JP5139582B2 - プログラマブルオフ電圧を有する増幅器 - Google Patents
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Description
Vdg=Vout−Voff 式(1)
として与えられるかもしれない。
Voff<Vth 式(2)
ここで、VthはNMOSトランジスタ314の閾電圧である。より高いVoff電圧は、ターンオフしているときにNMOSトランジスタ314を通してリーク電流を増加させ、それは望ましくないことであるかもしれない。Voff電圧は、酸化物信頼性とリーク電流とのトレードオフに基づいて選択されるかもしれない。
Claims (25)
- 入力信号を増幅し、出力信号を供給する複数の増幅器ステージであって、前記複数の増幅器ステージは、並列に結合され、少なくとも1つのスイッチ可能な増幅器ステージを備え、各スイッチ可能な増幅器ステージが、オン状態又はオフ状態で動作し、
前記オン状態において前記入力信号を増幅して増幅された信号を供給し、前記オフ状態において前記入力信号を増幅しないゲイントランジスタと、
前記ゲイントランジスタに結合され、前記オン状態において前記増幅された信号をバッファして前記出力信号を供給するカスコードトランジスタであって、前記オフ状態においてオフ電圧に基づいてディセーブルにされ、前記オフ電圧がゼロボルトよりも大きいか又は複数の可能な値の1つを有するものであるカスコードトランジスタと、を備える、
装置。 - 出力信号レベルに基づいて前記オフ電圧を発生する電圧発生器をさらに備えた
請求項1の装置。 - 前記オフ電圧の複数の可能な値は、出力信号レベルの複数のレンジに関連付けられ、前記オフ電圧は、前記出力信号レベルをカバーするレンジに基づいて決定される値に設定される
請求項2の装置。 - 前記少なくとも1つのスイッチ可能な増幅器ステージに対する少なくとも1つの制御信号を受け取り、前記少なくとも1つの制御信号に基づいて前記オフ電圧を発生する電圧発生器であって、各制御信号が対応するスイッチ可能な増幅器ステージを前記オン状態又は前記オフ状態に設定するものである電圧発生器をさらに備えた
請求項1の装置。 - 直列に結合された複数の抵抗を備え、前記オフ電圧の前記複数の可能な値を供給する電圧発生器をさらに備えた
請求項1の装置。 - 前記オフ電圧の前記複数の可能な値は、ゼロボルトを備える
請求項1の装置。 - 前記オフ電圧は、前記カスコードトランジスタの閾電圧よりも小さい
請求項1の装置。 - 各スイッチ可能な増幅器ステージは、
前記スイッチ可能な増幅器ステージに対する制御信号を受け取り、前記カスコードトランジスタに対する制御電圧を供給するインバータ又はバッファであって、前記カスコードトランジスタをイネーブルにするオン電圧と前記カスコードトランジスタをディセーブルにする前記オフ電圧との間に結合されたインバータ又はバッファをさらに備える
請求項1の装置。 - 各スイッチ可能な増幅器ステージは、
前記インバータ又はバッファの出力と前記カスコードトランジスタのゲートとの間に結合された抵抗と、
前記カスコードトランジスタのゲートと回路グラウンドとの間に結合されたキャパシタと、
をさらに備える請求項8の装置。 - 前記出力信号を受け取り、各スイッチ可能な増幅器ステージの前記インバータ又はバッファに対するオン電圧を発生する電圧発生器をさらに備えた
請求項8の装置。 - 前記複数の増幅器ステージの出力とサプライ電圧との間に結合されたインダクタであって、前記出力信号が前記サプライ電圧の下方及び上方の電圧スイングを有するものであるインダクタをさらに備えた
請求項1の装置。 - 前記複数の増幅器ステージの少なくとも1つは、前記装置が送信しているときにイネーブルにされる
請求項1の装置。 - 前記少なくとも1つのスイッチ可能な増幅器ステージは、ターゲット出力信号レベルを得るためにイネーブル又はディセーブルにされる
請求項1の装置。 - 入力信号を増幅し、出力信号を供給する複数の増幅器ステージであって、前記複数の増幅器ステージは、並列に結合され、少なくとも1つのスイッチ可能な増幅器ステージを備え、各スイッチ可能な増幅器ステージが、オン状態又はオフ状態で動作し、
前記オン状態において前記入力信号を増幅して増幅された信号を供給し、前記オフ状態において前記入力信号を増幅しないゲイントランジスタと、
前記ゲイントランジスタに結合され、前記オン状態において前記増幅された信号をバッファして前記出力信号を供給するカスコードトランジスタであって、前記オフ状態においてオフ電圧に基づいてディセーブルにされ、前記オフ電圧がゼロボルトよりも大きいか又は複数の可能な値の1つを有するものであるカスコードトランジスタと、を備える、
集積回路。 - 出力信号レベルに基づいて前記オフ電圧を発生する電圧発生器をさらに備えた
請求項14の集積回路。 - 前記ゲイントランジスタ及び前記カスコードトランジスタは、Nチャネル金属酸化物半導体(NMOS)トランジスタ又はPチャネル金属酸化物半導体(PMOS)トランジスタを備える
請求項14の集積回路。 - オン状態においてゲイントランジスタによって入力信号を増幅して増幅された信号を得ることと、
前記オン状態においてカスコードトランジスタによって前記増幅された信号をバッファして出力信号を供給することと、
オフ状態においてオフ電圧によって前記カスコードトランジスタをディセーブルにすることであって、前記オフ電圧がゼロボルトよりも大きいか又は複数の可能な値の1つを有するものであることと、
を備えた方法。 - 出力信号レベルに基づいて前記オフ電圧を発生することをさらに備えた
請求項17の方法。 - 前記オフ電圧を発生することは、
前記出力信号レベルが閾値よりも小さい場合に、前記オフ電圧をゼロボルトに設定することと、
前記出力信号レベルが前記閾値よりも大きい場合に、前記オフ電圧をゼロボルトよりも大きい値に設定することと、
備える請求項18の方法。 - 前記出力信号に基づいてオン電圧を発生することと、
前記カスコードトランジスタに対する制御信号を、前記オフ状態において前記オフ電圧に設定するか、或いは前記オン状態において前記オン電圧に設定することと、
をさらに備えた請求項17の方法。 - 並列に結合された複数の増幅器ステージの少なくとも1つをイネーブルにすることであって、各増幅器ステージがゲイントランジスタ及びカスコードトランジスタを備えていることと、
各ディセーブルにされた増幅器ステージの前記カスコードトランジスタを前記オフ電圧によってディセーブルにすることと、
をさらに備えた請求項17の方法。 - 前記複数の増幅器ステージの中のどの少なくとも1つの増幅器ステージがイネーブルにされたかに基づいて前記オフ電圧を発生することをさらに備えた
請求項21の方法。 - オン状態において入力信号を増幅して増幅された信号を得る手段と、
前記オン状態において前記増幅された信号をバッファして出力信号を供給する手段と、
オフ状態においてオフ電圧によって前記バッファする手段をディセーブルにする手段であって、前記オフ電圧がゼロボルトよりも大きいか又は複数の可能な値の1つを有するものである手段と、
を備えた装置。 - 出力信号レベルに基づいて前記オフ電圧を発生する手段をさらに備えた
請求項23の装置。 - 前記オフ電圧を発生する手段は、
前記出力信号レベルが閾値よりも小さい場合に、前記オフ電圧をゼロボルトに設定する手段と、
前記出力信号レベルが前記閾値よりも大きい場合に、前記オフ電圧をゼロボルトよりも大きい値に設定する手段と、
を備える請求項24の方法。
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