた第２の磁気コアも備える。光源は、さらに、第１の信号（例えば、電圧信号）を第２の磁気コアに供給する電源を備え、第２の磁気コアは、第２の磁気コアが飽和したときに第２の信号（例えば、エネルギーのパルス）を第１の磁気コアに供給し、第１の磁気コアは、第２の信号に対する応答としてイオン性媒体からプラズマ放電領域内に形成されるプラズマに電力を送る。光源は、電流を伝導するための金属物質を含むことができる。
本発明の他の態様では、光源は、チャネル領域を有し、イオン性物質を含む室を備える。光源は、チャネル領域の一部を囲む磁気コアおよびエネルギーの少なくとも１つのパルスを磁気コアに供給してイオン性媒体を励起し、チャネル領域内に少なくとも本質的にＺピンチを形成するためのパルス電力システムを備える。プラズマの電流密度は、約１ＫＡ／ｃｍ２よりも高くできる。チャネル領域内の圧力は、約１００ｍＴｏｒｒ未満とすることができる。他の実施形態では、圧力は、約１Ｔｏｒｒ未満である。いくつかの実施形態では、圧力は、約２００ｍＴｏｒｒである。
本発明のさらに他の態様では、光源は、放射光の実質的部分を放出する局所的高輝度ゾーンを持つ発光プラズマを含む室を備える。光源は、さらに、非一様発光プラズマの一部を囲む磁気コアも備える。光源は、さらに、エネルギーの少なくとも１つのパルスを磁気コアに供給し、プラズマに電力を送るためのパルス電力システムも備える。
本発明の他の態様では、光源は、プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室を備える。光源は、さらに、プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアを備える。光源は、さらに、エネルギーの少なくとも１つのパルスを磁気コアに供給し、プラズマ放電領域内に形成されるプラズマに電力を送るための手段も備える。プラズマは、局所的高輝度ゾーンを有する。
本発明の他の態様では、プラズマ源は、プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室を備える。プラズマ源は、さらに、プラズマ放電領域の一部を囲み、プラズマ内にＺピッチを形成するのに十分な電流を誘導する磁気コアを備える。
全体として、他の態様では、本発明は、光信号を発生する方法に関する。この方法は、プラズマを発生ことができるイオン性媒体を室内に導入することを伴う。この方法は、さらに、磁気コアがプラズマに電力を送るように槽内のプラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアにエネルギーの少なくとも１つのパルスを印加することも伴う。プラズマは、局所的高輝度ゾーンを有する。
光信号を発生する方法は、プラズマ中に非一様性を生じさせることを伴うことができる。この方法は、さらに、プラズマによる発光を局在化することを伴うことができる。この方法は、さらに、より高い圧力の領域を発生して、非一様性を生じさせることを伴うことができる。
プラズマは、非一様なプラズマとすることができる。プラズマは、プラズマ内の電流経路にそって電流密度を実質的に変化させることができる。ゾーンは、高輝度光の点源とすることができる。ゾーンは、プラズマがピンチ効果で収縮し、ネックを形成する領域とすることができる。ゾーンは、室内の特徴により形成することができる。ゾーンは、ガス圧力により形成することができる。ゾーンは、電力システムの出力により形成することができる。プラズマ内の電流は、ゾーンを形成することができる。
この方法は、さらに、プラズマ放電領域内に挿入物を配置することを伴うこともできる。挿入物は、プラズマによる発光を局在化するためのネック状領域を定めることができる。挿入物は、ガス入口および／または冷却機能を備えることができる。非一様性は、室内に配置された特徴によりプラズマ内に生じさせることができる。この特徴は、プラズマによる発光を実質的に局在化するように構成することができる。この特徴は、磁気コアに関して離れた場所に配置することができる。
磁気コアに供給されるエネルギーの少なくとも１つのパルスは、プラズマを形成することができる。エネルギーのそれぞれのパルスは、毎秒約１００パルスから毎秒約１５，０００パルスまでの範囲の周波数で発生させることができる。エネルギーのそれぞれのパルスは、約１０ｎｓから約１０μｓまでの持続時間の間に、供給することができる。パルス電力システムは、エネルギー蓄積装置、例えば、少なくとも１つのキャパシタおよび／または第２の磁気コアを備えることができる。
いくつかの実施形態では、本発明方法は、第２の磁気コアからのエネルギーの少なくとも１つのパルスを第１の磁気コアに放射し、プラズマに電力を送ることを伴うことができる。パルス電力システムは、例えば、磁気パルス圧縮発生器および／または可飽和インダクタを備えることができる。この方法は、磁気スイッチを作動させることによりエネルギーのそれぞれのパルスを磁気コアに送出することを伴うことができる。
いくつかの実施形態では、本発明の方法は、室内に配置されたチャネル領域内に少なくとも本質的に１つのＺピンチまたは本質的に１つのキャピラリ放電を発生させることを伴うことができる。いくつかの実施形態では、この方法は、少なくとも１つの口を介してイオン性媒体を室内に導入することを伴うことができる。イオン性媒体は、１つまたは複数のガス、例えば、キセノン、リチウム、窒素、アルゴン、ヘリウム、フッ素、スズ、アンモニア、スタンナン、クリプトン、またはネオンのうちの１つまたは複数を含むことができる。この方法は、さらに、イオン源（例えば、紫外線灯、ＲＦ源、スパークプラグ、またはＤＣ放電源）でイオン性媒体をあらかじめイオン化することを伴うこともできる。それとは別に、またはそれに加えて、第２の磁気コアからプラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアに流れる誘導漏れ電流は、イオン性媒体をあらかじめイオン化するために使用することができる。他の実施形態では、イオン性媒体は、室内で熱プロセスまたはスパッタリングプロセスにより蒸発させるか、または外部で蒸発させ、室内に導入することができる固体（例えば、スズまたはリチウム）とすることができる。
本発明の他の実施形態では、この方法は、磁気コアをエンクロージャ内に少なくとも部分的に取り囲むことを伴うことができる。エンクロージャは、複数の孔を備えることができる。複数のプラズマループは、磁気コアがプラズマに電力を送るときに複数の孔を通ることができる。エンクロージャは、２つの平行な板を備えることができる。この２つの平行板は、磁気コアの周りに一次巻線を形成するために使用することができる。エンクロージャは、金属物質、例えば、銅、タングステン、アルミニウム、または銅タングステン合金を含むか、またはそれらから形成することができる。冷却剤は、局所的に高輝度の場所に隣接する場所を冷却するためエンクロージャに供給することができる。
この方法は、プラズマ放電領域を交互に曝露することを伴うことができる。回転円盤は、プラズマ放電領域を交互に曝露し、局所的高輝度ゾーンを形成する特徴を交互に定めるために使用することができる。冷却剤は、回転円盤内の中空領域に供給することができる。
他の実施形態では、この方法は、約１００ｎｍよりも短い波長の光を発生することを伴うことができる。他の実施形態では、この方法は、約１５ｎｍよりも短い波長の光を発生することを伴うことができる。この方法は、さらに、半導体製造用リソグラフィシステムに好適なプラズマ放電を発生することを伴うことができる。この方法は、さらに、顕微鏡システムに好適なプラズマ放電を発生することを伴うことができる。
本発明は、他の態様では、リソグラフィシステムを備えることを特徴とする。リソグラフィシステムは、少なくとも１つの光収集光学系および少なくとも１つの光収集光学系と光で連絡する少なくとも１つの集光器光学系を備える。リソグラフィシステムは、さらに、少なくとも１つの光収集光学系により収集するために光を発生することができる光源も備える。光源は、プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室を備える。光源は、さらに、プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアおよびエネルギーの少なくとも１つのパルスを磁気コアに供給し、プラズマ放電領域内に形成されるプラズマに電力を送るためのパルス電力システムも備える。プラズマは、局所的高輝度ゾーンを有する。
本発明のいくつかの実施形態では、プラズマにより放射される光は、少なくとも１つの光収集光学系により収集され、少なくとも１つの集光器光学系により集光され、少なくとも部分的にリソグラフィマスクに通される。
本発明は、他の態様では、リソグラフィシステム内で半導体ウェハを照射するための誘導駆動光源を備えることを特徴とする。
全体として、他の態様では、本発明は、リソグラフィシステム内の半導体ウェハを照射する方法に関する。この方法は、プラズマを発生することができるイオン性媒体を室内に導入することを伴う。この方法は、さらに、磁気コアがプラズマに電力を送るように槽内のプラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアにエネルギーの少なくとも１つのパルスを印加することも伴う。プラズマは、局所的高輝度ゾーンを有する。この方法は、さらに、プラズマにより放射される光を収集し、収集された光を集光し、集光された光の少なくとも一部を、マスクを通して半導体ウェハの表面上に送ることも伴う。
本発明は、他の態様では、顕微鏡システムを備えることを特徴とする。顕微鏡システムは、光を収集するための第１の光学素子および試料の像を検出器上に投射するための第２の光学素子を備える。検出器は、第１および第２の光学素子と光で連絡している。顕微鏡システムは、さらに、第１の光学素子と光で連絡する光源も備える。光源は、プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室を備える。光源は、さらに、プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアおよびエネルギーの少なくとも１つのパルスを磁気コアに供給し、プラズマ放電領域内に形成されるプラズマに電力を送るためのパルス電力システムも備える。プラズマは、局所的高輝度ゾーンを有する。
本発明のいくつかの実施形態では、プラズマにより放射される光は、第１の光学素子により収集されて、試料を照らし、第２の光学素子は、試料の像を検出器上に投射する。
全体として、他の態様では、本発明は、顕微鏡法に関する。この方法は、プラズマを発生ことができるイオン性媒体を室内に導入することを伴う。この方法は、さらに、磁気コアがプラズマに電力を送るように槽内のプラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアにエネルギーの少なくとも１つのパルスを印加することも伴う。プラズマは、局所的高輝度ゾーンを有する。この方法は、さらに、第１の光学素子を使ってプラズマにより放射された光を収集し、その光を試料に通して投射することも伴う。この方法は、さらに、試料を通して放射された光を検出器に投射することも伴う。
本発明の他の態様は、誘導駆動プラズマ光源用の挿入物を備えることを特徴とする。挿入物は、少なくとも１つの内部通路を定める本体を有し、また第１の開放端と第２の開放端とを備える。挿入物は、プラズマ放電領域内で誘導駆動プラズマ光源と結合または接続するように適合された外面を有する。他の実施形態では、挿入物の外面は、プラズマ光源に直接接続される。他の実施形態では、挿入物の外面は、プラズマ光源に間接的に接続される。他の実施形態では、挿入物の外面は、プラズマ光源と物理的に接触している。
少なくとも１つの内部通路は、プラズマ内に局所的高輝度ゾーンを形成する領域を定めることができる。挿入物は、消耗品であってよい。挿入物は、冷却構造と熱で連絡することができる。
一実施形態では、挿入物の外面は、プラズマ光源の室の内側のリセプタクルのねじ山によりプラズマ光源に結合または接続される。他の実施形態では、挿入物は、プラズマ光源の室の内側のリセプタクルに滑りばめされ、プラズマによる加熱のため適所にぴったり収まるようにできる（例えば、プラズマ放電領域内）。
いくつかの実施形態では、挿入物の少なくとも１つの内部通路の少なくとも一表面は、プラズマスパッタ速度の遅い物質を含む（例えば、カーボン、チタン、タングステン、ダイヤモンド、黒鉛、炭化ケイ素、ケイ素、ルテニウム、または耐熱材料）。他の実施形態では、挿入物の少なくとも１つの内部通路の表面は、プラズマスパッタ速度が遅く、熱伝導率が高い物質を含む（例えば、高配向熱分解黒鉛（ＨＯＰＧ）または熱分解黒鉛（ＴＰＧ））。他の実施形態では、挿入物の少なくとも１つの内部通路の表面は、ＥＵＶ放射線の吸収率の低い物質（例えば、ルテニウムまたはケイ素）から作ることができる。
挿入物の内部通路幾何学形状は、プラズマ高輝度ゾーンのサイズおよび形状を制御するために使用することができる。通路の内面は、通路の縮小寸法を定めることができる。通路の内面の幾何学的形状は、２つの開放端の間の中線を中心に非対称的とすることができる。他の実施形態では、内面の幾何学的形状は、通路の端から端までの最小寸法よりも実質的に小さい曲率半径により定めることができる。他の実施形態では、内面の幾何学的形状は、通路の端から端までの最小寸法の約２５％から約１００％の範囲の曲率半径により定めることができる。
本発明は、他の態様では、誘導駆動プラズマ光源用の挿入物を備えることを特徴とする。挿入物は、少なくとも１つの内部通路を定める本体を有し、また第１の開放端と第２の開放端とを備える。挿入物は、さらに、プラズマ放電領域内で誘導駆動プラズマ光源と結合または接続するための手段を備える。
挿入物は、２つまたはそれ以上の本体により定めることができる。挿入物は、本体の少なくとも１つのガス入口孔を備えることができる。他の実施形態では、挿入物は、本体を通過する少なくとも１つの冷却チャネルを備えることができる。一実施形態では、挿入物は、ロボットアームを使用して置き換えられる。
本発明は、他の態様では、光源を備えることを特徴とする。光源は、プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室を備える。光源は、さらに、プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアを備える。光源は、さらに、エネルギーを磁気コアに供給し、プラズマ放電領域内に形成されるプラズマに電力を送るための電力システムも備え、プラズマは、局所的高輝度ゾーンを備える。光源は、さらに、間接的または直接的プラズマ放出物を小さくするため光源に相対的に配置されているフィルタも備える。
フィルタは、光源から（例えば、高輝度ゾーンから）発せられる放射線に平行に進行しない放出物との衝突を最大にするように構成することができる。フィルタは、光源から（例えば、高輝度ゾーンから）発せられる放射線に平行に進行する放出物の低減を最小にするように構成することができる。一実施形態では、フィルタは、高輝度ゾーンから発せられる放射線の方向に実質的に平行である壁で形成され、壁と壁の間にチャネルを持つ。ガスのカーテンは、フィルタと放射線以外の放出物との間の衝突を大きくするようにフィルタの付近に保持することができる。
他の実施形態では、フィルタは、冷却チャネルを備えることができる。放出物に曝されるフィルタの表面は、プラズマスパッタ速度の遅い物質を含むことができる（例えば、カーボン、チタン、タングステン、ダイヤモンド、黒鉛、炭化ケイ素、ケイ素、ルテニウム、または耐熱材料）。他の実施形態では、放出物に曝露されるフィルタの表面は、プラズマスパッタ速度が遅く、熱伝導率が高い物質を含むことができる（例えば、高配向熱分解黒鉛または熱分解黒鉛）。
