JPH09123159A - 半導体ウェーハ製造システム - Google Patents
半導体ウェーハ製造システムInfo
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- JPH09123159A JPH09123159A JP30234195A JP30234195A JPH09123159A JP H09123159 A JPH09123159 A JP H09123159A JP 30234195 A JP30234195 A JP 30234195A JP 30234195 A JP30234195 A JP 30234195A JP H09123159 A JPH09123159 A JP H09123159A
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- JP
- Japan
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- wafer
- machine
- slicing machine
- peeling
- slicing
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- Pending
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 インゴットの切断からウェーハの外周面取り
までの製造工程において、剥離装置と面取り機の台数を
増やさなくても、ウェーハ1枚当たりの処理時間が、1
台のスライシングマシンの処理時間の少なくとも半分と
なる半導体ウェーハ製造システムを提供する。 【解決手段】少なくとも2台のスライシングマシンと、
スライスベースを剥離する1台の剥離装置40と、ウェ
ーハ外周の面取りをする1台の面取り機50と、ウェー
ハWをスライシングマシンから剥離装置40と面取り機
50へ搬送する搬送装置70とで製造システムを構成
し、スライシングマシンの各ウェーハ搬出時間を、スラ
イシングマシン1台のウェーハ処理時間Gaを設置され
たスライシングマシンの台数Nで割って得られた時間
「Ga/N」だけ順次ずらし、搬送装置70によって各
スライシングマシンから順次ウェーハWを取り出し次工
程へ搬送する。
までの製造工程において、剥離装置と面取り機の台数を
増やさなくても、ウェーハ1枚当たりの処理時間が、1
台のスライシングマシンの処理時間の少なくとも半分と
なる半導体ウェーハ製造システムを提供する。 【解決手段】少なくとも2台のスライシングマシンと、
スライスベースを剥離する1台の剥離装置40と、ウェ
ーハ外周の面取りをする1台の面取り機50と、ウェー
ハWをスライシングマシンから剥離装置40と面取り機
50へ搬送する搬送装置70とで製造システムを構成
し、スライシングマシンの各ウェーハ搬出時間を、スラ
イシングマシン1台のウェーハ処理時間Gaを設置され
たスライシングマシンの台数Nで割って得られた時間
「Ga/N」だけ順次ずらし、搬送装置70によって各
スライシングマシンから順次ウェーハWを取り出し次工
程へ搬送する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の素材と
なるシリコン等のウェーハを製造する製造システムに係
わり、その中で、インゴットの切断からウェーハの外周
面取りまでの工程に関するものである。
なるシリコン等のウェーハを製造する製造システムに係
わり、その中で、インゴットの切断からウェーハの外周
面取りまでの工程に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体素子の素材となるシリコン等のウ
ェーハは、インゴットの状態からインゴット切断機(ス
ライシングマシンやワイヤソー)によって薄く切り出さ
れるが、切り終わり時にウェーハが欠けないようにイン
ゴットにスライスベースを接着してそのスライスベース
ごとインゴットを切断する。したがって、切断後はスラ
イスベース剥離装置(本明細書では単に「剥離装置」と
いう。)によってウェーハからスライスベースを剥離す
る。その後、外周をウェーハ面取り機(本明細書では単
に「面取り機」という。)によって面取りをする。各機
械の概要は次のとおりである。なお、本発明の対象とな
るインゴット切断機はスライシングマシンである。
ェーハは、インゴットの状態からインゴット切断機(ス
ライシングマシンやワイヤソー)によって薄く切り出さ
れるが、切り終わり時にウェーハが欠けないようにイン
ゴットにスライスベースを接着してそのスライスベース
ごとインゴットを切断する。したがって、切断後はスラ
イスベース剥離装置(本明細書では単に「剥離装置」と
いう。)によってウェーハからスライスベースを剥離す
る。その後、外周をウェーハ面取り機(本明細書では単
に「面取り機」という。)によって面取りをする。各機
械の概要は次のとおりである。なお、本発明の対象とな
るインゴット切断機はスライシングマシンである。
【0003】まず、スライシングマシンでは、シリコン
等のインゴット(円柱形状)を、回転するIDブレード
の刃先に押し当てて、所定の厚さに切断してウェーハを
製造する。スライシングマシンにはインゴットの取付姿
勢によって縦型と横型に分類されるが、図6に縦型のス
ライシングマシンの例(要部立面図)を示す。
等のインゴット(円柱形状)を、回転するIDブレード
の刃先に押し当てて、所定の厚さに切断してウェーハを
製造する。スライシングマシンにはインゴットの取付姿
勢によって縦型と横型に分類されるが、図6に縦型のス
ライシングマシンの例(要部立面図)を示す。
【0004】図6において、スライシングマシンは、架
台1の上面に設けられたテーブルガイド2に移動テーブ
ル4がX方向に移動自在に支持されるとともに、内蔵さ
れた駆動機構によって駆動される。移動テーブル4には
コラム5が取り付けられ、コラム5に設けられた上下ガ
イドにZ方向移動自在に支持されたワークホルダー7
が、コラム5に内蔵された駆動機構によって駆動され
る。また、テーブルガイド2の隣に設けられた加工部に
は、テンションヘッド13が回転機構に支持されてお
り、テンションヘッド13にはブレード14がトップリ
ング15等によって張り上げ取り付けられている。
台1の上面に設けられたテーブルガイド2に移動テーブ
ル4がX方向に移動自在に支持されるとともに、内蔵さ
れた駆動機構によって駆動される。移動テーブル4には
コラム5が取り付けられ、コラム5に設けられた上下ガ
イドにZ方向移動自在に支持されたワークホルダー7
が、コラム5に内蔵された駆動機構によって駆動され
る。また、テーブルガイド2の隣に設けられた加工部に
は、テンションヘッド13が回転機構に支持されてお
り、テンションヘッド13にはブレード14がトップリ
ング15等によって張り上げ取り付けられている。
【0005】このように構成されたスライシングマシン
では、インゴットAをワークホルダー7に装着した後、
ブレード14を高速回転させ、インゴットAの端面がブ
レード14の刃先よりウェーハ厚さ分だけ下方に位置し
た状態で、移動テーブル4によってインゴットAをブレ
ード14の略中央位置からX右方向に移動させ、インゴ
ットAを切断する。切り出されたウェーハWはスライシ
ングマシンに内蔵された回収装置(図6では図示省略)
によって搬出され、さらに、内蔵のコンベア16によっ
て架台1のX左側面に設けられたカセット(いずれも図
6では図示省略)に格納されるか、あるいは外部に搬出
される。
では、インゴットAをワークホルダー7に装着した後、
ブレード14を高速回転させ、インゴットAの端面がブ
レード14の刃先よりウェーハ厚さ分だけ下方に位置し
た状態で、移動テーブル4によってインゴットAをブレ
ード14の略中央位置からX右方向に移動させ、インゴ
ットAを切断する。切り出されたウェーハWはスライシ
ングマシンに内蔵された回収装置(図6では図示省略)
によって搬出され、さらに、内蔵のコンベア16によっ
て架台1のX左側面に設けられたカセット(いずれも図
6では図示省略)に格納されるか、あるいは外部に搬出
される。
【0006】この場合、切り終わり時に切断抵抗が急に
解放されること等によって、切り終わり部分は欠けやす
いので、一般的に、インゴットAにはスライスベースB
(カーボン等からなる捨て材)を接着し、スライスベー
