KR20170082906A - 고세장비 나노 구조물과 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고세장비 나노 구조물과 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 레이저에 의해 발생된 광력(Optical force)으로 나노 시드를 프린팅하고, 프린팅된 나노 시드를 나노 와이어로 성장시킴으로써 공정 효율 향상과 동시에 고세장비를 갖는 나노 구조물과 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 고세장비 나노 구조물의 제조 방법은 기판상에 금속 나노 입자 도포액을 도포하는 금속 나노 입자 도포액 도포단계(S100);와 금속 나노 입자 도포액이 도포된 기판상에 선택적으로 레이저를 조사하여 Optical force에 의해 나노 시드(Nano seed)를 프린팅하는 나노 시드 프린팅단계(S200);와 금속 나노 입자 도포액을 제거하는 금속 나노 입자 도포액 제거단계(S300);와 상기 나노 시드를 나노 와이어로 성장시키는 나노 와이어 형성단계(S400)를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

고세장비 나노 구조물과 그의 제조 방법{NANO STRUCTURES WITH HIGH ASPECT RATIO AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 고세장비 나노 구조물과 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 레이저에 의해 발생된 광력(Optical force)으로 나노 시드를 프린팅하고, 프린팅된 나노 시드를 나노 와이어로 성장시킴으로써 공정 효율 향상과 동시에 고세장비를 갖는 나노 구조물과 그의 제조방법에 관한 것이다.
산업기술의 발전으로 다양한 기능 구현과 소형화가 요구되어지는 추세에 따라 가볍고, 얇고, 강하며, 작은 크기의 전자부품이 요구되고 있다. 디스플레이나 태양전지와 같이 높은 광투과율이 요구되는 경우에 광투과율과 전도성 향상을 위하여 폭이 좁고 폭 대비 높이 비가 높은 고세장비(High aspect ratio)를 갖도록 나노 구조를 형성하는 것이 중요하다. 이러한 요구사항을 확보하기 위하여 기본적으로 미세 패턴 구현이 따라야 하고, 미세하게 구현한 패턴의 신뢰성이 확보되어야 한다.
미세 금속패턴을 제작하는 다양한 방법들이 주목받고 있는데, 이러한 미세 금속패턴 제작 방법으로 미세 접촉 인쇄(micro contact printing), 스텐실 리소그래피(screenlithography), 잉크젯 프린팅(inkjet printing), 롤투롤 프린팅(roll to roll printing), 나노 임프린팅(nanoimprinting) 등의 방법이 있다.
한국 공개특허 제 10-2014-0072156호(나노임프린팅 몰드, 그 나노임프린팅 몰드의 제조방법, 그 나노임프린팅 몰드를 사용한 나노임프린팅 방법, 및 패턴화 기판의 제조방법)에서 나노임프린팅 방법을 이용하여 미세 요철 패턴을 갖는 패턴화 기판의 제조방법에 대해 제시하고 있다.
그러나, 패터닝 기술들 대부분은 다수의 반복 공정 및 고진공, 고온 조건, 유독성의 화학 에칭 공정, 마스터 몰드의 제작 등이 요구되기 때문에 복잡하고 공정 효율이 떨어지는 문제점이 있었다.
한편, 나노 와이어(Nanowire)는 나노미터 단위의 직경을 가지는 2차원적인 와이어(wire)형태의 구조체를 일컫는 것으로, 대체로 수 nm의 지름을 가지는 것에서부터 수백 nm 지름을 가지며, 길이 방향으로는 특별히 크기의 제한이 없다. 이런 나노 와이어는 이차원적인 구조와 나노미터의 직경에서 기인하는 직경 방향의 양자구속효과(quantum confinementeffect)가 나타난다. 양자구속효과의 가장 두드러진 특징은 크기가 작아지면 띠 간격(bandgap)이 커지는 현상이 나타나는 것이다. 이러한 현상으로 인해 나노 와이어는 박막과는 다른 독특한 전기적, 광학적 특성을 나타낸다. 그리고 부피대비 표면적 비율이 높기 때문에 주변 환경에 따른 높은 민감도와 선별성을 가지며, 낮은 전력에서 구동되고 반응속도가 신속하기 때문에 가스 및 바이오 센서, 전자 소자로의 응용 가능성이 높다.