他の態様では、本発明は、光信号を発生する方法に関する。この方法は、プラズマを発生ことができるイオン性媒体を室内に導入することを含む。この方法は、さらに、磁気コアがプラズマに電力を送るように槽内のプラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアにエネルギーを印加することも含む。プラズマは、局所的高輝度ゾーンを有する。本発明の方法は、さらに、プラズマの局所的高輝度ゾーンから発せられる放出物をフィルタ処理することも含む。
一実施形態では、この方法は、直接的または間接的放出物を低減するように高輝度ゾーン（例えば、光源）に関してフィルタの位置を決めることを含む。この方法は、高輝度ゾーンから発せられる放射線に平行に進行しない放射線との衝突を最大にすることを含むことができる。この方法は、高輝度ゾーンから発せられる放射線に平行に進行する放出物の低減を最小にすることを含むことができる。
一実施形態では、この方法は、高輝度ゾーンから発せられる放射線の方向に実質的に平行である壁を配置し、壁と壁の間にチャネルを位置決めすることを含むことができる。放出物に曝されるフィルタの表面は、プラズマスパッタ速度の遅い物質を含むことができる（例えば、カーボン、チタン、タングステン、ダイヤモンド、黒鉛、炭化ケイ素、ケイ素、ルテニウム、または耐熱材料）。他の実施形態では、放出物に曝露されるフィルタの表面は、プラズマスパッタ速度が遅く、熱伝導率が高い物質を含むことができる（例えば、高配向熱分解黒鉛または熱分解黒鉛）。
本発明は、他の態様では、光源を備えることを特徴とする。光源は、プラズマ放電領域を有し、イオン性物質を含む室を備える。光源は、さらに、プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアを備える。光源は、さらに、エネルギーを磁気コアに供給し、プラズマ放電領域内に形成されるプラズマに電力を送り、局所的高輝度ゾーンを備える、電力システムも備える。光源は、さらに、高輝度ゾーンから放出される放射線の方向に実質的に平行に進行する放出物の低減を最小にするための手段を備える。光源は、さらに、高輝度ゾーンから放出される放射線の方向に実質的に平行にはならない方向に進行する放出物の低減を最大にするための手段も備える。
本発明は、他の態様では、誘導駆動プラズマ源を備えることを特徴とする。プラズマ源は、プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室を備える。プラズマ源は、さらに、熱流束およびイオン流束を大きな表面領域に拡散させるためのシステムも含む。このシステムでは、プラズマ室内に配置された、少なくとも１つの物体を使用し、この物体の少なくとも外面は、プラズマに関して移動する。これらの物体の少なくとも１つは、冷却チャネルと熱で連絡する。
他の実施形態では、複数の物体のうちの少なくとも１つの物体の外面は、犠牲層を含むことができる。犠牲層は、外面に連続的にコーティングすることができる。犠牲層は、ＥＵＶ放射線を放出する物質（例えば、リチウムまたはスズ）から作ることができる。
他の実施形態では、物体は、２つまたはそれ以上の密集した棒とすることができる。棒と棒との間の空間は、プラズマ内に局所的高輝度ゾーンを形成する領域を定めることができる。他の実施形態では、少なくとも１つの物体の局所的幾何学的形状は、プラズマ内に局所的高輝度ゾーンを形成する領域を定めることができる。
全体として、他の態様では、本発明は、誘導駆動プラズマを発生する方法に関する。この方法は、室内にプラズマを発生し、室内のプラズマ放電領域を囲む磁気コアにエネルギーを印加することができるイオン性媒体を導入することを含む。この方法は、さらに、誘導駆動プラズマからの熱流束およびイオン流束を大きな表面領域上に拡散させることも含む。この方法は、少なくとも１つの物体をプラズマの領域内に配置し、プラズマに関して少なくとも１つの物体の少なくとも１つの外面を移動することを含む。この方法は、さらに、少なくとも１つの物体と熱で連絡する冷却チャネルを少なくとも１つの物体に備えることも含む。この方法では、プラズマは、物体の外面から犠牲層を腐食しうる。他の実施形態では、この方法は、少なくとも１つの物体の外面を犠牲層で連続的にコーティングすることを含むことができる。犠牲層は、ＥＵＶ放射線を放出する物質（例えば、リチウムまたはスズ）から形成することができる。
この方法は、さらに、局所的高輝度ゾーンをプラズマ内に形成するように少なくとも１つの物体を配置することを含むことができる。この方法は、さらに、プラズマ内に局所的高輝度ゾーンを形成する領域を定めるために第１の物体に関して第２の物体を配置することを伴うこともできる。
本発明は、一態様では、光源を備えることを特徴とする。光源は、プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室を備える。光源は、さらに、プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアを備える。光源は、さらに、エネルギーの少なくとも１つのパルスを磁気コアに供給し、プラズマ放電領域内に形成されるプラズマに電力を送るためのパルス電力システムも備える。プラズマは、局所的高輝度ゾーンを有する。光源は、プラズマの形状を修正するために室内に配置された磁石を備える。一実施形態では、磁石は、プラズマ放電領域内にあり、局所的高輝度ゾーンを形成することができる。磁石は、永久磁石でも電磁石でもよい。他の実施形態では、磁石は、高輝度ゾーンに隣接して配置することができる。
本発明は、他の態様では、ＥＵＶ光源を動作させる方法に関する。ＥＵＶ光は、プラズマを使用して室内で生成される。プラズマ内に高輝度の局所的領域を定める消耗品が用意される。この方法は、さらに、室を大気条件に曝すことなく選択された基準に基づき消耗品を（例えばロボットアームと）交換することも含む。いくつかの実施形態では、選択された基準は、所定の時間、消耗品の測定された劣化、または光源の動作に関連するプロセス制御変数の測定された劣化のうちの１つまたは複数である。いくつかの実施形態では、選択された基準は、システム（例えば、リソグラフィシステム、顕微鏡システム、または他の半導体加工システム）の動作に関連するプロセス制御変数の測定された劣化である。
この方法は、さらに、消耗品の交換時に室内の真空状態を維持することも含むことができる。プラズマ光源は、誘導駆動プラズマ光源とすることができる。消耗品は、挿入物とすることができる。
本発明の前記および他の目的、態様、特徴、および利点は、説明ならびに請求項から明白になるであろう。
本発明の前記および他の目的、特徴、および利点、さらには発明自体は、必ずしも縮尺通りでない付属の図面と併せて読むことで、以下の例示的な説明からより完全に理解されるであろう。
図１は、本発明を具現化するプラズマを発生するためのプラズマ源１００の断面図である。プラズマ源１００は、プラズマ放電領域１１２を定める室１０４を含む。室１０４は、プラズマ放電領域１１２内にプラズマ（２つのプラズマループ１１６ａおよび１１６ｂとして示されている）を発生するために使用されるイオン性媒体を含む。プラズマ源１００は、プラズマ放電領域１１２内に形成される２つのプラズマループ１１６ａおよび１１６ｂ（全体として１１６）内に電流を誘導するトランス１２４を備える。トランス１２４は、磁気コア１０８および一次巻線１４０を含む。間隙１５８は、巻線１４０と磁気コア１０８との間に配置される。
この実施形態では、巻線１４０は、銅製エンクロージャであり、磁気コア１０８を少なくとも部分的に取り囲み、磁気コア１０８を少なくとも部分的取り囲む導電性経路を実現する。銅製エンクロージャは、磁気コア１０８を取り囲む単巻きの巻線と電気的に同等である。他の実施形態では、プラズマ源１００は、代わりに、室１０４内に磁気コア１０８を少なくとも部分的に取り囲むエンクロージャおよび磁気コア１０８を少なくとも部分的に取り囲む別の帯状金属板（例えば、銅またはアルミニウム）を備える。この実施形態では、帯状金属板は、エンクロージャと磁気コア１０８との間の間隙１５８内に配置され、トランス１２４の磁気コア１０８の一次巻線である。
プラズマ源１００は、さらに、エネルギーを磁気コア１０８に送出するための電力システム１３６も備える。この実施形態では、電力システム１３６は、エネルギーの少なくとも１つのパルスを磁気コア１０８に送出するパルス電力システムである。動作中、電力システム１３６は、典型的には、一連のエネルギーパルスを磁気コア１０８に送出し、プラズマに電力を送る。電力システム１３６は、電気的接続１２０ａおよび１２０ｂ（全体として１２０）を介してエネルギーの複数のパルスをトランス１２４に送出する。エネルギーのパルスは、磁気コア１０８内に電流の流れを誘導し、プラズマ放電領域１１２内のプラズマループ１１６ａおよび１１６ｂに電力を送る。プラズマループ１１６ａおよび１１６ｂに送られる電力の大きさは、磁気コア１０８により生成される磁場およびファラデーの電磁誘導の法則によりトランス１２４に送られるエネルギーのパルスの周波数および持続時間に依存する。
いくつかの実施形態では、電力システム１３６は、毎秒約１パルスから約５０，０００パルスまでの範囲の周波数のエネルギーのパルスを磁気コア１０８に供給する。いくつかの実施形態では、電力システム１３６は、毎秒約１００パルスから約１５，０００パルスまでの範囲の周波数のエネルギーのパルスを磁気コア１０８に供給する。いくつかの実施形態では、エネルギーのそれぞれのパルスは、約１０ｎｓから約１０μｓまでの持続時間の間に、供給される。電力システム１３６は、エネルギーのパルスを磁気コア１０８に送る前にエネルギーを蓄積するエネルギー蓄積装置（例えば、キャパシタ）を備えることができる。いくつかの実施形態では、電力システム１３６は、第２の磁気コアを含む。いくつかの実施形態では、第２の磁気コアは、エネルギーのパルスを第１の磁気コア１０８に放出し、プラズマに電力を送る。いくつかの実施形態では、電力システム１３６は、磁気パルス圧縮発生器および／または可飽和インダクタを備える。他の実施形態では、電力システム１３６は、エネルギーのパルスを磁気コア１０８に選択的に送出するための磁気スイッチを備える。いくつかの実施形態では、エネルギーのパルスは、プラズマ源１００のあらかじめ定められている、または操作者により定められたデューティサイクルと一致するように選択的に送出することができる。他の実施形態では、エネルギーのパルスは、例えば、可飽和インダクタが飽和したときに磁気コアに送ることができる。
プラズマ源１００は、室１０４内でプラズマループ１１６ａおよび１１６ｂを発火させるためにイオン性媒体をあらかじめイオン化する初期イオン化事象をもたらす自由電荷を室１０４内で発生させるための手段を備えることもできる。自由電荷は、紫外線灯、ＲＦ源、スパークプラグ、またはＤＣ放電源などのイオン源により室内に発生させることができる。それとは別に、またはそれに加えて、電力システム１３６内の第２の磁気コアから磁気コア１０８に流れる誘導漏れ電流は、イオン性媒体をあらかじめイオン化することができる。いくつかの実施形態では、イオン性媒体は、１つまたは複数のイオン源によりあらかじめイオン化される。
イオン性媒体は、イオン性流体（例えば、気体または液体）とすることができる。例えば、イオン性媒体は、キセノン、リチウム、スズ、窒素、アルゴン、ヘリウム、フッ素、アンモニア、スタンナン、クリプトン、またはネオンなどのガスとすることができる。それとは別に、イオン性媒体は、細粒（例えば、スズ）とすることができ、これを少なくとも１つのガス口からヘリウムなどのキャリアガスとともに室１０４内に導入する。他の実施形態では、イオン性媒体は、室内で熱プロセスまたはスパッタリングプロセスにより蒸発させるか、または外部で蒸発させ、室１０４内に導入することができる固体（例えば、スズまたはリチウム）とすることができる。いくつかの実施形態では、プラズマ源１００は、金属を蒸発させ、蒸発した金属を室１０４内に導入する蒸気発生器（図に示されていない）を備える。いくつかの実施形態では、プラズマ源１００は、さらに、室１０４内で蒸発した金属を加熱するための加熱モジュールも備える。室１０４は、少なくとも一部は、銅、タングステン、銅タングステン合金、またはイオン性媒体およびプラズマを含み、プラズマ源１００の運転を他の何らかの方法で支援するのに好適な物質などの金属物質から形成することができる。
図１を参照すると、プラズマループ１１６ａおよび１１６ｂは、磁気コア１０８および巻線１４０により定められるチャネル領域１３２内に収束する。例示的な一実施形態では、チャネル領域内の圧力は、約１００ｍＴｏｒｒ未満である。他の実施形態では、圧力は、約１Ｔｏｒｒ未満である。いくつかの実施形態では、圧力は、約２００ｍＴｏｒｒである。エネルギー強度は、プラズマループの断面積がプラズマループの長さにそって変化する場合に、プラズマループの経路にそって変化する。したがって、エネルギー強度は、プラズマループの断面積を変化させる特徴または力を使ってプラズマループの経路にそって変えることができる。プラズマループの断面積を変えることは、本明細書では、プラズマ内の電流の流れを制限する、またはピンチ効果でプラズマループを収縮させるともいう。したがって、エネルギー強度は、断面積が減少するプラズマループ経路にそった場所で大きい。同様に、エネルギー強度は、断面積が増大するプラズマループ経路にそった所定の地点で低い。したがって、エネルギー強度の高い、または低い場所を形成することが可能である。
プラズマ中の電流の流れを制限することは、さらに、Ｚピンチまたはキャピラリ放電を発生する、という言い方をする場合もある。プラズマのＺピンチは、プラズマの経路にそった特定の場所の断面積を減らすプラズマにより特徴付けられる。プラズマは、特定の場所のプラズマの断面領域を貫流する電流の結果として断面積を減少させる。一般に、磁場は、プラズマ内の電流により発生し、磁場は、プラズマを封じ込め、圧縮する。この場合、プラズマは、プラズマ経路にそって誘導電流を運び、その結果得られる磁場は、プラズマを囲み、圧縮する。この効果は、プラズマの断面積が最小の場合に最強であり、さらに断面領域を圧縮するように働き、したがって、さらにプラズマ内の電流密度を高める。
一実施形態では、チャネル１３２は、プラズマループ１１６ａおよび１１６ｂの経路にそった他の場所に関して断面積の減少した領域である。そのようなものとして、チャネル１３２内のプラズマループ１１６ａおよび１１６ｂのエネルギー強度はプラズマループ１１６ａおよび１１６ｂの他の場所のエネルギー強度に関して増大する。増大したエネルギー強度は、チャネル１３２内の放射電磁エネルギー（例えば、発光）を高める。
プラズマループ１１６ａおよび１１６ｂは、さらに、エネルギー強度の増大の結果として局所的高輝度ゾーン１４４を持つ。いくつかの実施形態では、高輝度光１５４は、エネルギー強度の増大のためゾーン１４４内で発生し、そこから放射される。電流密度は、プラズマループ１１６ａおよび１１６ｂ内の電流の経路にそって実質的に変化する。例示的な一実施形態では、プラズマの電流密度は、局所的高輝度ゾーン内において、約１ＫＡ／ｃｍ２よりも大きい。いくつかの実施形態では、ゾーン１４４は、高輝度光の点源であり、プラズマループ１１６ａおよび１１６ｂがピンチ効果で収縮されネックを形成する領域である。
