JP2013004626A - ウエハの製造方法および製造装置 - Google Patents

ウエハの製造方法および製造装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2013004626A
JP2013004626A JP2011132580A JP2011132580A JP2013004626A JP 2013004626 A JP2013004626 A JP 2013004626A JP 2011132580 A JP2011132580 A JP 2011132580A JP 2011132580 A JP2011132580 A JP 2011132580A JP 2013004626 A JP2013004626 A JP 2013004626A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
wafers
support base
adhesive
separated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2011132580A
Other languages
English (en)
Inventor
Masashi Kayahashi
政志 栢橋
Hideaki Yasaka
英明 八坂
Hiroichi Uryu
博一 瓜生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinryo Corp
Original Assignee
Shinryo Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinryo Corp filed Critical Shinryo Corp
Priority to JP2011132580A priority Critical patent/JP2013004626A/ja
Priority to PCT/JP2012/062518 priority patent/WO2012172910A1/ja
Publication of JP2013004626A publication Critical patent/JP2013004626A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

【課題】インゴットをスライスして形成されるウエハを１枚ずつ分離して、ウエハの表裏面を容易かつ均一に洗浄可能としたウエハの製造方法および製造装置の提供。
【解決手段】支持台に接着剤により貼着されたインゴットを支持台の一部まで含めて短冊状にスライスして形成されたウエハＷを、分離装置２により支持台の部分で１枚ずつ分離し、この分離されたウエハＷの表裏面を洗浄装置３により１枚ずつ洗浄し、ウエハＷを剥離槽５内に浸漬して、ウエハＷから支持台の切片および接着剤を剥離する。
【選択図】図１

Description

本発明は、インゴットをスライスして形成されるウエハの製造方法および製造装置に関する。
一般的に、ウエハは、支持台に接着剤により貼着されたインゴットをワイヤソーにより薄く短冊状にスライスして形成される。スライス直後のウエハは、まず粗洗浄工程にて洗浄される。粗洗浄工程では、ウエハは短冊状にスライスされて支持台にぶら下がった状態のまま、洗浄槽内に浸漬され、ウエハ表面に付着したスライス粉、砥粒やクーラント等が洗浄除去される。
次に、ウエハは支持台とともに剥離用浸漬槽に移載され、剥離槽内の薬液に浸漬され、加熱される。これにより、接着剤が溶け、ウエハは支持台から剥離し、剥離用浸漬槽の底部に自由落下する。落下後のウエハは、人手にて剥離槽の底部から拾い上げられた後、仮カセット等に方向を合わせて挿入され、姿勢保持が行われるか、落下時に受け取る仮カセット等が事前に投入されることもある。そして、仮カセットに収納されたウエハは、人手または分離取出機構にて１枚ずつ取り出され、洗浄用カセットへ１枚ずつ分離して収納され、仕上洗浄工程に送られる。
また、例えば特許文献１には、接着剤によって支持台に貼着されたウエハを第１カセット内に収容した状態で洗浄し、洗浄されたウエハを支持台から剥離させるが、このとき、支持台から剥離させたウエハは、第１カセット内に設けた両規制板によって倒伏しないように保持した状態で、保持ロッド上に支持することが記載されている。また、ウエハから剥離された支持台は公知のマニピュレータまたはロボットによって第１カセットから取り出し、支持台から剥離されたウエハは第１カセットに収容したままの状態で、その軸線が水平となるように支持台上に支持し、１枚ずつ分離して第２カセットに収容することが記載されている。