スBを最後に切断する。つまり、ウェーハWはスライス
ベースWb(切断されたスライスベースB)が付いた状
態で切り出される。この形状を図7に示す。なお、図7
では基材部分(円形部分)WaにスライスベースWbが
付着したものをウェーハWとしているが、本明細書で
は、スライスベースWbが剥離されたウェーハについて
もウェーハWと記述する。
解放されること等によって、切り終わり部分は欠けやす
いので、一般的に、インゴットAにはスライスベースB
(カーボン等からなる捨て材)を接着し、スライスベー
スBを最後に切断する。つまり、ウェーハWはスライス
ベースWb(切断されたスライスベースB)が付いた状
態で切り出される。この形状を図7に示す。なお、図7
では基材部分(円形部分)WaにスライスベースWbが
付着したものをウェーハWとしているが、本明細書で
は、スライスベースWbが剥離されたウェーハについて
もウェーハWと記述する。
【0007】剥離装置ではウェーハWの基材部分Waと
スライスベースWbとの間の接着剤を軟化することによ
って剥離するが、その方法によって、湿式(ウェーハW
を熱湯に漬ける。)と乾式(ウェーハWをヒーターで加
熱する。)の2つに分けられる。また、スライシングマ
シンから搬出されたウェーハWには切り粉等が付着して
おり、時間がたつと取り除きにくくなるので、剥離の前
後にウェーハWを洗浄する。
スライスベースWbとの間の接着剤を軟化することによ
って剥離するが、その方法によって、湿式(ウェーハW
を熱湯に漬ける。)と乾式(ウェーハWをヒーターで加
熱する。)の2つに分けられる。また、スライシングマ
シンから搬出されたウェーハWには切り粉等が付着して
おり、時間がたつと取り除きにくくなるので、剥離の前
後にウェーハWを洗浄する。
【0008】剥離装置については、当出願人から「特願
平7−028858号(ウェーハスライスベース剥離装
置)」で開示されている。また、自動剥離装置が、「特
願平7−042364号(ウェーハ洗浄スライスベース
剥離装置)」及び「特願平7−077350号(ウェー
ハ洗浄スライスベース剥離装置)」として当出願人から
開示されている。
平7−028858号(ウェーハスライスベース剥離装
置)」で開示されている。また、自動剥離装置が、「特
願平7−042364号(ウェーハ洗浄スライスベース
剥離装置)」及び「特願平7−077350号(ウェー
ハ洗浄スライスベース剥離装置)」として当出願人から
開示されている。
【0009】面取り機では、面取り加工の前にウェーハ
Wの外径や厚さを測定し、そのデータに基づいて加工す
る。面取り加工が終わると、切り粉等を取り除くために
洗浄する。また、その後に、面取り機内で、あるいは別
の装置で加工後のウェーハWの寸法・形状を測定する。
このような面取り機の全体構成については、当出願人か
ら「特願平6−317608号(ウェーハ面取り機)」
で開示されている。
Wの外径や厚さを測定し、そのデータに基づいて加工す
る。面取り加工が終わると、切り粉等を取り除くために
洗浄する。また、その後に、面取り機内で、あるいは別
の装置で加工後のウェーハWの寸法・形状を測定する。
このような面取り機の全体構成については、当出願人か
ら「特願平6−317608号(ウェーハ面取り機)」
で開示されている。
【0010】一般的に、これらの機械は独立して設置さ
れ、各機械間はウェーハWが格納されたカセットを作業
者が搬送して受け渡しする。しかし、一般的なカセット
に格納できるウェーハWの数量は25枚程度であり、作
業者が付きっ切りで搬送・受渡し作業をする必要があ
る。
れ、各機械間はウェーハWが格納されたカセットを作業
者が搬送して受け渡しする。しかし、一般的なカセット
に格納できるウェーハWの数量は25枚程度であり、作
業者が付きっ切りで搬送・受渡し作業をする必要があ
る。
【0011】そこで、搬送・受渡しを自動で行うシステ
ムが当出願人から「特願平6−208979号(半導体
ウェーハの製造システム)」として開示されている。こ
のシステムでは、縦型のスライシングマシン、剥離装置
(湿式)、面取り機等の間を搬送手段で連結したもの
で、これによって、スライシングマシンによるインゴッ
トAの切断、スライスベースWbの剥離、面取り前のウ
ェーハWの洗浄、面取り前のウェーハWの寸法測定、ウ
ェーハWの外周面取り、面取り後のウェーハWの洗浄、
ウェーハWの格納までを、自動的に行うことができる。
ムが当出願人から「特願平6−208979号(半導体
ウェーハの製造システム)」として開示されている。こ
のシステムでは、縦型のスライシングマシン、剥離装置
(湿式)、面取り機等の間を搬送手段で連結したもの
で、これによって、スライシングマシンによるインゴッ
トAの切断、スライスベースWbの剥離、面取り前のウ
ェーハWの洗浄、面取り前のウェーハWの寸法測定、ウ
ェーハWの外周面取り、面取り後のウェーハWの洗浄、
ウェーハWの格納までを、自動的に行うことができる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スライ
シングマシン、剥離装置及び面取り機のウェーハ1枚当
たりの処理時間を比較すると、一般的にスライシングマ
シンが一番長い。したがって、「特願平6−20897
9号」の例ではスライシングマシン、剥離装置及び面取
り機等が1台ずつで構成されているので、単位時間当た
りのウェーハ処理能力は、スライシングマシンの処理時
間によって決まる。このため、スライシングマシンの処
理時間を短くしない限り、スループットを向上させるこ
とができないという問題がある。当然であるが、単位時
間当たりのウェーハ処理能力を上げるために、単にこの
ような製造システムを増やすと設備額が増加するだけで
なく設置面積が大きくなる。
シングマシン、剥離装置及び面取り機のウェーハ1枚当
たりの処理時間を比較すると、一般的にスライシングマ
シンが一番長い。したがって、「特願平6−20897
9号」の例ではスライシングマシン、剥離装置及び面取
り機等が1台ずつで構成されているので、単位時間当た
りのウェーハ処理能力は、スライシングマシンの処理時
間によって決まる。このため、スライシングマシンの処
理時間を短くしない限り、スループットを向上させるこ
とができないという問題がある。当然であるが、単位時
間当たりのウェーハ処理能力を上げるために、単にこの
ような製造システムを増やすと設備額が増加するだけで
なく設置面積が大きくなる。
【0013】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、インゴットの切断からウェーハの外周面取りま
での製造工程において、スライスベースを剥離する剥離
装置とウェーハ外周の面取りをする面取り機の台数を増
やさなくても、ウェーハ1枚当たりの処理時間が、スラ
イシングマシン1台の処理時間の少なくとも半分となる
半導体ウェーハ製造システムを提供することを目的とす
る。
もので、インゴットの切断からウェーハの外周面取りま
での製造工程において、スライスベースを剥離する剥離
装置とウェーハ外周の面取りをする面取り機の台数を増
やさなくても、ウェーハ1枚当たりの処理時間が、スラ
イシングマシン1台の処理時間の少なくとも半分となる
半導体ウェーハ製造システムを提供することを目的とす
る。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明では、前記目的を
達成するために、スライシングマシンのウェーハ処理時
間が、剥離装置又は面取り機のいずれか長い方に比べて
2倍を超えており、「特願平6−208979号」の例
では剥離装置と面取り機の稼働率が50%以下で使用さ
れていることに着目し、スライシングマシンを2台以上
と、剥離装置・面取り機を1台ずつ組み合わせて製造シ
ステムを構成するようにする。
達成するために、スライシングマシンのウェーハ処理時
間が、剥離装置又は面取り機のいずれか長い方に比べて
2倍を超えており、「特願平6−208979号」の例
では剥離装置と面取り機の稼働率が50%以下で使用さ
れていることに着目し、スライシングマシンを2台以上
と、剥離装置・面取り機を1台ずつ組み合わせて製造シ
ステムを構成するようにする。
【0015】すなわち、半導体ウェーハ製造システムを
次のように構成する。 (イ)インゴットAにスライスベースBを接着してその
スライスベースBごとインゴットAを切断するスライシ