いくつかの実施形態では、ゾーン１４４を形成する室１０４内に一特徴が配置される。いくつかの実施形態では、この特徴は、プラズマループ１１６ａおよび１１６ｂ内に非一様性を生じさせる。特徴は、いくつかの実施形態では恒久的であり、また他の実施形態では、取り外し可能である。いくつかの実施形態では、特徴は、プラズマループ１１６ａおよび１１６ｂにより発光を実質的に局在化し、例えば、高強度電磁放射線の点源を生成するように構成される。他の実施形態では、この特徴は、磁気コア１０８に関して離れた場所に配置される。いくつかの実施形態では、離れた場所に配置されている特徴は、室１０４内の磁気コア１０８から離れた場所で、プラズマ内に局所的高輝度ゾーンを形成する。例えば、本明細書の後の方で説明される図３Ａおよび３Ｂの円盤３０８は、磁気コア１０８に関して離れた場所に配置される。いくつかの実施形態では、ガス入口は、より高い圧力の領域を形成し局所的高輝度ゾーンを発生するように磁気コアから離れた場所に配置される。
いくつかの実施形態では、この特徴は、ネック状領域を定める挿入物である。いくつかの実施形態では、挿入物は、ネック状領域においてプラズマによる発光を局在化する。いくつかの他の実施形態では、挿入物は、例えば、イオン性媒体を室１０４に導入するためのガス入口を備える。他の実施形態では、特徴は、特徴の一領域を冷却する冷却機能を備える。いくつかの実施形態では、冷却機能は、過冷却対流沸騰を伴い、これは、例えば、Ｓ． Ｇ． Ｋａｎｄｌｉｋａｒ “Ｈｅａｔ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｉｎ Ｐａｒｔｉａｌ Ｂｏｉｌｉｎｇ Ｆｕｌｌｙ Ｄｅｖｅｌｏｐｅｄ Ｂｏｌｉｎｇ ａｎｄ Ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔ Ｖｏｉｄ Ｆｌｏｗ Ｒｅｇｉｏｎｓ ｏｆ Ｓｕｂｃｏｏｌｅｄ Ｆｌｏｗ Ｂｏｌｌｉｎｇ” Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｈｅａｔ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｆｅｂｒｕａｒｙ ２， １９９８において説明されている。いくつかの実施形態では、冷却機能は、加圧された過冷却対流沸騰を伴う。他の実施形態では、挿入物は、例えば、ゾーン１４４に隣接する挿入物の一領域を冷却する冷却機能を備える。
いくつかの実施形態では、ガス圧力は、例えば、より高い圧力の領域を少なくとも部分的にプラズマループ１１６ａおよび１１６ｂの一部の周りに生じさせることにより、局所的高輝度ゾーン１４４を形成する。プラズマループ１１６ａおよび１１６ｂは、ガス圧力の増大により高圧の領域内でピンチ効果により収縮される。いくつかの実施形態では、ガス入口は、室１０４内にガスを導入し、ガス圧力を生じさせる特徴である。さらに他の実施形態では、電力システム１３６の出力は、プラズマループ１１６ａおよび１１６ｂ内に局所的高輝度ゾーン１４４を形成することができる。
図２は、プラズマ源、例えば図１のプラズマ源１００の概略電気回路モデル２００の図である。モデル２００は、本発明の一実施形態による、電力システム１３６を備える。電力システム１３６は、図１のトランス１２４などの、トランスに電気的に接続される。モデル２００は、さらに、図１のプラズマループ１１６ａおよび１１６ｂなどの、プラズマのインダクタンスの一部である誘導素子２１２も備える。モデル２００は、さらに、図１のプラズマループ１１６ａおよび１１６ｂなどの、プラズマの抵抗の一部である誘導素子２１６も備える。この実施形態では、電力システムは、電気的接続部１２０ａおよび１２０ｂを介して、エネルギーのパルスをトランス１２４に送出するパルス電力システムである。次いで、エネルギーのパルスは、例えば、図１のトランス１２４の磁気コア１０８などの、トランスの構成要素である磁気コアによりプラズマに送られる。
図３Ａおよび３Ｂに例示されている他の実施形態では、プラズマ源１００は、プラズマ放電領域１１２を定める室１０４を備える。室１０４は、プラズマ放電領域１１２内にプラズマを発生するために使用されるイオン性媒体を含む。プラズマ源１００は、プラズマ放電領域１１２内に形成される２つのプラズマループ１１６ａおよび１１６ｂ（全体として１１６）内に電磁エネルギーを結合するトランス１２４を備える。トランス１２４は、第１の磁気コア１０８を備える。プラズマ源１００は、さらに、巻線１４０を含む。この実施形態では、巻線１４０は、室１０４内に磁気コア１０８および３０４を配置するためのエンクロージャである。巻線１０４は、さらに、磁気コア１０８の一次巻線および磁気コア３０４の巻線でもある。
第１の磁気コア１０８を取り巻く巻線１４０は、トランス１２４の一次巻き線を形成する。この実施形態では、第２の磁気コアおよび巻線１４０は、電力システム１３６の一部であり、エネルギーのパルスを第１の磁気コア１０８に送る可飽和インダクタを形成する。電力システム１３６は、接続３８０ａおよび３８０ｂを介して巻線１４０に電気的に接続されるキャパシタ３２０を備える。いくつかの実施形態では、キャパシタ３２０は、第１の磁気コア１０８に選択的に送られるエネルギーを蓄積する。ライン電源またはバス電源でよい、電源３２４は、キャパシタ３２０に結合される。
プラズマ源１００は、さらに、プラズマループ１１６ａおよび１１６ｂ内に局所的高輝度ゾーン１４４を形成する円盤３０８も備える。この実施形態では、円盤３０８は、第１の磁気コア１０８に関して離れた場所に配置される。円盤３０８は、円盤３０８の回転点３１６のところで円盤３０８（図３Ｂを参照）のＺ軸を中心に回転する。円盤３０８は、円盤３０８の周りに等間隔で配置された３つのアパーチャ３１２ａ、３１２ｂ、および３１２ｃ（全体として３１２）を有する。アパーチャ３１２は、Ｚ軸を中心に回転する円盤３０８の任意の角度方向で３つのアパーチャ３１２ａ、３１２ｂ、および３１２ｃのうちの１つのみ（例えば、図３Ａおよび３Ｂではアパーチャ３１２ａ）がコア１０８内に配置されたチャネル１３２と位置を揃えるように円盤３０８内に配置される。この方法で、円盤３０８は、チャネル１３２を露出し（例えば、アパーチャ３１２と揃ったときに）、覆う（例えば、アパーチャ３１２と揃わないとき）動作を交互に行うようにＺ軸を中心に回転させることができる。円盤３０８は、アパーチャ３１２ａ内で２つのプラズマループ１１６ａおよび１１６ｂをピンチ効果で収縮させる（つまり、その断面面積を減らす）ように構成される。この方法では、アパーチャ３１２は、プラズマループ３１６ａおよび３１６ｂ内に局所的高輝度ゾーン１４４を形成するプラズマ源１００の円盤内の特徴である。アパーチャ３１２ａの場所で２つのプラズマループ１１６ａおよび１１６ｂをピンチ効果で収縮させることにより、アパーチャ３１２ａの場所の２つのプラズマループ１１６ａおよび１１６ｂのエネルギー強度は、プラズマループ１１６ａおよび１１６ｂの電流経路にそった他の場所のプラズマループ１１６ａおよび１１６ｂの断面内のエネルギー強度よりも高くなる。
例えば、円盤３０８の幾何学的形状およびアパーチャ３１２のおよび／または形状に対するバラツキは、本明細書の説明で考察されていることが理解される。一実施形態では、円盤３０８は、少なくとも１つのアパーチャ３１２を持つ静止円盤である。いくつかの実施形態では、円盤３０８は、局所的高輝度ゾーン１４４に隣接する円盤３０８の一領域を冷却する冷却剤を運ぶための中空領域（図には示されていない）を備える。いくつかの実施形態では、プラズマ源１００は、室１０４内で円盤３０８から冷却面に熱を伝達するガス薄層を含む。
図４は、図３Ａおよび３Ｂのプラズマ源１００などの、プラズマ源の電気回路モデル４００を例示している。モデル４００は、図３Ａのトランス１２４などの、トランスに電気的に接続される電力システム１３６を含む。モデル４００は、さらに、プラズマのインダクタンスの一部である誘導素子２１２も含む。モデル４００は、さらに、プラズマの抵抗の一部である抵抗素子２１６も含む。パルス電力システム１３６は、電気的接続３８０ａおよび３８０ｂを介してエネルギーの複数のパルスをトランス１２４に送出する。電力システム１３６は、キャパシタ３２０を充電する電源３２４を備える。電力システム１３６は、さらに、インダクタ３２８が飽和したときにキャパシタ３２０内に蓄積されたエネルギーを第１の磁気コア１０８に送る磁気スイッチである可飽和インダクタ３２８を備える。
いくつかの実施形態では、キャパシタ３２０は、並列に接続された複数のキャパシタである。いくつかの実施形態では、可飽和インダクタ３２８は、一部は磁気パルス圧縮発生器を形成する複数の可飽和インダクタである。磁気パルス圧縮発生器は、第１の磁気コア１０８に送出されるエネルギーのパルスのパルス幅を圧縮する。
図５Ａおよび５Ｂに例示されている他の実施形態では、プラズマ源５００の一部は、少なくとも部分的に第１の磁気コア５２４および第２の磁気コア５２８を取り囲むエンクロージャ５１２を備える。この実施形態では、エンクロージャ５１２は、少なくとも部分的に第１の磁気コア５２４の周りに、導電性経路を形成し、図４のトランス１２４などの、トランスの第１の磁気コア５２４の周りに一次巻線を形成する２つの導電平行板５４０ａおよび５４０ｂを備える。平行板５４０ａおよび５４０ｂは、さらに、少なくとも部分的に図４のインダクタ３２８などのインダクタを形成する第２の磁気コア５２８の周りに、導電性経路を形成する。プラズマ源５００は、さらに、エンクロージャ５１２の外周の周りに配置された複数のキャパシタ５２０も含む。例えば、キャパシタ５２０は、図４のキャパシタ３２０とすることができる。
エンクロージャ５１２は、エンクロージャ５１２を通る少なくとも２つの孔５１６および５３２を定める。この実施形態では、プラズマ源５００の直径の周りに等間隔で配置されている６個の孔５３２がある。孔５１６は、エンクロージャ５１２を通る単一孔である。一実施形態では、６個のプラズマループ５０８はそれぞれ、単一電流プラズマとして孔５１６に収束しそこを通る。６つのプラズマループは、それぞれ、６個の孔５３２のうちの１つを通る。平行板５４０ａおよび５４０ｂは、それぞれ溝５０４および５０６を備える。溝５０４および５０６はそれぞれ、加圧シールを形成し、プラズマ源５００の運転中にプラズマループ５０８を取り囲む、図３Ａの室１０４などの、室を定めるための環状要素（図に示されていない）を配置する。
エンクロージャの孔５１６は、ネック状領域５３６を定める。ネック状領域５３６は、孔５１６の長さにそった他の場所に関して小さくされた断面積の一領域である。そのようなものとして、ネック状領域５３６内のプラズマループ５０８内の局所的高輝度ゾーンを形成する少なくともネック状領域５３６内のプラズマループ５０８におけるエネルギー強度は、増大される。この実施形態では、ネック状領域５３６内に配置された一連の孔５４０もある。例えば、孔５４０は、イオン性媒体をプラズマ源５００の室に導入するためのガス入口を備える。他の実施形態では、エンクロージャ５１２は、局所的高輝度ゾーンに隣接するエンクロージャ５１２の場所を冷却するためエンクロージャ内に冷却剤を流す冷却剤通路（図には示されていない）を備える。
図６は、本発明を具現化するリソグラフィシステム６００の概略ブロック図である。リソグラフィシステム６００は、図５Ａおよび５Ｂのプラズマ源５００などの、プラズマ源を備える。リソグラフィシステム６００は、さらに、プラズマ源５００により放射される光６０４を収集する少なくとも１つの光収集光学系６０８も備える。例えば、光６０４は、プラズマ源５００のプラズマ内の局所的高輝度ゾーンにより放射される。一実施形態では、プラズマ源５００により発生された光６０４は、半導体ウェハ６３６を加工するため約１５ｎｍよりも短い波長を持つ光である。光収集光学系６０８は、光６０４を収集し、収集された光６２４を少なくとも１つの集光光学系６１２に送る。この実施形態では、集光光学系６２４は、光６２４を集光し（つまり、集束し）、集光された光６２８を鏡６１６ａ（全体としての６１６）に向けて送り、これは、反射光６３２ａを鏡６１６ｂに向けて送り、次いで、反射光６３２ｂを反射型リソグラフィマスク６２０に向けて送る。リソグラフィマスク６２０に反射した光（光６４０として例示されている）は、半導体ウェハ６３６に向けられ、例えば、ウェハ６３６上に回路像の少なくとも一部を生成する。それとは別に、リソグラフィマスク６２０は、透過型リソグラフィマスクとすることができ、光６３２ｂは、その代わりに、リソグラフィマスク６２０を通過し、ウェハ６３６上に回路像を形成する。
例示的な一実施形態では、図６のリソグラフィシステム６００などのリソグラフィシステムは、半導体ウェハ６３６の表面に回路像を生成する。プラズマ源５００は、毎秒約１０，０００パルスのパルス速度でプラズマを発生する。プラズマは、約１５ｎｍよりも短い波長を持つ高輝度光６０４のパルスの点源である局所的高輝度ゾーンを有する。光収集光学系６０８は、プラズマ源５００により放射された光６０４を収集する。光収集光学系６０８は、収集された光６２４を集光光学系６１２に送る。集光光学系６２４は、光６２４を集光し（つまり、集束し）、集光された光６２８を鏡６１６ａ（全体としての６１６）に向けて送り、これは、反射光６３２ａを鏡６１６ｂに向けて送り、次いで、反射光６３２ｂを反射型リソグラフィマスク６２０に向けて送る。鏡６１６ａおよび６１６ｂは、狭波長帯域（例えば、約５ｎｍから約２０ｎｍ）の光の波長を反射する多層光学素子である。したがって、鏡６１６ａおよび６１６ｂは、その狭い帯域の光を透過する（例えば、赤外線分の低い光）。
図７は、本発明を具現化する顕微鏡システム７００（例えば、軟Ｘ線顕微鏡システム）の概略ブロック図である。顕微鏡システム７００は、図５Ａおよび５Ｂのプラズマ源５００などの、プラズマ源を備える。顕微鏡システム７００は、さらに、図５のプラズマ源のプラズマ５０８などの、プラズマの局所的高輝度ゾーンから放射された光７０６を収集するための第１の光学素子７２８も備える。一実施形態では、プラズマ源５００により放射された光７０６は、Ｘ線顕微鏡検査を実行するため約５ｎｍよりも短い波長を持つ光である。次いで、第１の光学素子７２８により収集された光７０６は、光信号７３２として基板７０４上に配置された試料７０８（例えば、生体試料）に向けて送られる。試料７０８および基板７０４を通過する光７１２は、次に、第２の光学素子７１６を通る。次いで、第２の光学素子を通る光７２０（例えば、試料７２８の像）は、試料７２８を結像する電磁信号検出器７２４上に送られる。
図８Ａおよび８Ｂは、プラズマ源５００のエンクロージャ５１２の他の実施形態の切欠図である。この実施形態では、孔５１６は、リセプタクル８０１と挿入物８０２とにより定められる。リセプタクル８０１は、エンクロージャ５１２全体の一部であるか、またはエンクロージャ５１２の別の部分である。他の実施形態では、リセプタクル８０１は、挿入物８０２に結合されるエンクロージャ５１２の領域とすることができる（例えば、滑りばめ、ねじ山、摩擦ばめ、または締まりばめによる）。これらの実施形態において、挿入物が熱膨張すると、その結果、挿入物とリセプタクルとの間の熱的または電気的接触がよくなる。
他の実施形態では、挿入物８０２の外面は、プラズマ光源５００に直接接続される。他の実施形態では、挿入物８０２の外面は、プラズマ光源５００に間接的に接続される。他の実施形態では、挿入物の外面は、プラズマ光源５００と物理的に接触している。
図９Ａは、エンクロージャ内の挿入物８０２およびリセプタクル８０１の一実施形態の断面図である（例えば、図８Ａのエンクロージャ５１２）挿入物８０２は、第１の開放端は８１１および第２の開放端８１２を持つ本体８４０を備える。プラズマループ５０８は、第１の開放端８１１に入り、挿入物８０２の内部通路８２０を通り、第２の開放端８１２から出る。挿入物８０２の本体８４０の内部通路８２０は、ネック状領域８０５を定める。ネック状領域８０５は、挿入物８０２の第１の開放端８１１と第２の開放端８１２との間の通路８２０の長さにそって内部通路８２０の小さな寸法を定める領域である。エネルギー強度は、局所的高輝度ゾーンを形成するネック状領域８０５内のプラズマループ５０８において増大する。
この実施形態では、挿入物８０２は、挿入物８０２の外面８２４上にねじ山を有する。リセプタクル８０１は、挿入物８０２のねじ山８１０とあわさる対応する１組のねじ山８１０を備える。挿入物８０２は、リセプタクル８０１に対して挿入物８０２を回転させ、それにより、挿入物８０２およびリセプタクル８０１のねじ山８１０をはめ合わせることにより、リセプタクル８０１内に挿入される。他の実施形態では、挿入物８０２もリセプタクル８０１も、ねじ山８１０を持たず、挿入物８０２は、溝とキーメカニズム（図に示されていない）を使用してリセプタクル８０１内に滑りばめすることができる。プラズマからの熱により、挿入物８０２は膨張し、挿入物はリセプタクル８０１内に適切に保持される。この実施形態では、挿入物８０２は、一体構造である。他の実施形態では、挿入物８０２は、２つまたはそれ以上の本体により定めることができる。
この実施形態では、挿入物８０２は、プラズマ内に高輝度ゾーンを形成する領域を定める。高輝度ゾーンのサイズは、一部は、プラズマの輝度およびそのゾーンにより放射される放射線の輝度を決定する。高輝度ゾーンの輝度は、そのサイズ（例えば、直径または長さ）を縮小することで高めることができる。一般に、挿入物８０２の通路８２０にそったネック状領域８０５の最小寸法は、高輝度ゾーンのサイズを決定する。挿入物８０２内の通路８２０の内面８０３の局所幾何学的形状もまた、高輝度ゾーンのサイズを決定する。いくつかの実施形態では、内面８０３の幾何学的形状は、図９Ａに示されているように、挿入物８０２の中心線８０４を中心に非対称である。
挿入物８０２の内面８０３は、プラズマの高輝度ゾーンに曝される。同じ実施形態において、挿入物８０２は、少なくとも内面８０３をプラズマスパッタ速度の低い物質で形成し、プラズマによる腐食に耐えられるように形成される。例えば、これは、カーボン、チタン、タングステン、ダイヤモンド、黒鉛、炭化ケイ素、ケイ素、ルテニウム、または耐熱材料などの物質を含むことができる。また、これらの物質のうちの１つまたは複数を含む合金または化合物を使用して、挿入物８０２を形成するか、または挿入物８０２の内面８０３をコーティングすることができることも理解される。
他の実施形態では、挿入物８０２の内面８０３からの物質は、プラズマと相互作用し（例えば、プラズマによりスパッタリングされ）、例えば、光源の光学素子上に蒸着されることが認識される。この場合、少なくとも内面８０３は、光源により放射されるＥＵＶ光を吸収しない物質を含むか、またはコーティングされるように挿入物を形成することが望ましい。例えば、最低量のＥＵＶ放射線を吸収しない、または吸収する物質は、ルテニウムもしくはケイ素、またはルテニウムもしくはケイ素の合金もしくは化合物を含む。このようにして、挿入物８０２の内面８０３からスパッタリングされ、例えば、光学素子上に蒸着された物質は、光学素子の機能（例えば、ＥＵＶ放射線の透過）に実質的に干渉しない。
この実施形態では、挿入物８０２は、リセプタクル８０１と熱で連絡し、プラズマ高輝度ゾーンから熱を放散させる。いくつかの実施形態では、１つまたは複数の冷却チャネル（図に示されていない）は、挿入物８０２の本体８４０を通過し、挿入物８０２を冷却することができる。いくつかの実施形態では、挿入物８０２は、少なくとも内面８０３がプラズマスパッタ速度が遅く、熱伝導性の高い物質で作られるように形成することが望ましい。例えば、これは、高配向熱分解黒鉛（ＨＯＰＧ）または熱分解黒鉛（ＴＰＧ）を含むことができる。また、これらの物質を含む合金または化合物を使用できることも理解される。
この他の実施形態では、挿入物８０２は、例えば、本明細書ですでに説明されているように、イオン性媒体を室に導入するためのガス入口８０６を備える。
図９Ｂは、挿入物８０２の他の実施形態を例示している。この実施形態では、内面８０３の幾何学的形状は、挿入物８０２の中心線８０４を中心に対称的である。すでに述べたように、挿入物８０２の内部通路８２０の内面８０３の局所幾何学的形状は、高輝度ゾーンのサイズを決定する。高輝度ゾーンのサイズは、一部は、高輝度ゾーンから発せられる放射線の輝度を決定する。内面８０３の幾何学的形状の特性は、この決定に起因する。特性としては、限定はしないが、以下のものがある。ネック状領域８０５の最小寸法は、ｙ軸にそった高輝度ゾーンの制約要因となっている。ネック状領域８０５は、挿入物８０２の軸８１３を中心として半径方向に対称的としてよいが、そうである必要はない。ネック状領域８０５の長さ８０９も、高輝度ゾーンを制約するために使用される。ネック状領域８０５の側壁８０８の勾配も、高輝度ゾーンのサイズを決定する。それに加えて、内面８０３の曲率半径８０７を変化させることで、高輝度ゾーンのサイズを変えられる。例えば。曲率半径８０７を小さくすると、高輝度ゾーンもそのサイズが小さくなる。
図９Ｃは、挿入物８０２の他の実施形態を例示している。この実施形態では、側壁８０８の勾配は、垂直（ｚ軸に対し垂直）であり、ネック状領域８０５の長さ８０９は、半径方向に一様になっている。ここでもまた、挿入物８０２の内面８０３の局所幾何学的形状は、挿入物８０２の軸８１３を中心として半径方向に対称的である必要はないことが理解される。いくつかの実施形態では、内面８０３を定める図９Ｃに示されている局所幾何学的形状は、挿入物８０２の内面８０３にそって挿入物８０２内に配置された複数の異なる支柱である。
他の形状、サイズ、および特徴は、挿入物８０２の内面８０３の局所幾何学的形状について考えられている。内面８０３の一部は、凹型でも凸型でもよいが、それでも、高輝度ゾーンを定める半径８０７を有している。ネック状領域８０５の側壁８０８の勾配は、正、負、または０である。内面８０３の局所幾何学的形状は、内面８０２の軸８１３を中心として半径方向に対称的であってもよいが、そうでなくてもよい。挿入物８０２の内面８０３の局所幾何学的形状は、中心線８０４を中心として対称的であってもよいが、そうでなくてもよい。
いくつかの実施形態では、プラズマ源（例えば、図１のプラズマ源１００）を使用する応用機器は、挿入物（例えば、図９Ａの挿入物８０２）を含むエンクロージャ（例えば、図８Ａのエンクロージャ５１２）を備える。これら応用機器では、挿入物８０２は、操作者側で取り外したり、または交換したりできるプラズマ源１００の使い捨てのコンポーネントである。いくつかの実施形態では、挿入物８０２は、挿入物８０２に係合する、または挿入物８０２とのインターフェイスとなるロボットアーム（図に示されていない）を使用して交換することができる。この方法により、ロボットアームで、挿入物８０２を取り外し、それを新しい挿入物８０２と交換することができる。プラズマ源の運転中に磨耗、または損傷した挿入物８０２を交換することが望ましい場合がある。
例えば、挿入物８０２の内面８０３上のコーディング材（例えば、ルテニウム）は、プラズマループ５０８が挿入物８０２の内部通路８２０を通過すると腐食するか、またはスパッタリングされうる。いくつかの実施形態では、挿入物８０２の内面８０３がプラズマループ５０８により腐食されるか、またはスパッタリングされると、局所的高輝度ゾーンを定める能力が損なわれる可能性がある。新しい挿入物８０２は、室１０４に取り付けられた真空ロードロック（図に示されていない）を通じてプラズマ源１００の室１０４に入れることができる。新しい挿入物８０２が室１０４内に置かれた後、ロボットアームを使用して、新しい挿入物８０２をエンクロージャ５１２のリセプタクル８０１内に取り付けることができる。例えば、リセプタクル８０１および挿入物８０２がはめ合いねじ山８１０を備えている場合、ロボットアームはリセプタクル８０１に関して挿入物８０２を回転させ、マッチするねじ山８１０をはめ合わせることにより挿入物８０２を取り付けることができる。この方法で、挿入物８０２を無人操縦で交換することにより、プラズマ源の使用可能時間が改善される。室１０４内の真空を維持しながら挿入物８０２を無人操縦で交換すると、プラズマ源の使用可能時間がさらに改善される。
図１０は、プラズマ源（図に示されていない）とともに使用されるフィルタ９０２の概略図である。プラズマ源は、発光領域９０１を備えている（例えば、図５Ａおよび５Ｂのプラズマ源５００の局所的高輝度ゾーン）。フィルタ９０２は、発光領域９０１に関して配置され、これにより、発光領域９０１およびプラズマ源の他の場所からの放射線を減らす。放出物は、限定はしないが、プラズマ源内の表面からスパッタリングされる粒子、イオン、原子、分子、帯電粒子、および放射線を含む。この実施形態では、フィルタ９０２は、発光領域９０１と、例えば、リソグラフィシステム（例えば、図６のリソグラフィシステム６００）の光収集光学系９０３との間に配置される。フィルタ９０２の役割は、発光領域９０１からの放射線を光収集光学系９０３に到達させるが、例えば、粒子、帯電粒子、イオン、分子、または原子は、光収集光学系９０３に到達させないことである。
フィルタ９０２は、発光領域９０１から発せられる放射線９０４の方向に実質的に平行に進行する放出物の低減を最小にするように構成される。フィルタ９０２は、発光領域９０１から発せられる放射線９０４の方向に実質的に平行でない方向９０５（例えば、場合によっては直交する方向）に進行する放出物を捕捉するように構成される。発光領域９０１から発せられる放射線９０４の方向に実質的に平行に進行しない粒子、帯電粒子、イオン、分子、および原子は、フィルタ９０２と衝突し、例えば、光収集光学系９０３に到達することができない。発光領域９０１から発せられる放射線９０４の方向に実質的に平行に最初に進行する粒子、帯電粒子、イオン、分子、および原子は、気体原子、イオン、または分子との衝突作用を受け、非平行方向に移動し始め、それによりフィルタに捕捉されるように偏向される。いくつかの実施形態では、フィルタ９０２は、例えば光収集光学系９０３に到達する放射線の量を実質的に減らすことなく、例えば光収集光学系９０３に到達する粒子数、帯電粒子、イオン、分子、および原子の数を実質的に減らすことができる。
図１１Ａおよび１１Ｂは、フィルタ９０２の一実施形態を例示している。フィルタ９０２は、壁と壁９１０の間に狭いチャネル９１１を持つ複数の薄壁９１０を備える。この実施形態では、壁９１０は、フィルタ９０２の中心９１２を中心として半径方向に配列される。いくつかの実施形態では、壁９１０は、少なくとも放出物に曝される壁の表面（チャネル９１１内の表面）がプラズマスパッタ速度の遅い物質を含むか、またはその物質でコーディングされるように形成される。例えば、これは、カーボン、チタン、タングステン、ダイヤモンド、黒鉛、炭化ケイ素、ケイ素、ルテニウム、または耐熱材料などの物質を含むことができる。この実施形態では、発光領域（例えば、図１０の発光領域９０１）からの放射線は、ｙ軸の正の方向にそってフィルタ９０２の内側領域９３０に向けて送られる。
この実施形態では、フィルタ９０２は、少なくとも１つの冷却チャネル９２０を備える。壁９１０は、少なくとも１つの冷却チャネル９２０と熱で連絡している。フィルタ９０２は、入口９２４ａおよび出口９２４ｂを備え、冷却剤がチャネル９２０を通って流れるようになっている。冷却チャネル９２０は、例えば、壁９１０に衝撃を与える粒子、帯電粒子、イオン、分子、または原子と関連する熱を放散する。いくつかの実施形態では、壁９１０は、少なくとも放出物に曝される壁の表面がプラズマスパッタ速度の遅い、熱伝導率の高い物質で作られるように形成される。例えば、これは、高配向熱分解黒鉛（ＨＯＰＧ）または熱分解黒鉛（ＴＰＧ）のような物質を含むことができる。いくつかの実施形態では、複数の冷却チャネル９２０が用意されており、フィルタ９０２を粒子、帯電粒子、イオン、分子、および原子に曝すことでフィルタ９０２を冷却する。フィルタ９０２を冷却することで、フィルタ９０２の構造的完全性を損なわない温度に保ち、また過剰な熱輻射がフィルタ９０２に到達するのを防ぐ。
他の実施形態では、バッファガスのカーテンがフィルタ９０２の付近に保持される。このバッファガスは、不活性で、ＥＵＶ放射線の吸収率が低いものとすることができる（例えば、ヘリウムまたはアルゴン）。発光領域９０１から発せられる放射線の方向（図１０の照射方向９０４）に実質的に平行な方向に最初に進行する粒子、帯電粒子、イオン、分子、および電子などの放出物は、気体分子と衝突する。気体分子と衝突した後、粒子、帯電粒子、イオン、分子、および原子は、発光領域９０１から発せられる放射線の方向９０４に実質的に平行でない方向９０５に進行する。次いで、粒子、帯電粒子、イオン、分子、および原子は、フィルタ９０２の壁９１０と衝突し、壁９１０の表面により捕捉される。発光領域９０１から発せられる放射線は、気体分子の影響を受けず、壁９１０の間のチャネル９１１を通過する。
他の実施形態（図に示されていない）では、壁９１０は、互いに実質的に平行で、ベネチアンブラインド風の構造を形成するように構成される（発光領域９０１から見た場合に）。他の実施形態（図には示されていない）では、壁９１０は、湾曲させて同心円筒を形成することができる（円筒の開放端が、発光領域９０１に面している）。他の実施形態では、壁は、湾曲させて個々の円筒にし、亀甲模様に配置することができる（発光領域９０１から見た場合に）。
プラズマ源室１０４の他の実施形態は、図１２Ａおよび１２Ｂに示されている。この実施形態では、物体１００１ａおよび１００１ｂ（全体として１００１）は、プラズマの高輝度ゾーン１４４の近くに配置される。物体１００１ａおよび１００１ｂの表面１００２ａおよび１００２ｂ（全体として１００２）は、それぞれ、プラズマに関して移動する。移動表面１００２は、物体１００１の表面１００２の広い表面領域上のプラズマに関連する熱流束およびイオン流束を拡散するように作用する。この実施形態では、物体１００１は、２本の棒である。棒１００１は、プラズマ放電領域の近くでｙ軸にそって密集して並び、局所的高輝度ゾーン１４４を定める局所幾何学的形状１０１０を持つ。少なくとも１つの物体１００１における局所幾何学的形状１０１０とともに密集して並ぶ複数の物体を使用することにより、高輝度ゾーンは、２つの次元で制約される。
いくつかの実施形態は、プラズマに関連する熱流束およびイオン流束を拡散し、他の構造に関して局所的高輝度ゾーンを定めるために、単一の物体１００１が使用される。物体１００１については別にさまざまなサイズ、形状、および数量を使用することができることは理解される。
この実施形態では、少なくとも１つの物体１００１は、冷却チャネル１０２０と熱で連絡している。冷却剤は、チャネル１０２０を通して流れ、物体１００１の表面１００２はプラズマから熱を放散させることができる。物体１００１の表面１００２をプラズマに関して移動することにより（例えば、ｚ軸を中心に棒１００１を回転させる）、プラズマは、表面１００２の新しく冷却される部分を常に見せられ、熱が放散される。他の実施形態では、少なくとも１つの物体１００１の表面１００２は、犠牲層でコーティングされる。これにより、プラズマからのイオン流束および熱流束は、少なくとも１つの物体１００１の表面１００２の犠牲層を、その層の下にある物体１００１を損傷することなく、腐食させることができる。表面１００２をプラズマに関して移動することにより、プラズマに対して新しい表面を見せることで、イオン流束および熱流束を放散する。プラズマイオンは、少なくとも１つの物体１００１の表面１００２と衝突する。これらの衝突の結果、例えば、少なくとも１つの物体１００１の表面１００２から粒子、帯電粒子、イオン、分子、および原子が散乱する。このようにして、この結果得られる粒子、帯電粒子、イオン、分子、および原子は、例えば、光収集光学系（図には示されていない）に向かって進行することはおそらくない。こうして、少なくとも１つの物体１００１は、プラズマからのイオン流束が、例えば、光収集光学系（図に示されていない）と相互作用することが妨げられてしまった。
一実施形態では、少なくとも１つの物体１００１の表面１００２は、犠牲層で連続コーティングされる。これは、固形物（図に示されていない）をプラズマにより加熱される少なくとも１つの物体１００１に与えることにより行うことができる。プラズマからの熱で、固形物が溶け、少なくとも１つの物体１００１の表面１００２をコーティングすることができる。他の実施形態では、溶融物質は、灯芯を使用して少なくとも１つの物体１００１の表面１００２に供給することができる。他の実施形態では、少なくとも１つの物体１００１の表面１００２の一部は、溶融物質の槽に留めることができ、溶融物質は、表面が動く（例えば、回転する）ときに付着する。他の実施形態では、この物質は、多数のよく知られている気相成長法のうちのどれかを使用して、気相から少なくとも１つの物体１００１の表面１００２上に蒸着させることができる。少なくとも１つの物体１００１の表面１００２を連続コーティングすることにより、犠牲層を常時補充し、プラズマに新鮮な表面１００２を連続的に見せて、下にある少なくとも１つの物体１００１を傷つけることなく、イオン流束および熱流束を放散させる。
他の実施形態では、少なくとも１つの物体１００１の少なくとも表面１００２は、ＥＵＶ放射線を放出することができる物質（例えば、ルテニウムまたはスズ）から作ることができる。表面１００２と衝突したプラズマイオンは、その物質の原子およびイオンを表面１００２から放出させ、プラズマ内に送り込み、原子およびイオンは、ＥＵＶ放射線を放出し、プラズマにより発生する放射線を大きくすることができる。
図１３は、プラズマ源室１０４の他の実施形態の断面図である。この実施形態では、１つまたは複数の磁石（全体として１１０１）は、プラズマの高輝度ゾーン１４４の近くに配置される。少なくとも１つの磁石１１０１は、永久磁石または電磁石のいずれかとすることができる。少なくとも１つの磁石１１０１をプラズマ室１０４内に入れると、少なくとも１つの磁石１１０１により発生する磁場は、局所的高輝度ゾーン１４４を形成する一領域を定める。磁石１１０１のさまざまな構成および配置が可能であることは理解される。この実施形態では、磁石１１０１は、プラズマ放電領域１１２内のチャネル１３２内に配置される。他の実施形態では、１つまたは複数の磁石１１０１は、チャネル１３２の近く、ただし外側に配置することができる。このようにして、物理的物体（例えば、図１２Ａおよび１２Ｂの物体、ならびに図３Ａおよび３Ｂの円盤３０８）ではなく磁場を使用してプラズマ内に局所的高輝度ゾーン１４４を生成する一領域を定めることにより、プラズマイオン流束と物理的物体との間の衝突の結果生じる粒子、帯電粒子、イオン、分子、および原子の流束を低減する。
本明細書で説明されている内容の変更形態、修正形態、および他の実装は、当業者であれば、請求項にある通り本発明の精神および範囲から逸脱することなく、思い付くことであろう。したがって、本発明は、前記の例示的説明ではなく、その代わりに、請求項の精神および範囲により定められる。
本発明の例示的な実施形態による、プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアの断面図である。 本発明の例示的な一実施形態による、プラズマ源の概略電気回路モデルの図である。 図３Ａは本発明の他の例示的な実施形態による、プラズマ内に非一様性を生じさせるための２つの磁気コアおよび特徴の断面図である。図３Ｂは図３Ａの一領域の内部取出図である。 本発明の例示的な一実施形態による、プラズマ源の概略電気回路モデルの図である。 本発明の例示的な一実施形態による、プラズマ源の等角図である。 図５Ａのプラズマ源の切欠図である。 本発明の例示的な実施形態による、リソグラフィシステムの概略ブロック図である。 本発明の例示的な実施形態による、顕微鏡システムの概略ブロック図である。 図８Ａは本発明の例示的な一実施形態による、挿入物の配置を例示するプラズマ源の等角図の切欠図である。図８Ｂは図８Ａの領域の内部取出図である。 本発明の例示的な実施形態による、非対称内部幾何学的形状を持つ挿入物の断面図である。 本発明の例示的な一実施形態による、挿入物の等角図である。 本発明の例示的な一実施形態による、挿入物の等角図である。 本発明の例示的な実施形態による、フィルタの配置の概略図である。 本発明の例示的な一実施形態による、フィルタの概略図である。 図１１Ａのフィルタの断面図である。 図１２Ａは本発明の例示的な実施形態による、プラズマからの熱およびイオン流束を大きな表面領域上に拡散させるためのシステムの概略側面図である。図１２Ｂは図１２Ａのシステムの概略端面図である。 本発明の例示的な実施形態による、高輝度ゾーンを形成する磁石の配置を示す、プラズマ室の断面図である。

Claims (210)

  1. 光源であって、
    プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室と、
    前記プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアと、
    エネルギーの少なくとも１つのパルスを一次巻線を介して前記磁気コアに供給し、前記プラズマ放電領域内に形成されファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマに電力を送るパルス電力システムと、を備え、
    前記トランスは前記一次巻線及び前記磁気コアを含むものであり、前記プラズマは局所的高輝度ゾーンを有し、前記プラズマは、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマループである、光源。
  2. 前記プラズマの電流密度が前記プラズマ内の電流経路にそって変化する請求項１に記載の光源。
  3. 前記ゾーンは、高輝度光の点源である請求項１に記載の光源。
  4. 前記ゾーンは、前記プラズマがピンチ効果で収縮し、ネックを形成する領域である請求項１に記載の光源。
  5. 前記室内の特徴により前記ゾーンが形成される請求項１に記載の光源。
  6. ガス圧力により前記ゾーンが形成される請求項１に記載の光源。
  7. 前記プラズマの電流により前記ゾーンが形成される請求項１に記載の光源。
  8. 前記特徴は、前記プラズマによる発光を実質的に局在化するように構成される請求項５に記載の光源。
  9. 前記特徴は、前記磁気コアに関して離れた場所に配置される請求項５に記載の光源。
  10. 前記特徴は、前記プラズマによる発光を局在化するためネック状領域を定める請求項５に記載の光源。
  11. 前記特徴は、ガス入口を含む請求項５に記載の光源。
  12. 前記特徴は、冷却機能を備える請求項５に記載の光源。
  13. 前記冷却機能は、水の加圧された過冷却対流沸騰を伴う請求項１２に記載の光源。
  14. 前記磁気コアに供給されるエネルギーの前記少なくとも１つのパルスは、前記プラズマを形成する請求項１に記載の光源。
  15. 前記パルス電力システムは、毎秒約１００パルスから毎秒約１５，０００パルスまでの範囲の周波数のエネルギーのそれぞれのパルスを供給する請求項１に記載の光源。
  16. エネルギーのそれぞれのパルスは、約１０ｎｓから約１０μｓまでの持続時間の間に、供給される請求項１に記載の光源。
  17. 前記パルス電力システムは、エネルギー蓄積装置を備える請求項１に記載の光源。
  18. 前記エネルギー蓄積装置は、少なくとも１つのキャパシタを備える請求項１７に記載の光源。
  19. 前記パルス電力システムは、磁気パルス圧縮発生器を備える請求項１に記載の光源。
  20. 前記パルス電力システムは、エネルギーのパルスを前記磁気コアに送出するための磁気スイッチを備える請求項１に記載の光源。
  21. 前記パルス電力システムは、可飽和インダクタを備える請求項１に記載の光源。
  22. 前記磁気コアは、前記室内に配置されたチャネル領域内に少なくとも本質的に１つのＺピンチを発生させるように構成される請求項１に記載の光源。
  23. 前記磁気コアは、前記室内に配置されたチャネル領域内に少なくとも本質的に１つのキャピラリ放電を発生させるように構成される請求項１に記載の光源。
  24. さらに、前記イオン性媒体を前記室内に導入するための少なくとも１つの口を備える請求項１に記載の光源。
  25. 前記イオン性媒体は、キセノン、リチウム、スズ、窒素、アルゴン、ヘリウム、フッ素、アンモニア、スタンナン、クリプトン、およびネオンからなる群から選択された少なくとも１つまたは複数のガスである請求項１に記載の光源。
  26. 前記イオン性媒体をあらかじめイオン化するためのイオン源を備える請求項１に記載の光源。
  27. 前記イオン源は、紫外線灯、ＲＦ源、スパークプラグ、およびＤＣ放電源からなる群から選択された発生源である請求項２６に記載の光源。
  28. 少なくとも部分的に前記磁気コアを取り囲むエンクロージャを備える請求項１に記載の光源。
  29. 前記エンクロージャは、複数の孔を備える請求項２８に記載の光源。
  30. 複数のプラズマループは、前記磁気コアが前記プラズマに電力を送るときに前記複数の孔を通る請求項２９に記載の光源。
  31. 前記エンクロージャは、２つの平行板を備える請求項２９に記載の光源。
  32. 前記平行板は、導電性であり、前記コアの周りに一次巻線を形成する請求項３１に記載の光源。
  33. 冷却剤は、前記局所的高輝度ゾーンに隣接する場所を冷却するため前記エンクロージャ内を貫流する請求項２８に記載の光源。
  34. 前記エンクロージャは、銅、タングステン、アルミニウム、および銅タングステン合金からなる群から選択された物質を含む請求項２８に記載の光源。
  35. 前記特徴は、前記磁気コア内に配置されたチャンネルを交互に覆い露出する回転円盤内の少なくとも１つのアパーチャである請求項５に記載の光源。
  36. 前記円盤から前記室の冷却された表面に薄ガス層が熱を伝達する請求項３５に記載の光源。
  37. 前記光源は、前記光源がプラズマ放電を発生するときに約１００ｎｍよりも短い波長の光を発生するように構成される請求項１に記載の光源。
  38. 光源であって、
    プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室と、
    前記プラズマ放電領域の一部を囲む第１の磁気コアを備えるトランスと、
    電流によって前記第１の磁気コアとリンクされた第２の磁気コアと、
    第１の信号を前記第２の磁気コアに供給する電源と、を備え、
    前記第２の磁気コアは、前記第２の磁気コアが飽和したときに第２の信号を前記第１の磁気コアに供給し、前記第１の磁気コアは、前記第２の信号に対する応答として前記イオン性媒体から前記プラズマ放電領域内に形成されファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマに電力を送り、
    前記プラズマは、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマループである、光源。
  39. 前記第１の磁気コアの周りに一次巻線を形成し、前記第１および第２の磁気コアをリンクする前記電流を伝導する２つの平行板を備える請求項３８に記載の光源。
  40. 前記第２の磁気コアから前記プラズマ放電領域の前記一部を囲む前記磁気コアに流れる誘導漏れ電流は、前記イオン性媒体をあらかじめイオン化する請求項３８に記載の光源。
  41. 光源であって、
    チャネル領域を有し、イオン性媒体を含む室と、
    前記チャネル領域の一部を囲む磁気コアと、
    エネルギーの少なくとも１つのパルスを一次巻線を介して前記磁気コアに供給し、前記イオン性媒体を励起し、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成する前記チャネル領域内のプラズマに少なくとも本質的な１つのＺピンチを形成するためのパルス電力システムと、を備え、
    前記トランスは前記一次巻線及び前記磁気コアを含むものであり、
    前記プラズマは、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマループである、光源。
  42. 前記プラズマの電流密度は、約１ＫＡ／ｃｍ２よりも高い請求項４１に記載の光源。
  43. 前記チャネル領域内の圧力は、約１００ｍＴｏｒｒ未満である請求項４１に記載の光源。
  44. 光源であって、
    発光の実質的部分を放出する局所的高輝度ゾーンとともに発光プラズマを含む室と、
    前記発光プラズマの一部を囲む磁気コアと、
    エネルギーの少なくとも１つのパルスを一次巻線を介して前記磁気コアに供給し、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成する前記プラズマに電力を送るためのパルス電力システムと、を備え、
    前記トランスは前記一次巻線及び前記磁気コアを含むものであり、
    前記プラズマは、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマループである、光源。
  45. 光源であって、
    プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室と、
    前記プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアと、
    エネルギーの少なくとも１つのパルスを一次巻線を介して前記磁気コアに供給し、前記プラズマ放電領域内に形成されファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマに電力を送る手段を備え、
    前記トランスは前記一次巻線及び前記磁気コアを含むものであり、前記プラズマは局所的高輝度ゾーンを有し、
    前記プラズマは、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマループである、光源。
  46. プラズマ源であって、
    プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室と、
    前記プラズマ放電領域の一部を囲み、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成する前記プラズマ内にＺピッチを形成するのに十分な電流を誘導する磁気コアとを備え、
    前記トランスは前記磁気コアを含むものであり、
    前記プラズマは、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマループである、プラズマ源。
  47. 光信号を発生する方法であって、
    プラズマを発生することができるイオン性媒体を室内に導入する工程と、
    磁気コアがファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成する前記プラズマに電力を送るように前記室内のプラズマ放電領域の一部を囲む前記磁気コアに一次巻線を介してエネルギーの少なくとも１つのパルスを印加する工程と、を含み、
    前記トランスは前記一次巻線及び前記磁気コアを含むものであり、前記プラズマは局所的高輝度ゾーンを有し、
    前記プラズマは、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマループである、方法。
  48. 前記プラズマの電流密度が前記プラズマ内の電流経路にそって電流密度を変化する請求項４７に記載の方法。
  49. 前記ゾーンは、高輝度光の点源である請求項４７に記載の方法。
  50. 前記ゾーンは、前記プラズマがピンチ効果で収縮し、ネックを形成する領域である請求項４７に記載の方法。
  51. 前記プラズマによる発光を局在化するためネック状領域を定める工程を含む請求項４７に記載の方法。