特許第３３７７１６１号公報
ところで、昨今、ウエハの薄肉化への取り組みや固定砥粒スライス技術の導入が進んでおり、ワイヤソーのワイヤ径も細くなり、短冊状にスライスされて支持台にぶら下がった状態でのウエハ間の隙間は０．１４ｍｍ程度にまで少なくなっている。一方で、ウエハの大きさは１２５〜１５５ｍｍ程度と長大であるため、従来のようにウエハが支持台にぶら下がったままの状態では、ウエハ間の隙間の洗浄は困難を極め、多大な時間と労力を要する割には品質が安定しないという問題がある。
また、固定砥粒ワイヤによりスライスされたウエハは、表面の平滑性が高いことから、特許文献１に記載のように支持台から剥離してウエハの軸線が水平となるように支持台上に支持した際に、剥離したウエハがソーマークの影響を受けて、ウエハ同士が強固に密着する。このウエハ同士の密着は、ウエハを洗浄すればするほど、ウエハ表面の凹凸が無くなって、より強力に発生することになる。その結果、このウエハを１枚ずつ分離することが困難となり、歩留まり低下を招く。
そこで、本発明においては、インゴットをスライスして形成されるウエハを１枚ずつ分離して、ウエハの表裏面を容易かつ均一に洗浄可能としたウエハの製造方法および製造装置を提供することを目的とする。
本発明のウエハの製造方法は、支持台に接着剤により貼着されたインゴットを支持台の一部まで含めて短冊状にスライスして形成されたウエハを支持台の部分で１枚ずつ分離すること、この分離されたウエハの表裏面を１枚ずつ洗浄すること、ウエハを剥離槽内に浸漬して、ウエハから支持台の切片および接着剤を剥離することを含むことを特徴とする。
本発明のウエハの製造装置は、支持台に接着剤により貼着されたインゴットを支持台の一部まで含めて短冊状にスライスして形成されたウエハを支持台の部分で１枚ずつ分離する分離装置と、この分離されたウエハの表裏面を１枚ずつ洗浄する洗浄装置と、ウエハを浸漬して、ウエハから支持台の切片および接着剤を剥離する剥離槽とを含むものである。
本発明では、短冊状にスライスして形成されたウエハを、支持台にぶら下がった状態のまま粗洗浄するのではなく、支持台の部分で１枚ずつ分離し、この分離されたウエハの表裏面を１枚ずつ洗浄するので、短冊状にスライスされて支持台にぶら下がった状態でのウエハ間の隙間およびウエハの大きさに関係なく、ウエハの表裏面を容易かつ均一に洗浄することができる。また、洗浄後のウエハには分離した際の支持台の切片および接着剤が付着したままであるため、このウエハを剥離槽内に浸漬して、ウエハから支持台の切片および接着剤を剥離することにより、除去することができる。
ここで、本発明のウエハの製造方法は、１枚ずつ洗浄されたウエハをカセットに収容することを含み、このウエハが収容されたカセットを剥離槽内に浸漬することにより、ウエハから支持台の切片および接着剤を剥離することが望ましい。また、本発明のウエハの製造装置は、１枚ずつ洗浄されたウエハをカセットに収容するウエハ詰め込み装置を含み、剥離槽は、ウエハが収容されたカセットを剥離槽内に浸漬することにより、ウエハから支持台の切片および接着剤を剥離するものであることが望ましい。これにより、支持台部分で１枚ずつ分離し、この分離されたウエハの表裏面を１枚ずつ洗浄した後、カセットに収容して剥離槽内に浸漬することで、１枚ずつ分離したウエハ同士が後工程で接触することがなくなるとともに、洗浄後の複数枚のウエハからそれぞれ支持台の切片および接着剤をまとめて剥離することができる。
また、本発明のウエハの製造方法は、支持台に接着剤により貼着されたインゴットを支持台の一部まで含めて短冊状にスライスして形成されたウエハは、水中に浸漬した状態で、支持台の部分で１枚ずつ分離することが望ましい。これにより、短冊状にスライスして形成されたウエハを１枚ずつ分離している間に、その表裏面が乾燥するのを防止することができる。
（１）支持台に接着剤により貼着されたインゴットを支持台の一部まで含めて短冊状にスライスして形成されたウエハを支持台の部分で１枚ずつ分離し、この分離されたウエハの表裏面を１枚ずつ洗浄し、ウエハを剥離槽内に浸漬して、ウエハから支持台の切片および接着剤を剥離する構成により、インゴットをスライスして形成されるウエハを１枚ずつ分離して、ウエハの表裏面を容易かつ均一に洗浄することができ、高品質なウエハを安定的に得ることが可能となる。
（２）１枚ずつ洗浄されたウエハをカセットに収容し、このウエハが収容されたカセットを剥離槽内に浸漬して、ウエハから支持台の切片および接着剤を剥離する構成により、１枚ずつ分離したウエハ同士が後工程で接触することがなく、ウエハの取り扱い不良による品質低下を防止することができ、歩留まりを向上させることが可能となる。
