JP2012516242A - ナノワイヤの形成方法及び関連した光学部品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
−前記基板を、金属ナノ粒子を含むタンクに配置された流体と接触させる段階と、
−固体油浸レンズの半球状面上の入射光線を用いて、基板の領域にその動作波長を有する光線を収束させる段階と、
−金属ナノ粒子がその収束光線に捕捉されるまでタンクを動かす段階と、
−捕捉されたナノ粒子を基板上に付着させる段階と、
を含む。
図1Aは、基板上でのナノワイヤの位置決めされた成長のための方法の一連の段階を示す図である。
図1Bは、基板上でのナノワイヤの位置決めされた成長のための方法の一連の段階を示す図である。
図1Cは、基板上でのナノワイヤの位置決めされた成長のための方法の一連の段階を示す図である。
図1Dは、基板上でのナノワイヤの位置決めされた成長のための方法の一連の段階を示す図である。
図1Eは、基板上でのナノワイヤの位置決めされた成長のための方法の一連の段階を示す図である。
図1Fは、基板上でのナノワイヤの位置決めされた成長のための方法の一連の段階を示す図である。
図2は、図1Aから図1Fにおいて記載された、ナノワイヤの位置決めされた成長の方法を実行する装置の一例を示す図である。
図3Aは、図1Aから図1Fにおいて表された、ナノワイヤの位置決めされた成長の方法の変形例の2段階を示す図である。
図3Bは、図1Aから図1Fにおいて表された、ナノワイヤの位置決めされた成長の方法の変形例の2段階を示す図である。
図4は、図1Aから図1Fにおいて記載された、ナノワイヤの位置決めされた成長の方法を実行する装置の第1の例を示す図である。
図5は、図1Aから図1Fにおいて記載された、ナノワイヤの位置決めされた成長の方法を実行する装置の第2の例を示す図である。
図6Aは、本発明に従った固体油浸レンズ上でのナノワイヤの位置決めされた成長の一例を示す図である。
図6Bは、本発明に従った固体油浸レンズ上でのナノワイヤの位置決めされた成長の一例を示す図である。
図6Cは、本発明に従った固体油浸レンズ上でのナノワイヤの位置決めされた成長の一例を示す図である。
図7は、一例として、本発明に従った固体油浸レンズ上でのナノワイヤの位置決めされた成長の方法の特定の段階を示す図である。
−この方法は、例えばリソグラフィーのような費用のかかる技術段階を含まない。
−金属ナノ粒子は、基板の表面の如何なる場所でも如何なるパターンでも設置され得る。
−ナノ粒子が設置される精度は、ほぼ数10ナノメートル程度である。
−本発明の技術は高速であり、例えば前述のAFM技術よりもより迅速である。
2 光学部品
3 油浸レンズ
4 コンピューター
5 顕微鏡レンズ
6 支持体
7 レンズ
8 タンク
9 半導体材料層
10 光強度
11 半反射性ブレード
A 空気
C タンク
F 光線
K 液体チャネル
L 液体
La カバーガラス
N 噴霧器
nf ナノワイヤ
P ナノ粒子
R ネットワーク
S 半導体基板
T 表面処理
01 開口部
Ov 開口部
Claims (9)
- 基板の表面に少なくとも1つの触媒元素を形成する段階と、前記基板(S)の前記表面に形成された前記触媒元素の各々からナノワイヤ(nf)を成長させる段階と、を含む固体油浸レンズの平面に取り付けられた前記基板(S)の前記表面に前記ナノワイヤ(nf)を形成する方法であって、
前記触媒元素が金属ナノ粒子(P)であり、前記基板が動作波長において透過性であるとともに、前記基板の前記表面に前記触媒元素を形成する前記段階が、以下の一連の段階、
−前記基板を、前記金属ナノ粒子を含むタンク(8)に配置された流体(L)と接触させる段階と、
−固体油浸レンズの半球状面上の入射光線を用いて、前記基板の前記領域に前記動作波長を有する光線を収束させる段階と、
−金属ナノ粒子が前記収束光線に捕捉されるまで前記タンクを動かす段階と、
−前記捕捉されたナノ粒子を前記基板上に付着させる段階と、
を含むことを特徴とする、前記固体油浸レンズの前記平面に取り付けられた前記基板(S)の前記表面に前記ナノワイヤ(nf)を形成する方法。 - 前記流体が前記タンクを満たす液体(L)であって、前記金属ナノ粒子が前記基板に付着すると、前記タンクが分解され、前記基板が乾燥段階の間に乾燥される、請求項1に記載のナノワイヤ形成方法。
- 前記流体が前記タンクを満たす空気(A)であって、ナノ粒子(P)が噴霧器(N)を用いて前記タンク内に導入され、少なくとも1つの前記ナノ粒子が前記基板に付着すると前記タンクが分解される、請求項1に記載のナノワイヤ形成方法。
- 前記金属ナノ粒子が前記基板の前記表面に溶融によって付着する、請求項1から3の何れか1項に記載のナノワイヤ形成方法。
- 前記基板への前記ナノ粒子の付着を促進できる表面処理(T)によって、予め前記基板が覆われる、請求項1から4の何れか1項に記載のナノワイヤ形成方法。
- 前記表面処理(T)がポリエルリジンでの処理又はアミノシランによる処理である、請求項5に記載のナノワイヤ形成方法。
- 前記表面処理が前記ナノワイヤの前記成長段階の前に除去される、請求項5又は6の何れか1項に記載のナノワイヤ形成方法。
- 前記表面処理が前記ナノワイヤの前記成長段階の後に除去される、請求項5又は6の何れか1項に記載のナノワイヤ形成方法。
- 固体油浸レンズと、前記固体油浸レンズに結合した少なくとも1つのナノワイヤとを含む、光学部品の製造方法であって、前記固体油浸レンズの平面に前記ナノワイヤを形成する段階を含み、前記ナノワイヤを形成する前記段階が請求項1から8の何れか1項に記載の方法を用いて遂行されることを特徴とする、光学部品の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0950573A FR2941688B1 (fr) | 2009-01-30 | 2009-01-30 | Procede de formation de nano-fils |