  52. 前記パルス電力システムは、エネルギー蓄積装置を備える請求項４７に記載の方法。
  53. 前記エネルギー蓄積装置は、少なくとも１つのキャパシタを備える請求項５２に記載の方法。
  54. 前記パルス電力システムは、第２の磁気コアを備える請求項４７に記載の方法。
  55. 前記第２の磁気コアからエネルギーのそれぞれのパルスを前記第１の磁気コアに放出し、前記プラズマに電力を送る工程を含む請求項５４に記載の方法。
  56. 前記第２の磁気コアから前記プラズマ放電領域の前記一部を囲む前記磁気コアに流れる誘導漏れ電流を使用して前記イオン性媒体をあらかじめイオン化する工程を含む請求項５４に記載の方法。
  57. エネルギーのパルスのパルス幅を前記磁気コアに印加するのに先立って圧縮する工程を含む請求項４７に記載の方法。
  58. 前記室内に配置されたチャネル領域内に少なくとも本質的に１つのＺピンチを発生させる工程を含む請求項４７に記載の方法。
  59. 前記室内に配置されたチャネル領域内に少なくとも本質的に１つのキャピラリ放電を発生させる工程を含む請求項４７に記載の方法。
  60. 少なくとも１つの口を介して前記イオン性媒体を前記室内に導入する工程を含む請求項４７に記載の方法。
  61. キセノン、リチウム、スズ、窒素、アルゴン、ヘリウム、フッ素、アンモニア、スタンナン、クリプトン、およびネオンからなる群から選択された少なくとも１つまたは複数のガスを含むイオン性媒体を供給する工程を含む請求項４７に記載の方法。
  62. イオン源で前記イオン性媒体をあらかじめイオン化する工程を含む請求項４７に記載の方法。
  63. エンクロージャの２つの平行板で前記コアの周りに一次巻線を形成する工程を含む請求項４７に記載の方法。
  64. 約１００ｎｍよりも短い波長の光を発生する工程を含む請求項４７に記載の方法。
  65. 半導体製造のためのリソグラフィシステムであって、
    少なくとも１つの光収集光学系と、
    前記少なくとも１つの光収集光学系と光で連絡する少なくとも１つの集光器光学系と、
    前記少なくとも１つの光収集光学系により収集するために光を発生することができる光源であって、
    ｉ．プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室と、
    ｉｉ．前記プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアと、
    ｉｉｉ．エネルギーの少なくとも１つのパルスを一次巻線を介して前記磁気コアに供給し、前記プラズマ放電領域内に形成されファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマに電力を送るパルス電力システムと、を備える光源と、を備え、
    前記トランスは前記一次巻線及び前記磁気コアを含むものであり、前記プラズマは局所的高輝度ゾーンを有し、前記プラズマは、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマループである、リソグラフィシステム。
  66. 前記プラズマにより放射される光は、前記少なくとも１つの光収集光学系により収集され、前記少なくとも１つの集光器光学系により集光され、少なくとも部分的にリソグラフィマスクに通される請求項６５に記載のリソグラフィシステム。
  67. 前記プラズマの電流密度が前記プラズマ内の電流経路にそって電流密度を変化する請求項６５に記載のリソグラフィシステム。
  68. 前記ゾーンは、高輝度光の点源である請求項６５に記載のリソグラフィシステム。
  69. 前記ゾーンは、前記プラズマがピンチ効果で収縮し、ネックを形成する領域である請求項６５に記載のリソグラフィシステム。
  70. 前記室内の特徴により前記ゾーンが形成される請求項６５に記載のリソグラフィシステム。
  71. ガス圧力により前記ゾーンが形成される請求項６５に記載のリソグラフィシステム。
  72. 前記プラズマの電流により前記ゾーンが形成される請求項６５に記載のリソグラフィシステム。
  73. 前記特徴は、前記プラズマによる発光を実質的に局在化するように構成される請求項７０に記載のリソグラフィシステム。
  74. 前記特徴は、前記磁気コアに関して離れた場所に配置される請求項７０に記載のリソグラフィシステム。
  75. 前記特徴は、前記プラズマによる発光を局在化するためネック状領域を定める請求項７０に記載のリソグラフィシステム。
  76. 前記特徴は、ガス入口を含む請求項７０に記載のリソグラフィシステム。
  77. 前記特徴は、冷却機能を備える請求項７０に記載のリソグラフィシステム。
  78. 前記冷却機能は、水の加圧された過冷却対流沸騰を伴う請求項７７に記載のリソグラフィシステム。
  79. 前記磁気コアに供給されるエネルギーの前記少なくとも１つのパルスは、前記プラズマを形成する請求項６５に記載のリソグラフィシステム。
  80. 前記パルス電力システムは、毎秒約１００パルスから毎秒約１５，０００パルスまでの範囲の周波数のエネルギーのそれぞれのパルスを供給する請求項６５に記載のリソグラフィシステム。
  81. エネルギーのそれぞれのパルスは、約１０ｎｓから約１０μｓまでの持続時間の間に、供給される請求項６５に記載のリソグラフィシステム。
  82. 前記パルス電力システムは、エネルギー蓄積装置を備える請求項６５に記載のリソグラフィシステム。
  83. 前記エネルギー蓄積装置は、少なくとも１つのキャパシタを備える請求項８２に記載のリソグラフィシステム。
  84. 前記パルス電力システムは、第２の磁気コアを備える請求項６５に記載のリソグラフィシステム。
  85. 前記第２の磁気コアは、エネルギーのそれぞれのパルスを前記第１の磁気コアに放出し、前記プラズマに電力を送る請求項８４に記載のリソグラフィシステム。
  86. 前記第２の磁気コアから前記プラズマ放電領域の前記一部を囲む前記磁気コアに流れる誘導漏れ電流は、前記イオン性媒体をあらかじめイオン化する請求項８４に記載のリソグラフィシステム。
  87. 前記パルス電力システムは、磁気圧縮パルス発生器を備える請求項６５に記載のリソグラフィシステム。
  88. 前記パルス電力システムは、エネルギーの前記パルスを前記磁気コアに送出するための磁気スイッチを備える請求項６５に記載のリソグラフィシステム。
  89. 前記パルス電力システムは、可飽和インダクタを備える請求項６５に記載のリソグラフィシステム。
  90. 前記磁気コアは、前記室内に配置されたチャネル領域内に少なくとも本質的に１つのＺピンチを発生させるように構成される請求項６５に記載のリソグラフィシステム。
  91. 前記磁気コアは、前記室内に配置されたチャネル領域内に少なくとも本質的に１つのキャピラリ放電を発生させるように構成される請求項６５に記載のリソグラフィシステム。
  92. さらに、前記イオン性媒体を前記室内に導入するための少なくとも１つの口を備える請求項６５に記載のリソグラフィシステム。
  93. 前記イオン性媒体は、キセノン、リチウム、スズ、窒素、アルゴン、ヘリウム、フッ素、アンモニア、スタンナン、クリプトン、およびネオンからなる群から選択された少なくとも１つまたは複数のガスである請求項６５に記載のリソグラフィシステム。
  94. 前記イオン性媒体をあらかじめイオン化するためのイオン源を備える請求項６５に記載のリソグラフィシステム。
  95. 前記イオン源は、紫外線灯、ＲＦ源、スパークプラグ、およびＤＣ放電源からなる群から選択された発生源である請求項９４に記載のリソグラフィシステム。
  96. 少なくとも部分的に前記磁気コアを取り囲むエンクロージャを備える請求項６５に記載のリソグラフィシステム。
  97. 前記エンクロージャは、複数の孔を備える請求項９６に記載のリソグラフィシステム。
  98. 複数のプラズマループは、前記磁気コアが前記プラズマに電力を送るときに前記複数の孔を通る請求項９７に記載のリソグラフィシステム。
  99. 前記エンクロージャは、２つの平行板を備える請求項９６に記載のリソグラフィシステム。
  100. 前記平行板は、導電性であり、前記コアの周りに一次巻線を形成する請求項９９に記載のリソグラフィシステム。
  101. 冷却剤は、前記局所的高輝度ゾーンに隣接する場所を冷却するため前記エンクロージャ内を貫流する請求項９６に記載のリソグラフィシステム。
  102. 前記エンクロージャは、銅、タングステン、アルミニウム、および銅タングステン合金からなる群から選択された物質を含む請求項９６に記載のリソグラフィシステム。
  103. 前記特徴は、磁気コア内に配置されたチャネルを交互に露出又は覆う回転円盤内の少なくとも１つのアパーチャである請求項７０に記載のリソグラフィシステム。
  104. 前記円盤から前記室の冷却された表面に薄ガス層が熱を伝達する請求項１０３に記載のリソグラフィシステム。
  105. 前記光源は、前記光源がプラズマ放電を発生するときに約１００ｎｍよりも短い波長の光を発生するように構成される請求項６５に記載のリソグラフィシステム。
  106. リソグラフィシステム内の半導体ウェハを照射する方法であって、
    プラズマを発生することができるイオン性媒体を室内に導入する工程と、
    磁気コアがファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成する前記プラズマに電力を送るように前記室内のプラズマ放電領域の一部を囲む前記磁気コアにエネルギーの少なくとも１つのパルスを一次巻線を介して印加する工程であって、前記トランスは前記一次巻線及び前記磁気コアを含むものであり、前記プラズマは、局所的高輝度ゾーンを有し、前記プラズマは、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマループである、工程と、
    前記プラズマにより放射された光を収集する工程と、
    前記収集された光を集光する工程と、
    前記集光された光の少なくとも一部をマスクに通し、半導体ウェハの表面上に送る工程とを含む方法。
  107. リソグラフィシステム内の半導体ウェハを照射する方法であって、
    プラズマを発生することができるイオン性媒体を室内に導入する工程と、
    磁気コアがファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成する前記プラズマに電力を送るように前記室内のプラズマ放電領域の一部を囲む前記磁気コアにエネルギーの少なくとも１つのパルスを一次巻線を介して印加し、前記トランスは前記一次巻線及び前記磁気コアを含むものであり、前記プラズマは、局所的高輝度ゾーンを有し、前記プラズマは、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマループである、工程と、
    前記プラズマにより放射された光を収集する工程と、
    前記収集された光を集光する工程と、
    前記集光された光の少なくとも一部をマスクから反射し、半導体ウェハの表面上に送る工程とを含む方法。
  108. 半導体製造のためのリソグラフィシステムであって、
    少なくとも１つの光収集光学系と、
    前記少なくとも１つの収集光学系と光で連絡する少なくとも１つの集光器光学系と、
    前記少なくとも１つの光収集光学系により収集するために光を発生することができる光源と、を備え
    前記光源は、
    ｉ．プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室と、
    ｉｉ．前記プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアと、
    ｉｉｉ．エネルギーの少なくとも１つのパルスを前記磁気コアに一次巻線を介して供給する手段であって、前記プラズマ放電領域内に形成されファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマに電力を送り、前記トランスは前記一次巻線及び前記磁気コアを含むものであり、前記プラズマは局所的高輝度ゾーンを有し、前記プラズマは、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマループである手段とを備える、リソグラフィシステム。
  109. 顕微鏡システムであって、
    光を収集するための第１の光学素子と、
    試料の像を検出器上に投射するための第２の光学素子であって、前記検出器は前記第１および第２の光学素子と光で連絡する、第２の光学素子と、
    前記第１の光学素子と光で連絡する光源と、を備え
    前記光源は、
    ｉ．プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室と、
    ｉｉ．前記プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアと、
    ｉｉｉ．エネルギーの少なくとも１つのパルスを前記磁気コアに一次巻線を介して供給する手段であって、前記プラズマ放電領域内に形成されファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマに電力を送り、前記トランスは前記一次巻線及び前記磁気コアを含むものであり、前記プラズマは局所的高輝度ゾーンを有し、前記プラズマは、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマループである、パルス電力システムとを備える、顕微鏡システム。
  110. 前記第１の光学素子は、前記光源により放射される光を収集して前記試料を照射し、前記第２の光学素子は、前記試料の像を前記検出器上に投射する請求項１０９に記載の顕微鏡システム。
  111. 前記プラズマの電流密度が前記プラズマ内の電流経路にそって電流密度を変化する請求項１０９に記載の顕微鏡システム。
  112. 前記ゾーンは、高輝度光の点源である請求項１０９に記載の顕微鏡システム。
  113. 前記ゾーンは、前記プラズマがピンチ効果で収縮し、ネックを形成する領域である請求項１０９に記載の顕微鏡システム。
  114. 前記室内の特徴により前記ゾーンが形成される請求項１０９に記載の顕微鏡システム。
  115. ガス圧力により前記ゾーンが形成される請求項１０９に記載の顕微鏡システム。
  116. 前記プラズマの電流により前記ゾーンが形成される請求項１０９に記載の顕微鏡システム。
  117. 前記特徴は、前記プラズマによる発光を実質的に局在化するように構成される請求項１１４に記載の顕微鏡システム。
  118. 前記特徴は、前記磁気コアに関して離れた場所に配置される請求項１１４に記載の顕微鏡システム。
  119. 前記特徴は、前記プラズマによる発光を局在化するためネック状領域を定める請求項１１４に記載の顕微鏡システム。
  120. 前記特徴は、ガス入口を含む請求項１１４に記載の顕微鏡システム。
  121. 前記特徴は、冷却機能を備える請求項１１４に記載の顕微鏡システム。
  122. 前記磁気コアに供給されるエネルギーの前記少なくとも１つのパルスは、前記プラズマを形成する請求項１０９に記載の顕微鏡システム。
  123. 前記パルス電力システムは、毎秒約１００パルスから毎秒約１５，０００パルスまでの範囲の周波数のエネルギーのそれぞれのパルスを供給する請求項１０９に記載の顕微鏡システム。
  124. エネルギーのそれぞれのパルスは、約１０ｎｓから約１０μｓまでの持続時間の間に、供給される請求項１０９に記載の顕微鏡システム。
  125. 前記パルス電力システムは、エネルギー蓄積装置を備える請求項１０９に記載の顕微鏡システム。