（３）支持台に接着剤により貼着されたインゴットを支持台の一部まで含めて短冊状にスライスして形成されたウエハは、水中に浸漬した状態で、支持台の部分で１枚ずつ分離する構成により、短冊状にスライスして形成されたウエハを１枚ずつ分離している間に、その表裏面が乾燥するのを防止することができるので、スライスによりウエハ表面に付着したスライス粉、砥粒やクーラント等を乾燥させることなく、ウエハ１枚ずつ表裏面を洗浄することが可能となる。
本発明の実施の形態におけるウエハ製造装置の一部を示す概略構成図である。 図１の分離装置の概略構成図である。 図２の平面図である。 図２の左側面図である。 分離装置の動作フロー図である。 超音波カッターにより切断する構成を示す説明図である。 高速ウォータージェットにより切断する構成を示す説明図である。 レーザ光により切断する構成を示す説明図である。 ワイヤソーにより切断する構成を示す説明図である。 帯のこにより切断する構成を示す説明図である。 丸のこにより切断する構成を示す説明図である。
図１は本発明の実施の形態におけるウエハ製造装置の一部を示す概略構成図である。図１において、本発明の実施の形態におけるウエハ製造装置１は、単結晶シリコンからなるインゴットＳがスライスマシンＭ1によって短冊状にスライスされて形成されたウエハＷを１枚ずつ分離する分離装置２と、分離されたウエハＷを１枚ずつ洗浄する洗浄装置３と、洗浄されたウエハＷをカセットに収容するウエハ詰め込み装置４と、１枚ずつ分離したウエハＷに残ったカーボン等を剥離する剥離槽５と、ウエハＷの追加洗浄を行う洗浄槽群６とを有する。
インゴットＳは、カーボン製の板からなる支持台Ｃ（図６参照。）を介して支持板Ｐに支持されて、スライスマシンＭ1によって短冊状にスライスされる。インゴットＳは支持台Ｃに接着剤（図示せず。）により貼着されており、支持台Ｃの一部まで含めて短冊状にスライスされ、ウエハＷが支持台Ｃにぶら下げられた状態のまま、スライスマシンＭ1からスライス取出機Ｍ2によって取り出され、分離装置２にセットされる。
分離装置２は、図２〜図４に示すように、スライスされたウエハＷを支持台Ｃにぶら下げられた状態で保持するホルダ２０と、ホルダ２０に保持されたウエハＷを水中に浸漬した状態で分離するための水槽２１と、ウエハＷを１枚ずつ分離する分離ハンド２２とを有する。
分離ハンド２２は、ウエハＷを吸着する吸着パッド２３と、吸着パッド２３を回動させる略Ｌ字形の回動アーム２４と、回動アーム２４を回動可能に支持する支持ベース２５と、分離ハンド２２を前後進させるための前後進アクチュエータ２６と、分離ハンド２２をホルダ２０に保持されたウエハＷのピッチで移動するためのピッチ送りアクチュエータ２７と、分離ハンド２２を回動させるための回動アクチュエータ２８とを有する。
なお、本実施形態においては、支持ベース２５は前後進アクチュエータ２６に保持され、前後進アクチュエータ２６はピッチ送りアクチュエータ２７に保持されている。回動アクチュエータ２８は回動アーム２４を回動させることにより分離ハンド２２を回動させる。すなわち、分離ハンド２２は、ウエハＷの吸着面（図２の左側面および図４の正面）に対して垂直方向（図２および図３の左右方向）およびウエハＷの吸着面と平行な面内で前後方向（図３の上下方向および図４の左右方向）に移動可能であり、かつウエハＷを吸着した状態で上方向（図２参照。）に回動可能となっている。
洗浄装置３は、ウエハＷを１枚ずつ搬送するコンベア装置３０と、コンベア装置３０の上下に配置されたシャワー装置３１ａ，３１ｂとを備えている。コンベア装置３０は、図２に示すように、コンベア前後進アクチュエータ３２によって、分離ハンド２２に吸着されたウエハＷの下方へ向かって前後進するように構成されている。分離ハンド２２からコンベア装置３０上へ載置されたウエハＷは、コンベア装置３０によってウエハ詰め込み装置４へ搬送される際に、その表裏面に対してシャワー装置３１ａ，３１ｂから噴射される洗浄水によって１枚ずつ洗浄される。
ここで、分離装置２の動作について、図５のフロー図に従って説明する。まず、前後進アクチュエータ２６、ピッチ送りアクチュエータ２７、回動アクチュエータ２８およびコンベア前後進アクチュエータ３２を作動させ、分離ハンド２２およびコンベア装置３０を開始位置で待機させる（ステップＳ１０１）。このとき、分離ハンド２２は、図２および図３の最も左側（後述するコンベア装置３０側）のウエハＷの後方位置（図４参照。）に配置され、コンベア装置３０は、図２に実線で示すように分離ハンド２２の回動動作に干渉しない位置に配置されている。
次に、回動アクチュエータ２８により回動アーム２４（分離ハンド２２）を上方へ微回動させた状態で、前後進アクチュエータ２６により分離ハンド２２を前進させ、ホルダ２０内のウエハＷを吸着可能な位置へ配置する（ステップＳ１０２）。続いて、回動アクチュエータ２８により回動アーム２４を下方へ微回動させ、分離ハンド２２の吸着パッド２３の吸着面をウエハＷの吸着面に対して平行とし（ステップＳ１０３）、吸着パッド２３によりウエハＷの１枚を吸着する（ステップＳ１０４）。
次いで、回動アクチュエータ２８により回動アーム２４を上方の中間位置まで回動させると、ウエハＷが支持台Ｃの部分で分離される（ステップＳ１０５）。次に、ウエハＷを吸着したまま前後進アクチュエータ２６により分離ハンド２２を後進させ（ステップＳ１０６）、回動アクチュエータ２８により分離ハンド２２をコンベア装置３０よりも上の位置まで回動させる（ステップＳ１０７）。
次いで、コンベア前後進アクチュエータ３２によって、コンベア装置３０を分離ハンド２２に吸着されたウエハＷの下方の受け取り位置まで前進させる（ステップＳ１０８）。次に、吸着パッド２３に吸着しているウエハＷが離され、コンベア装置３０上へ載置され、コンベア装置３０により搬送される（ステップＳ１０９）。ここで、ウエハＷはコンベア装置３０により搬送されながら、シャワー装置３１ａ，３１ｂから噴射される洗浄水によって１枚ずつ表裏面が洗浄される。
次いで、コンベア装置３０をコンベア前後進アクチュエータ３２によって待機位置まで後進させる（ステップＳ１１０）。その後、回動アクチュエータ２８により分離ハンド２２を下方へ回動させる（ステップＳ１１１）。そして、分離ハンド２２はピッチ送りアクチュエータ２７により次のウエハＷの位置までピッチ送りされ（ステップＳ１１２）、ステップＳ１０２へ戻って繰り返しウエハＷの分離動作が行われる。
ウエハ詰め込み装置４は、コンベア装置３０によって１枚ずつ搬送された洗浄後のウエハＷを１枚ずつカセット４０に収容するものである。カセット４０は、ウエハＷが１枚ずつ収容されるごとに水槽４１内に徐々に下降し、水槽４１内の水に浸漬されるようになっている。ウエハＷの収容が完了したカセット４０は、カセット移載機７によって剥離槽５へ移載されるようになっている。
剥離槽５では、分離ハンド２２によって支持台Ｃの部分で分離されたウエハＷから、この支持台Ｃの切片および支持台ＣとウエハＷとの間に介在する接着剤を剥離するものである。本実施形態においては、支持台Ｃはカーボン製の板であり、カーボンおよび接着剤を剥離可能な薬剤にカセット４０ごとウエハＷを浸漬することにより、ウエハＷからカーボン等を剥離する。カーボン等の剥離が完了したカセット４０は、カセット搬送機８によって洗浄槽群６を順次搬送され、追加洗浄が行われる。
上記構成のウエハ製造装置１では、支持台Ｃに接着剤により貼着されたインゴットＳを支持台Ｃの一部まで含めて短冊状にスライスして形成されたウエハＷを、従来のように支持台Ｃにぶら下がった状態のまま粗洗浄するのではなく、支持台Ｃの部分で分離装置２により１枚ずつ分離し、この分離されたウエハＷの表裏面を洗浄装置３により１枚ずつ洗浄する。したがって、このウエハ製造装置１では、短冊状にスライスされて支持台Ｃにぶら下がった状態でのウエハＷ間の隙間（ピッチ）およびウエハＷの大きさに関係なく、ウエハＷの表裏面を容易かつ均一に洗浄することができ、高品質なウエハを安定的に得ることが可能である。
また、このウエハ製造装置１では、分離装置２において、ウエハＷを吸着パッド２３に吸着し、ウエハＷと吸着パッド２３とを一体化して剛性を高めて、スライスマシンＭ1による支持台Ｃの切断終端を基点にして分離ハンド２２を回動することで、支持台Ｃの既切断部を支持台の未切断部から分離している。そのため、支持台Ｃは、支持台Ｃの強度≦（吸着パッド２３＋ウエハＷ）の強度の条件が成立するものが好ましく、本実施形態においてはカーボン板を用いているが、樹脂板やアルミナ板等を用いることも可能である。
また、本実施形態における分離装置２では、ホルダ２０に保持されたウエハＷを水槽２１により水中に浸漬した状態で分離ハンド２２により吸着して分離するため、ウエハＷを支持台Ｃから１枚ずつ分離している間に、その表裏面が乾燥するのを防止することができ、スライスによりウエハＷ表面に付着したスライス粉、砥粒やクーラント等を乾燥させることなく、洗浄装置３によりウエハＷの１枚ずつ表裏面を洗浄することが可能となっている。