현재, 나노 와이어를 제작하는 방법에는 크게 Top-down, Bottom-up 으로 나눌 수 있다. Top-down 방법은 기존 나노 패터닝 공법(FIB, Nanoimprinting, E-beam, AAT(anodic alumina template))을 기반으로 하여 나노 물질을 제조하기에 원하는 형상으로 정렬된 나노 와이어를 제조할 수 있으나 고가의 템플레이트 (template) 또는 고진공 패터닝 공정 등이 요구되고 나노 와이어의 수량이 증가함에 따라 공정비용이 기하급수적으로 증가하는 단점이 있다.
반면에 Bottom-up 방법은 소재 합성량은 손쉽게 조절할 수 있으나 나노 와이어의 크기와 형태 조절이 어렵고 정렬된 나노 와이어를 제조하기 위해서는 추가적인 공정이 요구된다.
즉, 나노 기술 및 구조물은 저비용, 고효율이면서 고세장비를 갖는 나노 패터닝의 제조 방법이 필요하다.
한국 공개특허 제 10-2014-0072156호(나노임프린팅 몰드, 그 나노임프린팅 몰드의 제조방법, 그 나노임프린팅 몰드를 사용한 나노임프린팅 방법, 및 패턴화 기판의 제조방법)
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 레이저에 의해 발생된 광력(Optical force)으로 나노 시드를 프린팅하고, 프린팅된 나노 시드를 나노 와이어로 성장시킴으로써 공정 효율 향상과 동시에 고세장비를 갖는 나노 구조물과 그의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 고세장비 나노 구조물의 제조 방법은 기판상에 금속 나노 입자 도포액을 도포하는 금속 나노 입자 도포액 도포단계(S100);와 금속 나노 입자 도포액이 도포된 기판상에 선택적으로 레이저를 조사하여 Optical force에 의해 나노 시드(Nano seed)를 프린팅하는 나노 시드 프린팅단계(S200);와 금속 나노 입자 도포액을 제거하는 금속 나노 입자 도포액 제거단계(S300);와 상기 나노 시드를 나노 와이어로 성장시키는 나노 와이어 형성단계(S400)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 금속 나노 입자 도포액은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 크롬(Cr), 파라듐(Pd), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 아연(Zn) 중 어느 하나를 포함하는 금속 나노 입자와 유기 용매를 혼합한 것을 특징으로 하며, 상기 금속 나노 입자 도포액의 점도는 1 내지 100 cp 인 것을 특징으로 한다.
상기 기판은 SiO2, TiO2, ZnO, 유리, 실리콘 웨이퍼, 유기 박막형 필름 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 한다.
상기 레이저는 펄스 레이저(Pulse Laser), CW 레이저(Continuous wave Laser), QCW 레이저(Quasi-Continuous wave Laser) 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
상기 나노 시드 프린팅단계(S200)는 기판상에 나노 시드를 형성할 패턴영역을 설정하는 패턴영역 설정단계(S210)와; 레이저의 초점을 나노 시드를 형성할 패턴영역에 맞추고, 레이저를 조사하는 레이저 조사단계(S220)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 레이저 조사단계(S220)는 기판은 고정하고 레이저를 이동조사하면서 나노 시드를 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 레이저 조사단계(S220)는 레이저를 고정하고 기판을 이동시키면서 나노 시드를 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 고세장비 나노 구조물은 상기 제조방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 광결정(photonic crystal)소자는 상기 고세장비 나노 구조물을 포함한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 고세장비 나노 구조물과 그의 제조 방법에 의하면, 레이저에 의해 발생된 광력(Optical force)으로 나노 시드를 프린팅하고, 프린팅된 나노 시드를 나노 와이어로 성장시킴으로써 공정 효율 향상과 동시에 고세장비를 갖는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 고세장비 나노 구조물의 제조 방법을 보여주는 순서도.