  126. 前記エネルギー蓄積装置は、少なくとも１つのキャパシタを備える請求項１２５に記載の顕微鏡システム。
  127. 前記パルス電力システムは、第２の磁気コアを備える請求項１０９に記載の顕微鏡システム。
  128. 前記第２の磁気コアは、エネルギーのそれぞれのパルスを前記第１の磁気コアに放出し、前記プラズマに電力を送る請求項１２７に記載の顕微鏡システム。
  129. 前記第２の磁気コアから前記プラズマ放電領域の前記一部を囲む前記磁気コアに流れる誘導漏れ電流は、前記イオン性媒体をあらかじめイオン化する請求項１２７に記載の顕微鏡システム。
  130. 前記パルス電力システムは、磁気圧縮パルス発生器を備える請求項１０９に記載の顕微鏡システム。
  131. 前記パルス電力システムは、エネルギーのパルスを前記磁気コアに送出するための磁気スイッチを備える請求項１０９に記載の顕微鏡システム。
  132. 前記パルス電力システムは、可飽和インダクタを備える請求項１０９に記載の顕微鏡システム。
  133. 前記磁気コアは、前記室内に配置されたチャネル領域内に少なくとも本質的に１つのＺピンチを発生させるように構成される請求項１０９に記載の顕微鏡システム。
  134. 前記磁気コアは、前記室内に配置されたチャネル領域内に少なくとも本質的に１つのキャピラリ放電を発生させるように構成される請求項１０９に記載の顕微鏡システム。
  135. さらに、前記イオン性媒体を前記室内に導入するための少なくとも１つの口を備える請求項１０９に記載の顕微鏡システム。
  136. 前記イオン性媒体は、キセノン、リチウム、スズ、窒素、アルゴン、ヘリウム、フッ素、アンモニア、スタンナン、クリプトン、およびネオンからなる群から選択された少なくとも１つまたは複数のガスである請求項１０９に記載の顕微鏡システム。
  137. 前記イオン性媒体をあらかじめイオン化するためのイオン源を備える請求項１０９に記載の顕微鏡システム。
  138. 前記イオン源は、紫外線灯、ＲＦ源、スパークプラグ、およびＤＣ放電源からなる群から選択された発生源である請求項１３７に記載の顕微鏡システム。
  139. 少なくとも部分的に前記磁気コアを取り囲むエンクロージャを備える請求項１０９に記載の顕微鏡システム。
  140. 前記エンクロージャは、複数の孔を備える請求項１３９に記載の顕微鏡システム。
  141. 複数のプラズマループは、前記磁気コアが前記プラズマに電力を送るときに前記複数の孔を通る請求項１４０に記載の顕微鏡システム。
  142. 前記エンクロージャは、２つの平行板を備える請求項１３９に記載の顕微鏡システム。
  143. 前記平行板は、導電性であり、前記コアの周りに一次巻線を形成する請求項１４２に記載の顕微鏡システム。
  144. 冷却剤は、前記局所的高輝度ゾーンに隣接する場所を冷却するため前記エンクロージャ内を貫流する請求項１３９に記載の顕微鏡システム。
  145. 前記エンクロージャは、銅、タングステン、アルミニウム、および銅タングステン合金からなる群から選択された物質を含む請求項１３９に記載の顕微鏡システム。
  146. 前記プラズマは、トランスの二次側を形成する請求項１０９に記載の顕微鏡システム。
  147. 前記特徴は、前記磁気コア内に配置されたチャンネルを交互に覆い露出する回転円盤内の少なくとも１つのアパーチャである請求項１１４に記載の顕微鏡システム。
  148. 前記円盤から前記室の冷却された表面に薄ガス層が熱を伝達する請求項１４７に記載の顕微鏡システム。
  149. 前記光源は、前記光源がプラズマ放電を発生するときに約１００ｎｍよりも短い波長の光を発生するように構成される請求項１０９に記載の顕微鏡システム。
  150. 顕微鏡法であって、
    プラズマを発生することができるイオン性媒体を室内に導入する工程と、
    前記室内のプラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアがファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成する前記プラズマに電力を送るように前記磁気コアにエネルギーの少なくとも１つのパルスを一次巻線を介して印加する工程であって、前記トランスは前記一次巻線及び前記磁気コアを含むものであり、前記プラズマは、局所的高輝度ゾーンを有し、前記プラズマは、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマループである、工程と、
    前記プラズマにより放射された光を第１の光学素子で収集する工程と、
    前記収集された光を試料に投射して通す工程と、
    前記試料を通して放射された前記光を検出器に投射する工程と、を含む顕微鏡法。
  151. 顕微鏡システムであって、
    レンズと、
    前記レンズと光で連絡している検出器と、
    前記レンズと光で連絡する光源と、
    を備え、前記光源は、
    ｉ．プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室と、
    ｉｉ．前記プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアと、
    ｉｉｉ．エネルギーの少なくとも１つのパルスを一次巻線を介して前記磁気コアに供給し、前記磁気コアがファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成する前記プラズマに電力をおくり、前記プラズマがプラズマ放電領域内に形成され、前記トランスは前記一次巻線及び前記磁気コアを含むものであり、前記プラズマは局所的高輝度ゾーンを有し、前記プラズマは、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマループである手段と、を備える顕微鏡システム。
  152. 請求項１ないし４５のいずれか１項に記載の光源用の挿入物であって、
    少なくとも１つの内部通路を定め、第１の開放端と第２の開放端とを備える本体と、
    プラズマ放電領域内で誘導駆動プラズマ光源と結合するように適合された外面とを備える挿入物。
  153. 前記少なくとも１つの内部通路は、前記プラズマ内に局所的高輝度ゾーンを形成する領域を定める請求項１５２に記載の挿入物。
  154. 消耗品である請求項１５２に記載の挿入物。
  155. 冷却構造物と熱で連絡する請求項１５２に記載の挿入物。
  156. 前記外面は、前記プラズマ光源の室の内側のリセプタクルのねじ山により前記プラズマ源に結合される請求項１５２に記載の挿入物。
  157. 前記プラズマ光源の室内のリセプタクルに滑りばめされ、前記プラズマ放電領域内のプラズマによる加熱のため締まる請求項１５２に記載の挿入物。
  158. 前記挿入物の前記少なくとも１つの内部通路の少なくとも１つの表面は、プラズマスパッタ速度の遅い物質を含む請求項１５２に記載の挿入物。
  159. 前記物質は、カーボン、チタン、タングステン、ダイヤモンド、黒鉛、炭化ケイ素、ケイ素、ルテニウム、および耐熱材料からなる群から選択される請求項１５８に記載の挿入物。
  160. 前記挿入物の前記少なくとも１つの内部通路の少なくとも１つの表面は、プラズマスパッタ速度の遅い、熱伝導率の高い物質を含む請求項１５２に記載の挿入物。
  161. 前記物質は、高配向熱分解黒鉛または熱分解黒鉛である請求項１６０に記載の挿入物。
  162. 前記挿入物の前記少なくとも１つの内部通路の少なくとも１つの表面は、ＥＵＶ放射線の吸収率の低い物質を含む請求項１５２に記載の挿入物。
  163. 前記物質は、ルテニウムおよびケイ素からなる群から選択される請求項１６２に記載の挿入物。
  164. 前記少なくとも１つの内部通路の形状は、前記高輝度ゾーンのサイズおよび形状を制御するために使用される請求項１５３に記載の挿入物。
  165. 前記少なくとも１つの内部通路は、前記第１の開放端と前記第２の開放端との中程の直線を中心に非対称的である幾何学的形状を有する内面を持つ請求項１６４に記載の挿入物。
  166. 前記少なくとも１つの内部通路は、前記内部通路の端から端までの最小寸法よりも実質的に小さい曲率半径により定められる幾何学的形状を持つ内面を有する請求項１６４に記載の挿入物。
  167. 前記少なくとも１つの内部通路は、前記内部通路の端から端までの最小寸法の約２５％から約１００％までの範囲の曲率半径により定められる幾何学的形状を持つ内面を有する請求項１６４に記載の挿入物。
  168. 前記少なくとも１つの内部通路は、前記少なくとも１つの内部通路の縮小された寸法を定める内面を有する請求項１６４に記載の挿入物。
  169. 前記本体は、２つまたはそれ以上の本体により定められる請求項１５２に記載の挿入物。
  170. 請求項１ないし４５のいずれか１項に記載の光源用の挿入物であって、
    少なくとも１つの内部通路を定め、第１の開放端と第２の開放端とを備える本体と、
    プラズマ放電領域内で誘導駆動プラズマ光源と結合するための手段とを備える誘導駆動プラズマ光源用の挿入物。
  171. 前記本体内に少なくとも１つのガス入口孔を備える請求項１５２に記載の挿入物。
  172. 前記本体を通過する少なくとも１つの冷却チャネルを備える請求項１５２に記載の挿入物。
  173. ロボットアームを使用して交換することができる請求項１５２に記載の挿入物。
  174. 光源であって、
    プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室と、
    前記プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアと、
    エネルギーを前記磁気コアに一次巻線を介して供給し、前記プラズマ放電領域内に形成されファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマに電力を送り、前記トランスは前記一次巻線及び前記磁気コアを含むものであり、前記プラズマは局所的高輝度ゾーンを備え、前記プラズマは、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマループである、電力システムと、
    間接的または直接的プラズマ放出物を減らすため前記光源に関して配置されているフィルタと、を備える光源。
  175. 前記フィルタは、前記高輝度ゾーンから発せられる放射線の方向に実質的に平行である壁、および前記壁と壁の間のチャネルを備える請求項１７４に記載の光源。
  176. 前記放出物に曝される前記フィルタの表面は、プラズマスパッタ速度の低い物質を含む請求項１７４に記載の光源。
  177. 前記物質は、カーボン、チタン、タングステン、ダイヤモンド、黒鉛、炭化ケイ素、ケイ素、ルテニウム、および耐熱材料からなる群から選択される請求項１７６に記載の光源。
  178. 前記フィルタは、プラズマスパッタ速度の低い、熱伝導率の高い物質を含む請求項１７４に記載の光源。
  179. 前記物質は、高配向熱分解黒鉛（ＨＯＰＧ）または熱分解黒鉛（ＴＰＧ）である請求項１７８に記載の光源。
  180. 前記フィルタは、前記高輝度ゾーンから発せられる放射線に平行に進行しない放出物との衝突を最大にするように構成される請求項１７４に記載の光源。
  181. 前記フィルタは、前記高輝度ゾーンから発せられる放射線に平行に進行する放出物の低減を最小にするように構成される請求項１７４に記載の光源。
  182. 前記フィルタは、冷却チャネルを備える請求項１７４に記載の光源。
  183. ガスのカーテンは、前記フィルタと放射線以外の放出物との間の衝突を大きくするように前記フィルタの付近に保持される請求項１７４に記載の光源。
  184. 光信号を発生する方法であって、
    プラズマを発生することができるイオン性媒体を室内に導入する工程と、
    前記プラズマに電力を送るように前記室内のプラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアにエネルギーを一次巻線を介して印加し、前記プラズマがファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成し、前記トランスは前記一次巻線及び前記磁気コアを含むものであり、前記プラズマは、局所的高輝度ゾーンを有し、前記プラズマは、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマループである、工程と、
    前記プラズマの前記局所的高輝度ゾーンから発せられる放出物をフィルタ処理する工程とを含む方法。
  185. 前記フィルタ処理する工程は、前記高輝度ゾーンから発せられる放射線の方向に実質的に平行である壁、および前記壁と壁の間のチャネルを配置する工程を含む請求項１８４に記載の方法。
  186. 前記放出物に曝される前記フィルタの表面は、プラズマスパッタ速度の低い物質を含む請求項１８４に記載の方法。
  187. 前記物質は、カーボン、チタン、タングステン、ダイヤモンド、黒鉛、炭化ケイ素、ケイ素、ルテニウム、および耐熱材料からなる群から選択される請求項１８６に記載の方法。
  188. 前記フィルタは、プラズマスパッタ速度の低い、熱伝導率の高い物質を含む請求項１８４に記載の方法。
  189. 前記物質は、高配向熱分解黒鉛（ＨＯＰＧ）または熱分解黒鉛である請求項１８８に記載の方法。
  190. プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室と、
    前記プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアと、
    エネルギーを前記磁気コアに一次巻線を介して供給し、前記プラズマ放電領域内に形成されファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマに電力を送り、前記トランスは前記一次巻線及び前記磁気コアを含むものであり、前記プラズマは局所的高輝度ゾーンを備え、前記プラズマは、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマループである、電力システムと、
    前記高輝度ゾーンから放出される放射線の方向に実質的に平行に進行する放出物の低減を最小にするための手段と、
    前記高輝度ゾーンから放出される放射線の方向に実質的に平行でない方向に進行する放出物の低減を最大にするための手段と、
    を備える光源。
  191. 請求項１ないし４５のいずれか１項に記載の光源において、誘導駆動プラズマからの熱流束およびイオン流束を大きな表面領域上に拡散させるためのシステムであって、
    誘導駆動プラズマ源内のプラズマの一領域内に配置された、外面を有する、少なくとも１つの物体と、
    前記物体と熱で連絡している冷却チャネルとを備え、
    前記物体の少なくとも前記外面は、前記プラズマに関して移動するシステム。
  192. 前記少なくとも１つの物体の前記外面は、犠牲層を備える請求項１９０に記載のシステム。
  193. 前記犠牲層は、前記外面上に連続的にコーティングされる請求項１９１に記載のシステム。
  194. 前記犠牲層は、ＥＵＶ放射線を放出する物質を含む請求項１９１に記載のシステム。
  195. 前記物質は、リチウムまたはスズである請求項１９４に記載のシステム。
  196. 前記少なくとも１つの物体は、密集して並ぶ２本の棒である請求項１９１に記載のシステム。
  197. 前記棒の間の空間は、前記プラズマ内に局所的高輝度ゾーンを形成する一領域を定める請求項１９６に記載のシステム。