ングマシンを、少なくとも2台設ける。 (ロ)スライシングマシンで切り出されたウェーハWか
らスライスベースWbを剥離する剥離装置を1台設け
る。この場合、剥離装置のウェーハ1枚当たりの処理時
間はスライシングマシン1台の処理時間の半分より短
い。 (ハ)スライスベースWbが剥離されたウェーハWの外
周の面取りをする面取り機を1台設ける。この場合、面
取り機のウェーハ1枚当たりの処理時間はスライシング
マシン1台の処理時間の半分より短い。 (ニ)スライシングマシンで切り出されたウェーハWを
剥離装置へ搬送し、剥離装置でスライスベースWbが剥
離されたウェーハWを面取り機へ搬送するウェーハ搬送
装置を設ける。
次のように構成する。 (イ)インゴットAにスライスベースBを接着してその
スライスベースBごとインゴットAを切断するスライシ
ングマシンを、少なくとも2台設ける。 (ロ)スライシングマシンで切り出されたウェーハWか
らスライスベースWbを剥離する剥離装置を1台設け
る。この場合、剥離装置のウェーハ1枚当たりの処理時
間はスライシングマシン1台の処理時間の半分より短
い。 (ハ)スライスベースWbが剥離されたウェーハWの外
周の面取りをする面取り機を1台設ける。この場合、面
取り機のウェーハ1枚当たりの処理時間はスライシング
マシン1台の処理時間の半分より短い。 (ニ)スライシングマシンで切り出されたウェーハWを
剥離装置へ搬送し、剥離装置でスライスベースWbが剥
離されたウェーハWを面取り機へ搬送するウェーハ搬送
装置を設ける。
【0016】そして、スライシングマシンの各ウェーハ
搬出時間を、1台のスライシングマシンのウェーハ処理
時間Gaを設置されたスライシングマシンの台数Nで割
って得られた時間「Ga/N」だけ平均的に順次ずら
し、ウェーハ搬送装置によって各スライシングマシンか
ら順次ウェーハWを取り出して剥離装置さらに面取り機
へ搬送するようにする。これによって、N台のスライシ
ングマシンで順次切り出されたウェーハWは、剥離装置
と面取り機で順次処理され、平均ウェーハ処理時間をG
a/Nとすることが可能になる。
搬出時間を、1台のスライシングマシンのウェーハ処理
時間Gaを設置されたスライシングマシンの台数Nで割
って得られた時間「Ga/N」だけ平均的に順次ずら
し、ウェーハ搬送装置によって各スライシングマシンか
ら順次ウェーハWを取り出して剥離装置さらに面取り機
へ搬送するようにする。これによって、N台のスライシ
ングマシンで順次切り出されたウェーハWは、剥離装置
と面取り機で順次処理され、平均ウェーハ処理時間をG
a/Nとすることが可能になる。
【0017】この場合、ウェーハ搬送装置を1台の搬送
装置(ウェーハ保持手段が1つ)ですべてのウェーハW
の搬送を行う方法と、ウェーハWをスライシングマシン
から剥離装置へ搬送する第一搬送装置と、剥離装置から
面取り機へ搬送する第二搬送装置との2つの搬送装置で
行う方法がある。2つの搬送装置で行うと、平行処理が
しやすくなるので、ウェーハ処理時間の短縮が容易にな
る。
装置(ウェーハ保持手段が1つ)ですべてのウェーハW
の搬送を行う方法と、ウェーハWをスライシングマシン
から剥離装置へ搬送する第一搬送装置と、剥離装置から
面取り機へ搬送する第二搬送装置との2つの搬送装置で
行う方法がある。2つの搬送装置で行うと、平行処理が
しやすくなるので、ウェーハ処理時間の短縮が容易にな
る。
【0018】また、剥離装置を、ウェーハWを洗浄する
洗浄部とスライスベースWbを剥離する剥離部とから構
成することができる。洗浄部と剥離部との間のウェーハ
の搬送は、剥離装置内部に搬送手段を設けてもよいが、
ウェーハ搬送装置によって行うことが可能である。
洗浄部とスライスベースWbを剥離する剥離部とから構
成することができる。洗浄部と剥離部との間のウェーハ
の搬送は、剥離装置内部に搬送手段を設けてもよいが、
ウェーハ搬送装置によって行うことが可能である。
【0019】さらに、スライシングマシンから横姿勢
(厚さ方向を鉛直方向にした状態)で搬出されたウェー
ハWを、剥離装置で縦姿勢(厚さ方向を水平方向にした
状態)で扱う場合は、横姿勢から縦姿勢(及びその逆)
に変更する手段を剥離装置内部に設けてもよいが、ウェ
ーハ搬送装置によって行うことが可能である。
(厚さ方向を鉛直方向にした状態)で搬出されたウェー
ハWを、剥離装置で縦姿勢(厚さ方向を水平方向にした
状態)で扱う場合は、横姿勢から縦姿勢(及びその逆)
に変更する手段を剥離装置内部に設けてもよいが、ウェ
ーハ搬送装置によって行うことが可能である。
【0020】
【発明の実施の形態】本発明に係る半導体ウェーハ製造
装置の発明の実施の形態1の全体構成説明図(平面図)
を図1に、剥離装置40及び搬送装置70の立面図を図
2に示す。この形態はスライシングマシンを2台、剥離
装置と面取り機を1台ずつ組み合わせて製造システムを
構成したものである。図1及び図2において、スライシ
ングマシン10及び20は従来の技術で一例として説明
した縦型のスライシングマシン、剥離装置40は当出願
人から「特願平7−042364号(ウェーハ洗浄スラ
イスベース剥離装置)」の中で洗浄部及び乾燥・剥離部
として説明しているものとほぼ同じ構成のもの、面取り
機50は当出願人が「特願平6−317608号(ウェ
ーハ面取り機)」の中で従来の技術として説明したもの
とほぼ同じ構成のものである。そして、これらに搬送装
置70が接続されている。
装置の発明の実施の形態1の全体構成説明図(平面図)
を図1に、剥離装置40及び搬送装置70の立面図を図
2に示す。この形態はスライシングマシンを2台、剥離
装置と面取り機を1台ずつ組み合わせて製造システムを
構成したものである。図1及び図2において、スライシ
ングマシン10及び20は従来の技術で一例として説明
した縦型のスライシングマシン、剥離装置40は当出願
人から「特願平7−042364号(ウェーハ洗浄スラ
イスベース剥離装置)」の中で洗浄部及び乾燥・剥離部
として説明しているものとほぼ同じ構成のもの、面取り
機50は当出願人が「特願平6−317608号(ウェ
ーハ面取り機)」の中で従来の技術として説明したもの
とほぼ同じ構成のものである。そして、これらに搬送装
置70が接続されている。
【0021】図1に示すように、スライシングマシン1
0及び20は従来の技術で説明したようにして、インゴ
ットAを切断してウェーハWを製造し、ウェーハWをベ
ルトコンベア16によって搬出する。この場合、カセッ
トがない構成である。なお、ウェーハWは横姿勢で、ス
ライスベースWbをスライシングマシン10及び20側
に向けて搬出される。
0及び20は従来の技術で説明したようにして、インゴ
ットAを切断してウェーハWを製造し、ウェーハWをベ
ルトコンベア16によって搬出する。この場合、カセッ
トがない構成である。なお、ウェーハWは横姿勢で、ス
ライスベースWbをスライシングマシン10及び20側
に向けて搬出される。
【0022】また、剥離装置40は洗浄部41と剥離部
45から構成されている。洗浄部41では、搬送装置7
0によってウェーハWが横姿勢の状態で受け皿44
(「特願平7−042364号」で説明している支持バ
ーや受け板等に相当)に搬入されると、上下駆動ユニッ
ト43によって受け皿44が下降しウェーハWが洗浄槽
42の中に入って洗浄される。
45から構成されている。洗浄部41では、搬送装置7
0によってウェーハWが横姿勢の状態で受け皿44
(「特願平7−042364号」で説明している支持バ
ーや受け板等に相当)に搬入されると、上下駆動ユニッ
ト43によって受け皿44が下降しウェーハWが洗浄槽
42の中に入って洗浄される。
【0023】洗浄が終わると、受け皿44が上昇し、搬
送装置70によって受け皿44からウェーハWが搬出さ
れるとともに、搬送装置70によって縦姿勢に変えられ
た後、剥離部45に搬送される。剥離部45ではウェー
ハWは、まず、圧縮空気が噴射されている乾燥ノズル4
6の前を下降及び上昇することによって水滴が除去され
る。次にヒーターが内蔵されたクランプ台47に押しつ
けられて加熱され、ウェーハWの基材部分Waとスライ
スベースWbとの間の接着剤が軟化されてスライスベー
スWbが剥離される。
送装置70によって受け皿44からウェーハWが搬出さ
れるとともに、搬送装置70によって縦姿勢に変えられ
た後、剥離部45に搬送される。剥離部45ではウェー
ハWは、まず、圧縮空気が噴射されている乾燥ノズル4
6の前を下降及び上昇することによって水滴が除去され