도 2는 본 발명에 따른 금속 나노 입자 도포액 도포단계(S100)에서 기판 상에 금속 나노 입자 도포액이 도포된 모식도.
도 3는 본 발명에 따른 나노 시드 프린팅단계(S200)를 보여주는 모식도.
도 4은 본 발명에 따른 레이저 조사단계(S220)의 실시예.
도 5는 본 발명에 따른 나노 와이어 형성단계(S400)를 보여주는 모식도.
도 6은 본 발명에 따른 고세장비 나노 구조물이 적용된 클로킹 시스템(Cloaking System)을 보여주는 모식도.
본 발명의 구체적 특징 및 이점들은 이하에서 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다. 이에 앞서 본 발명에 관련된 기능 및 그 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 구체적인 설명을 생략하기로 한다.
세장비(aspect ratio)란 부재의 길이와 반경의 비를 말하며, 본 발명에서 사용되는 용어 '고세장비(High aspect ratio)'는 부재의 반경은 작으면서 높이 방향의 길이가 긴 것을 일컫는다.
디스플레이, 태양 전지 등과 같이 나노 기술이 적용되는 분야에서 표면적을 증대시키는 것이 그 효율을 높이는 변수로 크게 작용하고 있으며, 고세장비를 가지는 나노 구조물은 효율성의 향상을 실현시킬 수 있는 것으로 알려져 있다.
본 발명은 고세장비 나노 구조물과 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 레이저에 의해 발생된 광력(Optical force)으로 나노 시드를 프린팅하고, 프린팅된 나노 시드를 나노 와이어로 성장시킴으로써 공정 효율 향상과 동시에 고세장비를 갖는 나노 구조물과 그의 제조방법에 관한 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참고로 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 고세장비 나노 구조물의 제조 방법을 보여주는 순서도이다.
본 발명에 따른 고세장비 나노 구조물의 제조 방법은 기판상에 금속 나노 입자 도포액을 도포하는 금속 나노 입자 도포액 도포단계(S100)와 금속 나노 입자 도포액이 도포된 기판상에 선택적으로 레이저를 조사하여 Optical force에 의해 나노 시드(Nano seed)를 프린팅하는 나노 시드 프린팅단계(S200)와 금속 나노 입자 도포액을 제거하는 금속 나노 입자 도포액 제거단계(S300)와 상기 나노 시드를 나노 와이어로 성장시키는 나노 와이어 형성단계(S400)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 금속 나노 입자 도포단계(S100)는 나노 시드를 프린팅하기 위한 사전 단계로서 기판(10)상에 금속 나노 입자 도포액(20)을 도포하게 된다.
상기 기판(10)은 SiO2, TiO2, ZnO, 유리, 실리콘 웨이퍼 및 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트 등의 유기 박막 필름을 사용할 수 있다.
상기 금속 나노 입자 도포액(20)은 유기 용매(22)에 금속 나노 입자(21)를 혼합 및 분산시켜 제조된다.
상기 금속 나노 입자(21)는 상기 기판(10)과 동일한 성분을 가지는 입자이거나 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 크롬(Cr), 파라듐(Pd), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 아연(Zn) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 금속 나노 입자(21)들은 수 내지 수백 nm 크기의 미립자들로, 경우에 따라 수 ㎛ 크기의 입자들도 사용할 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
이때, 상기 유기용매(22)로는 이소프로판올(Isopropanol), 1-부탄올(1-butanol), 톨루엔(toluene), 디클로로메탄(Dichloromethane), 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran, THF), 2-프로판올(2-propanol), 아세톤(Acetone), 디메틸포름아미드(dimethyformamide) 등을 사용할 수 있으며, 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.
