JP2012522401A - シリルフルオランテン誘導体を含むｏｌｅｄデバイス - Google Patents

Abstract

本発明は、カソードと、アノードとを備え、且つそれらの間に発光層を有するＯＬＥＤデバイスであって、前記カソードと前記発光層との間の、（ａ）８位又は９位に結合するとともに独立して選択される３つの置換基に更に結合したケイ素原子を有するフルオランテン核を含むシリルフルオランテン化合物を含む第１の層と、（ｂ）前記第１の層と前記カソードとの間で前記第１の層に隣接して配置された第２の層であって、（ｉ）アルカリ金属又は有機アルカリ金属化合物を含有する第２の層か、又は（ｉｉ）アジン化合物を含有する第２の層を更に備えるＯＬＥＤデバイスを提供する。本発明の実施形態は、改善された輝度及び低い駆動電圧を備えたＯＬＥＤデバイスを提供することができる。

Description

本発明は、発光層と、特定の種類のシリルフルオランテン化合物を含む電子輸送層とを有する有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）デバイスに関する。

［関連出願の相互参照］
参照は、同一出願人による、William J. Begley及びDavid J. Giesenの米国特許出願第１２／４１５，２０４号、特定のフルオランテンホストを有するＯＬＥＤデバイスと題されたWilliam J. Begley、T. K. Hatwar及びNatasha Andrievskyによる２００７年１０月２６日に出願された米国特許出願第１１／９２４，６２６号、フルオランテン電子輸送材料を有するＯＬＥＤデバイスと題されたWilliam J. Begley、Liang Sheng Liao及びNatasha Andrievskyによる２００７年１０月２６日に出願された米国特許出願第１１／９２４，６３１号、フルオランテン誘導体を含むエレクトロルミネッセンスデバイスと題されたWilliam J. Begley及びNatasha Andrievskyによる２００８年１１月７日に出願された米国特許出願第１２／２６６，８０２号並びにフルオランテン電子注入材料を有するＯＬＥＤデバイスと題されたWilliam J. Begley、Liang Sheng Liao及びNatasha Andrievskyによる２００８年１１月１２日に出願された米国特許出願第１２／２６９，０６６号に対してなされ、それらの開示は本明細書に援用される。

有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）デバイスは２０年以上前から知られているが、その性能の制限は、多くの望ましい用途にとって障害となっていた。最も単純な形態の有機ＥＬデバイスは、正孔注入のためのアノードと、電子注入のためのカソードと、これらの電極に挟まれ、電荷の再結合を支持して光を発生させる有機媒体とから構成されている。これらのデバイスは、有機発光ダイオード又はＯＬＥＤとも一般に称される。初期の代表的な有機ＥＬデバイスは、１９６５年３月９日に発行されたGurneeらの米国特許第３，１７２，８６２号、１９６５年３月９日に発行されたGurneeの米国特許第３，１７３，０５０号、Dresnerの「Double Injection Electroluminescence in Anthracene」, RCA Review, 30, 322, (1969)、及び１９７３年１月９日に発行されたDresnerの米国特許第３，７１０，１６７号である。これらのデバイスの有機層は、通常、多環芳香族炭化水素から構成されており、非常に厚いものであった（１μｍよりもはるかに厚い）。その結果、動作電圧が非常に大きくなり、１００Ｖを超えることがしばしばあった。

より最近の有機ＥＬデバイスは、アノードとカソードとの間に極めて薄い層（例えば１．０μｍ未満）から成る有機ＥＬ素子を含む。本明細書では、「有機ＥＬ素子」という用語は、アノードとカソードとの間の層を包含する。厚さを小さくすることにより、有機層の抵抗値が小さくなり、はるかに低い電圧で動作するデバイスが可能となった。米国特許第４，３５６，４２９号に初めて記載された基本的な２層ＥＬデバイス構造では、アノードに隣接するＥＬ素子の一方の有機層が正孔を輸送するように特別に選択されているため、正孔輸送層と称され、他方の有機層が電子を輸送するように特別に選択されているため、電子輸送層と称される。有機ＥＬ素子の内部で注入された正孔と電子とが再結合することで効率的なエレクトロルミネッセンスが生じる。

C. Tangら（J. Applied Physics, Vol. 65, 3610 (1989)）によって開示されるような、正孔輸送層と電子輸送層との間に有機発光層（ＬＥＬ）を含有する３層有機ＥＬデバイスも提案されている。発光層は、ゲスト材料（別名ドーパントとしても知られる）をドープしたホスト材料を一般に含有する。またさらに、米国特許第４，７６９，２９２号には、正孔注入層（ＨＩＬ）と、正孔輸送層（ＨＴＬ）と、発光層（ＬＥＬ）と、電子輸送／注入層（ＥＴＬ）とを含む４層ＥＬ素子が提案されている。これらの構造によってデバイスの効率が改善された。

近年のＥＬデバイスは、赤色、緑色及び青色等の単色発光デバイスだけでなく、白色光を発するデバイスである白色デバイスにも拡大されている。効率的な白色発光ＯＬＥＤデバイスは産業上非常に望ましく、紙のように薄い光源、ＬＣＤディスプレイのバックライト、自動車のドーム型ライト、及びオフィス照明等の幾つかの用途の低コスト代替品とみなされている。白色発光ＯＬＥＤデバイスは明るく、効率的でなくてはならず、その国際照明委員会（ＣＩＥ）色度座標は一般に、約（０．３３、０．３３）である。いずれにせよ、本開示によれば、白色光とは白色を有すると使用者により認識される光である。

これら初期の発明以来、デバイスの材料がさらに改善された結果、例えば、特に米国特許第５，０６１，５６９号、米国特許第５，４０９，７８３号、米国特許第５，５５４，４５０号、米国特許第５，５９３，７８８号、米国特許第５，６８３，８２３号、米国特許第５，９０８，５８１号、米国特許第５，９２８，８０２号、米国特許第６，０２０，０７８号、及び米国特許第６，２０８，０７７号に開示されているように、色、安定性、輝度効率、製造容易性のような特性における性能が改善された。

これら全ての発展にもかかわらず、高い色純度と同時に高い輝度効率及び長い寿命を維持しつつ、デバイス駆動電圧をさらに低くし、したがって電力消費量を減少させる、電子輸送材料及び電子注入材料等の有機ＥＬデバイス構成要素が引き続き必要とされている。

電子注入層の例としては、米国特許第５，６０８，２８７号、米国特許第５，７７６，６２２号、米国特許第５，７７６，６２３号、米国特許第６，１３７，２２３号及び米国特許第６，１４０，７６３号に記載されているものが挙げられる。電子注入層は、４．０ｅＶ未満の仕事関数を有する材料を一般に含有する。仕事関数の定義は、ケミストリー・アンド・フィジックスのＣＲＣハンドブック（第７０版、１９８９〜１９９０、ＣＲＣプレス社）Ｆ−１３２頁に見られ、様々な金属の仕事関数のリストがＥ-９３頁及びＥ-９４頁に見られる。このような金属の典型例としては、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｙｂが挙げられる。Ｌｉ、Ｃｓ、Ｃａ、Ｍｇ等の低仕事関数アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有する薄膜は、電子注入のために用いられ得る。さらに、これらの低仕事関数金属をドープした有機材料もまた電子注入層として効果的に使用され得る。例は、Ｌｉ又はＣｓドープＡｌｑである。

米国特許http://patft.uspto.gov/netacgi/nph-Parser?Sect1=PTO1&Sect2=HITOFF&d=PALL&p=1&u=%2Fnetahtml%2FPTO%2Fsrchnum.htm&r=1&f=G&l=50&s1=6509109.PN.&OS=PN/6509109&RS=PN/6509109 - h0#h0http://patft.uspto.gov/netacgi/nph-Parser?Sect1=PTO1&Sect2=HITOFF&d=PALL&p=1&u=%2Fnetahtml%2FPTO%2Fsrchnum.htm&r=1&f=G&l=50&s1=6509109.PN.&OS=PN/6509109&RS=PN/6509109 - h2#h2第６，５０９，１０９号及び米国出願公開第２００３００４４６４３号は、電子注入領域が、ホスト材料としての窒素を含有しない芳香族化合物と、アルカリ金属化合物等の還元ドーパントとを含有する有機エレクトロルミネッセンスデバイスを記載する。米国特許第６，３９６，２０９号は、電子輸送有機化合物と、少なくとも１つのアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン又は希土類金属イオンを含有する有機金属錯体化合物との電子注入層を記載する。ＥＬデバイスの電子注入層における有機リチウム化合物の追加例としては、米国特許出願公開第２００６／０２８６４０５号、米国特許出願公開第２００２／００８６１８０号、米国特許出願公開第２００４／０２０７３１８号、米国特許第６，３９６，２０９号、特開２０００−０５３９５７号公報、国際公開第９９／６３０２３号及び米国特許第６，４６８，６７６号が挙げられる。

有用な種類の電子輸送材料は、オキシン自体のキレートを含む金属キレート化オキシノイド（oxinoid）化合物（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリンとも称される）に由来する材料である。トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ又はＡｌｑ₃としても知られる）並びに他の金属及び非金属オキシンキレートが、電子輸送材料として当該技術分野で既知である。米国特許第４，７６９，２９２号におけるTangら及び米国特許第４，５３９，５０７号におけるVanSlykeらは、発光層又は発光域における電子輸送材料としてのＡｌｑの使用を教示することによりＥＬデバイスの駆動電圧を低下させている。米国特許第６，０９７，１４７号におけるBaldoら及び米国特許第６，１７２，４５９号におけるHungらは、電子がカソードから電子輸送層に注入されると、電子が電子輸送層及び発光層の両方を横断するように、有機電子輸送層をカソードと隣接させて使用することを教示している。

電子輸送層における置換フルオランテンの使用も既知である。例としては、米国特許出願公開第２００８／０００７１６０号、米国特許出願公開第２００７／０２５２５１６号、米国特許出願公開第２００６／０２５７６８４号、米国特許出願公開第２００６／００９７２２７号、特開２００４−１０７３２６号公報及び特開２００４−０９１４４号公報が挙げられる。

米国特許出願公開第２００５／００９５４５５号及び米国特許出願公開第２００７／０１６４６６９号は、ＥＬデバイスの発光層としてシリル置換芳香族を開示している。

特開２００４−１０３４６３号公報は、エレクトロルミネッセンスデバイス及びリン光用ホスト化合物としての特定の構造のケイ素化合物又はそのケイ素化合物を電子輸送材料（ホールブロッカー）化合物として使用することを記載している。

これら全ての発展にもかかわらず、ＯＬＥＤデバイスの効率を改善し、そして駆動電圧を低減すると共に、他の改善された特徴を持つ実施形態を与える新規化合物を開発する必要性が残っている。

本発明は、カソードと、アノードとを備え、且つそれらの間に発光層を有するＯＬＥＤデバイスであって、発光層とカソードとの間の、８位又は９位に結合するケイ素原子を有するフルオランテン核を含むシリルフルオランテン化合物を含有する第１の層を更に備え、そのケイ素原子は、独立して選択される３つの置換基に更に結合しているＯＬＥＤデバイスを提供する。

第２の実施形態において、第１の層とカソードとの間で第１の層に隣接して配置された第２の層が、アルカリ金属又は有機アルカリ金属化合物を含有する。

第３の実施形態において、第１の層とカソードとの間で第１の層に隣接して配置された第２の層が、アジン化合物を含有し、そのアジン化合物は、アジン基を有する多環芳香族化合物であり、アジン化合物とシリルフルオランテン化合物との間のＬＵＭＯエネルギー値の絶対差が０．３ｅＶ以下であり、且つ第２の層とカソードとの間で第２の層に隣接して配置された第３の層が、アルカリ金属、無機アルカリ金属化合物、有機アルカリ金属化合物又はそれらの混合物を含有する。

本発明のデバイスは、効率及び駆動電圧などの特徴の改善を与える。

本発明のＯＬＥＤデバイスの１つの実施形態の概略断面図である。個々の層があまりに薄く、各種層の厚さの差が縮尺通りに描写するには大き過ぎるため、図１は正確な縮尺ではないことが理解されよう。

本発明は、一般に上記に記載されるようなものである。本発明のＯＬＥＤデバイスは、カソード、アノード、発光層（ＬＥＬ）（複数可）、電子輸送層（ＥＴＬ）（複数可）、及び電子注入層（ＥＩＬ）（複数可）、並びに任意で、正孔注入層（複数可）、正孔輸送層（複数可）、励起子ブロック層（複数可）、スペーサ層（複数可）、結合層（複数可）、及び正孔ブロック層（複数可）等の追加の層を備える多層エレクトロルミネッセンスデバイスである。

本発明は、カソードと発光層との間に、電子輸送層（ＥＴＬ）に相当する第１の層を提供する。第１の層は、特定の種類のシリルフルオランテン化合物を含有する。そのシリルフルオランテン化合物は、カソードから発光層への電子の輸送を容易にする。第１の層は、多くの場合１ｎｍ〜１００ｎｍ、しばしば５ｎｍ〜５０ｎｍ、あるいはより典型的に１０ｎｍ〜４０ｎｍの厚さを有する。ＥＴＬは非発光層である。すなわち、ＥＴＬはデバイスの全発光量の２５％未満を提供すべきである。理想的には、ＥＴＬは実質的に発光しない。

シリルフルオランテン化合物は、ＥＴＬの１００％を構成してもよく、又は層中に他の成分があってもよい。この場合、シリルフルオランテン化合物は、実質的に層の１００％未満のレベルで存在することができ、例えば、９０体積％、８０体積％、７０体積％若しくは５０体積％、又はそれ以下で存在することができる。望ましくは、他の成分が層中に存在する場合、それらは良好な電子輸送特性も有する。

フルオランテン核の番号付けの順序を下記に示す。一実施形態において、シリルフルオランテン化合物は、７位及び１０位に芳香族基を含有し、それらは同一でも異なっていてもよい。芳香族基は、置換されてもよいし置換されなくてもよい。有用な芳香族基の例としては、ピリジル基及びキノリル基のようなヘテロ芳香族基が挙げられる。望ましい一実施形態において、芳香族基は、例えばフェニル基、トリル基又はナフチル基のような６〜２４個の炭素原子を有する炭素環式芳香環から選択される。フルオランテン核は、例えばフェニル基及びナフチル基のような追加の芳香族基あるいは例えばメチル基及びｔ−ブチル基のような１〜２５個の炭素原子を有するアルキル基で更に置換されてもよい。

フルオランテン核は、追加の環化した環を含むことができるが、一実施形態において、フルオランテン核に環化した環を含有しない。環化した環は、フルオランテン核のいずれかの２つの炭素原子間の共通の環結合を共有する環である（環化した環は、縮合環としても一般に称される）。１つ以上の環化した環を有するフルオランテン核を含有する化合物の実例が以下に示される。

１つの望ましい実施形態において、フルオランテン核及びその置換基を含むシリルフルオランテン化合物は、合計１０未満の縮合芳香環、又は８未満の縮合芳香環、又は６未満の縮合芳香環を含有する。本発明のシリルフルオランテン化合物は、１つよりも多いフルオランテン核を含有することができ、すなわち、２つ以上のフルオランテン基が単結合を介して結合されるか、又は一緒に環化されることができる。しかしながら、１つの実施形態において、シリルフルオランテン化合物は、唯一のフルオランテン核を含有する。

本発明に用いられるシリルフルオランテン化合物は、フルオランテン核がまさにポリマー鎖の一部であるポリマー骨格又は化合物に接続された多数のフルオランテン基を含まない。本発明のシリルフルオランテン化合物は、典型的に１５００ダルトン未満、好ましくは１０００ダルトン未満の分子量をもつ小さな分子である。

シリルフルオランテン化合物は、フルオランテン核の８位又は９位に結合したケイ素基を含有する。ケイ素基は、フルオランテンに直接結合したケイ素原子を含有し、そのケイ素原子は、独立して選択される３つの置換基に更に結合している。ある実施形態において、シリルフルオランテン化合物は、８位及び９位の両方に独立して選択されるケイ素基を有する。適切なケイ素置換基の例としては、例えばメチル基及びｔ−ブチル基のような１〜２５個の炭素原子を有するアルキル基、並びにフェニル基及びナフチル基のような６〜２４個の炭素原子を有するアリール基が挙げられる。隣接するケイ素置換基は、結合して環基を形成してもよく、ケイ素原子上の置換基は、フルオランテン核に結合して追加の環基を形成することもできる。適切な環基としては、５員環又は６員環が挙げられ、それは例えばベンゼン環基で更に置換されてもよい。

望ましい実施形態において、シリルフルオランテン化合物は、式（Ｉ）によって表される。

式（Ｉ）において、Ｒ₁〜Ｒ₉は、それぞれ独立して、水素又は置換基を表すが、但し隣接する置換基は、結合して環基を形成してもよい。適切な置換基の例としては、メチル基及びｔ−ブチル基のような１〜２５個の炭素原子を有するアルキル基、並びにフェニル基及びナフチル基のような６〜２４個の炭素原子を有するアリール基が挙げられる。一実施形態において、Ｒ₁及びＲ₃は、それぞれ独立して、６〜２４個の炭素原子を有するアリール基のような芳香族基を表す。ある実施形態において、Ｒ₁及びＲ₃は、６〜２４個の炭素原子を有する同一のアリール基を表す。他の適切な実施形態において、隣接するＲ₁〜Ｒ₉置換基は、結合して環基を形成できない。

Ｗ₁〜Ｗ₃は、それぞれ独立して、１〜２５個の炭素原子を有するアルキル基及び６〜２４個の炭素原子を有するアリール基から選択される置換基を表すが、但しＷ₁及びＲ₂、Ｗ₃及びＲ₃、並びにＷ₁〜Ｗ₃のうちの２つは、結合して環基を形成してもよい。適切な環基としては、芳香族及び非芳香族の５員環基及び６員環基が挙げられる。

更なる他の適切な実施形態において、シリルフルオランテン化合物は、式（ＩＩ）によって表される。

式（ＩＩ）において、Ａｒ₁及びＡｒ₂は、それぞれ、６〜２４個の炭素原子を含有する独立して選択されるアリール基（例えば、フェニル基又はナフチル基）を表す。Ａｒ₁及びＲ¹は、結合して環基を形成してもよい。Ｒ¹〜Ｒ⁷は、それぞれ独立して、水素又は置換基を表すが、但し隣接する置換基は、結合して環基を形成してもよい。適切な置換基としては、例えば１〜２５個の炭素原子を有するアルキル基及び６〜２４個の炭素原子を有するアリール基が挙げられる。適切な環基としては、５員環基及び６員環基が挙げられ、それらは更に置換されてもよい。他の実施形態において、Ａｒ₁及びＲ¹並びに置換基Ｒ²〜Ｒ⁷は結合して環基を形成できない。

Ｗ₁〜Ｗ₃は、それぞれ独立して、１〜２５個の炭素原子を有するアルキル基及び６〜２４個の炭素原子を有するアリール基から選択される置換基を表すが、但しＷ₁及びＲ¹、Ｗ₃及びＡｒ₂、並びにＷ₁〜Ｗ₃のうちの２つは、結合して環基を形成してもよい。別の実施形態において、Ｗ₁及びＲ¹、Ｗ₃及びＡｒ₂、並びにＷ₁〜Ｗ₃のうちの２つは、結合して環基を形成できない。

望ましい一実施形態において、式（Ｉ）及び式（ＩＩ）中に含まれるフルオランテン核は、如何なる環基も有さない。更なる実施形態において、本発明で用いられるシリルフルオランテン化合物は、フルオランテン核に直接付加された如何なるアミノ置換基も有することができない。従って、式（Ｉ）中のＲ₁〜Ｒ₉、又は式（ＩＩ）中のＲ¹〜Ｒ⁷は、時アリールアミンのようなアミノ基であることができない。更なる実施形態において、本発明のシリルフルオランテン化合物は、ケイ素原子以外に、置換基としてか、又は置換基内に含有されるヘテロ原子を含有しない。