る。次にヒーターが内蔵されたクランプ台47に押しつ
けられて加熱され、ウェーハWの基材部分Waとスライ
スベースWbとの間の接着剤が軟化されてスライスベー
スWbが剥離される。
【0024】面取り機50は、「特願平6−31760
8号」の中で従来の技術として説明したものに対し、供
給部にカセットがないことのみが異なる。すなわち、ス
ライスベースWbが剥離されたウェーハWが供給部51
に搬入されると、供給搬送部61によって前設定部52
に送られて、ウェーハWの厚さの測定と円周方向位置が
概略設定される。次に、ウェーハWは加工部53の上方
位置まで供給搬送部61によって搬送され、そこで加工
搬入部62に移載される。
8号」の中で従来の技術として説明したものに対し、供
給部にカセットがないことのみが異なる。すなわち、ス
ライスベースWbが剥離されたウェーハWが供給部51
に搬入されると、供給搬送部61によって前設定部52
に送られて、ウェーハWの厚さの測定と円周方向位置が
概略設定される。次に、ウェーハWは加工部53の上方
位置まで供給搬送部61によって搬送され、そこで加工
搬入部62に移載される。
【0025】加工搬入部62に移載されたウェーハW
は、前設定部52で概略設定された円周方向位置が正確
に設定し直された後、加工部53のウェーハテーブル上
に搬入される。そして、ウェーハWの外周が面取り加工
がされる。加工が完了すると、ウェーハWは、洗浄搬送
部63によってウェーハテーブルから取り出され、洗浄
部54に搬入されて洗浄される。洗浄が完了するとウェ
ーハWは洗浄部54から格納搬送部64によって取り出
され、後測定部55へ搬送される。後測定部55ではウ
ェーハWの形状寸法が測定され、測定が完了するとウェ
ーハWは格納搬送部64によって格納部56に設置され
たカセットに格納される。
は、前設定部52で概略設定された円周方向位置が正確
に設定し直された後、加工部53のウェーハテーブル上
に搬入される。そして、ウェーハWの外周が面取り加工
がされる。加工が完了すると、ウェーハWは、洗浄搬送
部63によってウェーハテーブルから取り出され、洗浄
部54に搬入されて洗浄される。洗浄が完了するとウェ
ーハWは洗浄部54から格納搬送部64によって取り出
され、後測定部55へ搬送される。後測定部55ではウ
ェーハWの形状寸法が測定され、測定が完了するとウェ
ーハWは格納搬送部64によって格納部56に設置され
たカセットに格納される。
【0026】搬送装置70には、水平駆動ユニット71
があり、水平駆動ユニット71のスライダーに上下駆動
ユニット72が立設されて、上下駆動ユニット72のス
ライダーに取り付けられた搬送アーム73が上下及びY
方向に駆動される。なお、図1において、搬送装置70
の移動量を、スライシングマシン10とスライシングマ
シン20との間をLa、スライシングマシン20と剥離
装置40の洗浄部41との間をLb、洗浄部41と乾燥
ノズル46位置までの間をLc、乾燥ノズル46位置か
らクランプ台47位置との間をLd、クランプ台47位
置と面取り機50の供給部51との間をLeと表わして
いる。
があり、水平駆動ユニット71のスライダーに上下駆動
ユニット72が立設されて、上下駆動ユニット72のス
ライダーに取り付けられた搬送アーム73が上下及びY
方向に駆動される。なお、図1において、搬送装置70
の移動量を、スライシングマシン10とスライシングマ
シン20との間をLa、スライシングマシン20と剥離
装置40の洗浄部41との間をLb、洗浄部41と乾燥
ノズル46位置までの間をLc、乾燥ノズル46位置か
らクランプ台47位置との間をLd、クランプ台47位
置と面取り機50の供給部51との間をLeと表わして
いる。
【0027】また、図2に示すように、搬送アーム73
の先端にはロータリーシリンダー75が取り付けられ、
ロータリーシリンダー75には、先端に吸着パッド77
が取り付けらたアーム76が90゜回転自在に支持され
ている。これによって、ウェーハWはY方向に搬送され
るとともに、剥離部45の上方で横姿勢から縦姿勢に、
及び縦姿勢から横姿勢に変えられる。図2では、搬送装
置70によってウェーハWが縦姿勢に変えられ、乾燥ノ
ズル46の上方位置にある状態を示している。
の先端にはロータリーシリンダー75が取り付けられ、
ロータリーシリンダー75には、先端に吸着パッド77
が取り付けらたアーム76が90゜回転自在に支持され
ている。これによって、ウェーハWはY方向に搬送され
るとともに、剥離部45の上方で横姿勢から縦姿勢に、
及び縦姿勢から横姿勢に変えられる。図2では、搬送装
置70によってウェーハWが縦姿勢に変えられ、乾燥ノ
ズル46の上方位置にある状態を示している。
【0028】次に、このように構成された半導体ウェー
ハ製造装置によるウェーハの処理時間について説明す
る。図3に各部の動作の関連を表す動作線図を示す。図
の左端に記載した数字は、各機械・装置の符号であり、
剥離装置40及び面取り機50の右側には各動作を区分
して記載している(ただし、後測定と格納はまとめて
「後処理」としている)。また、搬送装置70の右側に
記載した数字は、搬送装置70が位置する機械・装置の
符号(洗浄部41、供給部51等)である。動作線に付
した数字(、等)は処理されるウェーハWを区別す
るための符号である。
ハ製造装置によるウェーハの処理時間について説明す
る。図3に各部の動作の関連を表す動作線図を示す。図
の左端に記載した数字は、各機械・装置の符号であり、
剥離装置40及び面取り機50の右側には各動作を区分
して記載している(ただし、後測定と格納はまとめて
「後処理」としている)。また、搬送装置70の右側に
記載した数字は、搬送装置70が位置する機械・装置の
符号(洗浄部41、供給部51等)である。動作線に付
した数字(、等)は処理されるウェーハWを区別す
るための符号である。
【0029】図3において、搬送装置70の搬送アーム
73がスライシングマシン10の位置にあったとする
と、まず、搬送装置70によってスライシングマシン1
0のベルトコンベア16からウェーハWが取り出され、
剥離装置40の洗浄部41の受け皿44に搬入される。
この時間をHaとする。
73がスライシングマシン10の位置にあったとする
と、まず、搬送装置70によってスライシングマシン1
0のベルトコンベア16からウェーハWが取り出され、
剥離装置40の洗浄部41の受け皿44に搬入される。
この時間をHaとする。
【0030】次に、受け皿44が下降して洗浄槽42で
ウェーハWが洗浄され、洗浄が完了すると受け皿44が
上昇する。この時間をSaとする。また、搬送装置70
によって受け皿44からウェーハWが取り出されるとと
もに、搬送装置70によって縦姿勢に変えられた後、剥
離部45に搬送される。この時間をHeとする。そし
て、剥離部45で、乾燥ノズル46によって水滴が除去
された後、クランプ台47に押しつけられてスライスベ
ースWbが剥離される時間を合わせてKとする。
ウェーハWが洗浄され、洗浄が完了すると受け皿44が
上昇する。この時間をSaとする。また、搬送装置70
によって受け皿44からウェーハWが取り出されるとと
もに、搬送装置70によって縦姿勢に変えられた後、剥
離部45に搬送される。この時間をHeとする。そし
て、剥離部45で、乾燥ノズル46によって水滴が除去
された後、クランプ台47に押しつけられてスライスベ
ースWbが剥離される時間を合わせてKとする。
【0031】また、剥離部45からウェーハWが取り出
されとともに、搬送装置70によって横姿勢に変えられ
た後、面取り機50の供給部51に搬入される。この時
間をHfとする。なお、「Sa+He+K+Hf=L」
とすると、Lは、搬送装置70が剥離装置40の洗浄部
41に到達した時から面取り機50の供給部51に到達
するまでの時間である。
されとともに、搬送装置70によって横姿勢に変えられ
た後、面取り機50の供給部51に搬入される。この時
間をHfとする。なお、「Sa+He+K+Hf=L」
とすると、Lは、搬送装置70が剥離装置40の洗浄部
41に到達した時から面取り機50の供給部51に到達
するまでの時間である。
【0032】さらに、面取り機50で、供給部51から
前設定部52に送られてウェーハWの厚さの測定と円周
方向位置が概略設定され、前設定部52から加工搬入部
62に移載されるまでの時間をF、加工搬入部62によ
って加工部53のウェーハテーブル上に搬入され、ウェ
