JP2012518860A - センス・マージンを向上させた連想メモリ・デバイスとその動作方法およびコンピュータ・プログラム(連想メモリにおいてセンス・マージンを向上させるための符号化技法) - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 符号化データ・ワードおよび検索ワードを用いた連想メモリ、ならびにかかるデバイスを動作させるための技法。一実施形態においては、データ・ワードをコード・ワードに変換し、データ・ワードが検索ワードと一致しない場合、メモリ検索動作の間に異なる二進値を有する少なくとも2つのコード・ワード・ビットの不一致を保証する。別の実施形態においては、検索ワードを検索コードに変換して、データ・ワードと検索ワードとの間に少なくとも1ビットの不一致がある場合にコード・ワードと検索コードとの間のハミング距離が所与の閾値よりも大きいようにする。
【選択図】 図2
Description
Claims (25)
- 連想メモリを動作させるための方法であって、
並列回路において照合線に電気的に結合された複数のメモリ・セルを用意し、前記照合線がメモリ検索動作の間に前記メモリ・セルからの総合電流を受信するように構成されていることと、
前記メモリ・セルに記憶するためにビット長Lのデータ・ワードを受信することと、
前記データ・ワードをLよりも大きいビット長のコード・ワードに変換して、前記コード・ワード内の少なくとも1つのコード・ワード・ビットが前記データ・ワード内の少なくとも2つのデータ・ワード・ビットに依存するようにし、前記データ・ワードが検索ワードと一致しない場合、前記メモリ検索動作の間に、前記コード・ワードによって、異なる二進値を有する少なくとも2つのコード・ワード・ビットの不一致を保証することと、
前記コード・ワードを前記メモリ・セルに記憶することと、
を含む、方法。 - 前記コード・ワードが固定ハミング重みを有するコード・ワード・セットから求められる、請求項1に記載の方法。
- 前記コード・ワードが、前記データ・ワードと、前記データ・ワード内のゼロの個数と、を含み、前記個数が二進数系を用いて符号化されている、請求項1に記載の方法。
- 前記データ・ワードが第1の二進値および第2の二進値として表される複数の数字を含み、
前記コード・ワードが、前記データ・ワードと、前記データ・ワード内の前記第1の二進値の符号化した発生数と、を含み、前記第1の二進値の前記符号化した発生数が固定ハミング重みを有する符号化数セットから求められる、請求項1に記載の方法。 - 前記データ・ワードが第1の二進値および第2の二進値として表される複数の数字を含み、
前記コード・ワードが、前記データ・ワードと、前記データ・ワード内の前記第1の二進値の符号化した発生数と、前記データ・ワード内の前記第1の二進値の前記符号化した発生数のビット補数と、を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記並列回路に沿って少なくともd個の低抵抗経路を生成し、ここでdは正の整数であることを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記コード・ワードが同一ハミング重みの二進ベクトル・セットから選択され、前記二進ベクトルが少なくとも2dであるハミング距離を有する、請求項6に記載の方法。
- 前記メモリ検索動作の間に前記データ・ワードが前記検索ワードと一致しない場合、前記検索動作の間に前記メモリ・セルの少なくとも1つを通る照合電流が少なくとも2つの電流範囲のうち起こり得る最も高い電流範囲内にあることを保証するように前記コード・ワードが構成されている、請求項1に記載の方法。
- 前記連想メモリにおいて前記検索動作の間に前記データ・ワードと比較するために長さLの前記検索ワードを受信することと、
前記連想メモリにおいて前記検索動作の間に前記コード・ワードと比較するために前記検索ワードを検索コードに変換することと、
前記メモリ検索動作の間に前記メモリ・セルからの前記総合電流が閾値未満であるか否かを判定することと、
を更に含む、請求項1に記載の方法。 - 各メモリ・セルが直列回路においてアクセス・デバイスに電気的に結合されたメモリ要素を含み、前記メモリ要素が2つの相補的なメモリ要素抵抗の1つとして二進データを記憶するように構成され、
前記メモリ検索動作の間に前記アクセス・デバイスの実効抵抗が2つの相補的なアクセス・デバイス抵抗の1つとなるように各メモリ・セルの前記アクセス・デバイスにバイアスをかけること、
を更に含む、請求項9に記載の方法。 - 前記メモリ検索動作の間に前記データ・ワードと比較するためにビット長Lの検索ワードを受信するステップと、
前記検索ワードをビット長Mの検索コードに変換して、前記データ・ワードと前記検索ワードとの間に少なくとも1ビットの不一致がある場合に前記コード・ワードと前記検索コードとの間のハミング距離がハミング閾値よりも大きいようにする、ステップと、
前記総合電流が下電流閾値よりも大きく上電流閾値よりも小さい場合に一致を示すステップと、
を更に含む、請求項1に記載の方法。 - 連想メモリ・デバイスであって、
並列回路において照合線に電気的に結合された複数のメモリ・セルであって、前記照合線がメモリ検索動作の間に前記メモリ・セルからの総合電流を受信するように構成されている、前記複数のメモリ・セルと、
長さLのデータ・ワードを受信するように構成された受信ユニットと、
前記メモリ・セルに記憶するために前記データ・ワードをLよりも長いコード・ワードに変換するように構成された符号化ユニットと、を含み、前記コード・ワードのビットの少なくとも1つが前記データ・ワードのビットの少なくとも2つに依存し、前記データ・ワードが検索ワードと一致しない場合、前記メモリ検索動作の間に、前記コード・ワードによって、異なる二進値を有する少なくとも2つのコード・ワード・ビットの不一致を保証する、連想メモリ・デバイス。 - 前記コード・ワードが固定ハミング重みを有するコード・ワード・セットから求められる、請求項12に記載の連想メモリ・デバイス。
