JP5404559B2 - 連想メモリ・アレイ - Google Patents
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Semiconductor Memories (AREA)
Description
102、104:抵抗メモリ素子
106、108:アクセス・デバイス
110、204、306:一致ライン
112、114:アクセス(選択)・ライン
302:第1のメモリ・セル
304:第2のメモリ・セル
305:2ビット・セル
350、354:不一致
352、356:一致
402、404、406、408:ANDゲート
410、412:NOTゲート
600:システム
602、604:復号器
606:メモリ
608:一致チェッカ
Claims (20)
- 1つ又は複数のアドレスを格納するためのメモリ・デバイスであって、
一致ラインと、
第1のメモリ・セルであって、第2のメモリ素子と前記一致ラインとに結合した第1のメモリ素子を含み、さらに、前記第1のメモリ素子に結合し、かつ第1のアクセス・ラインを有する第1のアクセス・デバイスと、前記第2のメモリ素子に結合し、かつ第2のアクセス・ラインを有する第2のアクセス・デバイスとを含み、第1の値を格納するように構成された、第1のメモリ・セルと、
第2のメモリ・セルであって、第4のメモリ素子と前記一致ラインとに結合した第3のメモリ素子を含み、さらに、前記第3のメモリ素子に結合し、かつ第3のアクセス・ラインを有する第3のアクセス・デバイスと、前記第4のメモリ素子に結合し、かつ第4のアクセス・ラインを有する第4のアクセス・デバイスとを含み、第2の値を格納するように構成された、第2のメモリ・セルと、を含み、
前記アクセス・ラインの各々は、前記第1及び第2の値の異なる組み合わせである信号を受信する、メモリ・デバイス。 - 前記メモリ・デバイスが連想メモリであり、前記第1の値は論理値1又は論理値0とすることができ、前記第2の値は論理値1又は論理値0とすることができる、請求項1に記載のメモリ・デバイス。
- 前記メモリ・デバイスが三値連想メモリであり、前記第1の値は論理値1、論理値0、又は「ドントケア」とすることができ、前記第2の値は論理値1、論理値0、又は「ドントケア」とすることができる、請求項1に記載のメモリ・デバイス。
- 前記第1、第2、第3、及び第4のメモリ素子が、抵抗メモリ素子である、請求項1に記載のメモリ・デバイス。
- 前記第1、第2、第3、及び第4のメモリ素子が、相変化材料で形成される、請求項4に記載のメモリ・デバイス。
- 全ての前記アクセス・ラインが、前記第1及び第2の値の組み合わせに結合する、請求項1に記載のメモリ・デバイス。
- 前記第1のアクセス・ラインが、前記第1の値の補数と前記第2の値の補数との組み合わせに結合し、
前記第2のアクセス・ラインが、前記第1の値の前記補数と前記第2の値との組み合わせに結合し、
前記第3のアクセス・ラインが、前記第1の値と前記第2の値の前記補数との組み合わせに結合し、
前記第4のアクセス・ラインが、前記第1の値と前記第2の値とに結合する、請求項6に記載のメモリ・デバイス。 - 前記第1、第2、第3、及び第4のアクセス・デバイスが全て、ゲート端子を含むトランジスタである、請求項1に記載のメモリ・デバイス。
- 前記アクセス・ラインの各々がゲート端子に結合する、請求項8に記載のメモリ・デバイス。
- 前記一致ラインに結合した第3のメモリ・セルをさらに含む、請求項1に記載のメモリ・デバイス。
- 連想メモリを動作させる方法であって、
入力ベクトルを復号器において受信するステップと、
前記入力ベクトルを復号するステップであって、前記復号が、前記入力ベクトルを複数の2ビット・グループに分割すること、及び前記グループの各々に対して論理演算を実施して複数のアドレス指定値を作成することを含む、復号するステップと、
前記アドレス指定値を、前記連想メモリ内のメモリ・セルに結合されたアクセス・ラインに送信するステップと、
前記連想メモリ内の、前記メモリ・セルに結合された一致ラインの抵抗値を測定するステップと、を含む方法。 - 前記一致ラインをプリチャージするステップをさらに含む、請求項11に記載の方法。
- 前記復号するステップが、
前記複数の2ビット・グループのうちの最初のグループの第1ビットの前記補数と、前記複数の2ビット・グループのうちの最初のグループの第2ビットの前記補数とのAND演算を行うことによって、第1のアクセス信号を形成するステップと、
前記第1ビットの前記補数と前記第2ビットとのAND演算を行うことによって、第2のアクセス信号を形成するステップと、
前記第1ビットと前記第2ビットの前記補数とのAND演算を行うことによって、第3のアクセス信号を形成するステップと、
前記第1ビットと前記第2ビットとのAND演算を行うことによって、第4のアクセス信号を形成するステップとを含む、請求項11に記載の方法。 - 前記形成するステップが、ハードウェア復号器によって行われる、請求項13に記載の方法。
- 前記送信するステップが、
前記第1、第2、第3、及び第4のアクセス信号を、前記アクセス・ラインのうちの異なる1つずつに与えるステップを含む、請求項13に記載の方法。 - 一致ラインに結合した複数のメモリ・セルを含む連想メモリと、
前記連想メモリに与えられた特定の入力が前記連想メモリ内に含まれているかどうかを前記一致ラインの抵抗レベルを監視することによって判定する、前記連想メモリに結合された一致チェック・デバイスと、
入力アドレスを受信し、前記アドレス由来のビットのうちの少なくとも二つを四つの一意的出力に復号する、前記連想メモリに結合された復号器と
を含む、メモリ・システム。 - 第1の一意的出力が第1のアクセス・ラインに結合され、かつ第2の一意的出力が第2のアクセス・ラインに結合され、前記第1のアクセス・ライン及び前記第2のアクセス・ラインの両方が前記連想メモリ内の第1のメモリ・セルに接続される、請求項16に記載のシステム。
- 第3の一意的出力が第3のアクセス・ラインに結合され、かつ第4の一意的出力が第4のアクセス・ラインに結合され、前記第3のアクセス・ライン及び前記第4のアクセス・ラインの両方が前記連想メモリ内の第2のメモリ・セルに接続される、請求項17に記載のシステム。
- 前記複数のメモリ・セルが、相変化材料によって形成される、請求項16に記載のシステム。
- 前記連想メモリが、三値連想メモリである、請求項17に記載のシステム。
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