ーハWの外周が面取り加工されるまでの時間をGb、洗
浄搬送部63によってウェーハテーブルから取り出さ
れ、洗浄部54に搬入されて洗浄されるまでの時間をS
b、洗浄部54から格納搬送部64によって取り出さ
れ、後測定部55へ搬送されて測定され、さらに格納搬
送部64によって格納部56のカセットに格納されるま
での時間をRとする。ここで、「F+Gb+Sb+R=
M」とすると、MはウェーハWが面取り機50の供給部
51に搬入されてから格納部56のカセットに格納され
るまでの時間である。
前設定部52に送られてウェーハWの厚さの測定と円周
方向位置が概略設定され、前設定部52から加工搬入部
62に移載されるまでの時間をF、加工搬入部62によ
って加工部53のウェーハテーブル上に搬入され、ウェ
ーハWの外周が面取り加工されるまでの時間をGb、洗
浄搬送部63によってウェーハテーブルから取り出さ
れ、洗浄部54に搬入されて洗浄されるまでの時間をS
b、洗浄部54から格納搬送部64によって取り出さ
れ、後測定部55へ搬送されて測定され、さらに格納搬
送部64によって格納部56のカセットに格納されるま
での時間をRとする。ここで、「F+Gb+Sb+R=
M」とすると、MはウェーハWが面取り機50の供給部
51に搬入されてから格納部56のカセットに格納され
るまでの時間である。
【0033】なお、図3では面取り機50の供給部51
からスライシングマシン20の位置へ移動する時間をH
b、スライシングマシン20からウェーハWを取り出し
て、剥離装置40の洗浄部41に搬入するまでの時間を
Hc、面取り機50の供給部51からスライシングマシ
ン10の位置へ移動する時間をHdとしている。
からスライシングマシン20の位置へ移動する時間をH
b、スライシングマシン20からウェーハWを取り出し
て、剥離装置40の洗浄部41に搬入するまでの時間を
Hc、面取り機50の供給部51からスライシングマシ
ン10の位置へ移動する時間をHdとしている。
【0034】この場合、スライシングマシン20からウ
ェーハW(図2で)が搬出されるまでに、スライシン
グマシン10から搬出されたウェーハW(図2で)の
剥離が完了して搬送装置70がスライシングマシン20
に到達できることが必要であるから、このように構成で
きるシステムの条件は、2台のスライシングマシンから
搬出されるウェーハWの時間差を各々のスライシングマ
シンのウェーハ処理時間Gaの半分とすれば、次の式に
よって示すことができる。 Ha+L+Hb≦Ga/2 …………(1) 同様に、図2でとの関係から、次の式も条件とな
る。 Hc+L+Hd≦Ga/2 …………(2)
ェーハW(図2で)が搬出されるまでに、スライシン
グマシン10から搬出されたウェーハW(図2で)の
剥離が完了して搬送装置70がスライシングマシン20
に到達できることが必要であるから、このように構成で
きるシステムの条件は、2台のスライシングマシンから
搬出されるウェーハWの時間差を各々のスライシングマ
シンのウェーハ処理時間Gaの半分とすれば、次の式に
よって示すことができる。 Ha+L+Hb≦Ga/2 …………(1) 同様に、図2でとの関係から、次の式も条件とな
る。 Hc+L+Hd≦Ga/2 …………(2)
【0035】ただし、Haはスライシングマシン10か
ら剥離装置40の洗浄部41までの距離「La+Lb」
の移動時間、Hbは面取り機50の供給部51からスラ
イシングマシン20までの距離「Lb+Lc+Ld+L
e」の移動時間、Hcはスライシングマシン20から剥
離装置40の洗浄部41までの距離Lbの移動時間、H
dは面取り機50の供給部51からスライシングマシン
10までの距離「La+Lb+Lc+Ld+Le」の移
動時間であり、「Ha+Hb」と「Hc+Hd」とに該
当する距離は等しいから、「Ha+Hb」と「Hc+H
d」とはほぼ等しくなる。したがって、以下の説明では
(1)式を代表して用いる。
ら剥離装置40の洗浄部41までの距離「La+Lb」
の移動時間、Hbは面取り機50の供給部51からスラ
イシングマシン20までの距離「Lb+Lc+Ld+L
e」の移動時間、Hcはスライシングマシン20から剥
離装置40の洗浄部41までの距離Lbの移動時間、H
dは面取り機50の供給部51からスライシングマシン
10までの距離「La+Lb+Lc+Ld+Le」の移
動時間であり、「Ha+Hb」と「Hc+Hd」とに該
当する距離は等しいから、「Ha+Hb」と「Hc+H
d」とはほぼ等しくなる。したがって、以下の説明では
(1)式を代表して用いる。
【0036】また、面取り機50はウェーハの搬送装置
を内蔵しており前述したように、ウェーハWは、前設
定、加工、洗浄、後測定・格納(後処理)と移動してい
くため、面取り機50の条件は、内部の各工程の時間が
Ga/2より短ければよい。そして、「特願平6−31
7608号」の中でも説明しているように、一番長いの
は加工工程であるので、次に必要な条件は次式によって
示すことができる。 Gb≦Ga/2…………(3)
を内蔵しており前述したように、ウェーハWは、前設
定、加工、洗浄、後測定・格納(後処理)と移動してい
くため、面取り機50の条件は、内部の各工程の時間が
Ga/2より短ければよい。そして、「特願平6−31
7608号」の中でも説明しているように、一番長いの
は加工工程であるので、次に必要な条件は次式によって
示すことができる。 Gb≦Ga/2…………(3)
【0037】さて、このように構成した結果、のウェ
ーハWがスライシングマシン10で切り出されてから面
取り機50の格納部56のカセットに格納されるまでの
時間は「Ha+L+M」、のウェーハWの時間は「G
a/2+Hc+L+M」であるから、のウェーハWが
カセットに格納されてからのウェーハWが格納される
までの時間Taは、次のようになる。 Ta=(Ga/2+Hc+L+M)−(Ha+L+M) =Ga/2+Hc−Ha…………(4) 同様に、のウェーハWがカセットに格納されてから
のウェーハWが格納されるまでの時間Tbは、次のよう
になる。 Tb=(Ga+Ha+L+M)−(Ga/2+Hc+L+M) =Ga/2+Ha−Hc…………(5)
ーハWがスライシングマシン10で切り出されてから面
取り機50の格納部56のカセットに格納されるまでの
時間は「Ha+L+M」、のウェーハWの時間は「G
a/2+Hc+L+M」であるから、のウェーハWが
カセットに格納されてからのウェーハWが格納される
までの時間Taは、次のようになる。 Ta=(Ga/2+Hc+L+M)−(Ha+L+M) =Ga/2+Hc−Ha…………(4) 同様に、のウェーハWがカセットに格納されてから
のウェーハWが格納されるまでの時間Tbは、次のよう
になる。 Tb=(Ga+Ha+L+M)−(Ga/2+Hc+L+M) =Ga/2+Ha−Hc…………(5)
【0038】したがって、1枚のウェーハが処理される
平均時間Tは T=(Ta+Tb)/2=Ga/2……(6) つまり、スライシングマシンでの処理時間の半分とな
る。
平均時間Tは T=(Ta+Tb)/2=Ga/2……(6) つまり、スライシングマシンでの処理時間の半分とな
る。
【0039】次に、図4を用いて、スライシングマシン
3台で構成した実施の形態2を説明する。前述したよう
に、本発明に係る製造システムによって効果をもたらす
ためには(1)式又は(3)式の条件が必要であり、接
続可能なスライシングマシンの台数は、次の2つの式で
示すNaとNbのうちのいずれか小さい値に含まれる最
大の整数である。 Na=Ga/(Ha+L+Hb)…………(7) Nb=Ga/Gb …………(8) ただし、(7)式の「Ha+L+Hb」は実施の形態1
で説明した「Ha+L+Hb」そのものではなく、搬送
装置70が一つのスライシングマシンからウェーハWを
取り出してから、次のウェーハWを取り出すために別の
スライシングマシンに到達するまでの時間を意味する。
3台で構成した実施の形態2を説明する。前述したよう
に、本発明に係る製造システムによって効果をもたらす
ためには(1)式又は(3)式の条件が必要であり、接
続可能なスライシングマシンの台数は、次の2つの式で
示すNaとNbのうちのいずれか小さい値に含まれる最
大の整数である。 Na=Ga/(Ha+L+Hb)…………(7) Nb=Ga/Gb …………(8) ただし、(7)式の「Ha+L+Hb」は実施の形態1
で説明した「Ha+L+Hb」そのものではなく、搬送