  198. 前記少なくとも１つの物体の局所幾何学的形状は、局所的高輝度ゾーンを形成する一領域を定める請求項１９１に記載のシステム。
  199. 光源であって、
    プラズマ放電領域を有し、イオン性媒体を含む室と、
    前記プラズマ放電領域の一部を囲む磁気コアと、
    エネルギーの少なくとも１つのパルスを一次巻線を介して前記磁気コアに供給し、前記プラズマ放電領域内に形成されファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマに電力を送り、前記トランスは前記一次巻線及び前記磁気コアを含むものであり、前記プラズマは局所的高輝度ゾーンを有し、前記プラズマは、ファラデーの電磁誘導の法則に従ってトランスの二次側を形成するプラズマループである、パルス電力システムと、
    前記プラズマの形状を修正するために前記室内に配置された磁石とを備える光源。
  200. 前記磁石は、前記局所的高輝度ゾーンを形成する請求項１９９に記載の光源。
  201. 前記磁石は、永久磁石または電磁石である請求項１９９に記載の光源。
  202. 前記磁石は、前記高輝度ゾーンに隣接して配置される請求項１９９に記載の光源。
  203. 前記プラズマループは、前記磁気コアを取り囲む請求項３６に記載の光源。
  204. 前記磁気コア及び前記トランスの一次巻線の回りに導電路を形成する２枚の導電性の平行板を備えた請求項１の光源。
  205. 前記磁気コア及び前記トランスの一次巻線の回りに導電路を形成する金属片を備えた請求項２０４に記載の光源。
  206. 前記プラズマに供給される電力は、前記磁気コアにより形成される磁場及び前記トランスに供給されるエネルギーのパルスの周波数及び持続時間に基づく請求項２０５に記載の光源。
  207. 前記プラズマループは、前記磁気コアを取り囲む請求項１０２に記載のリソグラフィシステム。
  208. 前記磁気コア及び前記トランスの一次巻線の回りに導電路を形成する２枚の導電性の平行板を備えた請求項６５に記載のリソグラフィシステム。
  209. 前記磁気コア及び前記トランスの一次巻線の回りに導電路を形成する金属片を備えた請求項２０８に記載のリソグラフィシステム。
  210. 前記プラズマに供給される電力は、前記磁気コアにより形成される磁場及び前記トランスに供給されるエネルギーのパルスの周波数及び持続時間に基づく請求項６５に記載のリソグラフィシステム。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9277634B2 (en) 2013-01-17 2016-03-01 Kla-Tencor Corporation Apparatus and method for multiplexed multiple discharge plasma produced sources
DE102020206876B4 (de) 2020-06-03 2022-01-05 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Strahlungsquelle, Einsatz für eine EUV-Strahlungsquelle und Einsatz für einen Einsatz für eine EUV-Strahlungsquelle
US20240194454A1 (en) * 2022-12-08 2024-06-13 Hamamatsu Photonics K.K. Inductively Coupled Plasma Light Source with Direct Gas Injection
US20240196506A1 (en) * 2022-12-08 2024-06-13 Hamamatsu Photonics K.K. Inductively Coupled Plasma Light Source with Switched Power Supply

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3509490A (en) * 1967-04-26 1970-04-28 Ibm Inductive excitation system for plasma
US3500118A (en) * 1967-07-17 1970-03-10 Gen Electric Electrodeless gaseous electric discharge devices utilizing ferrite cores
US3535653A (en) * 1967-11-15 1970-10-20 Ibm Multiple loop excitation system for plasma
US4042848A (en) * 1974-05-17 1977-08-16 Ja Hyun Lee Hypocycloidal pinch device
JPS6013264B2 (ja) * 1975-12-18 1985-04-05 ゼネラル エレクトリツク コンパニー 螢光灯
JPS56125882A (en) * 1980-03-07 1981-10-02 Sumitomo Electric Ind Ltd Manufacture of silicon solar cell
NL8004175A (nl) * 1980-07-21 1982-02-16 Philips Nv Frequentie-omzetter voor het voeden van een elektrodeloze ontladingslamp.
JPS58152352A (ja) * 1982-03-05 1983-09-09 Seiko Epson Corp Ｘ線発生装置
JPS61106007U (ja) * 1984-12-18 1986-07-05
JPS61163547A (ja) * 1985-01-14 1986-07-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ｘ線取り出し窓
JPS6348733A (ja) * 1986-08-14 1988-03-01 Nichicon Corp Ｘ線発生装置
JPH02256233A (ja) * 1989-03-29 1990-10-17 Hitachi Ltd プラズマ処理方法および装置
JPH02267896A (ja) * 1989-04-06 1990-11-01 Seiko Epson Corp Ｘ線発生装置
WO1990013136A1 (en) * 1989-04-17 1990-11-01 Auchterlonie Richard C Magnetic fusion reactor and ignition method
US5746875A (en) * 1994-09-16 1998-05-05 Applied Materials, Inc. Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor
US5821705A (en) * 1996-06-25 1998-10-13 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Dielectric-wall linear accelerator with a high voltage fast rise time switch that includes a pair of electrodes between which are laminated alternating layers of isolated conductors and insulators
US5736021A (en) * 1996-07-10 1998-04-07 Applied Materials, Inc. Electrically floating shield in a plasma reactor
US6566668B2 (en) * 1997-05-12 2003-05-20 Cymer, Inc. Plasma focus light source with tandem ellipsoidal mirror units
US6744060B2 (en) * 1997-05-12 2004-06-01 Cymer, Inc. Pulse power system for extreme ultraviolet and x-ray sources
US6541786B1 (en) * 1997-05-12 2003-04-01 Cymer, Inc. Plasma pinch high energy with debris collector
US6815700B2 (en) * 1997-05-12 2004-11-09 Cymer, Inc. Plasma focus light source with improved pulse power system
US6150628A (en) * 1997-06-26 2000-11-21 Applied Science And Technology, Inc. Toroidal low-field reactive gas source
US6388226B1 (en) * 1997-06-26 2002-05-14 Applied Science And Technology, Inc. Toroidal low-field reactive gas source
US6313587B1 (en) * 1998-01-13 2001-11-06 Fusion Lighting, Inc. High frequency inductive lamp and power oscillator
NL1008352C2 (nl) * 1998-02-19 1999-08-20 Stichting Tech Wetenschapp Inrichting, geschikt voor extreem ultraviolet lithografie, omvattende een stralingsbron en een verwerkingsorgaan voor het verwerken van de van de stralingsbron afkomstige straling, alsmede een filter voor het onderdrukken van ongewenste atomaire en microscopische deeltjes welke door een stralingsbron zijn uitgezonden.
US6129808A (en) * 1998-03-31 2000-10-10 Lam Research Corporation Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same
US6380680B1 (en) * 1998-10-02 2002-04-30 Federal-Mogul World Wide, Inc. Electrodeless gas discharge lamp assembly with flux concentrator
US6421421B1 (en) * 2000-05-22 2002-07-16 Plex, Llc Extreme ultraviolet based on colliding neutral beams
US6972421B2 (en) * 2000-06-09 2005-12-06 Cymer, Inc. Extreme ultraviolet light source
TWI240151B (en) * 2000-10-10 2005-09-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US6614505B2 (en) * 2001-01-10 2003-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US6804327B2 (en) * 2001-04-03 2004-10-12 Lambda Physik Ag Method and apparatus for generating high output power gas discharge based source of extreme ultraviolet radiation and/or soft x-rays
DE20109058U1 (de) * 2001-05-31 2002-10-10 DeltaMed GmbH, 35578 Wetzlar Vorrichtung zur Behandlung mit magnetischen Feldern
EP1397945A1 (en) * 2001-06-07 2004-03-17 Plex LLC Star pinch x-ray and extreme ultraviolet photon source
US6567499B2 (en) * 2001-06-07 2003-05-20 Plex Llc Star pinch X-ray and extreme ultraviolet photon source
US6642671B2 (en) * 2001-08-27 2003-11-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electrodeless discharge lamp
DE10151080C1 (de) * 2001-10-10 2002-12-05 Xtreme Tech Gmbh Einrichtung und Verfahren zum Erzeugen von extrem ultravioletter (EUV-)Strahlung auf Basis einer Gasentladung
DE10215469B4 (de) * 2002-04-05 2005-03-17 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung zur Unterdrückung von Teilchenemission bei einer Strahlungserzeugung auf Basis eines heißen Plasmas
CN100351993C (zh) * 2002-05-28 2007-11-28 松下电器产业株式会社 无电极放电灯
US6826451B2 (en) * 2002-07-29 2004-11-30 Asml Holding N.V. Lithography tool having a vacuum reticle library coupled to a vacuum chamber
US6696802B1 (en) * 2002-08-22 2004-02-24 Fusion Uv Systems Inc. Radio frequency driven ultra-violet lamp
CN1495531B (zh) * 2002-08-23 2010-05-26 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置及用于所述装置中的粒子屏障
JP2004128105A (ja) * 2002-10-01 2004-04-22 Nikon Corp Ｘ線発生装置及び露光装置
US7307375B2 (en) * 2004-07-09 2007-12-11 Energetiq Technology Inc. Inductively-driven plasma light source

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