상기 금속 나노 입자 도포액(20)의 점도는 1 내지 100 cp 가 바람직하다. 보다 상세하게는, 점도는 작을수록 후속 공정인 나노 시드 프린팅단계(S200)에서 나노 입자의 유동성 및 에너지 효율을 향상시킬 수 있지만, 1cp 미만의 점도를 가지는 도포액을 제조하는 것은 한계가 있으며, 점도가 100 cp를 초과하는 경우 나노 입자의 유동이 힘들어 나노 시드의 형성이 힘들게 된다.
도 2는 본 발명에 따른 금속 나노 입자 도포액 도포단계(S100)에서 기판 상에 금속 나노 입자 도포액이 도포된 모식도를 보여준다.
금속 나노 입자 도포액(20)은 나노 시드가 형성될 영역을 고려하여 방울 형태로 도포, 침지를 이용한 도포 및 소정의 방법을 이용하여 도포할 수 있다.
보다 상세하게는, 랭뮤어-블로젯(Langmuir-Blogett), 스핀 코팅, 슬럿다이 코팅, 스프레이 코팅, 딥-코팅 등의 방법으로 수행될 수 있으며, 이를 통해 나노입자들을 기판상에 조밀하게 부착시킬 수 있다.
상기 나노 시드 프린팅단계(S200)에서는 금속 나노 입자 도포액(20)이 도포된 기판상에 선택적으로 레이저(40)를 조사하여 Optical force에 의해 나노 시드(30)를 프린팅하게 된다.
상기 나노 시드 프린팅단계(S200)는 기판상에 나노 시드(30)를 형성할 영역을 설정하는 영역 설정단계(S210)와 레이저(40)의 초점을 나노 시드를 형성할 영역에 맞춰 레이저를 조사하는 레이저 조사단계(S220)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
도 3는 본 발명에 따른 나노 시드 프린팅단계(S200)를 보여주는 모식도이다.
상기 영역 설정단계(S210)에서 나노 시드(30)를 형성할 패턴영역을 설정하고, 상기 레이저 조사단계(S220)에서 (a)레이저의 초점을 나노 시드(30)를 형성할 영역에 맞추고, (b)레이저를 조사하면 금속 나노 입자(21)가 광력(Optical force)을 흡수하게 되며, 금속 나노 입자와 기판의 접촉면이 용융 및 융착되면서 (c)나노 시드가 형성된다.
상기 레이저(40)는 펄스 레이저(Pulse Laser), CW 레이저(Continuous wave Laser), QCW 레이저(Quasi-Continuous wave Laser) 중 어느 하나 이상일 수 있으며, 나노 입자의 광흡수 특성 및 나노 시드를 형성하기 위한 첨두출력에 따라 선택되어질 수 있다. 나노 시드를 안정적으로 형성하기 위하여, 상기 레이저의 초점크기는 생성하고자 하는 나노 시드의 크기보다 상대적으로 큰 것이 바람직할 것이다.
이때, 상기 레이저(40)는 금속나노입자가 가지는 밴드갭(bandgap)보다 낮은 파장을 가지는 것이 바람직하다. 밴드갭은 금속나노입자가 에너지를 흡수할 수 있는 최소파장으로서 금속나노입자의 밴드갭보다 낮은 파장의 레이저를 조사하는 경우 금속나노입자가 에너지를 쉽게 흡수할 수 있다. 이때, 금속나노입자의 밴드갭보다 긴 파장(=낮은에너지)을 가지는 레이저를 조사하면, 에너지 조사량에 비해 금속나노입자가 흡수하는 에너지 흡수량이 적어서 기판으로의 융착이 어려운 문제가 있다. 이와 같이, 금속나노입자의 밴드갭보다 긴 파장(=낮은에너지)을 가지는 레이저를 조사하는 경우에는 출력을 강하게 조절하여 레이저를 조사함으로써 금속나노입자를 기판으로 융착시킬 수 있으나, 금속나노입자가 가지는 밴드갭보다 낮은 파장을 가지는 레이저를 조사하는 것이 낮은 출력에서도 금속나노입자를 기판으로 융착시킬 수 있는 효과가 있다.