装置70が一つのスライシングマシンからウェーハWを
取り出してから、次のウェーハWを取り出すために別の
スライシングマシンに到達するまでの時間を意味する。
【0040】ところで、実施の形態1で説明した面取り
機50では、 Gb≦Ga/3…………(9) を十分に満足していることがわかっているので、スライ
シングマシン3台で構成するためには、 Ha+L+Hb≦Ga/3…………(10) となればよい。したがって、実施の形態1の構成の場合
はウェーハの搬送速度を上げたり、剥離装置40の処理
時間を短くすれば可能である。
機50では、 Gb≦Ga/3…………(9) を十分に満足していることがわかっているので、スライ
シングマシン3台で構成するためには、 Ha+L+Hb≦Ga/3…………(10) となればよい。したがって、実施の形態1の構成の場合
はウェーハの搬送速度を上げたり、剥離装置40の処理
時間を短くすれば可能である。
【0041】しかし、実施の形態2では、ウェーハの搬
送装置を次のように構成して、ウェーハの搬送速度や剥
離装置40の処理時間を変更せずに行う。すなわち、図
4に示すように、ウェーハの搬送装置を、スライシング
マシンから剥離装置40の洗浄部41までウェーハを搬
送する第一搬送装置80と、洗浄部41から面取り機5
0までウェーハを搬送する第二搬送装置90との2つで
構成する。
送装置を次のように構成して、ウェーハの搬送速度や剥
離装置40の処理時間を変更せずに行う。すなわち、図
4に示すように、ウェーハの搬送装置を、スライシング
マシンから剥離装置40の洗浄部41までウェーハを搬
送する第一搬送装置80と、洗浄部41から面取り機5
0までウェーハを搬送する第二搬送装置90との2つで
構成する。
【0042】第一搬送装置80には、水平駆動ユニット
81があり、水平駆動ユニット81のスライダーに上下
駆動ユニット82が立設されている。上下駆動ユニット
82のスライダーには搬送アーム83が取り付けられ、
搬送アーム83の先端には吸着パッド84が取り付けら
れている。これによって、吸着パッド84が上下及びY
方向に駆動されて、ウェーハWはY方向に搬送される。
81があり、水平駆動ユニット81のスライダーに上下
駆動ユニット82が立設されている。上下駆動ユニット
82のスライダーには搬送アーム83が取り付けられ、
搬送アーム83の先端には吸着パッド84が取り付けら
れている。これによって、吸着パッド84が上下及びY
方向に駆動されて、ウェーハWはY方向に搬送される。
【0043】同様に、第二搬送装置90には、水平駆動
ユニット91があり、水平駆動ユニット91のスライダ
ーに上下駆動ユニット92が立設されている。上下駆動
ユニット92のスライダーには搬送アーム93が取り付
けられ、搬送アーム93の上端にはロータリーシリンダ
ー95が取り付けられている。そして、ロータリーシリ
ンダー95には先端に吸着パッド97が取り付けらたア
ーム96が90゜回転自在に支持されている。これによ
って、ウェーハWはY方向に搬送されるとともに、剥離
部45の上方で横姿勢から縦姿勢に、及び縦姿勢から横
姿勢に変えられる。
ユニット91があり、水平駆動ユニット91のスライダ
ーに上下駆動ユニット92が立設されている。上下駆動
ユニット92のスライダーには搬送アーム93が取り付
けられ、搬送アーム93の上端にはロータリーシリンダ
ー95が取り付けられている。そして、ロータリーシリ
ンダー95には先端に吸着パッド97が取り付けらたア
ーム96が90゜回転自在に支持されている。これによ
って、ウェーハWはY方向に搬送されるとともに、剥離
部45の上方で横姿勢から縦姿勢に、及び縦姿勢から横
姿勢に変えられる。
【0044】なお、図4では、第一搬送装置80によっ
てウェーハWが剥離装置40の洗浄部41に搬入される
直前の状態を、第二搬送装置90によってウェーハWが
縦姿勢に変えられ、クランプ台47の上方位置にある状
態を示している。また、以下の記述において、スライシ
ングマシンは剥離装置40から遠い方から10、20、
30と符号を付けて説明するが、剥離装置40と面取り
機50との関係は実施の形態1と同じであるので、全体
構成説明図は省略する。
てウェーハWが剥離装置40の洗浄部41に搬入される
直前の状態を、第二搬送装置90によってウェーハWが
縦姿勢に変えられ、クランプ台47の上方位置にある状
態を示している。また、以下の記述において、スライシ
ングマシンは剥離装置40から遠い方から10、20、
30と符号を付けて説明するが、剥離装置40と面取り
機50との関係は実施の形態1と同じであるので、全体
構成説明図は省略する。
【0045】次に、このように構成された半導体ウェー
ハ製造装置によるウェーハの処理時間について説明す
る。図5に各部の動作の関連を表す動作線図を示す。図
の左端に記載した数字は、各機械・装置の符号であり、
剥離装置40及び面取り機50の右側には各動作を区分
して記載している(ただし、後測定と格納はまとめて
「後処理」としている)。また、第一搬送装置80及び
第二搬送装置90の右側に記載した数字は、各搬送装置
が位置する機械・装置の符号(洗浄部41、供給部51
等)である。動作線に付した数字(、等)は処理さ
れるウェーハWを区別するための符号である。
ハ製造装置によるウェーハの処理時間について説明す
る。図5に各部の動作の関連を表す動作線図を示す。図
の左端に記載した数字は、各機械・装置の符号であり、
剥離装置40及び面取り機50の右側には各動作を区分
して記載している(ただし、後測定と格納はまとめて
「後処理」としている)。また、第一搬送装置80及び
第二搬送装置90の右側に記載した数字は、各搬送装置
が位置する機械・装置の符号(洗浄部41、供給部51
等)である。動作線に付した数字(、等)は処理さ
れるウェーハWを区別するための符号である。
【0046】図5において、第一搬送装置80の吸着パ
ッド84はスライシングマシン10の位置にあったとす
ると、まず、第一搬送装置80によってスライシングマ
シン10のベルトコンベア16からウェーハWが取り出
され、剥離装置40の洗浄部41の受け皿44に搬入さ
れる。この時間をHgとする。また、受け皿44への搬
入が終わると、第一搬送装置80はスライシングマシン
20の位置へ移動する。この時間をHhとする。
ッド84はスライシングマシン10の位置にあったとす
ると、まず、第一搬送装置80によってスライシングマ
シン10のベルトコンベア16からウェーハWが取り出
され、剥離装置40の洗浄部41の受け皿44に搬入さ
れる。この時間をHgとする。また、受け皿44への搬
入が終わると、第一搬送装置80はスライシングマシン
20の位置へ移動する。この時間をHhとする。
【0047】同様に、スライシングマシン20からウェ
ーハWを取り出して剥離装置40の洗浄部41に搬入す
るまでの時間をHi、洗浄部41からスライシングマシ
ン30へ移動する時間をHj、スライシングマシン30
からウェーハWを取り出して洗浄部41に搬入するまで
の時間をHk、洗浄部41からスライシングマシン10
へ移動する時間をHmとする。
ーハWを取り出して剥離装置40の洗浄部41に搬入す
るまでの時間をHi、洗浄部41からスライシングマシ
ン30へ移動する時間をHj、スライシングマシン30
からウェーハWを取り出して洗浄部41に搬入するまで
の時間をHk、洗浄部41からスライシングマシン10
へ移動する時間をHmとする。
【0048】また、受け皿44が下降して洗浄槽42で
ウェーハWが洗浄され、洗浄が完了すると受け皿44が
上昇までの時間をSaとする。さらに、第二搬送装置9
0によって受け皿44からウェーハWが取り出されると
ともに、第二搬送装置90によって縦姿勢に変えられた
後、剥離部45に搬送される。この時間をHeとする。
そして、剥離部45で、乾燥ノズル46によって水滴が
除去された後、クランプ台47に押しつけられてスライ
スベースWbが剥離される時間を合わせてKとする。
ウェーハWが洗浄され、洗浄が完了すると受け皿44が
上昇までの時間をSaとする。さらに、第二搬送装置9
0によって受け皿44からウェーハWが取り出されると
ともに、第二搬送装置90によって縦姿勢に変えられた
後、剥離部45に搬送される。この時間をHeとする。
そして、剥離部45で、乾燥ノズル46によって水滴が
除去された後、クランプ台47に押しつけられてスライ
スベースWbが剥離される時間を合わせてKとする。