- 前記データ・ワードが第1の二進値および第2の二進値として表される複数の数字を含み、
前記コード・ワードが、前記データ・ワードと、前記データ・ワード内の前記第1の二進値の符号化した発生数と、を含み、前記第1の二進値の前記符号化した発生数が固定ハミング重みを有する符号化数セットから求められる、請求項12に記載の連想メモリ・デバイス。 - 前記データ・ワードが第1の二進値および第2の二進値として表される複数の数字を含み、
前記コード・ワードが、前記データ・ワードと、前記データ・ワード内の前記第1の二進値の符号化した発生数と、前記データ・ワード内の前記第1の二進値の前記符号化した発生数のビット補数と、を含む、請求項12に記載の連想メモリ・デバイス。 - 前記検索動作の間に前記データ・ワードが前記検索ワードと一致しない場合、前記並列回路に沿って少なくともd個の低抵抗経路が生成されることを前記符号化ユニットが保証する、請求項12に記載の連想メモリ・デバイス。
- 前記コード・ワードが同一ハミング重みの二進ベクトル・セットから選択され、前記二進ベクトルが少なくとも2dであるハミング距離を有する、請求項16に記載の連想メモリ・デバイス。
- 前記コード・ワードが、前記データ・ワードと、前記データ・ワード内のゼロの個数と、を含み、前記個数が二進数系を用いて符号化されている、請求項12に記載のデバイス。
- 前記受信ユニットが更に、前記検索動作の間に前記データ・ワードと比較するために長さLの前記検索ワードを受信するように構成され、
前記符号化ユニットが更に、前記検索動作の間に前記コード・ワードと比較するために前記検索ワードを検索コードに変換するように構成され、
前記検索動作の間に前記メモリ・セルからの前記総合電流が閾値未満であるか否かを測定するように構成された照合ユニット、
を更に含む、請求項12に記載の連想メモリ・デバイス。 - 各メモリ・セルが直列回路においてアクセス・デバイスに電気的に結合されたメモリ要素を含み、前記メモリ要素が2つの相補的な抵抗の1つとして二進データを記憶するように構成され、
前記検索動作の間に前記アクセス・デバイスの実効抵抗が2つの相補的なデバイス抵抗の1つとなるように各メモリ・セルの前記アクセス・デバイスにバイアスをかけるように構成されたバイアス・ユニット、
を更に含む、請求項19に記載の連想メモリ。 - 複数の前記アクセス・デバイスが単一の検索線に電気的に結合されるように、前記アクセス・デバイスが検索線に電気的に結合される、請求項20に記載の連想メモリ。
- 前記検索動作の間に前記総合電流が前記閾値未満である場合、前記照合ユニットが前記メモリ・セルのメモリ位置を示すように更に構成されている、請求項19に記載の連想メモリ。
- 前記データ・ワードが前記検索ワードと一致しない場合、前記検索動作の間に前記メモリ・セルの少なくとも1つを通る照合電流が前記検索動作の間の少なくとも2つの電流範囲のうち起こり得る最も高い電流範囲内にあることを保証するように前記コード・ワードが構成されている、請求項12に記載の連想メモリ。
- 前記データ・ワードが検索ワードと一致しない場合、前記コード・ワードが前記メモリ検索動作の間に前記照合線を通る電流を大きくするように構成されている、請求項12に記載の連想メモリ。
- コンピュータ読み取り可能メモリにおいて具現化されるコンピュータ・プログラムであって、
コンピュータ・メモリを動作させるために前記コンピュータ読み取り可能メモリに結合されたプログラム・コードであって、前記コンピュータ・メモリが並列回路において照合線に電気的に結合された複数のメモリ・セルを含み、前記照合線がメモリ検索動作の間に前記メモリ・セルからの総合電流を受信するように構成され、
前記メモリ・セルに記憶するためにビット長Lのデータ・ワードを受信することと、
前記データ・ワードをLよりも長いコード・ワードに変換し、前記コード・ワードの少なくとも1つのビットが前記データ・ワードの少なくとも2つのビットに依存し、前記データ・ワードが検索ワードと一致しない場合、前記メモリ検索動作の間に、前記コード・ワードによって、異なる二進値を有する少なくとも2つのコード・ワード・ビットの不一致を保証することと、
前記コード・ワードを前記メモリ・セルに記憶することと、
を前記コンピュータ・プログラムに実行させるように前記コンピュータ・コードが構成されている、コンピュータ・プログラム。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9489501B2 (en) | 2013-09-19 | 2016-11-08 | Fujitsu Limited | Authentication method, authentication device, and system |
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Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100064442A (ko) * | 2008-12-05 | 2010-06-15 | 한국전자통신연구원 | 버스 신호의 인코딩, 디코딩 방법 및 장치 |
US8624217B2 (en) | 2010-06-25 | 2014-01-07 | International Business Machines Corporation | Planar phase-change memory cell with parallel electrical paths |
WO2012015401A1 (en) | 2010-07-28 | 2012-02-02 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Rewriting a memory array |
US8575008B2 (en) | 2010-08-31 | 2013-11-05 | International Business Machines Corporation | Post-fabrication self-aligned initialization of integrated devices |