도 4은 본 발명에 따른 레이저 조사단계(S220)의 실시예를 보여준다.
상기 레이저 조사단계(S220)에서 레이저의 초점을 맞추는 방법은 (a)기판(10)이 정지한 상태에서 레이저(40)를 이동하거나 (b)레이저를 고정한 상태에서 모터 스테이지(50) 상에 기판을 올려 기판을 이동하는 방법이 될 수 있다.
이동 정밀도는 시드의 프린팅 간격을 결정하므로 고도의 간격 정밀도가 요구될 때 상기 두 방법을 병합하여 고정밀 이동을 하는 것도 가능하다.
또한, 어레이 렌즈 등의 다중 초점 장치를 이용하여 하나 이상의 패턴영역을 다중으로 초점화하여 다수의 나노 시드를 동시에 제작할 수 있다.
상기 나노 시드 프린팅단계(S200)에서 나노 시드가 형성될 영역에 레이저를 조사함으로써 기판에 융착된 나노 입자는 기판과 강하게 결합되어 나노 시드가 형성된 반면, 레이저가 조사되지 않는 영역에 존재하는 나노 입자는 매우 약한 결합력으로 기판에 부착된다.
따라서, 상기 금속 나노 입자 도포액 제거단계(S300)는 레이저가 조사되지 않는 영역에 존재하는 금속 나노 입자 도포액 및 나노 입자를 기판으로부터 제거할 수 있다. 즉, 레이저가 조사되어 기판에 융착된 나노 시드만이 기판상에 잔류하여 후속 공정(나노 와이어 형성단계(S400))에서 나노 와이어를 형성하게 된다.
제거 방법은 초음파를 세척이나, 에탄올 등의 세척용액을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 나노 와이어 형성단계(S400)에서는 소정의 방법을 이용하여 상기 나노 시드 프린팅단계(S200)에서 형성된 나노 시드(30)를 나노 와이어(35)로 성장시키게 된다.
나노 시드를 나노 와이어로 형성시키는 방법에는 VLS(Vapor-Liquid-Solid growth)법, SLS(Solid-Liquid-Solid growth), 용매열합성법(Solvothermal Chemical Synthesis), Oxide-assisted Growth(OAG), capping agent를 이용한 방법 등이 있을 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 나노 와이어 형성단계(S400)를 보여주는 실시예로서, 기판에 프린팅 된 나노 시드(30)를 VSL 법을 이용하여 나노 와이어(35)로 성장시켰다.
VLS 법은 고온의 챔버에 기판을 삽입하여 운반 기체 및 나노 와이어 전구체를 주입하면 나노 시드와 기판의 경계면에서 화학 및 성장 반응(응축 및 결정화)이 발생되어 나노 시드를 나노 와이어로 성장시키는 공정이다.
상기 운반 기체는 He, H2, He, N2 로 이루어진 군에서 선택될 수 있으며, 상기 나노 와이어 전구체는 실리콘 나노 와이어의 경우에 SiH4, SiCl4, SiH2Cl2 등을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
공정 온도는 400 내지 900 ℃ 에서, 공정 압력은 760 torr 이하에서 실시될 수 있다.
공정 온도, 공정 압력 및 공정 시간 등을 조절함으로써 나노 와이어의 성장 속도, 성장량 및 크기를 제어할 수 있게 된다.
본 발명에 따른 고세장비 나노 구조물은 상기의 고세장비 나노 구조물의 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하며, 이에 대한 구체적인 내용은 상기 제조방법으로 대체한다.