【0049】また、剥離部45からウェーハWが取り出
されとともに、第二搬送装置90によって横姿勢に変え
られた後、面取り機50の供給部51に搬入される。こ
の時間をHfとする。なお、前述したSaからHfま
で、つまり、ウェーハWが剥離装置40の洗浄部41に
到達した時から面取り機50の供給部51に到達するま
での時間は実施の形態1と同じであるので、実施の形態
1と同じ符号で表わしている。また、同様に「Sa+H
e+K+Hf=L」とする。面取り機50については実
施の形態1と同じであるので、すべて同一符号を付して
説明は省略する。
されとともに、第二搬送装置90によって横姿勢に変え
られた後、面取り機50の供給部51に搬入される。こ
の時間をHfとする。なお、前述したSaからHfま
で、つまり、ウェーハWが剥離装置40の洗浄部41に
到達した時から面取り機50の供給部51に到達するま
での時間は実施の形態1と同じであるので、実施の形態
1と同じ符号で表わしている。また、同様に「Sa+H
e+K+Hf=L」とする。面取り機50については実
施の形態1と同じであるので、すべて同一符号を付して
説明は省略する。
【0050】この場合、このように構成できるシステム
の条件は次のようになる。まず、第一搬送装置80の条
件は、 Hg+Hh≦Ga/3…………(11) Hi+Hj≦Ga/3…………(12) Hk+Hm≦Ga/3…………(13)
の条件は次のようになる。まず、第一搬送装置80の条
件は、 Hg+Hh≦Ga/3…………(11) Hi+Hj≦Ga/3…………(12) Hk+Hm≦Ga/3…………(13)
【0051】また、第一搬送装置80に保持されたウェ
ーハWと第二搬送装置90に保持されたウェーハWとが
干渉しないための条件は、剥離装置40内の洗浄部41
と剥離部45の位置関係や剥離装置40と面取り機50
との距離によって異なる。そこで、次の3つに場合に分
けて解析する。なお、実施の形態2では、(ロ)の条件
で設定している。
ーハWと第二搬送装置90に保持されたウェーハWとが
干渉しないための条件は、剥離装置40内の洗浄部41
と剥離部45の位置関係や剥離装置40と面取り機50
との距離によって異なる。そこで、次の3つに場合に分
けて解析する。なお、実施の形態2では、(ロ)の条件
で設定している。
【0052】(イ)第二搬送装置90に保持されたウェ
ーハWが縦姿勢になるとともに乾燥ノズル46の上方位
置まで移動されると干渉しなくなる場合。 Hg+Sa+He≦Ga/3+Hi…………(14) Hi+Sa+He≦Ga/3+Hk…………(15) Hk+Sa+He≦Ga/3+Hg…………(16) 3式を平均すると、 Sa+He≦Ga/3………(17)
ーハWが縦姿勢になるとともに乾燥ノズル46の上方位
置まで移動されると干渉しなくなる場合。 Hg+Sa+He≦Ga/3+Hi…………(14) Hi+Sa+He≦Ga/3+Hk…………(15) Hk+Sa+He≦Ga/3+Hg…………(16) 3式を平均すると、 Sa+He≦Ga/3………(17)
【0053】(ロ)第二搬送装置90に保持されたウェ
ーハWが縦姿勢になるとともにクランプ台47の上方位
置まで移動されると干渉しなくなる場合。 Hg+Sa+He+K≦Ga/3+Hi………(18) Hi+Sa+He+K≦Ga/3+Hk………(19) Hk+Sa+He+K≦Ga/3+Hg………(20) 3式を平均すると、 Sa+He+K≦Ga/3…………(21)
ーハWが縦姿勢になるとともにクランプ台47の上方位
置まで移動されると干渉しなくなる場合。 Hg+Sa+He+K≦Ga/3+Hi………(18) Hi+Sa+He+K≦Ga/3+Hk………(19) Hk+Sa+He+K≦Ga/3+Hg………(20) 3式を平均すると、 Sa+He+K≦Ga/3…………(21)
【0054】(ハ)第二搬送装置90に保持されたウェ
ーハWが縦姿勢になるとともに面取り機50の供給部5
1まで移動されると干渉しなくなる場合。 Hg+L≦Ga/3+Hi…………(22) Hi+L≦Ga/3+Hk…………(23) Hk+L≦Ga/3+Hg…………(24) 3式を平均すると、 L≦Ga/3 …………(25)
ーハWが縦姿勢になるとともに面取り機50の供給部5
1まで移動されると干渉しなくなる場合。 Hg+L≦Ga/3+Hi…………(22) Hi+L≦Ga/3+Hk…………(23) Hk+L≦Ga/3+Hg…………(24) 3式を平均すると、 L≦Ga/3 …………(25)
【0055】さて、このように構成した結果、のウェ
ーハWがスライシングマシン10で切り出されてから面
取り機50の格納部56のカセットに格納されるまでの
時間は「Hg+L+M」、のウェーハWの時間は「G
a/3+Hi+L+M」であるから、のウェーハWが
カセットに格納されてからのウェーハWが格納される
までの時間Tcは、次のようになる。 Tc=(Ga/3+Hi+L+M)−(Hg+L+M) =Ga/3+Hi−Hg…………(26) 同様に、のウェーハWがカセットに格納されてから
のウェーハWが格納されるまでの時間Tdは、次のよう
になる。 Td=(2Ga/3+Hk+L+M)−(Ga/3+Hi+L+M) =Ga/3+Hk−Hi…………(27) 同様に、のウェーハWがカセットに格納されてから
のウェーハWが格納されるまでの時間Teは、次のよう
になる。 Te=(Ga+Hg+L+M)−(2Ga/3+Hk+L+M) =Ga/3+Hg−Hk…………(28)
ーハWがスライシングマシン10で切り出されてから面
取り機50の格納部56のカセットに格納されるまでの
時間は「Hg+L+M」、のウェーハWの時間は「G
a/3+Hi+L+M」であるから、のウェーハWが
カセットに格納されてからのウェーハWが格納される
までの時間Tcは、次のようになる。 Tc=(Ga/3+Hi+L+M)−(Hg+L+M) =Ga/3+Hi−Hg…………(26) 同様に、のウェーハWがカセットに格納されてから
のウェーハWが格納されるまでの時間Tdは、次のよう
になる。 Td=(2Ga/3+Hk+L+M)−(Ga/3+Hi+L+M) =Ga/3+Hk−Hi…………(27) 同様に、のウェーハWがカセットに格納されてから
のウェーハWが格納されるまでの時間Teは、次のよう
になる。 Te=(Ga+Hg+L+M)−(2Ga/3+Hk+L+M) =Ga/3+Hg−Hk…………(28)
【0056】したがって、1枚のウェーハが処理される
平均時間Tは T=(Tc+Td+Te)/3=Ga/3……(29) つまり、スライシングマシンでの処理時間の1/3とな
る。
平均時間Tは T=(Tc+Td+Te)/3=Ga/3……(29) つまり、スライシングマシンでの処理時間の1/3とな
る。
【0057】なお、以上説明した発明の実施の形態で
は、縦型のスライシングマシンを用いた例を説明した
が、これに限らず、横型のスライシングマシンについて
も本発明は適用できる。また、剥離装置は「特願平7−
042364号)」で開示したものと同様の構造の装置
としたが、「特願平7−077350号」で開示したも
のや、「特願平6−208979号」の中で開示してい
る剥離装置を適用してもよい。さらに、面取り機につい
ても、「特願平6−317608号)」の中で発明の実
施例として説明している装置を適用しても本発明は実施
できる。
は、縦型のスライシングマシンを用いた例を説明した
が、これに限らず、横型のスライシングマシンについて
も本発明は適用できる。また、剥離装置は「特願平7−
042364号)」で開示したものと同様の構造の装置
としたが、「特願平7−077350号」で開示したも
のや、「特願平6−208979号」の中で開示してい
る剥離装置を適用してもよい。さらに、面取り機につい
ても、「特願平6−317608号)」の中で発明の実
施例として説明している装置を適用しても本発明は実施
できる。
【0058】また、以上説明した発明の実施の形態で
は、面取り機に格納部を設けて、面取りが完了したウェ
ーハWを格納するようにしたが、格納部を設けず、面取
りが完了したウェーハWを搬送装置70(実施の形態
1)又は第二搬送装置90(実施の形態2)によって次
工程へ搬送するようにしてもよい。
は、面取り機に格納部を設けて、面取りが完了したウェ
ーハWを格納するようにしたが、格納部を設けず、面取
りが完了したウェーハWを搬送装置70(実施の形態
1)又は第二搬送装置90(実施の形態2)によって次
工程へ搬送するようにしてもよい。