US9070435B2 (en) * | 2012-09-27 | 2015-06-30 | Broadcom Corporation | Pre-computation based ternary content addressable memory |
EP2991266B1 (en) * | 2013-04-24 | 2019-02-27 | Nec Corporation | Encrypted text matching system, method, and computer readable medium |
WO2015116184A1 (en) | 2014-01-31 | 2015-08-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Constant hamming weight coding |
US9501350B2 (en) * | 2014-09-22 | 2016-11-22 | Empire Technology Development Llc | Detecting unidirectional resistance drift errors in a multilevel cell of a phase change memory |
CN107919375B (zh) * | 2016-10-06 | 2020-08-21 | 财团法人工业技术研究院 | 可变电阻装置、物理性不可复制功能电路与控制方法 |
US9912352B1 (en) * | 2017-06-06 | 2018-03-06 | Western Digital Technologies, Inc. | Hamming distance based binary representations of numbers |
US10831653B2 (en) | 2018-05-15 | 2020-11-10 | Micron Technology, Inc. | Forwarding code word address |
US11003375B2 (en) | 2018-05-15 | 2021-05-11 | Micron Technology, Inc. | Code word format and structure |
US10741244B1 (en) * | 2019-06-21 | 2020-08-11 | Macronix International Co., Ltd. | Memory and operating method thereof |
US11200929B1 (en) * | 2020-06-18 | 2021-12-14 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Time division multiplexing (TDM) based optical ternary content addressable memory (TCAM) |
US11469764B2 (en) | 2020-08-28 | 2022-10-11 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Optical comb source for content-addressable memory encoders |
DE102020133802B4 (de) | 2020-12-16 | 2022-12-29 | Infineon Technologies Ag | Zugriff auf einen assoziativspeicher |
CN113539327A (zh) * | 2021-07-09 | 2021-10-22 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种相变存储单元实现快速逻辑计算装置及数据检索方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5491703A (en) * | 1992-06-30 | 1996-02-13 | Sgs-Thomson Microelectronics Ltd. | Cam with additional row cells connected to match line |
JPH10242432A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Sony Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2002334585A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-22 | Sony Corp | 半導体記憶装置 |
US20050010719A1 (en) * | 2003-07-11 | 2005-01-13 | Slavin Keith R. | Data encoding for fast CAM and TCAM access times |
US20060067097A1 (en) * | 2004-09-24 | 2006-03-30 | Chuen-Der Lien | Binary and ternary non-volatile CAM |
WO2007051205A1 (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Qualcomm Incorporated | High speed cam lookup using stored encoded key |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0230304A3 (en) | 1986-01-21 | 1991-03-13 | Energy Conversion Devices, Inc. | Content adressable memory |