본 발명에 따른 고세장비 나노 구조물은 광결정(photonic crystal)소자에 적용될 수 있다. 상기 광결정(photonic crystal)소자는 옵티컬 가이드(optical guide), 메타물질(metamaterial) 등 높은 광투과율 및 효율성이 요구되는 나노 분야에 적용될 수 있으며, 도 6에 도시된 바와 같이, 클로킹 시스템(Cloaking System)에도 적용될 수 있다.
보다 상세하게는, 클로킹 대상물(Cloaking object)의 주변부를 고세장비로 정렬화된 나노 와이어 구조로 형성함으로써 특정 주파수에서 파동의 전파 경로를 변경할 수 있다. 즉, 특정 주파수에서 빛이 직진하지 않고, 클로킹 대상물의 주변부에 형성된 나노 와이어를 따라 우회하여 이동하므로 클로킹 대상물이 마치 없는 것과 같은 상태로 유도할 수 있다. 이때 클로킹 시스템에 적용하기 위한 나노 와이어의 간격은 500nm 이하가 바람직할 것이다.
이상과 같이 본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 바람직한 실시예를 중심으로 설명하였지만 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다. 따라서 본 발명의 범주는 이러한 많은 변형의 예들을 포함하도록 기술된 청구범위에 의해서 해석되어야 한다.
10 : 기판
20 : 금속 나노 입자 도포액
21 : 금속 나노 입자
22 : 유기 용매
30 : 나노 시드
35 : 나노 와이어
40 : 레이저
50 : 모터 스테이지

Claims (7)

  1. 고세장비를 갖는 나노 구조물을 제조하는 방법에 있어서,
    기판상에 금속 나노 입자 도포액을 도포하는 금속 나노 입자 도포액 도포단계(S100);와
    금속 나노 입자 도포액이 도포된 기판상에 선택적으로 레이저를 조사하여 Optical force에 의해 나노 시드(Nano seed)를 프린팅하는 나노 시드 프린팅단계(S200);와
    금속 나노 입자 도포액을 제거하는 금속 나노 입자 도포액 제거단계(S300);와
    상기 나노 시드를 나노 와이어로 성장시키는 나노 와이어 형성단계(S400)를 포함하는 것을 특징으로 하는
    고세장비 나노 구조물의 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 금속 나노 입자 도포액은
    금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 크롬(Cr), 파라듐(Pd), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 아연(Zn) 중 어느 하나를 포함하는 금속 나노 입자와 유기 용매를 혼합한 것을 특징으로 하며,
    상기 금속 나노 입자 도포액의 점도는 1 내지 100 cp 인 것을 특징으로 하는
    고세장비 나노 구조물의 제조 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 기판은
    SiO2, TiO2, ZnO, 유리, 실리콘 웨이퍼, 유기 박막형 필름 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는
    고세장비 나노 구조물의 제조 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 레이저는
    펄스 레이저(Pulse Laser), CW 레이저(Continuous wave Laser), QCW 레이저(Quasi-Continuous wave Laser) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는
    고세장비 나노 구조물의 제조 방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 나노 시드 프린팅단계(S200)는
    기판상에 나노 시드를 형성할 패턴영역을 설정하는 패턴영역 설정단계(S210)와;
    레이저의 초점을 나노 시드를 형성할 패턴영역에 맞추고, 레이저를 조사하는 레이저 조사단계(S220)를 포함하는 것을 특징으로 하며,
    상기 레이저 조사단계(S220)는
    기판은 고정하고 레이저를 이동조사하면서 나노 시드를 형성하거나 레이저를 고정하고 기판을 이동시키면서 나노 시드를 형성하는 것을 특징으로 하는
    고세장비 나노 구조물의 제조 방법.
  6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 하나의 항의 제조방법에 의해 제조되는 고세장비 나노구조물.
  7. 제 6항의 고세장비 나노 구조물을 포함하는 광결정(photonic crystal)소자.
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