FR0950573 | 2009-01-30 | ||
PCT/EP2010/051012 WO2010086378A1 (fr) | 2009-01-30 | 2010-01-28 | Procede de formation de nano-fils et procede de fabrication de composant optique associe |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012516242A true JP2012516242A (ja) | 2012-07-19 |
JP2012516242A5 JP2012516242A5 (ja) | 2014-09-11 |
JP5680552B2 JP5680552B2 (ja) | 2015-03-04 |
Family
ID=40792591
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011546846A Expired - Fee Related JP5680552B2 (ja) | 2009-01-30 | 2010-01-28 | ナノワイヤの形成方法及び関連した光学部品の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8569151B2 (ja) |
EP (1) | EP2391578B1 (ja) |
JP (1) | JP5680552B2 (ja) |
FR (1) | FR2941688B1 (ja) |
WO (1) | WO2010086378A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB201021112D0 (en) | 2010-12-13 | 2011-01-26 | Ntnu Technology Transfer As | Nanowires |
GB201200355D0 (en) * | 2012-01-10 | 2012-02-22 | Norwegian Univ Sci & Tech Ntnu | Nanowires |
GB201211038D0 (en) | 2012-06-21 | 2012-08-01 | Norwegian Univ Sci & Tech Ntnu | Solar cells |
US10179952B2 (en) * | 2013-03-08 | 2019-01-15 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Patterned thin films by thermally induced mass displacement |
GB201311101D0 (en) | 2013-06-21 | 2013-08-07 | Norwegian Univ Sci & Tech Ntnu | Semiconducting Films |
EP3323152B1 (en) | 2015-07-13 | 2021-10-27 | Crayonano AS | Nanowires/nanopyramids shaped light emitting diodes and photodetectors |
CN108352424B (zh) | 2015-07-13 | 2022-02-01 | 科莱约纳诺公司 | 石墨基板上生长的纳米线或纳米锥 |
EA201890238A1 (ru) | 2015-07-31 | 2018-08-31 | Крайонано Ас | Способ выращивания нанопроволок или нанопирамидок на графитовых подложках |
GB201705755D0 (en) | 2017-04-10 | 2017-05-24 | Norwegian Univ Of Science And Tech (Ntnu) | Nanostructure |
US10203938B2 (en) * | 2017-04-21 | 2019-02-12 | Accenture Global Solutions Limited | Application engineering platform |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008108981A1 (en) * | 2007-03-01 | 2008-09-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Hetero-crystalline semiconductor device and method of making same |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6416190B1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-07-09 | University Of Chicago | Apparatus for using optical tweezers to manipulate materials |
US7335908B2 (en) * | 2002-07-08 | 2008-02-26 | Qunano Ab | Nanostructures and methods for manufacturing the same |
US7378347B2 (en) | 2002-10-28 | 2008-05-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming catalyst nanoparticles for nanowire growth and other applications |