また、洗浄後のウエハＷについても、１枚ずつ洗浄されたウエハＷをウエハ詰め込み装置４によりカセット４０に収容し、カセット４０をウエハＷが１枚ずつ収容されるごとに水槽４１内に徐々に下降させて、水槽４１内の水に浸漬させており、ウエハＷを１枚ずつ収容している間にウエハＷの表裏面を乾燥させることなく、次の剥離槽５でのカーボン等の剥離を行うことが可能となっている。
さらに、本実施形態におけるウエハ製造装置１では、ウエハＷが収容されたカセット４０を剥離槽５内に浸漬して、ウエハＷから支持台Ｃの切片および接着剤を剥離する構成であるため、１枚ずつ分離したウエハＷ同士が後工程で接触することがなく、ウエハＷの取り扱い不良による品質低下を防止することができ、歩留まりを向上させることが可能となっている。
なお、本実施形態における分離装置２では、分離ハンド２２はウエハＷの吸着面と平行な面内で前後方向に移動可能としたが、前後方向に限定されるものではない。要するに、分離ハンド２２をホルダ２０に対してウエハＷの吸着面と平行な面内で進退方向に移動可能であれば良い。
また、本実施形態における分離装置２では、分離ハンド２２がウエハＷを１枚ずつ吸着して回動することにより折り取るものであるが、ウエハＷの分離は、折り取る以外の方法で行う構成とすることも可能である。その他の分離手段の例としては、図６〜図１１に示すものが挙げられる。
図６は超音波カッターにより切断する構成を示している。同図（ａ）に示すように、支持台Ｃにぶら下げられた状態のウエハＷの吸着面（同図（ａ）の正面）を、図示しない分離ハンド２２により吸着した状態で、超音波カッター５０により１枚ずつ切断して分離する。このとき、同図（ｂ）に示すように、超音波カッター５０のカッター刃５０ａの先端を、ウエハＷを支持する支持台Ｃの部分に接触させて移動させ、支持台Ｃの部分を切断する。これにより、ウエハＷは分離ハンド２２に吸着した状態で１枚ずつ分離される。なお、ウエハＷに残った支持台Ｃの切片および接着剤は、前述のように剥離層５で分離する。
図７は高速ウォータージェットにより切断する構成を示している。同図（ａ）に示すように、支持台Ｃにぶら下げられた状態のウエハＷの吸着面（同図（ａ）の正面）を、図示しない分離ハンド２２により吸着した状態で、高圧水ノズルガン５１から高圧水５１ａを噴射することにより１枚ずつ切断して分離する。このとき、同図（ｂ）に示すように、高圧水ノズルガン５１から噴射される高圧水５１ａの先端を、ウエハＷを支持する支持台Ｃの部分に接触させて移動させ、支持台Ｃの部分を切断する。これにより、ウエハＷは分離ハンド２２に吸着した状態で１枚ずつ分離される。
図８はレーザ光により切断する構成を示している。同図（ａ）に示すように、支持台Ｃにぶら下げられた状態のウエハＷの吸着面（同図（ａ）の正面）を、図示しない分離ハンド２２により吸着した状態で、レーザ照射ヘッド５２からレーザビームを照射することにより１枚ずつ切断して分離する。このとき、同図（ｂ）に示すように、レーザ照射ヘッド５２から照射されるレーザビーム５２ａの先端を、ウエハＷを支持する支持台Ｃの部分に接触させて移動させ、支持台Ｃの部分を切断する。これにより、ウエハＷは分離ハンド２２に吸着した状態で１枚ずつ分離される。
図９はワイヤソーにより切断する構成を示している。同図（ａ）に示すように、支持台Ｃにぶら下げられた状態のウエハＷの吸着面（同図（ａ）の正面）を、図示しない分離ハンド２２により吸着した状態で、ワイヤソー５３により１枚ずつ切断して分離する。このとき、同図（ｂ）に示すように、ワイヤソー５３の固定砥粒ワイヤ５３ａを、ウエハＷを支持する支持台Ｃの部分に接触させ、ウエハＷの吸着面に沿って往復移動させ、支持台Ｃの部分を切断する。これにより、ウエハＷは分離ハンド２２に吸着した状態で１枚ずつ分離される。
図１０は帯のこにより切断する構成を示している。同図（ａ）に示すように、支持台Ｃにぶら下げられた状態のウエハＷの吸着面（同図（ａ）の正面）を、図示しない分離ハンド２２により吸着した状態で、帯のこ５４により１枚ずつ切断して分離する。このとき、同図（ｂ）に示すように、帯のこ５４ののこ刃５４ａを、ウエハＷを支持する支持台Ｃの部分に接触させ、ウエハＷの吸着面に沿って往復移動させ、支持台Ｃの部分を切断する。これにより、ウエハＷは分離ハンド２２に吸着した状態で１枚ずつ分離される。
図１１は丸のこにより切断する構成を示している。同図（ａ）に示すように、支持台Ｃにぶら下げられた状態のウエハＷの吸着面（同図（ａ）の正面）を、図示しない分離ハンド２２により吸着した状態で、丸のこ５５により１枚ずつ切断して分離する。このとき、同図（ｂ）に示すように、丸のこ５５の回転カッター５５ａを、ウエハＷを支持する支持台Ｃの部分に接触させ、ウエハＷの吸着面に沿って移動させ、支持台Ｃの部分を切断する。これにより、ウエハＷは分離ハンド２２に吸着した状態で１枚ずつ分離される。ダイシングソーやグラインダにより切断する場合も同様の構成である。
本発明のウエハの製造方法および製造装置は、インゴットをスライスして形成されるウエハを１枚ずつ分離して洗浄することによりウエハを製造する方法および装置として有用である。
１ ウエハ製造装置
２ 分離装置
３ 洗浄装置
４ ウエハ詰め込み装置
５ 剥離槽
６ 洗浄槽群
２０ ホルダ
２１ 水槽
２２ 分離ハンド
２３ 吸着パッド
２４ 回動アーム
２５ 支持ベース
２６ 前後進アクチュエータ
２７ ピッチ送りアクチュエータ
２８ 回動アクチュエータ
３０ コンベア装置
３１ａ，３１ｂ シャワー装置
３２ コンベア前後進アクチュエータ
４０ カセット
４１ 水槽
５０ 超音波カッター
５１ 高圧水ノズルガン
５２ レーザ照射ヘッド
５３ ワイヤソー
５４ 帯のこ
５５ 丸のこ

Claims (5)

  1. 支持台に接着剤により貼着されたインゴットを前記支持台の一部まで含めて短冊状にスライスして形成されたウエハを前記支持台の部分で１枚ずつ分離すること、
    この分離されたウエハの表裏面を１枚ずつ洗浄すること、
    前記ウエハを剥離槽内に浸漬して、前記ウエハから前記支持台の切片および前記接着剤を剥離すること
    を含むウエハの製造方法。
  2. 前記１枚ずつ洗浄されたウエハをカセットに収容することを含み、
    このウエハが収容されたカセットを前記剥離槽内に浸漬することにより、前記ウエハから前記支持台の切片および前記接着剤を剥離することを特徴とする請求項１記載のウエハの製造方法。
  3. 前記支持台に接着剤により貼着されたインゴットを前記支持台の一部まで含めて短冊状にスライスして形成されたウエハは、水中に浸漬した状態で、前記支持台の部分で１枚ずつ分離することを特徴とする請求項１または２に記載のウエハの製造方法。
  4. 支持台に接着剤により貼着されたインゴットを前記支持台の一部まで含めて短冊状にスライスして形成されたウエハを前記支持台の部分で１枚ずつ分離する分離装置と、
    この分離されたウエハの表裏面を１枚ずつ洗浄する洗浄装置と、
    前記ウエハを浸漬して、前記ウエハから前記支持台の切片および前記接着剤を剥離する剥離槽と
    を含むウエハの製造装置。
  5. 前記１枚ずつ洗浄されたウエハをカセットに収容するウエハ詰め込み装置を含み、
    前記剥離槽は、前記ウエハが収容されたカセットを剥離槽内に浸漬することにより、前記ウエハから前記支持台の切片および前記接着剤を剥離するものである請求項４記載のウエハの製造装置。
JP2011132580A 2011-06-14 2011-06-14 ウエハの製造方法および製造装置 Withdrawn JP2013004626A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011132580A JP2013004626A (ja) 2011-06-14 2011-06-14 ウエハの製造方法および製造装置
PCT/JP2012/062518 WO2012172910A1 (ja) 2011-06-14 2012-05-16 ウエハの製造方法および製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011132580A JP2013004626A (ja) 2011-06-14 2011-06-14 ウエハの製造方法および製造装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013004626A true JP2013004626A (ja) 2013-01-07

Family

ID=47356905

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011132580A Withdrawn JP2013004626A (ja) 2011-06-14 2011-06-14 ウエハの製造方法および製造装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2013004626A (ja)
