JP2012524403A - 複数のフィールドプレートを有する電界効果トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
本出願は、2009年4月14日出願の「FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING A PLURALITY OF FIELD PLATES」と題された米国特許非仮出願番号第12/423,776号の優先権を主張するものであり、その全体は参照により本明細書に援用される。
用途に応じて、他の金属も同様に好適であり得る。
Claims (20)
- ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を含むトランジスタと、
前記ゲート電極に連結され、前記ソース電極と前記ドレイン電極から実質的に等距離に配置され、前記ソース電極と前記ゲート電極との間および前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間の電界を低減するように構成された第1のフィールドプレートと、
前記第1のフィールドプレートに近接配置され、前記ソース電極と前記ドレイン電極から実質的に等距離に配置され、前記ソース電極と前記ゲート電極との間および前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間の電界をさらに低減するように構成された第2のフィールドプレートと、
を備えることを特徴とする装置。 - 前記ゲート電極は、前記ソース電極と前記ドレイン電極とから実質的に等距離に配置されることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記第2のフィールドプレートは、接地電圧に連結されることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記第2のフィールドプレートは、第1のプレート部と、前記第1のプレート部から離れた第2のプレート部と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記第1のプレート部は前記ソース電極に連結され、前記第2のプレート部は前記ドレイン電極に連結されることを特徴とする請求項4に記載の装置。
- 前記第2のフィールドプレートは、それぞれ前記トランジスタの活性領域側に折り曲げられた第1の端部と第2の端部を含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記第2のフィールドプレートに近接配置され、前記ソース電極と前記ドレイン電極とから実質的に等距離に配置される第3のフィールドプレートをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記第2のフィールドプレートは、前記ソース電極または前記ドレイン電極に連結され、前記第3のフィールドプレートは前記ソース電極または前記ドレイン電極に連結されることを特徴とする請求項7に記載の装置。
- 前記トランジスタと同様に構成され、前記トランジスタに並列に接続された複数の他のトランジスタをさらに備え、前記トランジスタと前記複数の他のトランジスタは、複数のゲート電極、複数のソース電極および複数のドレイン電極で形成されることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記ゲート電極は第1のゲート電極を含み、前記装置は、前記ソース電極および前記第1のゲート電極から実質的に等距離に配置された第2のゲート電極と、前記第1のゲート電極と前記ドレイン電極から実質的に等距離に配置された第3のゲート電極と、をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記第2のゲート電極に連結された第3のフィールドプレートと、前記第3のゲート電極に連結された第4のフィールドプレートと、をさらに備えることを特徴とする請求項10に記載の装置。
- 前記第3のフィールドプレートに近接配置され、前記ソース電極と前記第1のゲート電極とから実質的に等距離に配置された第5のフィールドプレートと、前記第4のフィールドプレートに近接配置され、前記第1のゲート電極と前記ドレイン電極とから実質的に等距離に配置された第6のフィールドプレートと、をさらに備えることを特徴とする請求項11に記載の装置。
- 前記トランジスタは、高電子移動度トランジスタ(HEMT)、シュードモルフィック高電子移動度トランジスタ(pHEMT)、横方向拡散金属酸化物半導体トランジスタ(LDMOS)および金属エピタキシャル半導体電界効果トランジスタ(MESFET)から構成される群から選択される電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を含み、前記ゲート電極は前記ソース電極と前記ドレイン電極とから実質的に等距離に配置されているトランジスタと、前記ゲート電極に連結され、前記ソース電極と前記ドレイン電極とから実質的に等距離に配置され、前記ソース電極と前記ゲート電極との間および前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間の電界を低減するように構成された第1のフィールドプレートと、
前記ソース電極上に配置され、前記ソース電極から前記ゲート電極側に突き出し、前記ソース電極と前記ゲート電極との間の電界をさらに低減するように構成された第2のフィールドプレートと、
前記ドレイン電極上に配置され、前記ドレイン電極から前記ゲート電極側に突き出し、前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間の電界をさらに低減させるように構成された第3のフィールドプレートと、
を備えることを特徴とする装置。 - 前記第2のフィールドプレートに近接配置された第4のフィールドプレートと、前記第3のフィールドプレートに近接配置された第5のフィールドプレートと、をさらに備えることを特徴とする請求項14に記載の装置。
- 前記第1のフィールドプレートに近接配置され、前記ソース電極と前記ドレイン電極とから実質的に等距離に配置された第4のフィールドプレートをさらに備えることを特徴とする請求項14に記載の装置。
- 前記トランジスタと同様に構成され、前記トランジスタに並列に接続された複数の他のトランジスタをさらに備えることを特徴とする請求項14に記載の装置。
- ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を含むトランジスタと、前記ゲート電極に連結され、前記ソース電極と前記ドレイン電極とから実質的に等距離に配置され、前記ソース電極と前記ゲート電極との間および前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間の電界を低減するように構成された第1のフィールドプレートと、前記第1のフィールドプレートに近接配置され、前記ソース電極と前記ドレイン電極とから実質的に等距離に配置され、前記ソース電極と前記ゲート電極との間および前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間の電界をさらに低減するように構成された第2のフィールドプレートと、を含むRF信号選択用のスイッチと、
前記スイッチに連結された、前記RF信号を増幅させるための電力増幅器と、
を備えることを特徴とするシステム。 - 前記電力増幅器に連結され、前記増幅されたRF信号の伝送を促進するように構成されたアンテナ構造をさらに備えることを特徴とする請求項18に記載のシステム。
- 前記システムは、レーダ装置、衛星通信装置、携帯電話、基地局、放送ラジオまたはテレビジョン増幅システムであることを特徴とする請求項18に記載のシステム。
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