適切なシリルフルオランテン化合物は、公知の合成法（例えば、Marappan VelusamyらのDalton Trans., 3025-3034(2007)又はP. BergmannらのChemische Berichte, 828-35(1967)に記載されている方法に類似する方法）又はそれらの改良法を利用することによって調製することができる。一般に、７位及び１０位に芳香族基を有するシリルフルオランテン化合物、並びに特に７位及び１０位に同一の芳香族基を有するシリルフルオランテン化合物は、この種の置換を欠いているシリルフルオランテン化合物と比較して、合成が容易であるので好ましい。１つの一般的な合成経路の例が、以下（スキームＡ）に示される。化合物１を塩基（例えば、水酸化カリウム）の存在下でケトン２と反応させ、３を生成する。高沸点溶媒（例えば、ｏ−ジクロロベンゼン又はジフェニルエーテル）中、高温でアセチレン４を用いて３を処理することにより、シリルフルオランテン化合物５を形成する。

有機分子の合成において、特定の合成経路が、分子を排他的に、又は同じ分子式を有するが、分子中のどこかの様々な場所に配置される特定の置換基を有する点においてのみ異なる分子の混合物として生じさせることができることを理解すべきである。言い換えると、分子又は混合物中の分子は、それらの置換基の配置、又は一般的には空間中のそれらの原子のいくつかの配置によって互いに異なることができる。これが起きると、材料は異性体として称される。異性体の広範な定義は、Grant and Hackh's Chemical Dictionary, Fifth Edition, McGraw-Hill Book Company, page 313に見出すことができる。スキームＡで説明される合成経路は、化合物３が非対称である場合に、アセチレン分子４が化合物３とどのように空間的に反応するかで異性体を生じさせ得る経路の例である。本発明は、一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）により表される分子の例、並びにそれらの特定の分子例を含むだけでなく、これらの構造と関連した全ての異性体も含むことに気付くべきである。さらに、本発明の化合物及びそれらの異性体の例は、一般構造３の対称又は非対称化合物から誘導されるものに限定されず、式（Ｉ）及び（ＩＩ）の化合物を製造するのに有用な他の構造及び調製方法も含むことができる。いくつかの実施形態において、異性体の混合物を含むシリルフルオランテン化合物を使用することが望ましい。

有用なシリルフルオランテン化合物の非限定的な実例が以下に示される。

望ましくは、カソードと第１層との間に配置され、好ましくは第１層に接触する第２層が追加的に存在し、第２層はアルカリ金属又は有機アルカリ金属化合物を含有する。この層は電子注入層（ＥＩＬ）と典型的に称される。かかる層は、カソードと直接接触して一般に配置され、発光層へと向かう電子の効率的な移動の助けとなる。一般的な層の順序はＬＥＬ｜ＥＴＬ｜ＥＩＬ｜カソードである。ＥＴＬ及びＥＩＬは、複数の副層に分かれていてもよい。これら３つの界面のいずれかの間に中間層、例えばカソードとＥＩＬとの間にＬｉＦの薄層があってもよい。アルカリ金属又は有機アルカリ金属化合物は、ＥＴＬやＥＩＬ中にも存在することができる。

ＥＩＬは、単一のアルカリ金属又は有機アルカリ金属化合物のみから構成されていても、又は２種以上のアルカリ金属又は有機アルカリ金属化合物の混合物であってもよい。ＥＩＬは、アルカリ金属又はアルカリ金属化合物に加えて、１つ以上の追加材料を含有することができ、例えば、それは、多環芳香族炭化水素を含有することができる。追加材料に対するアルカリ金属又は有機アルカリ金属化合物の体積比％は、１％〜９９％のいずれであってもよく、より適切には１０％〜９０％、最も望ましくは３０％〜７０％である。ＥＩＬの厚さは、典型的に０．１ｎｍ〜２０ｎｍ、しばしば０．４ｎｍ〜１０ｎｍ、頻繁には１ｎｍ〜８ｎｍであり得る。

有用なアルカリ金属の例としては、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓ金属が挙げられ、Ｌｉ金属が好ましい。

有機アルカリ金属化合物は、有機配位子がアルカリ金属イオンに結合した有機金属化合物である。アルカリ金属は、周期表第１族に属する。その中でも、リチウムが非常に好ましい。

ＥＩＬ又はＥＩＬ及びＥＴＬに使用するのに有用な有機アルカリ金属化合物としては、式（ＩＩＩ）に従う有機リチウム化合物が挙げられる。
（Ｌｉ⁺）_m（Ｑ）_n 式（ＩＩＩ）
式中、Ｑはアニオン性有機配位子であり、ｍ及びｎは錯体の電荷が中性となるように独立して選択される整数である。

アニオン性有機配位子Ｑは、最も適切には一価アニオン性（monoanionic）であり、酸素、窒素又は炭素から成る少なくとも１つのイオン化可能な部位を含有する。エノラート又は酸素を含有する他の互変異系の場合、リチウムが酸素に結合していると見なされ、そのように描かれるが、リチウムは実際は他の部位に結合してキレートを形成している場合もある。また、配位子が、リチウムと配位結合又は供与結合を形成することのできる少なくとも１つの窒素原子を含有するのが望ましい。整数ｍ及びｎは、幾つかの有機リチウム化合物について知られる、クラスター錯体を形成する傾向に鑑みると、１超であり得る。

また、有用な有機アルカリ金属化合物としては、式（ＩＶ）に従う有機リチウム化合物も挙げられる。

式中、Ｚ及び破線の弧は、２個〜４個の原子及びリチウムカチオンを有する５員〜７員環を完成するのに必要な結合を表し、各Ａは、水素又は置換基を表し、各Ｂは、水素又は独立して選択されるＺ原子上の置換基を表し、ただし、２つ以上の置換基が結合して縮合環又は縮合環系を形成することができ、ｊは０〜３であり、ｋは１又は２であり、ｍ及びｎは錯体の電荷が中性となるように独立して選択される整数である。

式（ＩＶ）の化合物の中でも、Ａ置換基及びＢ置換基が一緒になって追加の環系を形成するのが最も望ましい。この追加の環系は、リチウムに配位結合又は供与結合して、多座配位子を形成する追加のヘテロ原子をさらに含有することができる。望ましいヘテロ原子は窒素又は酸素である。

式（ＩＶ）において、示される酸素が、ヒドロキシル基、カルボキシ基又はケト基の一部であることが好ましい。適切な窒素配位子の例は、８−ヒドロキシキノリン、２−ヒドロキシメチルピリジン、ピペコリン酸又は２−ピリジンカルボン酸である。

有用な有機アルカリ金属化合物の具体例は以下の通りである。

有用な第２層（ＥＩＬ）は、その場で形成される、すなわち、層の形成中にアルカリ金属と有機配位子とを混合することによって形成される有機アルカリ金属化合物も含む。例えば、有用なＥＩＬは、有機配位子（例えば、フェナントロリン誘導体）とアルカリ金属（例えば、Ｌｉ金属）との両方を含有する。好切な金属としては、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓが挙げられ、リチウム金属が最も好ましい。適切な置換フェナントロリン誘導体としては、式（Ｖ）により表されるものが挙げられる。

式（Ｖ）において、Ｒ₁〜Ｒ₈は独立して、水素、アルキル基、アリール基又は置換アリール基であり、Ｒ₁〜Ｒ₈のうち少なくとも１つはアリール基又は置換アリール基である。

ＥＩＬに有用なフェナントロリンの具体例は、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−フェナントロリン（Ｐｈｅｎ−１、ＢＣＰとも称される）及び４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（Ｐｈｅｎ−２、Ｂｐｈｅｎとも称される）である。

上述したように、アルカリ金属又は有機アルカリ金属化合物は、ＥＴＬ並びにＥＩＬ中にも存在することができる。例えば、特に有用な組み合わせとしては、シリルフルオランテン化合物及びＡＭ−２の両方を含むＥＴＬが挙げられ、この層は、ＡＭ−２も含むＥＩＬに隣接する。

図１は、電子輸送層（ＥＴＬ、１３６）及び電子注入層（ＥＩＬ、１３８）が存在する本発明の１つの実施形態を示す。発光層と電子輸送層との間に任意の正孔ブロック層（ＨＢＬ、１３５）が示される。任意の正孔注入層（ＨＩＬ、１３０）も図面に示される。他の実施形態では、ＥＴＬとＬＥＬとの間に配置される正孔ブロック層（ＨＢＬ、１３５）は存在しない。さらに他の実施形態では、電子注入層は、２つ以上の副層（示されていない）に分割されることができる。

１つの実例において、ＯＬＥＤデバイス１００は、正孔ブロック層を有さず、正孔注入層、電子注入層及び電子輸送層のみを有する。シリルフルオランテン化合物はＥＴＬ（１３６）中に存在し、有機アルカリ金属化合物（例えば、ＡＭ−１）はＥＩＬ（１３８）中に存在する。

シリルフルオランテン化合物を含む第１の層（ＥＴＬ）と、ＥＴＬと接し、アルカリ金属又は有機アルカリ金属化合物の代わりに無機アルカリ金属化合物を含むＥＩＬとを備えるＥＬデバイスは、不十分な輝度及び高い駆動電圧をしばしば提供するということが分かっている。例えば、図１に示されるＯＬＥＤデバイスに似ているが、正孔ブロック層を有さず、正孔注入層、電子注入層及び電子輸送層を１つずつ有し、シリルフルオランテン化合物がＥＴＬ（１３６）中に存在し、ＥＩＬ（１３８）がＬｉＦの層に相当するＯＬＥＤデバイスは、不十分な性能をしばしば提供する。

この問題は、ａ）発光層とカソードとの間の第１の層であって、８位又は９位に結合したケイ素原子（ここで、ケイ素原子は、独立して選択される３つの置換基に更に結合している）を有するフルオランテン核を含むシリルフルオランテン化合物を含む第１の層と、ｂ）第１の層とカソードとの間で第１の層に隣接して配置された第２の層であって、アジン化合物（ここで、アジン化合物は、アジン基を有する多環芳香族化合物である）を含み且つアジン化合物とシリルフルオランテン化合物との間のＬＵＭＯエネルギー値の絶対差が０．３ｅＶ以下である第２の層と、第２の層とカソードとの間で第２の層に隣接して配置された第３の層であって、アルカリ金属、無機アルカリ金属化合物、有機アルカリ金属化合物又はそれらの混合物を含む第３の層とを提供することにより解決され得る。

有用なアルカリ金属の例としては、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓ金属が挙げられ、Ｌｉ金属が好ましい。有用な無機アルカリ金属化合物の例としては、ＬｉＦ及びＣｓＦが挙げられる。適切な有機アルカリ金属化合物の例としては、上記したものが挙げられる。

説明例のように、有用なＯＬＥＤデバイスは、発光層（ＬＥＬ）とカソードとの間に存在する第１の層を備え、この層は、電子輸送層（ＥＴＬ）に相当し且つシリルフルオランテン化合物を含む。第１の電子注入層（ＥＩＬ１）に相当する第２の層は、アジン化合物を含有する。第２の電子注入層（ＥＩＬ２）に相当し且つアルカリ金属、無機アルカリ金属化合物又は有機アルカリ金属化合物を含有する第３の層は、第２の層とカソードとの間に存在する。動作時に、電子は、カソードからＥＩＬ２に流れた後、ＥＩＬ１に輸送され、そこからＥＴＬに最後にＬＥＬに流れる。

この過程において、電子は、アジン化合物からシリルフルオランテン化合物へと輸送される。輸送を促進するために、アジン化合物のＬＵＭＯ（最低空分子軌道）エネルギーレベルがシリルフルオランテン化合物のＬＵＭＯ値に近づくようにアジン化合物を選択することが望ましい。望ましくは、ＬＵＭＯエネルギー差が０．３ｅＶ以下の絶対値であり、又は０．２ｅＶ以下の絶対値であることが適切であり、０．１ｅＶ以下の絶対値であることが望ましい。更なる実施形態において、アジン化合物のＬＵＭＯエネルギーは、シリルフルオランテン化合物のＬＵＭＯエネルギーと同じであるか又はシリルフルオランテン化合物よりも高く（マイナスより小さい）、例えば、０．０５ｅＶ高いか又は０．１ｅＶよりずっと小さい。ＬＵＭＯエネルギーレベル及びＨＯＭＯエネルギーレベルは、サイクリックボルタンメトリー（ＣＶ）及びＯｓｔｅｒｙｏｕｎｇ矩形波ボルタンメトリー（ＳＷＶ）のような公知文献の手順によって測定することができる分子のレドックス特性から推定され得る。電気化学的測定の概説については、J. O. Bockris and A. K. N. Reddy, Modern Electrochemistry, Plenum Press, New York; and A. J. Bard and L. R. Faulkner, Electrochemical Methods, John Wiley & Sons, New York及びその中で引用される文献を参照。

分子のＬＵＭＯエネルギー及びＨＯＭＯエネルギーは、密度汎関数理論計算の原軌道エネルギー（raw orbital energy）からも導き出される。これらの原ＨＯＭＯ軌道エネルギー及び原ＬＵＭＯ軌道エネルギー（それぞれＥ_Hraw及びＥ_Lraw）は、ＨＯＭＯエネルギー及びＬＵＭＯエネルギーが等式１及び２によって与えられるように、実験的に導かれた定数により変更される。その定数の値は、計算原エネルギーを電気化学的データから得られる実験的な軌道エネルギーと比較することによって得られる。
ＨＯＭＯ＝０．６４３×（Ｅ_Hraw）−２．１３ （等式１）
ＬＵＭＯ＝０．８２７×（Ｅ_Lraw）−１．０９ （等式２）
Ｅ_Hrawは、最高エネルギー被占分子軌道のエネルギーであり、Ｅ_Lrawは、最低エネルギー空分子軌道のエネルギーであり、両方の値はｅＶで表される。Ｅ_Hraw及びＥ_Lrawの値は、Gaussian 98（Gaussian, Inc., Pittsburgh, PA）のコンピュータープログラムにおいて実行されるようなＢ３ＬＰＹ法を用いて得られる。Ｂ３ＬＰＹ法とともに使用する基底系は、以下：全原子のＭＩＤＩ！（それに対してＭＩＤＩ！は規定される）、ＭＩＤＩ！ではなく６−３１Ｇ^*で規定される全原子の６−３１Ｇ^*、ＬＡＣＶ３Ｐ及びＬＡＮＬ２ＤＺ基底系のいずれか一方、並びにＭＩＤＩ！又は６−３１Ｇ^*で規定されない原子の擬ポテンシャルのように規定され、ＬＡＣＶ３Ｐが好ましい方法である。残っている原子については、公表された如何なる基底系及び擬ポテンシャルが用いられてもよい。Gaussian 98コンピューターコードにおいて実行される場合、ＭＩＤＩ！、６−３１Ｇ^*及びＬＡＮＬ２ＤＺが用いられ、また、Jaguar 4.1（Schrodinger, Inc., Portland Oregon）コンピューターコードにおいて実行される場合、ＬＡＣＶ３Ｐが用いられる。ポリマー材料及びオリゴマー材料については、追加のユニットがＥ_Hraw及びＥ_Lrawの値を実質的に変更しないように十分な大きさのモノマー又はオリゴマーを通じてＥ_Hraw及びＥ_Lrawを計算するのに十分である。

アジン化合物は、アジン基を有する多環式芳香核であることができる。アジン基は、炭素原子の少なくとも１個（２個以上の炭素原子が窒素原子で置換されることができるという理解のもとで）が窒素原子で置換されたベンゼン核を含有する。適切なアジン基の例は以下の通りである。

有用な多環式芳香核としては、２つ以上の芳香環を有するもの、望ましくは少なくとも２つの縮合芳香環を有するもの、好ましくは少なくとも３つの縮合芳香環を有するものが挙げられる。そのような芳香系の非限定的な例が以下に示される。１つ以上のアジン基が、多環式芳香核に結合しており、それは追加の置換基を含むことができる。例えば、有用な追加の置換基としては、１〜１５個の炭素原子を有するアルキル基及び６〜２４個の炭素原子を有するアリール基が挙げられる。一実施形態において、アジン化合物は、縮合芳香環及び非縮合芳香環を含む少なくとも６つの芳香環を含む。

有用なアジン化合物としては、２つ以上の縮合芳香環を有し、縮合芳香環のうちの少なくとも１つがアジン基であるものも挙げられる。例えば、上述したような式（Ｖ）に従う置換フェナントロリン、例えばＰｈｅｎ−１及びＰｈｅｎ−２が有用である。

特に適切なアジン化合物としては、同一出願人による、フルオランテン電子注入材料を有するＯＬＥＤデバイスと題されたWilliam J. Begley、Liang Sheng Liao及びNatasha Andrievskyによる２００８年１１月１２日に出願された米国特許出願第１２／２６９，０６６号及びフルオランテン誘導体を含むエレクトロルミネッセンスデバイスと題されたWilliam J. Begley及びNatasha Andrievskyによる２００８年１１月７日に出願された米国特許出願第１２／２６６，８０２号に記載されているものが挙げられる。

有用なアジン化合物としては、アジン基で置換されたフルオランテン核を有するアジンフルオランテン誘導体が挙げられる。例えば、アジン基は、ピリジン基、ピリミジン基、フェナントロリン基及びピラジン基から選択される。一実施形態において、フルオランテン核は８位又は９位がアジン基で置換される。

式（ＶＩ）に従うアジンフルオランテン誘導体も有用なアジン化合物である。

式（ＶＩ）において、Ｒ¹⁰〜Ｒ¹⁸は、独立して、水素、１〜２５個の炭素原子を有するアルキル基又は６〜２４個の炭素原子を有するアリール基から選択されるが、但し隣接する基は、結合して縮合芳香環を形成してもよい。望ましい一実施形態において、Ｒ¹⁰及びＲ¹²は、独立して選択される６〜２４個の炭素原子を有するアリール基を表し、Ｒ¹¹及びＲ¹²〜Ｒ¹⁸は、水素、１〜２５個の炭素原子を有するアルキル基又は６〜２４個の炭素原子を有するアリール基から独立して選択されるが、但し隣接する基は、結合して縮合芳香環を形成できない。

式（ＶＩ）において、Ａｚはアジン基を表し、適切なアジン基は上述されている。アジン基の具体例としては、２−ピリジン基、３−ピリジン基、４−ピリジン基、ピラジン基、ピリミジン基、１’，１０’−フェナントロリン基、１，２，３−トリアジン基、１，２，４−トリアジン基及び１，３，５−トリアジン基が挙げられる。

式（ＶＩＩ）に従うアジンフルオランテンも有用なアジン化合物である。

式（ＶＩＩ）において、各Ａｒ₁及びＡｒ₂は独立して選択され、芳香環基、例えばフェニル基又はナフチル基のような６〜２４個の炭素原子を含むアリール環基を表す。他の望ましい実施形態において、Ａｒ₁及びＡｒ₂は同一である。

Ｒ₁〜Ｒ₇は、水素又は置換基から個々に選択されるが、但し２つの隣接するＲ₁〜Ｒ₇置換基は、結合してフルオランテン核に縮合された芳香環系を形成できない。同様に、Ａｒ₁及びＲ₁並びにＡｒ₂及びＡｚは、結合して縮合環を形成できない。一実施形態において、Ｒ₁〜Ｒ₇は、独立して、水素、フェニル基もしくはナフチル基のような６〜２４個の炭素原子を有するアリール環基又は１〜２５個の炭素原子を有するアルキル基を表す。更なる実施形態において、各Ｒ₁〜Ｒ₇は、水素を表す。