【0059】なお、以上説明した発明の実施の形態で
は、スライシングマシンの各ウェーハ搬出時間を、1台
のスライシングマシンのウェーハ処理時間Gaを設置さ
れたスライシングマシンの台数Nで割って得られた時間
「Ga/N」だけ順次ずらしたが、各スライシングマシ
ンと剥離装置40との間の移動に要する時間はスライシ
ングマシンの位置によって異なるので、均等に「Ga/
N」としなくても平均的に「Ga/N」となればよい。
は、スライシングマシンの各ウェーハ搬出時間を、1台
のスライシングマシンのウェーハ処理時間Gaを設置さ
れたスライシングマシンの台数Nで割って得られた時間
「Ga/N」だけ順次ずらしたが、各スライシングマシ
ンと剥離装置40との間の移動に要する時間はスライシ
ングマシンの位置によって異なるので、均等に「Ga/
N」としなくても平均的に「Ga/N」となればよい。
【0060】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るウェー
ハ製造システムによれば、インゴットの切断からウェー
ハの外周面取りまでの製造工程において、スライシング
マシンを2台以上と、ウェーハ1枚当たりの処理時間が
スライシングマシン1台の処理時間の半分より短い剥離
装置及び面取り機を1台ずつ組み合わせて製造システム
を構成した。そして、スライシングマシンの各ウェーハ
搬出時間を、スライシングマシン1台のウェーハ処理時
間Gaを設置されたスライシングマシンの台数Nで割っ
て得られた時間「Ga/N」だけ平均的に順次ずらし、
ウェーハ搬送装置によって各スライシングマシンから順
次ウェーハWを取り出して次工程へ搬送するようにし
た。したがって、剥離装置と面取り機との稼働率を少な
くとも2倍に上げることができ、剥離装置と面取り機の
台数を増やさなくても、ウェーハ1枚当たりの処理時間
が、スライシングマシン1台の処理時間の少なくとも半
分となる半導体ウェーハ製造システムを提供することが
できる。
ハ製造システムによれば、インゴットの切断からウェー
ハの外周面取りまでの製造工程において、スライシング
マシンを2台以上と、ウェーハ1枚当たりの処理時間が
スライシングマシン1台の処理時間の半分より短い剥離
装置及び面取り機を1台ずつ組み合わせて製造システム
を構成した。そして、スライシングマシンの各ウェーハ
搬出時間を、スライシングマシン1台のウェーハ処理時
間Gaを設置されたスライシングマシンの台数Nで割っ
て得られた時間「Ga/N」だけ平均的に順次ずらし、
ウェーハ搬送装置によって各スライシングマシンから順
次ウェーハWを取り出して次工程へ搬送するようにし
た。したがって、剥離装置と面取り機との稼働率を少な
くとも2倍に上げることができ、剥離装置と面取り機の
台数を増やさなくても、ウェーハ1枚当たりの処理時間
が、スライシングマシン1台の処理時間の少なくとも半
分となる半導体ウェーハ製造システムを提供することが
できる。
【図1】発明の実施の形態1の全体構成説明図(平面
図)
図)
【図2】発明の実施の形態1の搬送装置及び剥離装置
(立面図)
(立面図)
【図3】発明の実施の形態1の各部の動作の関連を表す
動作線図
動作線図
【図4】発明の実施の形態2の搬送装置及び剥離装置
(立面図)
(立面図)
【図5】発明の実施の形態2の各部の動作の関連を表す
動作線図
動作線図
【図6】縦型のスライシングマシン(要部立面図)
【図7】ウェーハの外観を示す図
W………ウェーハ 10、20…スライシングマシン 16……ベルトコンベア 40……剥離装置 41……洗浄部 45……剥離部 50……面取り機 51……供給部 52……前設定部 53……加工部 54……洗浄部 55……後測定部 56……格納部 61……供給搬送部 62……加工搬送部 63……洗浄搬送部 64……格納搬送部 70……搬送装置
Claims (7)
- 【請求項1】インゴットにスライスベースを接着してそ
のスライスベースごとインゴットを切断する少なくとも
2台のスライシングマシンと、 前記スライシングマシンで切り出されたウェーハからス
ライスベースを剥離するとともに、ウェーハ1枚当たり
の処理時間が前記スライシングマシン1台の処理時間の
半分より短い1台の剥離装置と、 前記剥離装置でスライスベースが剥離されたウェーハの
外周の面取りをするとともに、ウェーハ1枚当たりの処
理時間が前記スライシングマシン1台の処理時間の半分
より短い1台の面取り機と、 前記スライシングマシンで切り出されたウェーハを前記
剥離装置へ搬送し、前記剥離装置でスライスベースが剥
離されたウェーハを前記面取り機へ搬送するウェーハ搬
送装置と、から構成され、 前記スライシングマシンの各ウェーハ搬出時間を、スラ
イシングマシン1台のウェーハ処理時間を設置されたス
ライシングマシンの台数で割って得られた時間だけ平均
的に順次ずらし、前記ウェーハ搬送装置によって各スラ
イシングマシンから順次ウェーハを取り出して前記剥離
装置さらに前記面取り機へ搬送する、ことを特徴とする
半導体ウェーハ製造システム。 - 【請求項2】前記ウェーハ搬送装置が、1つのウェーハ
保持手段を有する1台の搬送装置であることを特徴とす
る請求項1に記載の半導体ウェーハ製造システム。 - 【請求項3】前記ウェーハ搬送装置が、 前記スライシングマシンで切り出されたウェーハを前記
剥離装置へ搬送する第一搬送装置と、 前記剥離装置でスライスベースが剥離されたウェーハを
前記面取り機へ搬送する第二搬送装置と、から構成され
たことを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェーハ製
造システム。 - 【請求項4】前記剥離装置が、前記スライシングマシン
で切り出されたウェーハを洗浄する洗浄部と、ウェーハ
からスライスベースを剥離する剥離部と、から構成さ
れ、 前記ウェーハ搬送装置が、前記洗浄部と前記剥離部との
間のウェーハの搬送を行う、ことを特徴とする請求項
1、請求項2又は請求項3に記載の半導体ウェーハ製造
システム。 - 【請求項5】前記剥離部がウェーハを縦姿勢の状態で取
り扱うように構成され、 前記ウェーハ搬送装置によってウェーハが横姿勢から縦
姿勢に及び縦姿勢から横姿勢に変更される、ことを特徴
とする請求項4に記載の半導体ウェーハ製造システム。 - 【請求項6】前記スライシングマシンが2台であること
を特徴とする請求項1から請求項5までのいずれか1に
記載の半導体ウェーハ製造システム。 - 【請求項7】前記スライシングマシンが3台で、前記剥
離装置及び前記面取り機のウェーハ1枚当たりの処理時
間が前記スライシングマシンの3分の1より短いことを
特徴とする請求項1から請求項5までのいずれか1に記
載の半導体ウェーハ製造システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30234195A JPH09123159A (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 半導体ウェーハ製造システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30234195A JPH09123159A (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 半導体ウェーハ製造システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09123159A true JPH09123159A (ja) | 1997-05-13 |
Family
ID=17907768
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30234195A Pending JPH09123159A (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 半導体ウェーハ製造システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09123159A (ja) |
-
1995
- 1995-10-27 JP JP30234195A patent/JPH09123159A/ja active Pending
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