DE60335465D1 (de) | 2003-10-22 | 2011-02-03 | St Microelectronics Srl | Über den Inhalt anwählbare Speicherzelle |
US7050316B1 (en) | 2004-03-09 | 2006-05-23 | Silicon Storage Technology, Inc. | Differential non-volatile content addressable memory cell and array using phase changing resistor storage elements |
US7711893B1 (en) * | 2004-07-22 | 2010-05-04 | Netlogic Microsystems, Inc. | Range code compression method and apparatus for ternary content addressable memory (CAM) devices |
US7319608B2 (en) | 2005-06-30 | 2008-01-15 | International Business Machines Corporation | Non-volatile content addressable memory using phase-change-material memory elements |
US7675765B2 (en) | 2005-11-03 | 2010-03-09 | Agate Logic, Inc. | Phase-change memory (PCM) based universal content-addressable memory (CAM) configured as binary/ternary CAM |
KR100900199B1 (ko) | 2006-09-19 | 2009-06-02 | 삼성전자주식회사 | 상변화 메모리를 이용하는 캠(ContentAddressable Memory ; CAM) 셀 및 캠 |
-
2009
- 2009-02-24 US US12/392,049 patent/US7881089B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-01-25 EP EP10702272.5A patent/EP2401744B1/en not_active Not-in-force
- 2010-01-25 JP JP2011550495A patent/JP5594908B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 2010-01-25 CN CN201080008624.8A patent/CN102326207B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5491703A (en) * | 1992-06-30 | 1996-02-13 | Sgs-Thomson Microelectronics Ltd. | Cam with additional row cells connected to match line |
JPH10242432A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Sony Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2002334585A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-22 | Sony Corp | 半導体記憶装置 |
US20050010719A1 (en) * | 2003-07-11 | 2005-01-13 | Slavin Keith R. | Data encoding for fast CAM and TCAM access times |
US20060067097A1 (en) * | 2004-09-24 | 2006-03-30 | Chuen-Der Lien | Binary and ternary non-volatile CAM |
WO2007051205A1 (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Qualcomm Incorporated | High speed cam lookup using stored encoded key |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9489501B2 (en) | 2013-09-19 | 2016-11-08 | Fujitsu Limited | Authentication method, authentication device, and system |
US10734075B2 (en) | 2018-09-06 | 2020-08-04 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor storage device and method of reading data therefrom |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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CN102326207B (zh) | 2014-10-29 |
CN102326207A (zh) | 2012-01-18 |
US7881089B2 (en) | 2011-02-01 |
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