Ａｚは、アジン基を表す。適切なＡｚ基の具体例は上述されている。適切な一実施形態において、Ａｚは、１個以上の窒素を含み、例えば、Ａｚは、ピリミジン環基又はピラジン環基を表すことができる。他の実施形態において、Ａｚは、窒素を１つだけ含む（例えばピリジル基）。更なる実施形態において、Ａｚは、ただ１つの縮合環を含有し、例えばＡｚは、キノリン環基を表すことができる。他の実施形態において、Ｒ₁は、独立して選択されるアジン基も表す。

有用なアジン化合物としては、アジン基で置換されたアントラセン核を有するアジンアントラセン誘導体が挙げられる。一実施形態において、適切なアジン化合物は、ピリジン基、ピリミジン基、フェナントロリン基及びピラジン基からなる群から選択されるアジン基で９位又は１０位が置換されたアントラセン核を含む。アントラセン核の付番方式を下記に示す。

更なる実施形態において、アジン化合物は、式（ＶＩＩＩ）によって表される。

式（ＶＩＩＩ）において、Ｒ²¹〜Ｒ²⁸は、水素、１〜２５個の炭素原子を有するアルキル基及び６〜２４個の炭素原子を有するアリール基から独立して選択されるが、但し隣接する２つのＲ²¹〜Ｒ²⁸置換基は、結合して芳香環を形成してもよい。他の実施形態において、隣接する２つのＲ²¹〜Ｒ²⁸置換基は、結合して芳香環を形成してもよい。別の実施形態において、隣接する２つのＲ²¹〜Ｒ²⁸置換基は、結合して芳香環を形成できない。

式（ＶＩＩＩ）において、Ａｚは、アジン基を表す。適切なアジン基の例は上述されている。Ａｒは、３〜２３個の炭素原子と１〜３個の窒素原子とを有するヘテロアリール基又は６〜２４個の炭素原子を有するアリール基のような芳香族基を表す。一実施形態において、Ａｒは、Ａｚと同じであるか又は異なるアジン基を表す。

有用なアジン化合物の具体例は以下の通りである。

１つの実例において、ＯＬＥＤデバイス（１００）は、正孔ブロック層を有さず、正孔注入層、電子注入層及び電子輸送層を１つずつ有する。シリルフルオランテン化合物は、ＥＴＬ（１３６）中に存在し、ＥＩＬ（１３８）は、２つの副層（図示せず）、例えばＥＴＬ（１３６）に隣接する第１の電子注入層（ＥＩＬ１）及びＥＩＬ１とカソードとの間に配置された第２の電子注入層（ＥＩＬ２）に更に分けられる。この例において、アジン化合物は、ＥＩＬ１中に存在し、リチウム金属又はＬｉＦは、ＥＩＬ２中に存在する。

本発明の好ましい組み合わせの例は、シリルフルオランテン化合物が、Ｉｎｖ−１、Ｉｎｖ−２、Ｉｎｖ−３、Ｉｎｖ−４及びＩｎｖ−５又はこれらの混合物から選択され；アジン化合物が、Ａｚ−１、Ａｚ−２、Ａｚ−３、Ａｚ−４、Ａｚ−５及びＡｚ−６又はこれらの混合物から選択され；有機アルカリ金属化合物が、ＡＭ−１、ＡＭ−２、ＡＭ−３及びＡＭ−４又はこれらの混合物から選択され；無機アルカリ金属化合物がＬｉＦであり；アルカリ金属がＬｉであるものである。

適切な一実施形態において、ＥＬデバイスは白色光を発する手段を備え、それは、相補エミッタ、白色エミッタ、又はフィルタリング方式を備え得る。本発明は、例えば、米国特許第５，７０３，４３６号及び米国特許第６，３３７，４９２号に教示されるような、いわゆる積層デバイス構造で使用され得る。本発明の実施形態は、白色光を生じさせるために蛍光素子だけを含む積層デバイスにおいて使用され得る。デバイスは、蛍光発光材料とリン光発光材料との組み合わせを含んでもよい（ハイブリッドＯＬＥＤデバイスと称される場合もある）。白色発光デバイスを作製するためには、ハイブリッド蛍光／リン光デバイスは、青色蛍光エミッタ、並びに適当な割合の緑色及び赤色リン光エミッタ、又は白色発光を生じるのに適切な他の色の組み合わせを備えるのが理想的である。しかしながら、非白色発光を有するハイブリッドデバイスは、それ自体が有用であり得る。非白色発光を有するハイブリッド蛍光／リン光素子を、積層ＯＬＥＤにおいて、追加のリン光素子と順に組み合わせてもよい。例えば、白色発光は、１つ以上のハイブリッド青色蛍光／赤色リン光素子を、Tangらの米国特許第６，９３６，９６１Ｂ２号に開示されているようなｐ／ｎ接合コネクタを用いて、緑色リン光素子と順に積層することによって生じさせることができる。

望ましい一実施形態において、ＥＬデバイスは、ディスプレイデバイスの一部である。他の適切な実施形態において、ＥＬデバイスは、エリア照明デバイスの一部である。

本発明のＥＬデバイスは、電灯、又はテレビ、携帯電話、ＤＶＤプレイヤー、若しくはコンピュータ用モニター等の静止画像デバイス若しくは動画像デバイスの構成要素のような安定した発光が所望される任意のデバイスに有用である。

本明細書中及び本願全体を通して使用される場合、「炭素環」及び「複素環」又は「炭素環基」及び「複素環基」という用語は、一般に、Grant & Hackh's Chemical Dictionary, Fifth Edition, McGraw-Hill Book Companyによって定義されるようなものである。炭素環は、炭素原子のみを含有する任意の芳香環系又は非芳香環系であり、複素環は炭素原子及び窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、リン（Ｐ）、ケイ素（Ｓｉ）、ガリウム（Ｇａ）、ホウ素（Ｂ）、ベリリウム（Ｂｅ）、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び環系を形成するのに有用な、周期表に見られる他の元素等の非炭素原子の両方を含有する任意の芳香環系又は非芳香環系である。本発明の目的上、配位結合を含む環も複素環の定義に含まれる。配位結合又は供与結合の定義は、Grant & Hackh's Chemical Dictionary, pages 91 and 153に見ることができる。要するに、配位結合は、Ｏ又はＮ等の電子の豊富な原子が、電子不足の原子又はイオン、例えばアルミニウム、ホウ素、又はＬｉ⁺、Ｎａ⁺、Ｋ⁺、及びＣｓ⁺等のアルカリ金属イオンに電子対を供与する場合に形成される。かかる例の１つは、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑとも称される）において見られるが、この場合キノリン部分にある窒素が、その孤立電子対をアルミニウム原子に供与することで複素環が形成され、その結果Ａｌｑに合計で３つの縮合環が生じる。多座配位子を含む配位子の定義はそれぞれ、Grant & Hackh's Chemical Dictionary, pages 337 and 176に見ることができる。

特に規定のない限り、「置換された」又は「置換基」という用語の使用は、水素以外の任意の基又は原子を意味する。さらに、「基」という用語を用いる場合、置換基が置換可能な水素を含有するのであれば、置換基の置換されていない形態だけでなく、本明細書中に言及される任意の置換基（複数可）でさらに置換された形態も、デバイスの有用性に必要とされる性質をその置換基が失わせない限りは包含することも意図されることを意味する。適切には、置換基は、ハロゲンであり得るか、又は原子（炭素、ケイ素、酸素、窒素、リン、硫黄、セレン、若しくはホウ素）によって分子の残部と結合し得る。置換基は、例えば、ハロゲン（クロロ、ブロモ、若しくはフルオロ等）、ニトロ、ヒドロキシル、シアノ、カルボキシル、又はさらに置換されていてもよい基であり得る。さらに置換されていてもよい基としては、例えば、アルキル（メチル、トリフルオロメチル、エチル、ｔ−ブチル、３−（２，４−ジ−ｔ−ペンチルフェノキシ）プロピル、及びテトラデシル等の直鎖アルキル若しくは分岐鎖アルキル又は環式アルキルが含まれる）、アルケニル（例えば、エチレン、２−ブテン）、アルコキシ（例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、２−メトキシエトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ヘキシルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、テトラデシルオキシ、２−（２，４−ジ−ｔ−ペンチルフェノキシ）エトキシ、及び２−ドデシルオキシエトキシ）、アリール（例えば、フェニル、４−ｔ−ブチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、ナフチル）、アリールオキシ（例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、α−ナフチルオキシ又はβ−ナフチルオキシ、及び４−トリルオキシ）、カルボンアミド（例えば、アセトアミド、ベンズアミド、ブチルアミド、テトラデカンアミド、α−（２，４−ジ−ｔ−ペンチルフェノキシ）アセトアミド、α−（２，４−ジ−ｔ−ペンチルフェノキシ）ブチルアミド、α−（３−ペンタデシルフェノキシ）−ヘキサンアミド、α−（４−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチルフェノキシ）−テトラデカンアミド、２−オキソ−ピロリジン−１−イル、２−オキソ−５−テトラデシルピロリン−１−イル、Ｎ−メチルテトラデカンアミド、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド、２，５−ジオキソ−１−オキサゾリジニル、３−ドデシル−２，５−ジオキソ−１−イミダゾリル、及びＮ−アセチル−Ｎ−ドデシルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、フェノキシカルボニルアミノ、ベンジルオキシカルボニルアミノ、ヘキサデシルオキシカルボニルアミノ、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニルアミノ、フェニルカルボニルアミノ、２，５−（ジ−ｔ−ペンチルフェニル）カルボニルアミノ、ｐ−ドデシル−フェニルカルボニルアミノ、ｐ−トリルカルボニルアミノ、Ｎ−メチルウレイド、Ｎ，Ｎ−ジメチルウレイド、Ｎ−メチル−Ｎ−ドデシルウレイド、Ｎ−ヘキサデシルウレイド、Ｎ，Ｎ−ジオクタデシルウレイド、Ｎ，Ｎ−ジオクチル−Ｎ’−エチルウレイド、Ｎ−フェニルウレイド、Ｎ，Ｎ−ジフェニルウレイド、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｐ−トリルウレイド、Ｎ−（ｍ−ヘキサデシルフェニル）ウレイド、Ｎ，Ｎ−（２，５−ジ−ｔ−ペンチルフェニル）−Ｎ’−エチルウレイド、及びｔ−ブチルカルボンアミド）、スルホンアミド（例えば、メチルスルホンアミド、ベンゼンスルホンアミド、ｐ−トリルスルホンアミド、ｐ−ドデシルベンゼンスルホンアミド、Ｎ−メチルテトラデシルスルホンアミド、Ｎ，Ｎ−ジプロピルスルファモイルアミノ、及びヘキサデシルスルホンアミド）、スルファモイル（例えば、Ｎ−メチルスルファモイル、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジプロピルスルファモイル、Ｎ−ヘキサデシルスルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−［３−（ドデシルオキシ）プロピル］スルファモイル、Ｎ−［４−（２，４−ジ−ｔ−ペンチルフェノキシ）ブチル］スルファモイル、Ｎ−メチル−Ｎ−テトラデシルスルファモイル、及びＮ−ドデシルスルファモイル）、カルバモイル（例えば、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジブチルカルバモイル、Ｎ−オクタデシルカルバモイル、Ｎ−［４−（２，４−ジ−ｔ−ペンチルフェノキシ）ブチル］カルバモイル、Ｎ−メチル−Ｎ−テトラデシルカルバモイル、及びＮ，Ｎ−ジオクチルカルバモイル）、アシル（例えば、アセチル、（２，４−ジ−ｔ−アミルフェノキシ）アセチル、フェノキシカルボニル、ｐ−ドデシルオキシフェノキシカルボニル、メトキシカルボニル、ブトキシカルボニル、テトラデシルオキシカルボニル、エトキシカルボニル、ベンジルオキシカルボニル、３−ペンタデシルオキシカルボニル、及びドデシルオキシカルボニル）、スルホニル（例えば、メトキシスルホニル、オクチルオキシスルホニル、テトラデシルオキシスルホニル、２−エチルヘキシルオキシスルホニル、フェノキシスルホニル、２，４−ジ−ｔ−ペンチルフェノキシスルホニル、メチルスルホニル、オクチルスルホニル、２−エチルヘキシルスルホニル、ドデシルスルホニル、ヘキサデシルスルホニル、フェニルスルホニル、４−ノニルフェニルスルホニル、及びｐ−トリルスルホニル）、スルホニルオキシ（例えば、ドデシルスルホニルオキシ及びヘキサデシルスルホニルオキシ）、スルフィニル（例えば、メチルスルフィニル、オクチルスルフィニル、２−エチルヘキシルスルフィニル、ドデシルスルフィニル、ヘキサデシルスルフィニル、フェニルスルフィニル、４−ノニルフェニルスルフィニル、及びｐ−トリルスルフィニル）、チオ（例えば、エチルチオ、オクチルチオ、ベンジルチオ、テトラデシルチオ、２−（２，４−ジ−ｔ−ペンチルフェノキシ）エチルチオ、フェニルチオ、２−ブトキシ−５−ｔ−オクチルフェニルチオ、及びｐ−トリルチオ）、アシルオキシ（例えば、アセチルオキシ、ベンゾイルオキシ、オクタデカノイルオキシ、ｐ−ドデシルアミドベンゾイルオキシ、Ｎ−フェニルカルバモイルオキシ、Ｎ−エチルカルバモイルオキシ、及びシクロヘキシルカルボニルオキシ）、アミン（例えば、フェニルアニリノ、２−クロロアニリノ、ジエチルアミン、ドデシルアミン）、イミノ（例えば、１−（Ｎ−フェニルイミド）エチル、Ｎ−スクシンイミド、又は３−ベンジルヒダントイニル）、ホスフェート（例えば、ジメチルホスフェート及びエチルブチルホスフェート）、ホスファイト（例えば、ジエチルホスファイト及びジヘキシルホスファイト）、複素環基、複素環オキシ基、又は複素環チオ基（どの基も置換されていてもよく、炭素原子と少なくとも１個のヘテロ原子（酸素、窒素、硫黄、リン、又はホウ素から成る群から選択される）とから構成される３員〜７員の複素環を含有し、例えば、２−フリル、２−チエニル、２−ベンゾイミダゾリルオキシ、又は２−ベンゾチアゾリルがある）、第四級アンモニウム（例えば、トリエチルアンモニウム）、第四級ホスホニウム（例えば、トリフェニルホスホニウム）、並びにシリルオキシ（例えば、トリメチルシリルオキシ）が挙げられる。

必要に応じて、置換基それ自体が上記の置換基で１回以上さらに置換されていてもよい。当業者は、特定の用途にとって望ましい性質が実現されるように、使用する具体的な置換基を選択することができる。置換基としては、例えば、電子求引基、電子供与基及び立体基を挙げることができる。分子が２つ以上の置換基を有することができる場合には、特に規定のない限り、その置換基を互いに結合させて環（例えば、縮合環）を形成させてもよい。一般に、上記の基及びその置換基は、４８個までの炭素原子（典型的には１個〜３６個であり、通常は２４個未満である）を有する基を含み得るが、選択される個々の置換基によって、それよりも多くすることも可能である。

ＯＬＥＤデバイスの層構造、材料の選択、及び製造プロセスについて以下に記載する。

＜ＯＬＥＤデバイスの一般的な構造＞
本発明は、小分子材料、オリゴマー材料、ポリマー材料、又はこれらの組み合わせを用いた多くのＯＬＥＤ構成で使用することができる。このような構成には、単一のアノードとカソードとを有する非常に単純な構造から、より複雑なデバイス（例えば、複数のアノードとカソードとが直交配列を成して画素を形成するパッシブマトリクスディスプレイ、及び各画素が例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって独立して制御されるアクティブマトリクスディスプレイ）までが含まれる。本発明が首尾よく実施される有機層の構成は多数ある。本発明にとって必須の要件は、カソード、アノード、ＬＥＬ、ＥＴＬ及びＨＩＬである。

上記したように、小分子デバイスに特に有用な本発明による１つの実施形態を図１に示す。ＯＬＥＤ１００は、基板１１０、アノード１２０、正孔注入層１３０、正孔輸送層１３２、発光層１３４、正孔ブロック層１３５、電子輸送層１３６、電子注入層１３８、及びカソード１４０を含有する。いくつかの他の実施形態において、ＬＥＬのいずれかの側に任意のスペーサ層が存在する。これらのスペーサ層は、発光材料を典型的に含有しない。これらの層タイプの全てを下記に詳しく説明する。基板を代替的にカソードに隣接して配置してもよいこと、又は基板が実際にアノード若しくはカソードを構成し得ることに留意されたい。また、有機層を合計した厚さは、５００ｎｍ未満であることが好ましい。

ＯＬＥＤのアノード及びカソードは、導電体１６０を介して電圧／電流源１５０と接続される。アノードとカソードとの間に、アノードがカソードより正の電位となるように電位を印加することによってＯＬＥＤが動作する。正孔はアノードから有機ＥＬ素子に注入される。ＡＣモードではサイクル中に電位バイアスが逆転して電流が流れない期間があるため、ＯＬＥＤをＡＣモードで動作させるときにデバイスの安定性向上を実現することができる場合もある。ＡＣ駆動のＯＬＥＤの例が、米国特許第５，５５２，６７８号に記載されている。

＜アノード＞
所望のＥＬ発光をアノードを通して見る場合には、アノード１２０は、対象となる発光に対して透明であるか、又は実質的に透明である必要がある。本発明で用いられる透明なアノード用の一般的な材料は、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、及びスズ酸化物であるが、他の金属酸化物（アルミニウムをドープした亜鉛酸化物、インジウムをドープした亜鉛酸化物、マグネシウム−インジウム酸化物、ニッケル−タングステン酸化物が挙げられるが、これらに限定されない）も有効である。これらの酸化物に加え、金属窒化物（例えば、窒化ガリウム）、金属セレン化物（例えば、セレン化亜鉛）、及び金属硫化物（例えば、硫化亜鉛）をアノード１２０として用いることができる。ＥＬ発光をカソード１４０のみを通して見るような用途では、アノード１２０の透光特性は重要でないため、透明、不透明又は反射性の任意の導電性材料を使用することができる。この用途での導体の例としては、金、イリジウム、モリブデン、パラジウム、及び白金が挙げられるが、これらに限定されない。典型的なアノード用材料は、光透過性であろうとそうでなかろうと、仕事関数が４．１ｅＶ以上である。望ましいアノード用材料は、任意の適切な手段（例えば、蒸着、スパッタリング、化学蒸着、又は電気化学的手段）によって一般に堆積される。アノードは、既知のフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることができる。任意で、アノードを研磨した後に、他の層を塗布することで表面粗度を小さくして、短絡を最少にすること、又は反射性を向上させることができる。

＜正孔注入層＞
必ずしも必要な訳ではないが、ＯＬＥＤにＨＩＬを設けることが有用であることが多い。ＯＬＥＤ中のＨＩＬ１３０は、アノードからＨＴＬへの正孔の注入を促進する役割を果たすことができ、それによりＯＬＥＤの駆動電圧が低下する。ＨＩＬ１３０に使用するのに適切な材料としては、米国特許第４，７２０，４３２号に記載されるようなポルフィリン化合物、及びいくつかの芳香族アミン（例えば、４，４’，４’’−トリス［（３−エチルフェニル）フェニルアミノ］トリフェニルアミン（ｍ−ＴＤＡＴＡ））が挙げられるが、これらに限定されない。ＯＥＬＤに有用であることが報告されている代替的な正孔注入材料は、欧州特許出願公開第０８９１１２１号及び欧州特許出願公開第１０２９９０９号に記載されている。後述する芳香族第三級アミンも正孔注入材料として有用であり得る。ジピラジノ［２，３−ｆ：２’，３’−ｈ］キノキサリンヘキサカルボニトリル等の他の有用な正孔注入材料が、米国特許出願公開第２００４／０１１３５４７号及び米国特許第６，７２０，５７３号に記載されている。また、米国特許第６，４２３，４２９号に記載されるように、ｐ型ドープ有機層もＨＩＬに有用である。「ｐ型ドープ有機層」という用語は、この層がドープ後に半導体特性を有し、この層を流れる電流が正孔により実質的に搬送されることを意味する。伝導性は、ドーパントからホスト材料への正孔の移動による電荷移動錯体の形成によってもたらされる。

ＨＩＬ１３０の厚さは、０．１ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内、好ましくは０．５ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内である。

＜正孔輸送層＞
ＨＴＬ１３２は、少なくとも１つの正孔輸送材料（例えば、芳香族第三級アミン）を含有する。芳香族第三級アミンは、炭素原子（そのうちの少なくとも１つは芳香環の成員である）のみに結合する少なくとも１つの三価窒素原子を含有する化合物であると理解される。芳香族第三級アミンの１つの形態は、アリールアミン（例えば、モノアリールアミン、ジアリールアミン、トリアリールアミン、高分子アリールアミン）である。単量体トリアリールアミンの例は、Klupfelらの米国特許第３，１８０，７３０号に示されている。１つ以上のビニルラジカル、又は少なくとも１つの活性な水素含有基で置換された他の適切なトリアリールアミンは、Brantleyらの米国特許第３，５６７，４５０号及び同第３，６５８，５２０号に開示されている。

より好ましい種類の芳香族第三級アミンは、米国特許第４，７２０，４３２号及び米国特許第５，０６１，５６９号に記載されるように、少なくとも２つの芳香族第三級アミン部分を含むものである。かかる化合物として、構造式（Ａ）により表されるものが挙げられる。

式中、Ｑ₁及びＱ₂は、独立して選択される芳香族第三級アミン部分であり、Ｇは炭素−炭素結合の連結基（例えば、アリーレン基、シクロアルキレン基、又はアルキレン基）である。

一実施形態において、Ｑ₁又はＱ₂の少なくとも一方は、多環式縮合環構造（例えば、ナフタレン）を含有する。Ｇがアリール基である場合には、Ｑ₁又はＱ₂の少なくとも一方は、フェニレン部分、ビフェニレン部分、又はナフタレン部分であることが好都合である。

構造式（Ａ）を満たし、且つ２つのトリアリールアミン部分を含有する、有用な種類のトリアリールアミンは、構造式（Ｂ）で表される。

式中、各Ｒ₁及びＲ₂は、水素原子、アリール基又はアルキル基を独立して表し、又はＲ₁及びＲ₂は共にシクロアルキル基を完成する原子を表し、各Ｒ₃及びＲ₄は、構造式（Ｃ）により示されるようなジアリール置換アミノ基で順に置換されたアリール基を独立して表す。

式中、Ｒ₅及びＲ₆は、独立して選択されるアリール基である。１つの実施形態において、Ｒ₅又はＲ₆の少なくとも一方は、多環式縮合環構造（例えば、ナフタレン）を含有する。

他の種類の芳香族第三級アミンは、テトラアリールジアミンである。望ましいテトラアリールジアミンは、構造式（Ｃ）に示されるもののような、アリーレン基を介して連結された２つのジアリールアミノ基を含む。有用なテトラアリールジアミンとしては、式（Ｄ）により表されるものである。

式中、各ＡＲＥは、独立して選択されるアリーレン基（例えば、フェニレン部分又はアントラセン部分）であり、ｎは１〜４の整数であり、Ａｒ、Ｒ₇、Ｒ₈及びＲ₉は、独立して選択されるアリール基である。典型的な実施形態において、Ａｒ、Ｒ₇、Ｒ₈及びＲ₉のうちの少なくとも１つは、多環式縮合環構造（例えば、ナフタレン）である。

他の種類の正孔輸送材料は、式（Ｅ）の材料を含む。

式（Ｅ）において、Ａｒ₁〜Ａｒ₆は、芳香族基（例えば、フェニル基又はトリル基）を独立して表し、Ｒ₁〜Ｒ₁₂は、水素又は独立して選択される置換基（例えば、１個〜４個の炭素原子を含有するアルキル基、アリール基、置換アリール基）を独立して表す。

上記の構造式（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）の様々なアルキル部分、アルキレン部分、アリール部分、及びアリーレン部分はそれぞれ、順に置換されていてもよい。典型的な置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、及びハロゲン（例えば、フッ化物、塩化物、及び臭化物）が挙げられる。様々なアルキル部分及びアルキレン部分は、約１個〜６個の炭素原子を典型的に含有する。シクロアルキル部分は、３個〜約１０個の炭素原子を含有することができるが、５個、６個、又は７個の環炭素原子を典型的に含有する（例えば、シクロペンチル環構造、シクロヘキシル環構造、及びシクロヘプチル環構造）。アリール部分及びアリーレン部分は、典型的にフェニル部分及びフェニレン部分である。

ＨＴＬは、単一の芳香族第三級アミン化合物、又は芳香族第三級アミン化合物の混合物から形成される。具体的には、トリアリールアミン（例えば、式（Ｂ）を満たすトリアリールアミン）をテトラアリールジアミン（例えば、式（Ｄ）に示されるもの）と組み合わせて使用することができる。トリアリールアミンをテトラアリールジアミンと組み合わせて用いる場合には、テトラアリールジアミンは、トリアリールアミンと電子注入層及び電子輸送層とに挟まれた層として位置する。芳香族第三級アミンは、正孔注入材料としても有用である。有用な芳香族第三級アミンの例は、以下：
１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、
１，５−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフタレン、
２，６−ビス（ジ−ｐ−トリルアミノ）ナフタレン、
２，６−ビス［ジ−（１−ナフチル）アミノ］ナフタレン、
２，６−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（２−ナフチル）アミノ］ナフタレン、
２，６−ビス［Ｎ，Ｎ−ジ（２−ナフチル）アミン］フルオレン、
４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−スチリル］スチルベン、
４，４’−ビス（ジフェニルアミノ）クアドリフェニル、
４，４’’−ビス［Ｎ−（１−アントリル）−Ｎ−フェニルアミノ］−ｐ−テルフェニル、
４，４’−ビス［Ｎ−（１−コロネニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、
４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）、
４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（２−ナフチル）アミノ］ビフェニル（ＴＮＢ）、
４，４’’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］−ｐ−ターフェニル、
４，４’−ビス［Ｎ−（２−ナフタセニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、
４，４’−ビス［Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、
４，４’−ビス［Ｎ−（２−ペリレニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、
４，４’−ビス［Ｎ−（２−フェナントリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、
４，４’−ビス［Ｎ−（２−ピレニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、
４，４’−ビス［Ｎ−（３−アセナフテニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、
４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＴＰＤ）、
４，４’−ビス［Ｎ−（８−フルオランテニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、
４，４’−ビス［Ｎ−（９−アントリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、
４，４’−ビス｛Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（１−ナフチル）−フェニル］アミノ｝ビフェニル、
４，４’−ビス［Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−ピレニル）アミノ］ビフェニル、
４，４’，４’’−トリス［（３−メチルフェニル）フェニルアミノ］トリフェニルアミン（ｍ−ＴＤＡＴＡ）、
ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）−フェニルメタン、
Ｎ−フェニルカルバゾール、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（［１，１’−ビフェニル］−４−イルフェニルアミノ）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジ−１−ナフタレニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（ジ−１−ナフタレニルアミノ）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジ−１−ナフタレニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、
Ｎ，Ｎ’−ビス［４−［（３−メチルフェニル）フェニルアミノ］フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、
Ｎ，Ｎ−ビス［４−（ジフェニルアミノ）フェニル］−Ｎ’，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、
Ｎ，Ｎ’−ジ−１−ナフタレニル−Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（１−ナフタレニルフェニルアミノ）フェニル］−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、
Ｎ，Ｎ’−ジ−１−ナフタレニル−Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（２−ナフタレニルフェニルアミノ）フェニル］−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノビフェニル、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノビフェニル、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−１−ナフチル−４，４’−ジアミノビフェニル、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−２−ナフチル−４，４’−ジアミノビフェニル、及び
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（２−ナフチル）−４，４’’−ジアミノ−ｐ−ターフェニル
である。

他の種類の有用な正孔輸送材料としては、欧州特許第１００９０４１号に記載されるような多環芳香族化合物が挙げられる。オリゴマー材料を含む、２個より多いアミン基を有する芳香族第三級アミンを使用することができる。さらに、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、及びコポリマー（例えば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとも呼ばれる））等の高分子正孔輸送材料が使用される。

ＨＴＬ１３２の厚さは、５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内、好ましくは１０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内である。

＜励起子ブロック層（ＥＢＬ）＞
任意の励起子ブロック層又は電子ブロック層は、ＨＴＬとＬＥＬとの間に存在し得る（図１に示さず）。かかるブロック層のいくつかの適切な例が、米国特許出願公開第２００６／０１３４４６０号に記載されている。

＜発光層＞
米国特許第４，７６９，２９２号及び米国特許第５，９３５，７２１号により詳しく説明されているように、図１に示す有機ＥＬ素子の発光層（ＬＥＬ）１３４（複数可）は、発光材料、蛍光材料、又はリン光材料を含み、この領域で電子−正孔対が再結合する結果としてエレクトロルミネッセンスが発生する。発光層は単一の材料で構成されていてもよいが、より一般的には、エレクトロルミネッセンスゲスト化合物（一般に、ドーパントと称される）をドープした非エレクトロルミネッセンス化合物（一般に、ホストと称される）、又は発光がエレクトロルミネッセンス化合物に主に由来する化合物を含有し、任意の色であり得る。エレクトロルミネッセンス化合物は、０．０１％〜５０％で非エレクトロルミネッセンス成分材料にコーティングすることができるが、典型的には０．０１％〜３０％、より典型的には０．０１％〜１５％で非エレクトロルミネッセンス成分にコーティングすることができる。ＬＥＬの厚さは任意の適切な厚さであり、０．１ｍｍ〜１００ｍｍの範囲内であり得る。

エレクトロルミネッセンス成分として染料を選択する上で重要な関係は、分子の最高被占分子軌道と最低空分子軌道とのエネルギー差として規定されるバンドギャップ電位の比較である。非エレクトロルミネッセンス化合物からエレクトロルミネッセンス化合物分子への効率的なエネルギー移動にとって必要な条件は、エレクトロルミネッセンス化合物のバンドギャップが、非エレクトロルミネッセンス化合物（複数可）のバンドギャップより小さいことである。したがって、適切なホスト材料の選択は、エレクトロルミネッセンス化合物（発せられる光の性質及び効率について選択される）の電気的特性と比較したその電気的特性に基づく。下記に記載されるように、蛍光ドーパント及びリン光ドーパントは、異なる電気的特性を典型的に有するため、それぞれのために最も適切なホストは異なり得る。しかしながら、同一のホスト材料がいずれかのタイプのドーパントにとって有用である場合もある。

有用であることが知られている非エレクトロルミネッセンス化合物及び発光分子としては、米国特許第５，１４１，６７１号、米国特許第５，１５０，００６号、米国特許第５，１５１，６２９号、米国特許第５，４０５，７０９号、米国特許第５，４８４，９２２号、米国特許第５，５９３，７８８号、米国特許第５，６４５，９４８号、米国特許第５，６８３，８２３号、米国特許第５，７５５，９９９号、米国特許第５，９２８，８０２号、米国特許第５，９３５，７２０号、米国特許第５，９３５，７２１号及び米国特許第６，０２０，０７８号に開示されているものが挙げられるが、これらに限定されない。

ａ）リン光発光層
リン光ＬＥＬに適切なホストは、ホストからリン光ドーパント（複数可）への三重項励起子の移動が効率的に起こり得るが、リン光ドーパント（複数可）からホストへの三重項励起子の移動が効率的に起こり得ないように選択しなくてはならない。したがって、ホストの三重項エネルギーが、リン光ドーパントの三重項エネルギーより高いことが非常に望ましい。一般的に言えば、大きな三重項エネルギーは光学バンドギャップが大きいことを示唆する。しかしながら、ホストのバンドギャップは、正孔の蛍光青色ＬＥＬへの注入に対する許容し難い障壁、及びＯＬＥＤの駆動電圧の許容し難い上昇の原因となるほど大きくないように選択しなくてはならない。リン光ＬＥＬのホストは、それが層中のリン光ドーパントの三重項エネルギーより高い三重項エネルギーを有する限り、ＨＴＬ１３２に使用される上述の正孔輸送材料のいずれかを含み得る。リン光ＬＥＬに使用されるホストは、ＨＴＬ１３２に使用される正孔輸送材料と同一であっても、又は異なっていてもよい。場合によっては、リン光ＬＥＬのホストは、適切には、それがリン光ドーパントの三重項エネルギーより高い三重項エネルギーを有する限り、電子輸送材料（後述する）も含み得る。

ＨＴＬ１３２中の上述の正孔輸送材料に加えて、いくつかの他の種類の正孔輸送材料もリン光ＬＥＬにおいてホストとして使用するのに適切である。

望ましいホストの１つは、式（Ｆ）の正孔輸送材料を含む。

式（Ｆ）において、Ｒ₁及びＲ₂は置換基を表し、ただし、Ｒ₁及びＲ₂は結合して環を形成してもよく（例えば、Ｒ₁及びＲ₂はメチル基であっても、又は結合してシクロヘキシル環を形成してもよい）、Ａｒ₁〜Ａｒ₄は、独立して選択される芳香族基（例えば，フェニル基又はトリル基）を表し、Ｒ₃〜Ｒ₁₀は、水素、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基を独立して表す。

適切な材料の例としては、以下：
１，１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、
１，１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）シクロペンタン、
４，４’−（９Ｈ−フルオレン−９−イリデン）ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−ベンゼンアミン、
１，１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、
１，１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−４−メチルシクロヘキサン、
１，１−ビス（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）−３−フェニルプロパン、
ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル（methylpenyl））メタン、
ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）エタン、
４−（４−ジエチルアミノフェニル）トリフェニルメタン、
４，４’−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）ジフェニルメタン
が挙げられるが、これらに限定されない。

ホストとして使用するのに適切である有用な種類のトリアリールアミンとしては、式（Ｇ）によって表されるようなカルバゾール誘導体が挙げられる。

式（Ｇ）において、Ｑは、窒素、炭素、アリール基又は置換アリール基、好ましくはフェニル基を独立して表し、Ｒ₁は好ましくはアリール基又は置換アリール基、より好ましくはフェニル基、置換フェニル基、ビフェニル基、置換ビフェニル基であり、Ｒ₂〜Ｒ₇は独立して、水素、アルキル基、フェニル基若しくは置換フェニル基、アリールアミン、カルバゾール又は置換カルバゾールであり、且つｎは１〜４から選択される。

構造式（Ｇ）を満たす他の有用な種類のカルバゾールは、式（Ｈ）によって表される。

式中、ｎは１〜４の整数であり、Ｑは、窒素、炭素、アリール又は置換アリールであり、Ｒ₂〜Ｒ₇は独立して、水素、アルキル基、フェニル若しくは置換フェニル、アリールアミン、カルバゾール及び置換カルバゾールである。

有用な置換カルバゾールの例は、以下：
４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−Ｎ，Ｎ−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−ベンゼンアミン（ＴＣＴＡ）、
４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−Ｎ，Ｎ−ビス［４（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−ベンゼンアミン、
９，９’−［５’−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］［１，１’：３’，１’’−ターフェニル］−４，４’’−ジイル］ビス−９Ｈ−カルバゾール、
９，９’−（２，２’−ジメチル［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジイル）ビス−９Ｈ−カルバゾール（ＣＤＢＰ）；
９，９’−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジイルビス−９Ｈ−カルバゾール（ＣＢＰ）、
９，９’−（１，３−フェニレン）ビス−９Ｈ−カルバゾール（ｍＣＰ）、
９，９’−（１，４−フェニレン）ビス−９Ｈ−カルバゾール、
９，９’，９’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス−９Ｈ−カルバゾール、
９，９’−（１，４−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３，６−ジアミン、
９−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン、
９，９’−（１，４−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン、
９−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３，６−ジアミン
である。

リン光ＬＥＬに適切な上記の種類のホストは、蛍光ＬＥＬにおけるホストとしても同様に使用することができる。

リン光ＬＥＬに使用するのに適切なリン光ドーパントは、下記式（Ｊ）によって記載されるリン光材料から選択することができる。

式中、Ａは、少なくとも１つの窒素原子を含有する置換又は非置換の複素環であり、Ｂは、置換又は非置換の芳香環若しくは芳香族複素環であるか、又はＭに結合したビニル炭素を含有する環であり、Ｘ−Ｙはアニオン性二座配位子であり、Ｍ＝Ｒｈ若しくはＩｒの場合、ｍ＋ｎ＝３となるように、ｍは１〜３の整数であり、且つｎは０〜２の整数であるか、又はＭ＝Ｐｔ若しくはＰｄの場合、ｍ＋ｎ＝２となるように、ｍは１〜２の整数であり、且つｎは０〜１の整数である。

式（Ｊ）に従う化合物は、その中心金属原子が、金属原子と１つ以上の配位子の炭素原子及び窒素原子との結合により形成される環状単位に含有されることを示すために、Ｃ，Ｎ−（又はＣ＾Ｎ−）シクロメタル化錯体と称される場合もある。式（Ｊ）における複素環Ａの例としては、置換又は非置換のピリジン環、キノリン環、イソキノリン環、ピリミジン環、インドール環、インダゾール環、チアゾール環、及びオキサゾール環が挙げられる。式（Ｊ）における環Ｂの例としては、置換又は非置換のフェニル環、ナフチル（napthyl）環、チエニル環、ベンゾチエニル環、フラニル環が挙げられる。式（Ｊ）における環Ｂは、ピリジン等のＮ含有環であってもよく、但し、このＮ含有環は、式（Ｊ）に示すように、Ｎ原子ではなくＣ原子を介してＭに結合する。

式（Ｊ）（ｍ＝３であり、且つｎ＝０である）に従うトリス−Ｃ，Ｎ−シクロメタル化錯体の例は、トリス（２−フェニル−ピリジナト−Ｎ，Ｃ^2’−）イリジウム（ＩＩＩ）であり、ｆａｃｉａｌ（ｆａｃ）異性体又はｍｅｒｉｄｉｏｎａｌ（ｍｅｒ）異性体として下記立体図に示す。

一般に、ｆａｃｉａｌ異性体はｍｅｒｉｄｉｏｎａｌ異性体より高いリン光量子収率を有すると判明することが多いため、ｆａｃｉａｌ異性体が好ましい。式（Ｊ）に従うトリス−Ｃ，Ｎ−シクロメタル化リン光材料のさらなる例は、トリス（２−（４’−メチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^2’）イリジウム（ＩＩＩ）、トリス（３−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^2’）イリジウム（ＩＩＩ）、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^2’）イリジウム（ＩＩＩ）、トリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^2’）イリジウム（ＩＩＩ）、トリス（１−（４’−メチルフェニル）イソキノリナト−Ｎ，Ｃ^2’）イリジウム（ＩＩＩ）、トリス（２−（４’，６’−ジフルオロフェニル（diflourophenyl））−ピリジナト−Ｎ，Ｃ^2’）イリジウム（ＩＩＩ）、トリス（２−（（５’−フェニル）−フェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^2’）イリジウム（ＩＩＩ）、トリス（２−（２’−ベンゾチエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^3’）イリジウム（ＩＩＩ）、トリス（２−フェニル−３，３’−ジメチル）インドラト（indolato）−Ｎ，Ｃ^2’）Ｉｒ（ＩＩＩ）、トリス（１−フェニル−１Ｈ−インダゾラト（indazolato）−Ｎ，Ｃ^2’）Ｉｒ（ＩＩＩ）である。

