JP2013004921A - 突起電極の製造方法 - Google Patents
突起電極の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013004921A JP2013004921A JP2011137724A JP2011137724A JP2013004921A JP 2013004921 A JP2013004921 A JP 2013004921A JP 2011137724 A JP2011137724 A JP 2011137724A JP 2011137724 A JP2011137724 A JP 2011137724A JP 2013004921 A JP2013004921 A JP 2013004921A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- conductive layer
- columnar
- layer
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
【解決手段】本突起電極の製造方法は、電極パッド上に柱状電極を形成する第1工程と、前記柱状電極の上面にマスク層を形成する第2工程と、前記マスク層をマスクとするウェットエッチングにより前記柱状電極の側壁の一部を除去し、前記マスク層側が前記電極パッド側よりも細くなった形状の突起電極を形成する第3工程と、前記マスク層を除去する第4工程と、を有する。
【選択図】図13
Description
まず、半導体装置を例にとり、本実施の形態に係る突起電極の構造について説明する。図5は、本実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。図5を参照するに、半導体装置10は、大略すると、半導体チップ20と、第1導電層30と、第2導電層40と、突起電極50とを有する。
次に、半導体装置を例にとり、本実施の形態に係る突起電極の製造方法について説明する。図6〜図15は、本実施の形態に係る突起電極の製造工程を例示する図である。まず、図6及び図7に示す工程では、半導体ウェハ31を準備する。なお、図6は平面図、図7は部分断面図である。半導体ウェハ31は、例えば6インチ(約150mm)、8インチ(約200mm)、12インチ(約300mm)等のシリコンウェハ等である。シリコンウェハの厚さは、例えば0.625mm(6インチの場合)、0.725mm(8インチの場合)、0.775mm(12インチの場合)等であるが、バックサイドグラインダー等で適宜薄型化することができる。
20 半導体チップ
21 半導体基板
22 配線層
23 電極パッド
24 保護膜
30、30A 第1導電層
31 半導体ウェハ
40、40A 第2導電層
50 突起電極
50A 柱状電極
60 レジスト
60x 開口部
65 マスク層
B スクライブ領域
C 切断位置
H1 高さ
φ1、φ2 径
Claims (4)
- 電極パッド上に柱状電極を形成する第1工程と、
前記柱状電極の上面にマスク層を形成する第2工程と、
前記マスク層をマスクとするウェットエッチングにより前記柱状電極の側壁の一部を除去し、前記マスク層側が前記電極パッド側よりも細くなった形状の突起電極を形成する第3工程と、
前記マスク層を除去する第4工程と、を有する突起電極の製造方法。 - 前記第1工程は、前記電極パッド上に導電層を形成する工程と、
前記電極パッド上の前記導電層の少なくとも一部を露出する開口部を有するレジスト層を形成する工程と、
前記開口部の底部に露出する前記導電層上に、前記導電層を給電層とする電解めっき法により前記柱状電極を形成する工程と、を含む請求項1記載の突起電極の製造方法。 - 前記導電層は、前記電極パッド上に形成された第1導電層と、前記第1導電層上に形成された第2導電層と、を含み、
前記第2導電層は、前記柱状電極と同一材料からなり、
前記第2工程では、前記開口部から露出する前記柱状電極の上面にマスク層を形成した後、前記レジスト層を除去し、
前記第3工程では、ウェットエッチングにより前記柱状電極の側壁の一部を除去すると共に、前記柱状電極に覆われていない部分の前記第2導電層を除去する請求項2記載の突起電極の製造方法。 - 前記電極パッドは半導体チップに形成されている請求項1乃至3の何れか一項記載の突起電極の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011137724A JP2013004921A (ja) | 2011-06-21 | 2011-06-21 | 突起電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011137724A JP2013004921A (ja) | 2011-06-21 | 2011-06-21 | 突起電極の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013004921A true JP2013004921A (ja) | 2013-01-07 |
JP2013004921A5 JP2013004921A5 (ja) | 2014-07-10 |
Family
ID=47673118
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011137724A Pending JP2013004921A (ja) | 2011-06-21 | 2011-06-21 | 突起電極の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013004921A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6137798B2 (ja) * | 1981-06-16 | 1986-08-26 | Mitsubishi Electric Corp | |
JPH1092830A (ja) * | 1996-09-18 | 1998-04-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2003197665A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009124130A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Hwabeak Engineering Co Ltd | 半導体チップに形成される銅柱−錫バンプ及びその形成方法 |
-
2011
- 2011-06-21 JP JP2011137724A patent/JP2013004921A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6137798B2 (ja) * | 1981-06-16 | 1986-08-26 | Mitsubishi Electric Corp | |
JPH1092830A (ja) * | 1996-09-18 | 1998-04-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2003197665A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009124130A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Hwabeak Engineering Co Ltd | 半導体チップに形成される銅柱−錫バンプ及びその形成方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110783298B (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
US8610268B2 (en) | Semiconductor element, semiconductor element mounted board, and method of manufacturing semiconductor element | |
JP6406975B2 (ja) | 半導体素子および半導体装置 | |
US6664128B2 (en) | Bump fabrication process | |
JP2008141170A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2003203940A (ja) | 半導体チップ及び配線基板並びにこれらの製造方法、半導体ウエハ、半導体装置、回路基板並びに電子機器 | |
JP2007251158A (ja) | バンプ形成方法及びバンプを含むコネクタ構造 | |
JP2008028112A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US6221749B1 (en) | Semiconductor device and production thereof | |
JP2003188313A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2009231681A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6154995B2 (ja) | 半導体装置及び配線基板、並びにそれらの製造方法 | |
US6897127B2 (en) | Semiconductor device, method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument | |
US20030157438A1 (en) | Bump forming process | |
JP2013004921A (ja) | 突起電極の製造方法 | |
JP2006270031A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR20020060307A (ko) | 솔더 범프의 형성 방법 | |
JP4686962B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5170915B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2007095894A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4868379B2 (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
JP2008091774A (ja) | 半導体装置 | |
TW556293B (en) | Bump process | |
JP2012023226A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JP3870013B2 (ja) | ウェハレベルcspの端子形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140522 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140522 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141024 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141118 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150310 |