JP2012527191A - 切り替え可能な入力ペア演算増幅器 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
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- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21178—Power transistors are made by coupling a plurality of single transistors in parallel
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45318—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising a cross coupling circuit, e.g. two extra transistors cross coupled
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45352—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising a combination of a plurality of transistors, e.g. Darlington coupled transistors
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45616—Indexing scheme relating to differential amplifiers the IC comprising more than one switch, which are not cross coupled
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
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- H03F2203/45702—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising two resistors
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
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- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
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Abstract
【選択図】図4
Description
i−2=(K/f)(gm 2/WLCox 2)×BW 方程式(1)
ここで、Wはゲート幅であり、Lはゲート長であり、Coxはトランジスタゲート容量であり、gmはトランジスタトランスコンダクタンスであり、fは動作周波数であり、Kは実験に基づいた定数(empirical constant)である。また、BWはトランジスタのノイズ帯域幅である。したがって、トランジスタゲートエリアの増加は、トランジスタ1/fノイズの減少をもたらす。
WT=gm/(Cgs+Cgd) 方程式(2)
ここで、gmはトランジスタのトランスコンダクタンスであり、Cgsはゲートおよびソース間のキャパシタンスである。また、Cgdはゲートおよびドレイン間のキャパシタンスである。
Aeffective=A401+A403=A402+A404 方程式(3)
ここで、A401はトランジスタ401のチャネルエリアであり、A403はトランジスタ403のチャネルエリアであり、A402はトランジスタ402のチャネルエリアであり、A404はトランジスタ404のチャネルエリアである。
Cgs_effective=Cgs_401+Cgs_403=Cgs_402+Cgs_404 方程式(4)
ここで、Cgs_401は、トランジスタ401のゲートおよびソース間キャパシタンスであり、Cgs_403は、トランジスタ403のゲートおよびソース間キャパシタンスであり、Cgs_402は、トランジスタ403のゲートおよびソース間キャパシタンスであり、Cgs_404は、トランジスタ404のゲートおよびソース間キャパシタンスである。
Cgd_effective=Cgd_401+Cgd_403=Cgd_402+Cgd_404 方程式(5)
ここで、Cgd_401は、トランジスタ401のゲートおよびドレイン間キャパシタンスであり、Cgd_403は、トランジスタ403のゲートおよびドレイン間キャパシタンス、Cgd_402は、トランジスタ403のゲートおよびドレイン間キャパシタンスであり、Cgd_404は、トランジスタ404のゲートおよびドレイン間キャパシタンスである。
図9は、レシーバロジック回路の動作フローを示すフローチャートである。それは、図6および図7に示される第3および第4のスイッチ構造の間で切り替わるために使用される。
Claims (31)
- 切り替え可能な増幅器を含む装置であって、
並列入力トランジスタペアと、
前記並列入力トランジスタペアを選択的にイネーブルするコア増幅器回路と、
を具備する装置。 - 前記コア増幅器回路は、入力トランジスタペアを含む、請求項1の装置。
- 前記コア増幅器回路中の前記入力トランジスタペアは、不変にイネーブルされる、請求項2の装置。
- 前記並列入力トランジスタペアは、前記コア増幅器回路の前記入力トランジスタペア中のトランジスタよりチャネルエリアが大きいトランジスタからなる、請求項2の装置。
- 前記並列入力トランジスタペアは、前記コア増幅器回路の前記入力トランジスタペア中のトランジスタとチャネルエリアが等しいトランジスタからなる、請求項2の装置。
- 前記並列入力トランジスタペアは、前記コア増幅器回路の前記入力トランジスタペア中のトランジスタよりチャネルエリアが小さいトランジスタからなる、請求項2の装置。
- 前記切り替え可能な増幅器は、スイッチをさらに有し、
前記選択的にイネーブルすることは、所望の現在の動作モードに基づいて前記スイッチをオンおよびオフすることを含んでいる、請求項6の装置。 - 前記装置は、ワイヤレス通信装置である、請求項1の装置。
- 前記装置は、前記並列入力トランジスタペアを選択的にイネーブルすることによって、第1の動作モードと第2の動作モードとの間で操作可能なマルチモードワイヤレス通信装置である、請求項1の装置。
- 第1の動作モードと第2の動作モードとの間で操作可能な装置であって、
切り替え可能な増幅器と、
前記切り替え可能な増幅器中の複数の入力トランジスタペアを選択的にイネーブルおよびディセーブルするためのレシーバロジック回路と、
を具備する装置。 - 前記複数の入力トランジスタペアは、サイズが等しい、請求項10の装置。
- 前記複数の入力トランジスタペアは、サイズが等しくない、請求項10の装置。
- 前記選択的にイネーブルおよびディセーブルすることは、現在の動作モードに基づく、請求項10の装置。
- 前記切り替え可能な増幅器は、スイッチをさらに有し、
前記選択的にイネーブルおよびディセーブルすることは、現在の所望の動作モードに基づいて前記スイッチをオンおよびオフすることを含んでいる、請求項10の装置。 - 切り替え可能な増幅器中の少なくとも1つの並列入力トランジスタペアを選択的にイネーブルおよびディセーブルするためのレシーバロジック回路を具備する、第1の動作モードと第2の動作モードとの間で操作可能な装置であって、
前記切り替え可能な増幅器は、スイッチと、それと関連する入力トランジスタペアを備えるコア増幅器回路とを有し、
前記少なくとも1つの並列入力トランジスタペアに第1の入力信号をつなぐために前記スイッチを閉じることを具備する方法。 - 前記コア増幅器回路中の前記入力トランジスタペアは、不変にイネーブルされる、請求項15の方法。
- 前記少なくとも1つの並列入力トランジスタペアは、前記コア増幅器回路の前記入力トランジスタペア中のトランジスタよりチャネルエリアが大きいトランジスタからなる、請求項15の方法。
- 前記少なくとも1つの並列入力トランジスタペアは、前記コア増幅器回路の前記入力トランジスタペア中のトランジスタとチャネルエリアが等しいトランジスタからなる、請求項15の方法。
- 前記少なくとも1つの並列入力トランジスタペアは、前記コア増幅器回路の前記入力トランジスタペア中のトランジスタよりチャネルエリアが小さいトランジスタからなる、請求項15の方法。
- 前記装置は、ワイヤレス通信装置である、請求項15の方法。
- 前記装置は、前記少なくとも1つの並列入力トランジスタペアを選択的にイネーブルすることによって、前記第1の動作モードと前記第2の動作モードとの間で操作可能なマルチモードワイヤレス通信装置である、請求項15の方法。
- 切り替え可能な増幅器中の少なくとも1つの並列入力トランジスタペアを選択的にイネーブルおよびディセーブルするためのレシーバロジック回路と、前記切り替え可能な増幅器中のコア増幅器回路に関連した入力トランジスタペアとを具備する、第1の動作モードと第2の動作モードとの間で操作可能な装置であって、
前記少なくとも1つの並列入力トランジスタペアに第1の入力信号をつなぐために、前記切り替え可能な増幅器中のスイッチの第1のセットを閉じることと、
前記コア増幅器回路中の前記入力トランジスタペアを分離するために、前記切り替え可能な増幅器中のスイッチの第2のセットを開くことと、
を具備する方法。 - 前記少なくとも1つの並列入力トランジスタペアは、前記コア増幅器回路の前記入力トランジスタペア中のトランジスタよりチャネルエリアが大きいトランジスタからなる、請求項22の方法。
- 前記少なくとも1つの並列入力トランジスタペアは、前記コア増幅器回路の前記入力トランジスタペア中のトランジスタとチャネルエリアが等しいトランジスタからなる、請求項22の方法。
- 前記少なくとも1つの並列入力トランジスタペアは、前記コア増幅器回路の前記入力トランジスタペア中のトランジスタよりチャネルエリアが小さいトランジスタからなる、請求項22の方法。
- 前記装置は、ワイヤレス通信装置である、請求項22の方法。
- 前記装置は、前記少なくとも1つの並列入力トランジスタペアを選択的にイネーブルすることによって、前記第1の動作モードと前記第2の動作モードとの間で操作可能なマルチモードワイヤレス通信装置である、請求項22の方法。
- 入力信号を増幅し、少なくとも1つの並列入力トランジスタペアを有するための手段と、
アクティブ負荷を駆動するためのコア増幅器回路手段と、
を具備する装置。 - 第1の動作モードと第2の動作モードとの間で操作可能な装置であって、
切り替え可能な増幅器中の複数の入力トランジスタペアと、
前記複数の入力トランジスタペアを選択的にイネーブルおよびディセーブルするための手段と、
を具備する装置。 - 第1の動作モードと第2の動作モードとの間で操作可能な装置であって、
切り替え可能な増幅器中の少なくとも1つの並列入力トランジスタペアを選択的にイネーブルおよびディセーブルするための手段であって、前記切り替え可能な増幅器は、スイッチとそれと関連する入力トランジスタペアを備えるコア増幅器回路とを有する、手段と、
前記少なくとも1つの並列入力トランジスタペアに第1の入力信号をつなぐためにスイッチを閉じるための手段と、
を具備する装置。 - 第1の動作モードと第2の動作モードとの間で操作可能な装置であって、
切り替え可能な増幅器中の少なくとも1つの並列入力トランジスタペア、および前記切り替え可能な増幅器中のコア増幅器回路に関連した入力トランジスタペアを選択的にイネーブルおよびディセーブルするための手段と、
前記少なくとも1つの並列入力トランジスタペアに第1の入力信号をつなぐために、前記切り替え可能な増幅器中のスイッチの第1のセットを閉じるための手段と、
前記コア増幅器回路中の前記入力トランジスタペアを分離するために、前記切り替え可能な増幅器中のスイッチの第2のセットを開くための手段と、
を具備する装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/465,553 | 2009-05-13 | ||
US12/465,553 US8195119B2 (en) | 2009-05-13 | 2009-05-13 | Switchable input pair operational amplifiers |
PCT/US2010/034784 WO2010132699A1 (en) | 2009-05-13 | 2010-05-13 | Switchable input pair operational amplifiers |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012527191A true JP2012527191A (ja) | 2012-11-01 |
JP5497159B2 JP5497159B2 (ja) | 2014-05-21 |
Family
ID=42262318
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012511020A Active JP5497159B2 (ja) | 2009-05-13 | 2010-05-13 | 切り替え可能な入力ペア演算増幅器 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8195119B2 (ja) |
EP (1) | EP2430749B1 (ja) |
JP (1) | JP5497159B2 (ja) |
KR (1) | KR101351153B1 (ja) |
CN (1) | CN102422529B (ja) |
TW (1) | TW201114171A (ja) |
WO (1) | WO2010132699A1 (ja) |
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-
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-
2010
- 2010-05-13 WO PCT/US2010/034784 patent/WO2010132699A1/en active Application Filing
- 2010-05-13 KR KR1020117029852A patent/KR101351153B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2010-05-13 TW TW099115365A patent/TW201114171A/zh unknown
- 2010-05-13 EP EP10721220.1A patent/EP2430749B1/en active Active
- 2010-05-13 CN CN201080020970.8A patent/CN102422529B/zh active Active
- 2010-05-13 JP JP2012511020A patent/JP5497159B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2009010826A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Sony Corp | マルチバンド低雑音増幅器および無線通信装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201114171A (en) | 2011-04-16 |
US8195119B2 (en) | 2012-06-05 |
CN102422529B (zh) | 2014-11-26 |
US20100289579A1 (en) | 2010-11-18 |
EP2430749B1 (en) | 2018-01-10 |
WO2010132699A1 (en) | 2010-11-18 |
KR20120018795A (ko) | 2012-03-05 |
CN102422529A (zh) | 2012-04-18 |
JP5497159B2 (ja) | 2014-05-21 |
KR101351153B1 (ko) | 2014-01-14 |
EP2430749A1 (en) | 2012-03-21 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A602 | Written permission of extension of time |
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