これらの中でも、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｉｑ）₃とも称される）及びトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）₃とも称される）が本発明に特に適切である。

トリス−Ｃ，Ｎ−シクロメタル化リン光材料には、一価アニオン性二座配位子Ｘ−Ｙが他のＣ，Ｎ−シクロメタル化配位子である、式（Ｊ）に従う化合物も含まれる。例としては、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^2’）（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^2’）イリジウム（ＩＩＩ）及びビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^2’）（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^2’）イリジウム（ＩＩＩ）が挙げられる。２つの異なるＣ，Ｎ−シクロメタル化配位子を含有する、かかるトリス−Ｃ，Ｎ−シクロメタル化錯体の合成は、以下の工程により都合よく合成することができる。最初に、ビス−Ｃ，Ｎ−シクロメタル化ジハロゲン化二イリジウム錯体（又は類似の二ロジウム錯体）を、Nonoyama（Bull. Chem. Soc. Jpn., 47, 767 (1974)）の方法に従って作製する。第２に、第２の異種Ｃ，Ｎ−シクロメタル化配位子の亜鉛錯体を、ハロゲン化亜鉛と、シクロメタル化配位子のリチウム錯体又はグリニャール試薬との反応により調製する。第３に、そのように形成された第２のＣ，Ｎ−シクロメタル化配位子の亜鉛錯体を、先に得られたビス−Ｃ，Ｎ−シクロメタル化ジハロゲン化二イリジウム錯体と反応させて、２つの異なるＣ，Ｎ−シクロメタル化配位子を含有するトリス−Ｃ，Ｎ−シクロメタル化錯体を形成させる。望ましくは、そのように得られた２つの異なるＣ，Ｎ−シクロメタル化配位子を含有するトリス−Ｃ，Ｎ−シクロメタル化錯体は、ジメチルスルホキシド等の適切な溶媒中で加熱することにより、金属（例えばＩｒ）に結合したＣ原子が全て互いにシスである異性体に変換することができる。

式（Ｊ）に従う適切なリン光材料は、Ｃ，Ｎ−シクロメタル化配位子（複数可）に加えて、Ｃ，Ｎ−シクロメタル化していない一価アニオン性二座配位子（複数可）Ｘ−Ｙも含有し得る。一般的な例は、アセチルアセトネート等のβ−ジケトネート、及びピコリネート等のシッフ塩基である。式（Ｊ）に従う、かかる混合配位子錯体の例としては、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^2’）イリジウム（ＩＩＩ）（アセチルアセトネート）、ビス（２−（２’−ベンゾチエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^3’）イリジウム（ＩＩＩ）（アセチルアセトネート）、及びビス（２−（４’，６’−ジフルオロフェニル（diflourophenyl））−ピリジナト−Ｎ，Ｃ^2’）イリジウム（ＩＩＩ）（ピコリネート）が挙げられる。

式（Ｊ）に従う他の重要なリン光材料としては、ｃｉｓ−ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^2’）白金（ＩＩ）、ｃｉｓ−ビス（２−（２’−チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^3’）白金（ＩＩ）、ｃｉｓ−ビス（２−（２’−チエニル）キノリナト−Ｎ，Ｃ^5'）白金（ＩＩ）、又は（２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^2’）白金（ＩＩ）（アセチルアセトネート）等のＣ，Ｎ−シクロメタル化Ｐｔ（ＩＩ）錯体が挙げられる。

式（Ｊ）に従うＣ，Ｎ−シクロメタル化リン光材料の発光波長（色）は、錯体の最低エネルギー光学遷移、したがってＣ，Ｎ−シクロメタル化配位子の選択に主に依存する。例えば、２−フェニル−ピリジナト−Ｎ，Ｃ^2’錯体は典型的に緑色発光であるが、１−フェニル−イソキノリノラト−Ｎ，Ｃ^2’錯体は典型的に赤色発光である。１つよりも多いＣ，Ｎ−シクロメタル化配位子を有する錯体の場合、発光は発光波長が最も長いという性質を有する配位子のものとなる。発光波長は、Ｃ，Ｎ−シクロメタル化配位子上の置換基の影響によりさらにシフトし得る。例えば、Ｎ含有環Ａ上の適切な位置にある電子供与基、又はＣ含有環Ｂ上の電子求引基を置換することにより、発光が非置換Ｃ，Ｎ−シクロメタル化配位子錯体と比較して青色にシフトする傾向がある。式（Ｊ）においてより強い電子求引特性を有する単座アニオン性配位子Ｘ，Ｙを選択することにより、Ｃ，Ｎ−シクロメタル化配位子錯体の発光が同様に青色にシフトする傾向がある。電子求引特性を有する一価アニオン性二座配位子及び電子求引置換基の両方をＣ含有環Ｂ上に有する錯体の例としては、ビス（２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ^2’）イリジウム（ＩＩＩ）（ピコリネート）及びビス（２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ^2’）イリジウム（ＩＩＩ）（テトラキス（１−ピラゾリル）ボレート）が挙げられる。

式（Ｊ）に従うリン光材料の中心金属原子は、Ｒｈ又はＩｒ（ｍ＋ｎ＝３）、及びＰｄ又はＰｔ（ｍ＋ｎ＝２）であり得る。好ましい金属原子はＩｒ及びＰｔであるが、これはこれらの原子が、より強いスピン軌道結合相互作用（一般に、第三遷移系列の元素により得られる）によって、より高いリン光量子効率をもたらす傾向があるためである。

式（Ｊ）によって表される二座Ｃ，Ｎ−シクロメタル化錯体に加えて、多くの適切なリン光材料が多座Ｃ，Ｎ−シクロメタル化配位子を含有する。本発明に使用するのに適切な、三座配位子を有するリン光材料は、米国特許第６，８２４，８９５Ｂ１号に開示されており、その中で言及している。本発明に使用するのに適切な、四座配位子を有するリン光材料は、以下の式により記載される。

式中、ＭはＰｔ又はＰｄであり、Ｒ¹〜Ｒ⁷は水素又は独立して選択される置換基を表すが、但し、Ｒ¹及びＲ²、Ｒ²及びＲ³、Ｒ³及びＲ⁴、Ｒ⁴及びＲ⁵、Ｒ⁵及びＲ⁶、並びにＲ⁶及びＲ⁷が結合して環基を形成してもよく、Ｒ⁸〜Ｒ¹⁴は水素又は独立して選択される置換基を表すが、但し、Ｒ⁸及びＲ⁹、Ｒ⁹及びＲ¹⁰、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹、Ｒ¹¹及びＲ¹²、Ｒ¹²及びＲ¹³、並びにＲ¹³及びＲ¹⁴が結合して環基を形成してもよく、Ｅは以下から選択される架橋基を表す。

式中、Ｒ及びＲ’は、水素又は独立して選択される置換基を表すが、但し、Ｒ及びＲ’が結合して環基を形成してもよい。

リン光ドーパントとして使用するのに適切な望ましい四座Ｃ，Ｎ−シクロメタル化リン光材料の１つは、以下の式によって表される。

式中、Ｒ¹〜Ｒ⁷は、水素又は独立して選択される置換基を表すが、但し、Ｒ¹及びＲ²、Ｒ²及びＲ³、Ｒ³及びＲ⁴、Ｒ⁴及びＲ⁵、Ｒ⁵及びＲ⁶、並びにＲ⁶及びＲ⁷が結合して環基を形成してもよく、Ｒ⁸〜Ｒ¹⁴は、水素又は独立して選択される置換基を表し、ただし、Ｒ⁸及びＲ⁹、Ｒ⁹及びＲ¹⁰、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹、Ｒ¹¹及びＲ¹²、Ｒ¹²及びＲ¹³、並びにＲ¹³及びＲ¹⁴が結合して環基を形成してもよく、Ｚ¹〜Ｚ⁵は、水素又は独立して選択される置換基を表すが、但し、Ｚ¹及びＺ²、Ｚ²及びＺ³、Ｚ³及びＺ⁴、並びにＺ⁴及びＺ⁵が結合して環基を形成してもよい。

本発明に使用するのに適切な四座Ｃ，Ｎ−シクロメタル化配位子を有するリン光材料の具体例としては、下記に示される化合物（Ｍ−１）、（Ｍ−２）及び（Ｍ−３）が挙げられる。

四座Ｃ，Ｎ−シクロメタル化配位子を有するリン光材料は、四座Ｃ，Ｎ−シクロメタル化配位子を、氷酢酸等の適当な有機溶媒中でＫ₂ＰｔＣｌ₄等の所望の金属の塩と、四座Ｃ，Ｎ−シクロメタル化配位子を有するリン光材料が形成されるように反応させることにより合成することができる。テトラブチルアンモニウムクロリド等のテトラアルキルアンモニウム塩を相間移動触媒として用いて、反応を促進することができる。

Ｃ，Ｎ−シクロメタル化配位子を含まない他のリン光材料が知られている。Ｐｔ（ＩＩ）、Ｉｒ（Ｉ）、及びＲｈ（Ｉ）のマレオニトリルジチオレートとのリン光錯体が報告されている（Johnson et al., J. Am. Chem. Soc., 105, 1795 (1983)）。Ｒｅ（Ｉ）トリカルボニルジイミン錯体も強いリン光を発することが知られている（Wrighton and Morse, J. Am. Chem. Soc., 96, 998 (1974)、Stufkens, Comments Inorg. Chem., 13, 359 (1992)、Yam, Chem. Commun., 789 (2001)）。シアノ配位子及びビピリジル配位子又はフェナントロリン配位子を含む配位子の組み合わせを含有するＯｓ（ＩＩ）錯体も、ポリマーＯＬＥＤにおいて実証されている（Ma et al., Synthetic Metals, 94, 245 (1998)）。

２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン白金（ＩＩ）等のポルフィリン錯体も有用なリン光ドーパントである。

有用なリン光材料のさらに他の例としては、Ｔｂ³⁺及びＥｕ³⁺等の三価ランタニドの配位錯体が挙げられる（Kido et al., Chem. Lett., 657 (1990)、J. Alloys and Compounds, 192, 30 (1993)、Jpn. J. Appl. Phys., 35, L394 (1996)及びAppl. Phys. Lett., 65, 2124 (1994)）。

リン光ＬＥＬ中のリン光ドーパントは、ＬＥＬの１体積％〜２０体積％の量で典型的に存在し、ＬＥＬの２体積％〜８体積％であるのが都合がよい。いくつかの実施形態では、１つ以上のホスト材料にリン光ドーパント（複数可）を加えてもよい。ホスト材料はさらに、ポリマーであってもよい。第１のリン光発光層中のリン光ドーパントは、緑色リン光材料及び赤色リン光材料から選択される。

リン光ＬＥＬの厚さは、０．５ｎｍ超過、好ましくは１．０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内である。

ｂ）蛍光発光層
「蛍光」という用語は、任意の発光材料を説明するために一般に使用されるが、本件においては、該用語は一重項励起状態から発光する材料を指す。蛍光材料は、リン光材料と同一の層、隣接する層、隣接する画素において、又は任意の組み合わせで使用され得る。本発明のリン光材料の性能に悪影響を与える材料を選択しないよう注意しなければならない。リン光材料と同一の層又は隣接する層における材料の濃度及び三重項エネルギーを、望ましくないリン光の消失を防ぐよう適切に設定すべきことが当業者には理解される。

典型的には、蛍光ＬＥＬは、少なくとも１つのホスト及び少なくとも１つの蛍光ドーパントを含む。ホストは正孔輸送材料であっても、又は上記に規定されるリン光ドーパントに適切なホストのいずれかであっても、又は下記に規定される電子輸送材料であってもよい。

ドーパントは、強い蛍光を発する染料、例えば、国際公開第９８／５５５６１号、国際公開第００／１８８５１号、国際公開第００／５７６７６号、及び国際公開第００／７０６５５号に記載されるような遷移金属錯体から典型的に選択される。

有用な蛍光ドーパントとしては、アントラセン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、フェニレンの誘導体、ジシアノメチレンピラン化合物、チオピラン化合物、ポリメチン化合物、ピリリウム化合物及びチアピリリウム化合物、アリールピレン化合物、アリーレンビニレン化合物、ペリフランテン誘導体、インデノペリレン誘導体、ビス（アジニル）アミンホウ素化合物、ビス（アジニル）メタンホウ素化合物、ジスチリルベンゼン（distryrylbenzene）誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、ジスチリルアミン誘導体、並びにカルボスチリル化合物が挙げられるが、これらに限定されない。

いくつかの蛍光発光材料としては、アントラセン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、ルブレン、クマリン、ローダミン、及びキナクリドンの誘導体、ジシアノメチレンピラン化合物、チオピラン化合物、ポリメチン化合物、ピリリウム化合物及びチアピリリウム化合物、フルオレン誘導体、ペリフランテン誘導体、インデノペリレン誘導体、ビス（アジニル）アミンホウ素化合物、（米国特許第５，１２１，０２９号に記載されるような）ビス（アジニル）メタン化合物、並びにカルボスチリル化合物が挙げられるが、これらに限定されない。有用な材料の実例としては、以下のものが挙げられるが、これらに限定されない。

好ましい蛍光青色ドーパントは、Chen, Shi, and Tang, "Recent Developments in Molecular Organic Electroluminescent Materials," Macromol. Symp. 125, 1 (1997)及びその中で引用される文献、Hung and Chen, "Recent Progress of Molecular Organic Electroluminescent Materials and Devices," Mat. Sci. and Eng. R39, 143 (2002)及びその中で引用される文献に見ることができる。

特に好ましい種類の青色発光蛍光ドーパントは、ビス（アジニル）アミンボラン錯体として知られる式（Ｎ）によって表され、米国特許第６，６６１，０２３号に記載されている。

式中、Ａ及びＡ’は、少なくとも１つの窒素を含有する６員芳香環系に相当する独立したアジン環系を表し、各Ｘ^a及びＸ^bは、独立して選択される置換基であり、そのうちの２つがＡ又はＡ’と結合して縮合環を形成してもよく、ｍ及びｎは独立して０〜４であり、Ｚ^a及びＺ^bは独立して選択される置換基であり、且つ１、２、３、４、１’、２’、３’及び４’は炭素原子又は窒素原子のいずれかであるように独立して選択される。

望ましくは、アジン環がキノリニル環又はイソキノリニル環のいずれかであって、１、２、３、４、１’、２’、３’及び４’が全て炭素であり、ｍ及びｎが２以上であり、且つＸ^a及びＸ^bが、結合して芳香環を形成する少なくとも２つの炭素置換基を表す。望ましくは、Ｚ^a及びＺ^bはフッ素原子である。

好ましい実施形態は、２つの縮合環系がキノリン系又はイソキノリン系であり、アリール又は複素環置換基がフェニル基であり、結合して６−６縮合環を形成する少なくとも２つのＸ^a基及び２つのＸ^b基が存在し、この縮合環系がそれぞれ１位−２位、３位−４位、１’位−２’位、又は３’位−４’位で縮合し、縮合環の一方又は両方がフェニル基で置換され、且つドーパントが式（Ｎ−ａ）、式（Ｎ−ｂ）、又は式（Ｎ−ｃ）に示されるものであるデバイスを更に含む。

式中、各Ｘ^c、Ｘ^d、Ｘ^e、Ｘ^f、Ｘ^g及びＸ^hは、水素又は独立して選択される置換基であり、そのうちの１つがアリール基又は複素環基でなくてはならない。

望ましくは、アジン環がキノリニル環又はイソキノリニル環のいずれかであって、１、２、３、４、１’、２’、３’及び４’が全て炭素であり、ｍ及びｎが２以上であり、且つＸ^a及びＸ^bが、結合して芳香環を形成する少なくとも２つの炭素置換基を表し、１つはアリール基又は置換アリール基である。望ましくは、Ｚ^a及びＺ^bはフッ素原子である。

これらの中でも、化合物ＦＤ−５４が特に有用である。

クマリンは、Tangらの米国特許第４，７６９，２９２号及び米国特許第６，０２０，０７８号に記載されているように、有用な種類の緑色発光ドーパントである。緑色ドーパント又は緑色発光材料は、０．０１重量％〜５０重量％でホスト材料にコーティングしてもよいが、典型的には０．０１％〜３０％、より典型的には０．０１重量％〜１５重量％でホスト材料にコーティングしてもよい。有用な緑色発光クマリンの例としては、Ｃ５４５Ｔ及びＣ５４５ＴＢが挙げられる。キナクリドンは、他の有用な種類の緑色発光ドーパントである。有用なキナクリドンは、米国特許第５，５９３，７８８号、特開平０９−１３０２６号、米国特許出願公開第２００４／０００１９６９号、米国特許第６，６６４，３９６号及び米国特許第７，０２６，４８１号に記載されている。

特に有用な緑色発光キナクリドンの例は、ＦＤ−７及びＦＤ−８である。

下記式（Ｎ−ｄ）は、本発明に有用な他の種類の緑色発光ドーパントを表す。

式中、Ａ及びＡ’は、少なくとも１つの窒素を含有する６員芳香環系に相当する独立したアジン環系を表し、各Ｘ^a及びＸ^bは、独立して選択される置換基であり、そのうちの２つがＡ又はＡ’と結合して縮合環を形成してもよく、ｍ及びｎは独立して０〜４であり、ＹはＨ又は置換基であり、Ｚ^a及びＺ^bは独立して選択される置換基であり、且つ１、２、３、４、１’、２’、３’及び４’は炭素原子又は窒素原子のいずれかであるように独立して選択される。

デバイスにおいて、１、２、３、４、１’、２’、３’及び４’は全て炭素原子であるのが都合がよい。デバイスは、結合して縮合環を形成する置換基を含有する環Ａ又は環Ａ’の少なくとも一方又は両方を望ましくは含有し得る。有用な１つの実施形態において、ハロゲン化物、並びにアルキル基、アリール基、アルコキシ基、及びアリールオキシ基から成る群から選択される少なくとも１つのＸ^a基又はＸ^b基が存在する。他の実施形態において、フッ素、並びにアルキル基、アリール基、アルコキシ基、及びアリールオキシ基から成る群から独立して選択されるＺ^a基及びＺ^b基が存在する。望ましい実施形態において、Ｚ^a及びＺ^bはＦである。Ｙは、適切には、水素、又はアルキル基、アリール基、若しくは複素環基等の置換基である。

これらの化合物の発光波長は、目標色、すなわち緑色を達成するために、中心のビス（アジニル）メテンホウ素基の周囲を適切に置換することにより或る程度調整することができる。有用な材料のいくつかの例は、ＦＤ−５０、ＦＤ−５１及びＦＤ−５２である。

ナフタセン及びその誘導体も有用な種類の発光ドーパントであり、安定剤としても使用することができる。これらのドーパント材料を０．０１重量％〜５０重量％でホスト材料にコーティングしてもよいが、典型的には０．０１％〜３０％、より典型的には０．０１重量％〜１５重量％でホスト材料にコーティングしてもよい。下記のナフタセン誘導体ＹＤ−１（ｔ−ＢｕＤＰＮ）は、安定剤として使用されるドーパント材料の例である。

この種類の材料のいくつかの例は、ドーパントだけでなくホスト材料としても適切である。例えば、米国特許第６，７７３，８３２号又は米国特許第６，７２０，０９２号を参照されたい。この材料の具体例はルブレン（ＦＤ−５）である。

他の種類の有用なドーパントはペリレン誘導体である。例えば、米国特許第６，６８９，４９３号を参照されたい。具体例はＦＤ−４６である。

８−ヒドロキシキノリン及び類似の誘導体の金属錯体（式Ｏ）は、エレクトロルミネッセンスを支持することが可能な、有用な非エレクトロルミネッセンスホスト化合物の１種を構成し、５００ｎｍより長い波長、例えば、緑色、黄色、橙色、及び赤色の発光に特に適切である。

式中、Ｍは金属を表し、ｎは１〜４の整数であり、且つＺはどの場合も、少なくとも２つの縮合芳香環を有する核を完成する原子を独立して表す。

金属が一価、二価、三価、又は四価の金属であり得ることが上記から明らかである。金属は、例えば、リチウム、ナトリウム、若しくはカリウム等のアルカリ金属、マグネシウム若しくはカルシウム等のアルカリ土類金属、アルミニウム若しくはガリウム等の土類金属、又は亜鉛若しくはジルコニウム等の遷移金属であり得る。一般に、有用なキレート金属であることが知られる任意の一価、二価、三価、又は四価の金属を使用することができる。

Ｚは、少なくとも２つの縮合芳香環（そのうち少なくとも１つはアゾール環又はアジン環である）を含有する複素環の核を完成させる。必要に応じて、追加の環（脂環及び芳香環の両方を含む）を、２つの所要の環と縮合させてもよい。機能が改善されることなく多量の分子が付加されることを回避するために、環原子の数は通常１８以下に維持される。

有用なキレート化オキシノイド化合物の例は以下：
Ｏ−１：アルミニウムトリスオキシン［別名、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）］
Ｏ−２：マグネシウムビスオキシン［別名、ビス（８−キノリノラト）マグネシウム（ＩＩ）］
Ｏ−３：ビス［ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト］亜鉛（ＩＩ）
Ｏ−４：ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）−μ−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）
Ｏ−５：インジウムトリスオキシン［別名、トリス（８−キノリノラト）インジウム］
Ｏ−６：アルミニウムトリス（５−メチルオキシン）［別名、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）］
Ｏ−７：リチウムオキシン［別名、（８−キノリノラト）リチウム（Ｉ）］
Ｏ−８：ガリウムオキシン［別名、トリス（８−キノリノラト）ガリウム（ＩＩＩ）］
Ｏ−９：ジルコニウムオキシン［別名、テトラ（８−キノリノラト）ジルコニウム（ＩＶ）］
Ｏ−１０：ビス（２−メチル−８−キノリナト）−４−フェニルフェノラトアルミニウム（ＩＩＩ）
である。

式（Ｐ）に従うアントラセン誘導体もＬＥＬに有用なホスト材料である。

式中、Ｒ₁〜Ｒ₁₀は、水素、１個〜２４個の炭素原子を有するアルキル基又は６個〜２４個の炭素原子を有する芳香族基から独立して選択される。特に好ましいのは、Ｒ₁及びＲ₆がフェニル、ビフェニル、又はナフチル（napthyl）であり、Ｒ₃がフェニル、置換フェニル、又はナフチル（napthyl）であり、Ｒ₂、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₇〜Ｒ₁₀が全て水素である化合物である。かかるアントラセンホストは、優れた電子輸送特性を有することが知られている。

９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセンの誘導体が特に望ましい。具体例としては、９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）及び２−ｔ−ブチル−９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）が挙げられる。米国特許第５，９２７，２４７号に記載されるようなジフェニルアントラセン及びその誘導体等の他のアントラセン誘導体が、ＬＥＬにおける非エレクトロルミネッセンス化合物として有用であり得る。米国特許第５，１２１，０２９号及び特開平０８−３３３５６９号に記載されるようなスチリルアリーレン誘導体も、有用な非エレクトロルミネッセンス材料である。例えば、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルエテニル）フェニル］アントラセン、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルエテニル）−１，１’−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）、及び欧州特許第６８１，０１９号に記載されるようなフェニルアントラセン誘導体は、有用な非エレクトロルミネッセンス材料である。

適切なアントラセンのいくつかの具体例は以下である。

＜スペーサ層＞
スペーサ層が存在する場合、スペーサ層はＬＥＬと直接接触させて配置される。スペーサ層は、アノード若しくはカソードのいずれかの上に配置してもよく、又はさらにはＬＥＬの両側に配置してもよい。スペーサ層は、典型的には、いかなる発光ドーパントをも含有しない。１つ以上の材料を使用してもよく、材料は上記で規定されるような正孔輸送材料、又は下記に規定されるような電子輸送材料のいずれかであり得る。リン光ＬＥＬの隣に配置した場合、スペーサ層中の材料は、ＬＥＬ中のリン光ドーパントの三重項エネルギーより高い三重項エネルギーを有しなくてはならない。最も望ましくは、スペーサ層中の材料は、隣接するＬＥＬにおいてホストとして使用されるものと同一である。したがって、記載されるいずれのホスト材料もスペーサ層に使用する上でも適切である。スペーサ層は、薄くなくてはならず、少なくとも０．１ｎｍ、しかし好ましくは１．０ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内である。

＜正孔ブロック層（ＨＢＬ）＞
リン光エミッタを含有するＬＥＬが存在する場合、励起子及び再結合現象をＬＥＬに留めるのを助けるために、正孔ブロック層１３５を電子輸送層１３６と発光層１３４との間に配置するのが望ましい。この場合、共通ホスト（co-hosts）から正孔ブロック層への正孔の移動に対するエネルギー障壁がなくてはならず、一方で電子が正孔ブロック層から共通ホスト材料及びリン光エミッタを含む発光層へと容易に受け渡される必要がある。さらに、正孔ブロック材料の三重項エネルギーがリン光材料の三重項エネルギーより大きいことが望ましい。適切な正孔ブロック材料は、国際公開第００／７０６５５号、国際公開第０１／４１５１２号、及び国際公開第０１／９３６４２号に記載されている。有用な正孔ブロック材料の２つの例は、バトクプロイン（ＢＣＰ）及びビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（ＢＡｌｑ）である。米国特許出願公開第２００３／００６８５２８号に記載されるように、ＢＡｌｑ以外の金属錯体も正孔及び励起子をブロックすることが知られている。正孔ブロック層を使用する場合、その厚さは２ｎｍ〜１００ｎｍ、適切には５ｎｍ〜１０ｎｍであり得る。

＜電子輸送層＞
上記したように、電子輸送層１３６は、シリルフルオランテン化合物を望ましくは含有し、又はシリルフルオランテン化合物と他の適切な材料との混合物であってもよい。

いくつかの実施形態において、追加の電子輸送材料は、ＥＴＬ又は追加の電子輸送層に使用するのに適切であり得る。キレート化オキシノイド化合物、アントラセン誘導体、ピリジン系材料、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール及びこれらの誘導体、ポリベンゾビスアゾール、シアノ含有ポリマー、及び過フッ化材料が挙げられるが、これらに限定されない。他の電子輸送材料としては、米国特許第４，３５６，４２９号に開示されているような様々なブタジエン誘導体、及び米国特許第４，５３９，５０７号に記載されるような様々な複素環光学的増白剤が挙げられる。

好ましい種類のベンザゾールは、米国特許第５，６４５，９４８号及び米国特許第５，７６６，７７９号においてShiらにより説明されている。かかる化合物は構造式（Ｑ）により表される。

式（Ｑ）において、ｎは２〜８から選択され、ｉは１〜５から選択され、Ｚは独立してＯ、ＮＲ、又はＳであり、Ｒは個々に、水素、１個〜２４個の炭素原子を有するアルキル（例えば、プロピル、ｔ−ブチル、ヘプチル等）、５個〜２０個の炭素原子を有するアリール若しくはヘテロ原子置換アリール（例えば、フェニル、及びナフチル、フリル、チエニル、ピリジル、キノリニル、及び他の複素環系）、又はクロロ、フルオロ等のハロゲン、又は縮合芳香環を完成するのに必要な原子であり、Ｘは、炭素、アルキル、アリール、置換アルキル、又は置換アリールから成る結合単位であり、共役的又は非共役的に複数のベンザゾールを結合する。

有用なベンザゾールの例は、下記に示す式（Ｑ−１）によって表される２，２’，２’’−（１，３，５−フェニレン）トリス［１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール］（ＴＰＢＩ）である。

他の適切な種類の電子輸送材料としては、式（Ｒ）によって表されるような様々な置換フェナントロリンが挙げられる。

式（Ｒ）において、Ｒ₁〜Ｒ₈は独立して、水素、アルキル基、アリール基又は置換アリール基であり、Ｒ₁〜Ｒ₈のうち少なくとも１つはアリール基又は置換アリール基である。

ＥＩＬに有用なフェナントロリンの具体例は、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−フェナントロリン（ＢＣＰ）（式（Ｒ−１）を参照）及び４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）（式（Ｒ−２）を参照）である。

電子輸送材料として機能する適切なトリアリールボランは、化学式（Ｓ）を有する化合物から選択され得る。

式中、Ａｒ₁〜Ａｒ₃は独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環式（hydrocarbocyclic）基又は芳香族複素環基である。上記構造を有する化合物は、式（Ｓ−１）から選択されることが好ましい。

式中、Ｒ₁〜Ｒ₁₅は独立して、水素、フルオロ基、シアノ基、トリフルオロメチル基、スルホニル基、アルキル基、アリール基又は置換アリール基である。

トリアリールボランの具体的な実施態様としては以下が挙げられる。

電子輸送材料は、式（Ｔ）の置換１，３，４−オキサジアゾールからも選択され得る。

式中、Ｒ₁及びＲ₂は個々に、水素、１個〜２４個の炭素原子を有するアルキル（例えば、プロピル、ｔ−ブチル、ヘプチル等）、５個〜２０個の炭素原子を有するアリール又はヘテロ原子置換アリール（例えば、フェニル、及びナフチル、フリル、チエニル、ピリジル、キノリニル、及び他の複素環系）、又はクロロ、フルオロ等のハロゲン、又は縮合芳香環を完成するのに必要な原子である。

有用な置換オキサジアゾールの例は以下である。

電子輸送材料は、式（Ｕ）に従う置換１，２，４−トリアゾールからも選択され得る。

式中、Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₃は独立して、水素、アルキル基、アリール基又は置換アリール基であり、Ｒ₁〜Ｒ₃のうち少なくとも１つはアリール基又は置換アリール基である。有用なトリアゾールの例は、式（Ｕ−１）によって表される３−フェニル−４−（１−ナフチル）−５−フェニル−１，２，４−トリアゾールである。

電子輸送材料は、置換１，３，５−トリアジンからも選択され得る。適切な材料の例は：
２，４，６−トリス（ジフェニルアミノ）−１，３，５−トリアジン、
２，４，６−トリカルバゾロ−１，３，５−トリアジン、
２，４，６−トリス（Ｎ−フェニル−２−ナフチルアミノ）−１，３，５−トリアジン、
２，４，６−トリス（Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミノ）−１，３，５−トリアジン、
４，４’，６，６’−テトラフェニル−２，２’−ビ−１，３，５−トリアジン、
２，４，６−トリス（［１，１’：３’，１’’−ターフェニル］−５’−イル）−１，３，５−トリアジン
である。

また、ＬＥＬ中のホスト材料として有用な式（Ｏ）のオキシン自体のキレートを含む金属キレート化オキシノイド化合物（一般に、８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリンとも称される）のいずれかも、ＥＴＬに使用するのに適切である。

高い三重項エネルギーを有するいくつかの金属キレート化オキシノイド化合物が、電子輸送材料として特に有用であり得る。高い三重項エネルギー準位を有する特に有用なアルミニウム又はガリウム錯体ホスト材料は、式（Ｗ）によって表される。

式（Ｗ）において、Ｍ₁はＡｌ又はＧａを表す。Ｒ₂〜Ｒ₇は水素又は独立して選択される置換基を表す。望ましくは、Ｒ₂は電子供与基を表す。適切には、Ｒ₃及びＲ₄は各々独立して、水素又は電子供与置換基を表す。好ましい電子供与基は、メチル等のアルキルである。好ましくは、Ｒ₅、Ｒ₆及びＲ₇は各々独立して、水素又は電子求引基を表す。隣接する置換基Ｒ₂〜Ｒ₇は、結合して環基を形成してもよい。Ｌは、酸素によりアルミニウムに連結した芳香族部分であり、Ｌが６個〜３０個の炭素原子を有するように置換基で置換されていてもよい。

ＥＴＬに使用する有用なキレート化オキシノイド化合物の例は、アルミニウム（ＩＩＩ）ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリン）−４−フェニルフェノラート［別名、Ｂａｌｑ］である。

ＬＥＬ中のホスト材料として有用な式（Ｐ）に従うアントラセン誘導体と同一のものを、同様にＥＴＬにおいて使用してもよい。

ＥＴＬの厚さは、典型的に５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内、好ましくは１０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内である。

＜電子注入層＞
上述したように、いくつかの実施形態において、アルカリ金属又は有機アルカリ金属化合物（例えば、ＡＭ−１又はＡＭ−２等の有機リチウム化合物）がＥＩＬ１３８中に存在する。さらなる実施形態において、ＥＩＬは、２つ以上の副層、例えば、アジン化合物を含有するＥＩＬ１（ＥＴＬに隣接する）と、アルカリ金属、無機アルカリ金属化合物若しくは有機アルカリ金属化合物、又はそれらの混合物を含有するＥＩＬ２（カソードに隣接する）とに分割されることができる。またさらなる実施形態において、シリルフルオランテン化合物がＥＴＬ中に存在し、式（Ｖ）により表されるようなフェナントロリン化合物（例えば、Ｂｐｈｅｎ）がＥＩＬ中に存在し、アルカリ金属もまたＥＩＬ中に存在する。

いくつかの実施形態において、追加の電子注入材料は、ＥＩＬ又は追加の電子注入層に使用するのに適切であり得る。ホストとして少なくとも１つの電子輸送材料、及び少なくとも１つのｎ型ドーパントを含有するｎ型ドープ層等の材料が挙げられるが、これに限定されない。ドーパントは、電荷移動によってホストを還元することが可能である。「ｎ型ドープ層」という用語は、この層がドープ後に半導体特性を有し、この層を流れる電流が電子によって実質的に搬送されることを意味する。

ＥＩＬにおけるホストは、電子の注入及び電子の輸送を支持することが可能な電子輸送材料であり得る。電子輸送材料は、上記で規定されるようなＥＴＬ領域に使用する電子輸送材料から選択することができる。

ｎ型ドープＥＩＬ中のｎ型ドーパントは、アルカリ金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属、若しくはアルカリ土類金属化合物、又はそれらの組み合わせから選択することができる。「金属化合物」という用語は、有機金属錯体、金属有機塩、及び金属無機塩、金属酸化物、及び金属ハロゲン化物を包含する。この種類の金属含有ｎ型ドーパントのうち、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、又はＹｂ、及びこれらの化合物が特に有用である。ｎ型ドープＥＩＬにおいてｎ型ドーパントとして使用される材料には、強い電子供与特性を有する有機還元剤も含まれる。「強い電子供与特性」とは、有機ドーパントが少なくともいくつかの電子電荷をホストに供与して、ホストと共に電荷移動錯体を形成可能であることを意味する。有機分子の非限定的な例として、ビス（エチレンジチオ）−テトラチアフルバレン（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）、及びこれらの誘導体が挙げられる。高分子ホストの場合、ドーパントは上記のいずれかであるか、又は微量成分として分子状に分散した材料若しくはホストと共重合した材料でもある。好ましくは、ｎ型ドープＥＩＬ中のｎ型ドーパントは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、若しくはＹｂ、又はそれらの組み合わせを含む。ｎ型ドープ濃度は、この層の０．０１体積％〜２０体積％の範囲内であるのが好ましい。

ＥＩＬの厚さは、典型的に２０ｎｍ未満、しばしば１０ｎｍ未満、又は５ｎｍ以下である。

＜カソード＞
アノードのみを通して発光を見る場合には、カソード１４０は、ほぼ任意の導電性材料を含む。望ましい材料は、下にある有機層との効果的な接触を確実にする有効な膜形成特性を有し、低電圧で電子の注入を促進し、有効な安定性を有する。有用なカソード材料は、仕事関数が小さな金属又は合金（４．０ｅＶ未満）を含有することが多い。好ましいカソード材料の１つは、米国特許第４，８８５，２２１号に記載されるようなＭｇ：Ａｇ合金を含む。他の適切な種類のカソード材料としては、有機層（例えば、有機ＥＩＬ又はＥＴＬ）に接触する薄い無機ＥＩＬを含み、より厚い導電性金属層で覆われる二重層が挙げられる。ここで、無機ＥＩＬは、仕事関数が小さな金属又は金属塩を含んでいることが好ましく、そのような場合には、より厚い被覆層が小さな仕事関数を有する必要はない。かかるカソードの１つは、米国特許第５，６７７，５７２号に記載されているように、ＬｉＦの薄層と、その上に載るより厚いＡｌ層を含む。他の有用なカソード材料の組としては、米国特許第５，０５９，８６１号、同第５，０５９，８６２号、及び同第６，１４０，７６３号に開示されているものが挙げられるが、これらに限定されない。

カソードを通して発光を見る場合、カソード１４０は透明であるか、又はほぼ透明である必要がある。かかる用途のためには、金属が薄いか、又は透明な導電性酸化物を使用するか、又はこのような材料を含んでいる必要がある。光学的に透明なカソードは、米国特許第４，８８５，２１１号、同第５，２４７，１９０号、同第５，７０３，４３６号、同第５，６０８，２８７号、同第５，８３７，３９１号、同第５，６７７，５７２号、同第５，７７６，６２２号、同第５，７７６，６２３号、同第５，７１４，８３８号、同第５，９６９，４７４号、同第５，７３９，５４５号、同第５，９８１，３０６号、同第６，１３７，２２３号、同第６，１４０，７６３号、同第６，１７２，４５９号、同第６，２７８，２３６号、同第６，２８４，３９３号、及び欧州特許第１０７６３６８号により詳細に記載されている。カソード材料は、熱蒸着、電子ビーム蒸着、イオンスパッタリング、又は化学蒸着によって典型的に堆積される。必要に応じて、多くの既知の方法（スルーマスク蒸着、米国特許第５，２７６，３８０号及び欧州特許第０７３２８６８号に記載されるような一体化シャドーマスキング（integral shadow masking）、レーザーアブレーション、及び選択的化学蒸着が挙げられるが、これらに限定されない）によってパターニングを行なう。

ＥＩＬの厚さは、０．１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内であることが多く、典型的に１ｎｍ〜５ｎｍの範囲内である。

＜基板＞
ＯＬＥＤ１００は、支持基板１１０上に典型的に設けられるが、ここでアノード１２０又はカソード１４０のいずれかが基板と接触していてもよい。基板と接触する電極は。便宜上、底面電極と称される。通常、底面電極はアノード１２０であるが、本発明はその構成に限定されない。基板は、意図される発光の方向に応じて光透過性であっても、又は不透明であってもよい。基板を通してＥＬ発光を見るには光透過性が望ましい。このような場合には、透明なガラス又はプラスチックが一般に使用される。基板は複数の材料層を備える複雑な構造であってもよい。これは典型的には、ＯＬＥＤ層の下側にＴＦＴが設けられるアクティブマトリックス基板の場合に当てはまる。基板は、少なくとも発光画素化領域において、概ね透明な材料（ガラス又はポリマー等）から構成されることがさらに必要とされる。ＥＬ発光を上部電極を通して見る用途においては、底面支持体の光透過性は重要ではなく、したがって支持体は光透過性であっても、光吸収性であっても、又は光反射性であってもよい。この場合に使用される基板としては、ガラス、プラスチック、半導体材料（ケイ素、セラミックス等）、及び回路基板が挙げられるが、これらに限定されない。この場合もやはり、基板は、アクティブマトリクスＴＦＴ設計において見られるような複数の材料層を備える複雑な構造であってもよい。これらのデバイス構成においては、光透明性の上部電極を設けることが必要とされる。

＜有機層の堆積＞
上記の有機材料は、昇華によって適切に堆積されるが、膜の形成を改善するために任意で結合剤を用いて溶媒から堆積させることもできる。材料がポリマーである場合には、溶媒堆積が通常は好ましい。昇華によって堆積させる材料は、例えば、米国特許第６，２３７，５２９号に記載されるように、タンタル材料で構成されることの多い昇華「ボート」（sublimator "boat"）から蒸発させるか、又は最初にドナーシートにコーティングし、次いで基板のより近くで昇華させることができる。材料の混合物を含む層では、別個の昇華ボートを用いるか、又は材料を予め混合し、単一のボート若しくはドナーシートからコーティングすることができる。パターニング堆積は、シャドーマスク、一体化シャドーマスク（米国特許第５，２９４，８７０号）、ドナーシートからの空間的に限定された染料熱転写（米国特許第５，８５１，７０９号及び米国特許第６，０６６，３５７号）、インクジェット法（米国特許第６，０６６，３５７号）を利用して実現することができる。

ＯＬＥＤを作製する上で有用な有機材料、例えば有機正孔輸送材料、有機エレクトロルミネッセンス成分をドープした有機発光材料は、分子結合力の比較的弱い比較的複雑な分子構造を有するため、物理的蒸着中に有機材料（複数可）の分解が回避されるよう注意を払う必要がある。上述の有機材料は、比較的高い純度で合成され、粉末、フレーク、又は顆粒の形態で提供される。これまで、かかる粉末又はフレークは、物理的蒸着源に入れて使用されてきたが、この物理的蒸着源には、有機材料の昇華又は気化により蒸気を形成させ、基板上で蒸気を凝縮させて基板上に有機層を設けるために熱が加えられる。

有機粉末、フレーク又は顆粒を物理的蒸着において使用する際にいくつかの問題が見られていたが、これは、これらの粉末、フレーク、又は顆粒の取り扱いが困難であるということである。これらの有機材料は、比較的低い物理的密度を一般に有し、特に１０^-6トールにまで減圧されるチャンバ内に配置される物理的蒸着源に入れる際に、望ましくない低い熱伝導率を有する。このため、粉末粒子、フレーク、又は顆粒は、加熱源からの放射加熱、及び加熱源の加熱表面と直接接触した粒子又はフレークの伝導加熱によってしか加熱されない。加熱源の加熱表面と接触していない粉末粒子、フレーク、又は顆粒は、粒子間接触面積が比較的小さいことから、伝導加熱では効果的に加熱されない。これは物理的蒸着源におけるかかる有機材料の不均一な加熱をもたらし得る。したがって、結果として不均一な蒸着有機層が基板上に形成される可能性がある。

これらの有機粉末は固結して固体ペレットとすることができる。昇華性有機材料粉末の混合物から固結して固体ペレットとなるこれらの固体ペレットは、取り扱いがより容易である。有機粉末の固体ペレットへの固結は、比較的単純な器具を用いて行なうことができる。１つ以上の非発光性の有機非エレクトロルミネッセンス成分材料、又は発光エレクトロルミネッセンス成分材料、又は非エレクトロルミネッセンス成分材料及びエレクトロルミネッセンス成分材料の混合物を含む混合物から形成される固体ペレットは、有機層を作製するために物理的蒸着源に入れることができる。かかる固結ペレットは、物理的蒸着装置において使用することができる。

１つの態様において、本発明は、有機材料の圧縮ペレットから、ＯＬＥＤの一部を形成する有機層を基板上に作製する方法を提供する。

本発明の材料を堆積させる好ましい方法の１つは、米国特許出願公開第２００４／０２５５８５７号及び米国特許第７，２８８，２８６号に記載されているが、この場合、本発明の材料の各々を蒸発させるために異なる蒸発源（source evaporators）が使用される。第２の好ましい方法は、温度制御された材料供給経路に沿って材料が計量供給される（metered）フラッシュ蒸発を利用する。このような好ましい方法は、以下の本願と同一出願人の米国特許第７，２３２，５８８号、同第７，２３８，３８９号、同第７，２８８，２８５号、同第７，２８８，２８６号、同第７，１６５，３４０号及び米国特許出願公開第２００６／０１７７５７６号に記載されている。この第２の方法を用いる場合、各々の材料を異なる蒸発源を用いて蒸発させても、又は固体材料を混合した後に、同一の蒸発源を用いて蒸発させてもよい。

＜封止＞
大抵のＯＬＥＤデバイスは、水分及び／又は酸素に敏感であるため、一般に不活性雰囲気（例えば、窒素又はアルゴン）中で、乾燥剤（例えば、アルミナ、ボーキサイト、硫酸カルシウム、クレイ、シリカゲル、ゼオライト、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、金属硫酸塩、又は金属ハロゲン化物及び金属過塩素酸塩）と共に密封される。封止及び乾燥のための方法としては、米国特許第６，２２６，８９０号に記載される方法が挙げられるが、これに限定されない。

＜ＯＬＥＤデバイスの設計基準＞
フルカラーディスプレイに対しては、ＬＥＬの画素化が必要とされ得る。このＬＥＬの画素化堆積は、シャドーマスク、一体化シャドーマスク（米国特許第５，２９４，８７０号）、ドナーシートからの空間的に限定された染料熱転写（米国特許第５，６８８，５５１号、同第５，８５１，７０９号、及び同第６，０６６，３５７号）、並びにインクジェット法（米国特許第６，０６６，３５７号）を用いて行なわれる。

本発明のＯＬＥＤでは、必要なら、その発光特性を向上させるために、既知の様々な光学的効果を利用することができる。これには、層の厚さを最適化して光の透過を増大させること、誘電体ミラー構造を設けること、反射性電極の代わりに光吸収性電極にすること、グレア防止用若しくは反射防止用コーティングをディスプレイ上に設けること、偏光媒体をディスプレイ上に設けること、又は色フィルタ、減光フィルタ、若しくは色変換フィルタをディスプレイ上に設けること等がある。フィルタ、偏光板、及びグレア防止用又は反射防止用コーティングは、ＯＬＥＤの上に、又はＯＬＥＤの一部として特に設けることができる。

本発明のＯＬＥＤデバイスでは、必要なら、その特性を向上させるために、既知の様々な光学的効果を利用することができる。これには、層の厚さを最適化して光の透過を増大させること、誘電体ミラー構造を設けること、反射性電極の代わりに光吸収性電極にすること、グレア防止用若しくは反射防止用コーティングをディスプレイ上に設けること、偏光媒体をディスプレイ上に設けること、又は色フィルタ、減光フィルタ、若しくは色変換フィルタをディスプレイ上に設けること等がある。フィルタ、偏光板、及びグレア防止用又は反射防止用コーティングは、カバーの上に、又はカバーの一部として特に設けることができる。

本発明の実施形態により、良好な輝度効率、良好な動作安定性を有し、且つ駆動電圧を低減したＥＬデバイスが提供され得る。本発明の実施形態は、デバイスの寿命期間にわたって電圧増大を抑えることもでき、良好な光効率をもたらすように、高い再現性及び一貫性をもって作製することができる。本発明の実施形態では、電力消費（consumption requirements）がより少ないため、電池と共に使用する場合、電池寿命を延長することができる。

本発明及びその利点を以下の具体例によりさらに説明する。「パーセンテージ」又は「パーセント」という用語、及び「％」という記号は、本発明の層及びデバイスの他の構成要素中の全材料における、特定の第１の化合物又は第２の化合物の体積パーセント（又は薄膜厚モニターで測定した厚さの比率）を表す。１種より多い第２の化合物が存在する場合には、第２の化合物の総体積を、本発明の層中の全材料におけるパーセンテージとして表すこともできる。

＜例１：本発明の化合物Ｉｎｖ−３の合成＞
Ｉｎｖ−３を、以下に記載されるスキーム１に概説されるようにして合成した。

＜化合物（１）の調製＞
W. Dilthey, I. ter Horst and W. Schommer; Journal fuer Praktische Chemie (Leipzig), 143, (1935), 189-210の手順に従って、７，９−ジフェニル−８Ｈ−シクロペンタ［ａ］アセナフチレン−８−オン（アセシクロン、（１））を調製した。

＜Ｉｎｖ−３の調製＞
アセシクロン（３．７ｇ、１０ミリモル）及び（ジメチルフェニルシリル）アセチレン（５．０ｇ、３１ミリモル）を、１，２−ジクロロベンゼン（８０ｍＬ）中、２００℃で１２時間加熱した。溶液を冷却した後、メタノール（約３０ｍＬ）を加えて白濁（cloudiness）させた。室温で撹拌を続けると、生成物が沈殿した。淡黄色の固体をメタノールで洗い、空気乾燥して３ｇの生成物を得た。生成物を２００℃／３×１０^-1Ｔｏｒｒで昇華させ（ｍｐ１７５℃）、８−ジメチルフェニルシリル−７，１０−ジフェニルフルオランテン（Ｉｎｖ−３）を得た。¹Ｈ ＮＭＲスペクトル及び質量スペクトル（ＭＳ）の分析は、所望の生成物が得られたことを示した。

＜例２：電気化学レドックス電位及び推定エネルギー準位＞
ＬＵＭＯ値及びＨＯＭＯ値は、一般に電気化学法によって実験的に推定される。以下の方法は、レドックス特性を測定するのに有用な手法を説明する。Ｍｏｄｅｌ ＣＨＩ６６０電気化学分析装置（CH Instruments, Inc.，Austin，TX）を用いて電気化学的測定を行った。対象となる化合物のレドックス特性を明らかにするために、サイクリックボルタンメトリー（ＣＶ）及びＯｓｔｅｒｙｏｕｎｇ矩形波ボルタンメトリー（ＳＷＶ）を用いた。ガラス状炭素（ＧＣ）ディスク電極（Ａ＝０．０７１ｃｍ²）を作用電極として使用した。ＧＣ電極を０．０５μｍのアルミナスラリーを用いて研磨した後、Ｍｉｌｌｉ−Ｑ脱イオン水中で２回超音波洗浄した（この水洗浄の間にアセトンで洗い流した）。電極を最後に洗浄し、使用前に電気化学的処理により活性化させた。白金線を対向電極として供し、飽和カロメル電極（ＳＣＥ）を準参照電極として使用して、標準三電極式電気化学セルを完成させた。フェロセン（Ｆｃ）を内標準として使用した（アセトニトリル／トルエン（１：１）、０．１Ｍ ＴＢＡＦ中のＥ_Fc＝０．５０Ｖ対ＳＣＥ）。アセトニトリル及びトルエンの混合物（５０体積％／５０体積％、又は１：１）を有機溶媒系として使用した。支持電解質であるテトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレート（ＴＢＡＦ）を、イソプロパノール中で２回再結晶させ、真空下で乾燥させた。使用される全ての溶媒は低水分グレードであった（水分量２０ｐｐｍ未満）。試験溶液を高純度窒素ガスで約５分間パージして酸素を除去し、実験期間中、窒素ブランケット（nitrogen blanket）を溶液の上部に維持した。測定は全て２５±１℃の周囲温度で行なった。酸化電位及び還元電位は、可逆電極過程もしくは準可逆電極過程におけるアノードのピーク電位（Ｅｐ，ａ）とカソードのピーク電位（Ｅｐ，ｃ）とを平均するか又は不可逆過程におけるピーク電位（ＳＷＶ中）に基づいて決定された。
ＬＵＭＯ値及びＨＯＭＯ値は以下の等式から計算される。
形式還元電位対可逆過程又は準可逆過程のＳＣＥ；
Ｅ^o’_red＝（Ｅ_pa＋Ｅ_pc）／２
Ｅ^o’_OX＝（Ｅ_pa＋Ｅ_pc）／２
形式還元電位対Ｆｃ；
Ｅ^o’_red対Ｆｃ＝（Ｅ^o’_red対ＳＣＥ）−Ｅ_Fc Ｅ^o’_ox対Ｆｃ＝（Ｅ^o’_OX対ＳＣＥ）−Ｅ_Fc
式中、Ｅ_Fcは、フェロセンの酸化電位Ｅ_OXであり、
推定ＬＵＭＯ下限値及びＨＯＭＯ下限値；
ＬＵＭＯ＝ＨＯＭＯ_Fc−（Ｅ^o’_red対Ｆｃ）
ＨＯＭＯ＝ＨＯＭＯ_Fc−（Ｅ^o’_OX対Ｆｃ）
式中、ＨＯＭＯ_Fc(フェロセンの最高被占分子軌道)＝−４．８ｅＶである。

レドックス電位並びに推定ＨＯＭＯ値及び推定ＬＵＭＯ値を表１にまとめる。

＜例３：青色発光ＯＬＥＤデバイス３．１〜３．１１の作製＞
一連のＯＬＥＤデバイス（３．１〜３．５）を以下の方法で組み立てた。
１．８５ｎｍのインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）の層でコーティングしたガラス基板をアノードとして、順に、市販の洗剤中で超音波処理し、脱イオン水でリンスし、約１分間酸素プラズマに曝露した。
２．米国特許第６，２０８，０７５号に記載されるようなＣＨＦ₃のプラズマ支援堆積によって、ＩＴＯ上に１ｎｍのフッ化炭素（ＣＦ_x）正孔注入層（ＨＩＬ）を堆積させた。
３．次に、正孔輸送材料４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）の層を、９５ｎｍの厚さに堆積させた。
４．次に、ホスト材料Ｐ−４及び１．５体積％のＦＤ−５４に相当する２０ｎｍの発光層（ＬＥＬ）を堆積させた。
５．表２に示すような、Ｉｎｖ−１に相当する第１の電子輸送材料（ＥＴＭ１）、又はＰ−４、又はＩｎｖ−１とＰ−４との混合物に相当する第２の電子輸送材料（ＥＴＭ２）を含有する３５．０ｎｍの電子輸送層（ＥＴＬ）を、ＬＥＬ上に堆積させた。
６．次に、ＡＭ−１に相当する３．５ｎｍの電子注入層（ＥＩＬ）を、ＥＴＬ上に堆積させた。
７．最後に、１００ｎｍのアルミニウムの層をＥＩＬ上に堆積させて、カソードを形成した。

上記の手順によってＥＬデバイスの堆積が完了した。次に、デバイスを周囲環境から保護するため、乾燥グローブボックス中で密封包装した。

それらの作製中に、各デバイスが重複して作製され、各実施例につき、完全に同じように作製された４つのデバイスを与えた。このように形成したデバイスを、２０ｍＡ／ｃｍ²の動作電流で駆動電圧及び輝度効率について試験した。４つの重複したデバイスからの結果は平均化され、その結果を表２に報告する。

全てのデバイスは、同じ全体厚さを有し、且つ有機リチウム化合物（ＡＭ−１）から構成されるＥＩＬを有する。比較デバイス３．６は、Ｉｎｖ−１を含有せず、且つ電子輸送材料としてＰ−４を用いている。Ｉｎｖ−１を単独又はＰ−４と組み合わせて含有するＥＴＬを用いることにより、比較３．６と比較して駆動電圧の大きな変化なしに高い輝度を提供するデバイスを得ることができることが表２から明らかである。

＜例４：青色発光ＯＬＥＤデバイス４．１〜４．１８の作製＞
一連のＯＬＥＤデバイス（３．１〜３．５）を以下の方法で組み立てた。
１．８５ｎｍのインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）の層でコーティングしたガラス基板をアノードとして、順に、市販の洗剤中で超音波処理し、脱イオン水でリンスし、約１分間酸素プラズマに曝露した。
２．米国特許第６，２０８，０７５号に記載されるようなＣＨＦ₃のプラズマ支援堆積によって、ＩＴＯ上に１ｎｍのフッ化炭素（ＣＦ_x）正孔注入層（ＨＩＬ）を堆積させた。
３．次に、正孔輸送材料４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）の層を、９５ｎｍの厚さに堆積させた。
４．次に、ホスト材料Ｐ−４及び５．０体積％のＦＤ−５３に相当する２０ｎｍの発光層（ＬＥＬ）を堆積させた。
５．表３に示すレベルでＩｎｖ−２を含有する３５．０ｎｍの電子輸送層（ＥＴＬ）を、ＬＥＬ上に堆積させた。
６．デバイス４．２〜４．６については、Ａｚ−１に相当する第１の電子注入層（ＥＩＬ１）を、表３に示す厚さでＥＴＬ上に真空堆積させた。
７．ＬｉＦに相当する第２の電子注入層（ＥＩＬ２）を、０．５ｎｍの厚さでＥＩＬ１上に真空堆積させた。デバイス４．１については、この層をＥＴＬ上に直接堆積させた。
８．最後に、１００ｎｍのアルミニウムの層をＥＩＬ２上に堆積させて、カソードを形成した。

上記の手順によってＥＬデバイスの堆積が完了した。次に、デバイスを周囲環境から保護するため、乾燥グローブボックス中で密封包装した。

Ｉｎｖ−２（存在する場合）をＣ−１で置換したことを除き、デバイス４．１〜４．６と同じ方法で第２の一連のＯＬＥＤデバイス４．７〜４．１２を作製した。

Ｉｎｖ−２（存在する場合）をＣ−２で置換したことを除き、デバイス４．１〜４．６と同じ方法で第３の一連のＯＬＥＤデバイス４．１３〜４．１８を作製した。

それらの作製中に、各デバイスが重複して作製され、各実施例につき、完全に同じように作製された４つのデバイスを与えた。このように形成したデバイスを、２０ｍＡ／ｃｍ²の動作電流で駆動電圧及び輝度効率について試験した。４つの重複したデバイスからの結果は平均化され、その結果を表３に報告する。

表３から明らかなように、Ｉｎｖ−２から構成されるＥＴＬ、アジン化合物Ａｚ−１（Ａｚ−１は、ピリジル置換基を有するフルオランテン核に相当する）を含有するＥＩＬ１及び無機リチウム化合物（ＬｉＦ）を含有するＥＩＬ２を備える本発明のデバイス４．２〜４．６は、比較４．１と比較して低い駆動電圧及び高い輝度を提供する。デバイス４．１は、Ａｚ−１を含有せず、且つＬｉＦを含有する電子注入層のみを有する。

デバイス４．７〜４．１２は、Ｉｎｖ−２（存在する場合）をＣ−１で置換したことを除き、デバイス４．１〜４．６と同じ方法で作製した。化合物Ｃ−１は、ケイ素置換基を有し、フルオランテン核を含有しない多環式芳香族化合物である。表３に示されるように、比較デバイス４．８〜４．１２は、Ａｚ−１から構成されるＥＩＬ１及びＬｉＦから構成されるＥＩＬ２を備えるが、本発明のデバイス４．２〜４．６と比較して高い駆動電圧及び低い輝度を提供する。

同様に、デバイス４．１３〜４．１８は、Ｉｎｖ−２（存在する場合）をＣ−２で置換したことを除き、デバイス４．１〜４．６と同じ方法で作製した。化合物Ｃ−２は、フルオランテン核を含有し、ケイ素置換基を有さない。本発明のデバイス４．２〜４．６は、平均して、対応する比較デバイス４．１４〜４．１８と比較して低い駆動電圧及び遥かに高い輝度効率を提供することが表３から明らかである。例えば、最高性能の比較デバイス（４．１７）は、４．８ボルトの駆動電圧で８．９ｃｄ／Ａの輝度効率を有するのに対し、本発明のデバイス４．３は、４．６ボルトの駆動電圧で１１．０ｃｄ／Ａの輝度効率を提供する。これは、駆動電圧の５％減少とともに輝度の２４％増大に相当する。

＜例５：青色発光ＯＬＥＤデバイス５．１〜５．６の作製＞
一連のＯＬＥＤデバイス（５．１〜５．６）は、Ａｚ−１（存在する場合）をＡｚ−５で置換したことを除き、デバイス４．１〜４．６と同じ方法で作製した。

それらの作製中に、各デバイスが重複して作製され、各実施例につき、完全に同じように作製された４つのデバイスを与えた。このように形成したデバイスを、２０ｍＡ／ｃｍ²の動作電流で駆動電圧及び輝度効率について試験した。４つの重複したデバイスからの結果は平均化され、その結果を表４に報告する。

表４から明らかなように、Ｉｎｖ−２から構成されるＥＴＬ、アジン化合物Ａｚ−５（Ａｚ−５は、ピリジル置換基を有するアントラセン核に相当する）を含有するＥＩＬ１及び無機リチウム化合物（ＬｉＦ）ＥＩＬ２を備える本発明のデバイスは、比較５．１と比較して低い駆動電圧及び高い輝度効率を提供する。デバイス５．１は、Ａｚ−５を含有せず、且つＬｉＦに相当する電子注入層を有する。

＜例６：青色発光ＯＬＥＤデバイス６．１〜６．１８の作製＞
一連のＯＬＥＤデバイス（６．１〜６．６）を以下の方法で組み立てた。
１．８５ｎｍのインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）の層でコーティングしたガラス基板をアノードとして、順に、市販の洗剤中で超音波処理し、脱イオン水でリンスし、約１分間酸素プラズマに曝露した。
２．米国特許第６，２０８，０７５号に記載されるようなＣＨＦ₃のプラズマ支援堆積によって、ＩＴＯ上に１ｎｍのフッ化炭素（ＣＦ_x）正孔注入層（ＨＩＬ）を堆積させた。
３．次に、正孔輸送材料４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）の層を、９５ｎｍの厚さに堆積させた。
４．次に、ホスト材料Ｐ−４及び５．０体積％のＦＤ−５３に相当する２０ｎｍの発光層（ＬＥＬ）を堆積させた。
５．表５に示すレベルでＩｎｖ−２に相当する第１の電子輸送材料（ＥＴＭ１）を含有するか、又は表５に示すレベルでＩｎｖ−２とＡＭ−２に相当する第２の電子輸送材料（ＥＴＭ２）との混合物を含有する３５．０ｎｍの電子輸送層（ＥＴＬ）を、ＬＥＬ上に堆積させた。
６．デバイス６．２〜６．６については、ＡＭ−２に相当する電子注入層（ＥＩＬ）を、表５に示すような厚さでＥＴＬ上に真空堆積させた。
７．最後に、１００ｎｍのアルミニウムの層をＥＩＬ上に堆積させて、カソードを形成した。デバイス６．１については、この層を省略した。

上記の手順によってＥＬデバイスの堆積が完了した。次に、デバイスを周囲環境から保護するため、乾燥グローブボックス中で密封包装した。

それらの作製中に、各デバイスが重複して作製され、各実施例につき、完全に同じように作製された４つのデバイスを与えた。このように形成したデバイスを、２０ｍＡ／ｃｍ²の動作電流で駆動電圧及び輝度効率について試験した。４つの重複したデバイスからの結果は平均化され、その結果を表５に報告する。

全てのデバイスは、同じ全体厚さを有する。比較６．１は、Ｉｎｖ−１を含有するＥＴＬを備えるが、ＥＩＬを有さないので、高い駆動電圧及び低い輝度を有するデバイスをもたらす。デバイス６．２〜６．３は、有機リチウム化合物（ＡＭ−２）から構成されるＥＩＬを備えるので、比較デバイスと比較して駆動電圧の劇的な減少及び高い輝度を示す。デバイス６．４〜６．６は、ＡＭ−２を含有するＥＩＬ及びＡＭ−２とＩｎｖ−２との両方を含有するＥＴＬを備える。このように作製されたデバイスは、デバイス６．１と比較して高い輝度及び低い駆動電圧も示す。

＜例７：青色発光ＯＬＥＤデバイス７．１〜７．１２の作製＞
一連のＯＬＥＤデバイス（７．１〜７．１２）を以下の方法で組み立てた。
１．８５ｎｍのインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）の層でコーティングしたガラス基板をアノードとして、順に、市販の洗剤中で超音波処理し、脱イオン水でリンスし、約１分間酸素プラズマに曝露した。
２．米国特許第６，２０８，０７５号に記載されるようなＣＨＦ₃のプラズマ支援堆積によって、ＩＴＯ上に１ｎｍのフッ化炭素（ＣＦ_x）正孔注入層（ＨＩＬ）を堆積させた。
３．次に、正孔輸送材料４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）の層を、９５ｎｍの厚さに堆積させた。
４．次に、ホスト材料Ｐ−４及び５．０体積％のＦＤ−５３に相当する２０ｎｍの発光層（ＬＥＬ）を堆積させた。
５．表６に示すレベルでＩｎｖ−１に相当する第１の電子輸送材料（ＥＴＭ１）を含有するか、又は表６に示すレベルでＩｎｖ−１とＡＭ−２に相当する第２の電子輸送材料（ＥＴＭ２）との混合物を含有する電子輸送層（ＥＴＬ）（厚さについては表６参照）を、ＬＥＬ上に堆積させた。
６．デバイス７．７〜７．１２については、Ａｚ−１に相当する電子注入層（ＥＩＬ１）を、３．５ｎｍの厚さでＥＴＬ上に真空堆積させた。デバイス７．１〜７．６については、この層を省略した。
７．デバイス７．７〜７．１２については、ＡＭ−１に相当する厚さ３．５ｎｍの第２の電子注入層（ＥＩＬ２）をＥＩＬ１上に堆積させた。デバイス７．１〜７．６については、この層をＥＴＬ上に堆積させた。
８．最後に、１００ｎｍのアルミニウムの層をＥＩＬ２上に堆積させて、カソードを形成した。

上記の手順によってＥＬデバイスの堆積が完了した。次に、デバイスを周囲環境から保護するため、乾燥グローブボックス中で密封包装した。

それらの作製中に、各デバイスが重複して作製され、各実施例につき、完全に同じように作製された４つのデバイスを与えた。このように形成したデバイスを、２０ｍＡ／ｃｍ²の動作電流で駆動電圧及び輝度効率について試験した。４つの重複したデバイスからの結果は平均化され、その結果を表６に報告する。

この例のデバイス７．１〜７．６は、Ｉｎｖ−１を単独又はＡＭ−２と組み合わせて含有するＥＴＬの使用を説明する。デバイスは、有機リチウム化合物（ＡＭ−１）を含有するＥＩＬを備える。

デバイス７．７〜７．１２については、デバイス７．１〜７．６よりも２．５ｎｍ大きい全体厚さを有し、ＥＩＬは、Ａｚ−１（アジン置換基を有するフルオランテン）を含有するＥＩＬ１とＡＭ−１を含有するＥＩＬ２とに分割されている。全てのデバイスが、良好な駆動電圧及び輝度を提供する。構造が変化した電子輸送材料は、最適なデバイス型が異なるということが十分に理解される。Ｉｎｖ−１については、デバイス７．１及び７．７が特に良好な性能を提供する。

＜例８：青色発光ＯＬＥＤデバイス８．１〜８．１２の作製＞
一連のＯＬＥＤデバイス（８．１〜８．１２）は、Ｉｎｖ−１をＩｎｖ−２で置換したことを除き、デバイス７．１〜７．１２と同じ方法で作製した。

それらの作製中に、各デバイスが重複して作製され、各実施例につき、完全に同じように作製された４つのデバイスを与えた。このように形成したデバイスを、２０ｍＡ／ｃｍ²の動作電流で駆動電圧及び輝度効率について試験した。４つの重複したデバイスからの結果は平均化され、その結果を表７に報告する。

先の例にあるように、この例のデバイス８．１〜８．６は、シリルフルオランテン化合物（この場合、Ｉｎｖ−２）を単独又はＡＭ−２と混合して含有するＥＴＬを、有機リチウム化合物（ＡＭ−１）を含有するＥＩＬと組み合わせた使用を説明する。デバイス８．７〜８．１２については、デバイス８．１〜８．６よりも２．５ｎｍ大きい全体厚さを有し、ＥＩＬは、Ａｚ−１を含有するＥＩＬ１とＡＭ−１を含有するＥＩＬ２とに分割されている。全てのデバイスが、良好な駆動電圧及び輝度を提供する。この場合、デバイス８．１〜８．４が特に良好な性能を提供する。

＜例９：青色発光ＯＬＥＤデバイス９．１〜９．１２の作製＞
一連のＯＬＥＤデバイス（９．１〜９．１２）は、Ｉｎｖ−１をＩｎｖ−３で置換したことを除き、デバイス７．１〜７．１２と同じ方法で作製した。

それらの作製中に、各デバイスが重複して作製され、各実施例につき、完全に同じように作製された４つのデバイスを与えた。このように形成したデバイスを、２０ｍＡ／ｃｍ²の動作電流で駆動電圧及び輝度効率について試験した。４つの重複したデバイスからの結果は平均化され、その結果を表８に報告する。

デバイス９．１〜９．６は、Ｉｎｖ−３を単独又はＡＭ−２と組み合わせて含有するＥＴＬとＡＭ−１を含有するＥＩＬとの使用を説明する。デバイス９．７〜９．１２については、デバイス９．１〜９．６よりも２．５ｎｍ大きい全体厚さを有し、ＥＩＬは、Ａｚ−１を含有するＥＩＬ１とＡＭ−１を含有するＥＩＬ２とに分割されている。全てのデバイスが、良好な駆動電圧及び輝度を提供する。この場合、デバイス９．１〜９．３及びデバイス９．８が特に良好な性能を提供する。

＜例１０：青色発光ＯＬＥＤデバイス１０．１〜１０．１２の作製＞
一連のＯＬＥＤデバイス（１０．１〜１０．１２）は、Ｉｎｖ−１をＩｎｖ−４で置換したことを除き、デバイス７．１〜７．１２と同じ方法で作製した。

それらの作製中に、各デバイスが重複して作製され、各実施例につき、完全に同じように作製された４つのデバイスを与えた。このように形成したデバイスを、２０ｍＡ／ｃｍ²の動作電流で駆動電圧及び輝度効率について試験した。４つの重複したデバイスからの結果は平均化され、その結果を表９に報告する。

デバイス１０．１〜１０．６は、Ｉｎｖ−４を単独又はＡＭ−２と混合して含有するＥＴＬとＡＭ−１を含有するＥＩＬとの使用を説明する。デバイス１０．７〜１０．１２については、デバイス１０．１〜１０．６よりも２．５ｎｍ大きい全体厚さを有し、ＥＩＬは、Ａｚ−１を含有するＥＩＬ１とＡＭ−１を含有するＥＩＬ２とに分割されている。全てのデバイスが、良好な駆動電圧及び輝度を提供する。この場合、デバイス１０．２〜１０．４及びデバイス１０．８が特に良好な性能を提供する。

本発明は、それらの特定の好ましい実施形態に特に関連して詳細に説明されたが、本発明の意図及び範囲内で変更及び改良がなされ得ることが理解されるであろう。

部品表
１００ ＯＬＥＤ
１１０ 基板
１２０ アノード
１３０ 正孔注入層（ＨＩＬ）
１３２ 正孔輸送層（ＨＴＬ）
１３４ 発光層（ＬＥＬ）
１３５ 正孔ブロック層（ＨＢＬ）
１３６ 電子輸送層（ＥＴＬ）
１３８ 電子注入層（ＥＩＬ）
１４０ カソード
１５０ 電圧／電流源
１６０ 電気コネクタ

Claims (20)

1. カソードと、アノードとを備え、且つそれらの間に発光層を有するＯＬＥＤデバイスであって、
   （ａ）前記発光層と前記カソードとの間の第１の層であって、８位又は９位に結合するとともに独立して選択される３つの置換基に更に結合したケイ素原子を有するフルオランテン核を含むシリルフルオランテン化合物を含む第１の層と、
   （ｂ）前記第１の層と前記カソードとの間で前記第１の層に隣接して配置された第２の層であって、アルカリ金属又は有機アルカリ金属化合物を含有する第２の層と
   を更に備えるＯＬＥＤデバイス。
2. 前記第２の層が、有機アルカリ金属化合物を含有する請求項１に記載のＯＬＥＤデバイス。
3. 前記ケイ素原子が、１〜２５個の炭素原子を有するアルキル基及び６〜２４個の炭素原子を有するアリール基から選択される独立して選択される３つの置換基に結合するが、但し２つの置換基は結合して環基を形成してもよい請求項１に記載のＯＬＥＤデバイス。
4. 前記シリルフルオランテン化合物が、式（Ｉ）
   

   

   （式中、Ｒ₁〜Ｒ₉は、それぞれ独立して、水素又は置換基を表すが、但し隣接する置換基は、結合して環基を形成してもよく、Ｗ₁〜Ｗ₃は、それぞれ独立して、１〜２５個の炭素原子を有するアルキル基及び６〜２４個の炭素原子を有するアリール基から選択される置換基を表すが、但しＷ₁及びＲ₂、Ｗ₃及びＲ₃、並びにＷ₁〜Ｗ₃のうちの２つは、結合して環基を形成してもよい）によって表される請求項１に記載のＯＬＥＤデバイス。
5. 前記シリルフルオランテン化合物が、式（ＩＩ）
   

   

   （式中、Ａｒ₁及びＡｒ₂は、それぞれ独立して、６〜２４個の炭素原子を含有する独立して選択されるアリール基を表し、Ｒ¹〜Ｒ⁷は、それぞれ独立して、水素又は置換基を表すが、但し隣接する置換基、並びにＲ¹及びＡｒ₁は、結合して環基を形成してもよく、Ｗ₁〜Ｗ₃は、それぞれ独立して、１〜２５個の炭素原子を有するアルキル基及び６〜２４個の炭素原子を有するアリール基から選択される置換基を表すが、但しＷ₁及びＲ₁、Ｗ₃及びＡｒ₂、並びにＷ₁〜Ｗ₃のうちの２つは、結合して環基を形成してもよい）によって表される請求項１に記載のＯＬＥＤデバイス。
6. 各Ｒ¹〜Ｒ⁷が、独立して、水素又は１〜２５個の炭素原子を有するアルキル基及び６〜２４個の炭素原子を有するアリール基から選択される置換基を表すが、但し隣接する置換基、並びにＲ¹及びＡｒ₁は、結合して環基を形成できない請求項５に記載のＯＬＥＤデバイス。
7. 前記有機アルカリ金属化合物は、式（ＩＩＩ）：
   （Ｌｉ⁺）_m（Ｑ）_n 式（ＩＩＩ）
   （式中、Ｑはアニオン性有機配位子であり、ｍ及びｎは、前記錯体に中性電荷を与えるように選択される独立して選択される整数である）によって表される化合物を含む請求項１に記載のＯＬＥＤデバイス。
8. 前記有機アルカリ金属化合物は、式（ＩＶ）
   

   

   （式中、Ｚ及び点線の弧は、２〜４個の原子及びリチウムカチオンとの５〜７員環を完成するのに必要な結合を表し、各Ａは、水素又は置換基を表し、各Ｂは、Ｚ原子上の水素又は独立して選択される置換基を表すが、但し２個以上の置換基が、結合して縮合環又は縮合環系を形成してもよく、ｊは０〜３であり、ｋは１又は２であり、ｍ及びｎは、前記錯体に中性電荷を与えるように選択される独立して選択される整数である）によって表される化合物を含む請求項１に記載のＯＬＥＤデバイス。
9. カソードと、アノードとを備え、且つそれらの間に発光層を有するＯＬＥＤデバイスであって、
   （ａ）前記発光層と前記カソードとの間の第１の層であって、８位又は９位に結合するとともに独立して選択される３つの置換基に更に結合したケイ素原子を有するフルオランテン核を含むシリルフルオランテン化合物を含む第１の層と、
   （ｂ）前記第１の層と前記カソードとの間で前記第１の層に隣接して配置された第２の層であって、アジン基を有する多環芳香族化合物であるアジン化合物を含み、前記アジン化合物と前記シリルフルオランテン化合物との間のＬＵＭＯエネルギー値の絶対差が０．３ｅＶ以下である第２の層と、
   （ｃ）前記第２の層と前記カソードとの間で前記第２の層に隣接して配置された第３の層であって、アルカリ金属、無機アルカリ金属化合物、有機アルカリ金属化合物又はそれらの混合物を含む第３の層と
   を更に備えるＯＬＥＤデバイス。
10. 前記シリルフルオランテン化合物が、ただ一つのフルオランテン核を含み且つフルオランテン核に環化した芳香環を含まない請求項９に記載のＯＬＥＤデバイス。
11. 前記ケイ素原子が、１〜２５個の炭素原子を有するアルキル基及び６〜２４個の炭素原子を有するアリール基から選択される独立して選択される３つの置換基に結合するが、但し２つの置換基は結合して環基を形成してもよい請求項９に記載のＯＬＥＤデバイス。
12. 前記シリルフルオランテン化合物が、式（Ｉ）
    

    

    （式中、Ｒ₁〜Ｒ₉は、それぞれ独立して、水素又は置換基を表すが、但し隣接する置換基は、結合して環基を形成してもよく、Ｗ₁〜Ｗ₃は、それぞれ独立して、１〜２５個の炭素原子を有するアルキル基及び６〜２４個の炭素原子を有するアリール基から選択される置換基を表すが、但しＷ₁〜Ｗ₃のうちの２つ、Ｒ₂及びＷ₁、並びにＲ₃及びＷ₃は、結合して環基を形成してもよい）によって表される請求項９に記載のＯＬＥＤデバイス。
13. 前記シリルフルオランテン化合物が、式（ＩＩ）
    

    

    （式中、Ａｒ₁及びＡｒ₂は、それぞれ独立して、６〜２４個の炭素原子を含有する独立して選択されるアリール基を表し、Ｒ¹〜Ｒ⁷は、それぞれ独立して、水素又は置換基を表すが、但し隣接する置換基、並びにＲ¹及びＡｒ₁は、結合して環基を形成してもよく、Ｗ₁〜Ｗ₃は、それぞれ独立して、１〜２５個の炭素原子を有するアルキル基及び６〜２４個の炭素原子を有するアリール基から選択される置換基を表すが、但しＷ₁及びＲ₁、Ｗ₃及びＡｒ₂、並びにＷ₁〜Ｗ₃のうちの２つは、結合して環基を形成してもよい）によって表される請求項９に記載のＯＬＥＤデバイス。
14. 各Ｒ¹〜Ｒ⁷が、独立して、水素又は１〜２５個の炭素原子を有するアルキル基及び６〜２４個の炭素原子を有するアリール基から選択される置換基を表すが、但し隣接する置換基、並びにＲ¹及びＡｒ₁は、結合して環基を形成できない請求項１３に記載のＯＬＥＤデバイス。
15. 前記無機アルカリ金属化合物が、ＬｉＦを含む請求項９に記載のＯＬＥＤデバイス。
16. 前記アジン化合物が、８位又は９位にアジン基を有するフルオランテン核を含む請求項９に記載のＯＬＥＤデバイス。
17. 前記アジン基が、ピリジン基、ピリミジン基、フェナントロリン基及びピラジン基からなる群から選択される請求項１６に記載のＯＬＥＤデバイス。
18. 前記アジン化合物が、アジン基で置換されたアントラセン核を含む請求項９に記載のＯＬＥＤデバイス。
19. 前記アントラセン核が、９位又は１０位において、ピリジン基、ピリミジン基、フェナントロリン基及びピラジン基からなる群から選択されるアジン基で置換されている請求項１８に記載のＯＬＥＤデバイス。
20. 前記アジン化合物が、フェナントロリン基を含む請求項９に記載のＯＬＥＤデバイス。

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