WO (1) WO2012172910A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014232741A (ja) * 2013-05-28 2014-12-11 パナソニック株式会社 切り残し部除去装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106356322A (zh) * 2016-10-20 2017-01-25 北方电子研究院安徽有限公司 一种晶圆腐蚀装置以及腐蚀方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3402345B2 (ja) * 1995-08-03 2003-05-06 三菱住友シリコン株式会社 半導体ウェーハの枚葉化処理方法、および、半導体ウェーハの分離装置、ならびに、半導体ウェーハ表面付着物の除去装置
JP3494202B2 (ja) * 1997-09-30 2004-02-09 荒川化学工業株式会社 ウェハー状ワーク洗浄方法並びに当該洗浄方法に用いる洗浄バスケット及び洗浄ハウジング
JPH11283942A (ja) * 1998-03-30 1999-10-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウェーハの回収方法および回収設備
JP2000232085A (ja) * 1999-02-10 2000-08-22 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP2001313274A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Nippei Toyama Corp ウエーハの回収方法
JP3912350B2 (ja) * 2003-09-22 2007-05-09 住友電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2010103417A (ja) * 2008-10-27 2010-05-06 Sumitomo Metal Fine Technology Co Ltd 半導体ウエハ製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014232741A (ja) * 2013-05-28 2014-12-11 パナソニック株式会社 切り残し部除去装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012172910A1 (ja) 2012-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI758505B (zh) 晶圓生成裝置
US9649723B2 (en) Processing apparatus including laser beam applying mechanism and separating means
CN109037027B (zh) 晶片生成装置
CN109801834B (zh) 晶片的生成方法和晶片生成装置
KR101964568B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 낱장분리방법 및 반도체 웨이퍼를 낱장으로 분리하는 자동화 장치
JP5097571B2 (ja) カッタ刃の清掃方法およびカッタ刃の清掃装置、並びに、これを備えた粘着テープ貼付け装置
JP5632897B2 (ja) ウエハ剥離装置およびウエハ剥離方法
WO2020153307A1 (ja) ウェーハ剥離洗浄装置
JP2008290201A (ja) ウェーハの研削加工方法
WO2012172910A1 (ja) ウエハの製造方法および製造装置
WO2012172911A1 (ja) ウエハの分離装置
JP2010129776A (ja) 加工装置およびイオン化エア供給プログラム
JP6621949B1 (ja) ウェーハ剥離洗浄装置
JP5381046B2 (ja) 半導体ウェーハのスクライブ装置、およびそれを備えたスクライブシステム
JP5368226B2 (ja) シート剥離装置及び剥離方法
JP5385519B2 (ja) 面取り機能つき洗浄装置
JP2011077392A (ja) ウエハの洗浄方法
JP7257218B2 (ja) 処理装置及び処理方法
JP6635864B2 (ja) 加工装置
JP2005041155A (ja) 薄膜材料加工装置
JP6621950B1 (ja) ウェーハ剥離洗浄装置
CN113646872B (zh) 晶圆剥离清洗装置
JP2021070173A (ja) ウエハの製造方法
JP2013069886A (ja) ウエーハの研削方法および保護膜形成装置
JPH09123159A (ja) 半導体ウェーハ製造システム

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20140902