TW200527013A (en) * | 2003-10-28 | 2005-08-16 | Arryx Inc | System and method for manipulating and processing materials using holographic optical trapping |
US20050112048A1 (en) * | 2003-11-25 | 2005-05-26 | Loucas Tsakalakos | Elongated nano-structures and related devices |
GB2436449B (en) * | 2003-11-25 | 2008-05-14 | Gen Electric | Elongated nano-structures and related devices |
FR2863360B1 (fr) * | 2003-12-04 | 2006-02-03 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de separation d'objets par voie optique. |
US20050151126A1 (en) * | 2003-12-31 | 2005-07-14 | Intel Corporation | Methods of producing carbon nanotubes using peptide or nucleic acid micropatterning |
JP2006049435A (ja) * | 2004-08-02 | 2006-02-16 | Sony Corp | カーボンナノチューブ及びその配置方法と、これを用いた電界効果トランジスタとその製造方法及び半導体装置 |
WO2007038259A2 (en) * | 2005-09-23 | 2007-04-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical trapping with a semiconductor |
WO2007079411A2 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-12 | The Regents Of The University Of California | Alignment, transportation and integration of nanowires using optical trapping |
US20080191317A1 (en) * | 2007-02-13 | 2008-08-14 | International Business Machines Corporation | Self-aligned epitaxial growth of semiconductor nanowires |
FR2924855A1 (fr) * | 2008-05-26 | 2009-06-12 | Commissariat Energie Atomique | Procede de positionnement de particule dans une zone cible et dispositif associe |
-
2009
- 2009-01-30 FR FR0950573A patent/FR2941688B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-01-28 US US13/147,081 patent/US8569151B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-01-28 JP JP2011546846A patent/JP5680552B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-01-28 EP EP10701373A patent/EP2391578B1/fr not_active Not-in-force
- 2010-01-28 WO PCT/EP2010/051012 patent/WO2010086378A1/fr active Application Filing
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008108981A1 (en) * | 2007-03-01 | 2008-09-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Hetero-crystalline semiconductor device and method of making same |
Non-Patent Citations (5)
Title |
---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8569151B2 (en) | 2013-10-29 |
US20120021554A1 (en) | 2012-01-26 |
FR2941688A1 (fr) | 2010-08-06 |
EP2391578A1 (fr) | 2011-12-07 |
EP2391578B1 (fr) | 2013-01-02 |
WO2010086378A1 (fr) | 2010-08-05 |
JP5680552B2 (ja) | 2015-03-04 |
FR2941688B1 (fr) | 2011-04-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130121 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141208 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |