JP2012508780A5 - - Google Patents

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JP2012508780A5
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[実施例13]
rac−Tert−ブチル(2E)−4−(ベンジルアミノカルボニルオキシ)ペンタ−2−エノエート(7)の調製
23(rac−Tert−ブチル(2E)−4−ヒドロキシペンタ−2−エノエート)(1.03g、6.0mmol)とベンジルイソシアネート(1.04g、7.8mmol)とのトルエン(5ml)中における、実施例1に準じた反応。
フラッシュクロマトグラフィー(AcOEt:ヘプタン分画 15:85)により精製すると、(rac−Tert−ブチル(2E)−4−(ベンジルアミノカルボニルオキシ)ペンタ−2−エノエート)(1.65g、90%)が黄色の油状物として得られる。
(AcOEt:ヘプタン分画25:75)=0.29。
Figure 2012508780
[実施例48]
エチル(2E,4S)−4−(ジベンジルアミノカルボニルオキシ)ペンタ−2−エノエート((S)−6)およびエチル(2E,4R)−4−フタルイミド(phthalimido)−ペンタ−2−エノエート[(R)−16]
シュレンクチューブに[Pd(アリル)Cl](29.3mg、80μmol)、キラルリガンドL1(165.8mg、0.24mmol)、18−クラウン−6−エーテル(264.3mg、1.0mmol)、rac−6(742.3mg、2.0mmol)およびフタルイミドカリウム(370.4mg、2mmol)を充填する。アルゴンで不活性雰囲気にした後(真空/アルゴン3サイクル)、混合物をCHCl(14.4ml)に室温で溶解/懸濁する。HO(1.6ml)を加えて、撹拌を室温で2.25時間継続する。次に反応混合物をHO(40ml)中に注ぎBuOMe(400ml)で抽出する。有機相を15%NaCO(40ml)、HO(40ml)、1M HCl(3×40ml)およびブライン(40ml)で洗浄する。有機相をNaSOで乾燥して減圧下40℃で蒸発させる。残渣をフラッシュクロマトグラフィー(AcOEt:ヘプタン分画 15:85)および分取HPLC(Nucleosil 5 C18 AB、H2O:MeCN 60:40から20:80)により精製する。(S)−6(234.3mg、32%)が黄色を帯びた油状物として得られ、(R)−16(200.7mg、37%)が白色の固体として得られる。粗基質と生成物との混合物の1H−NMRにより決定して、転化率(conversion)=55%。
[6、AcOiPr:ヘプタン分画 40:60]=0.49
[16、AcOiPr:ヘプタン分画 40:60]=0.37
(S)−6: 94%ee(HPLC、方法CLC3、tminor、6=22、tmajor、6=23);[α] 20=+41.8(c=1.010、CHCl
(R)−16: 89%ee(HPLC、方法CLC3、tminor、16=59、tmajor、16=75)[α] 20=+5.9(c=1.001、CHCl3)
絶対配置は3から2の反応および12から2の反応に類似の機構を推定することにより割り当てられる。単離された基質および生成物のH−NMR、13C−NMRおよびHPLCは、完全に特性の明らかにされたラセミ化合物と一致する。
本発明によって、以下が提供される。
[1]
パラジウム触媒によるα,β−不飽和カルボン酸誘導体のエナンチオ選択的なアリル位アミノ化のための方法であって、
構造式I:
Figure 2012508780

を有するカルボン酸誘導体のラセミ混合物を、求核剤の存在下でキラルリガンドおよびパラジウム触媒と反応させて、式IIおよびIII:
Figure 2012508780

を有するエナンチオマーに富むα,β−不飽和カルボン酸誘導体を得る工程を含み、
式I、IIおよびIII中において、R1は、ベンジル基、n−ブチル基、もしくはシクロヘキシル基であり;R2はベンジル基もしくは水素であり;XR3は、エトキシ基、アミド、もしくはtert−ブトキシ基であるか;または式IおよびIIIは上に挙げた通りであり、式II中、NR1R2はフタルイミジル置換基である、前記方法。
[2]
前記パラジウム触媒が[Pd(アリル)Cl] である、[1]に記載の方法。
[3]
前記キラルリガンドが構造式IV:
Figure 2012508780

を有する、[1]に記載の方法。
[4]
前記キラルリガンドが構造式V:
Figure 2012508780

を有する、[1]に記載の方法。
[5]
前記求核剤がフタルイミドカリウムであるか、または求核剤が式R1R2NHを有し、式中、R1はベンジル基、n−ブチル基、およびシクロヘキシル基からなる群より選択され;R2はベンジル基および水素からなる群より選択される、[1]に記載の方法。
[6]
前記式IIおよびIIIを有するα,β−不飽和カルボン酸誘導体の二重結合を還元して対応するγ−アミノ酸誘導体を得る工程をさらに含む、[1]に記載の方法。
[7]
前記式IIおよびIIIを有するβ−不飽和カルボン酸誘導体を分離する工程をさらに含む、[1]に記載の方法。
[8]
パラジウム触媒によるα,β−不飽和カルボン酸誘導体のエナンチオ選択的なアリル位アミノ化のための方法であって、
式VI:
Figure 2012508780

を有するカルボン酸誘導体のラセミ混合物を、求核剤の存在下でキラルリガンドおよびパラジウム触媒と反応させて、式VIIおよびVIII:
Figure 2012508780

(式VIおよびVII中、R2はアルキル基であり、式VIII中、R1はベンジル基またはPMPである)
を有するエナンチオマーに富むα,β−不飽和カルボン酸誘導体を得る工程を含む、前記方法。
[9]
前記パラジウム触媒が[Pd(アリル)Cl] である、[8]に記載の方法。
[10]
前記キラルリガンドが構造式IV:
Figure 2012508780

を有する、[8]に記載の方法。
[11]
前記キラルリガンドが構造式V:
Figure 2012508780

を有する、[8]に記載の方法。
[12]
前記求核剤がフタルイミドカリウムであるか、または求核剤が式R1R2NHを有し、式中、R1はベンジル基、n−ブチル基、およびシクロヘキシル基からなる群より選択され;R2はベンジル基または水素からなる群より選択される、[8]に記載の方法。
[13]
R2がエチルまたはメチルである、[8]に記載の方法。
[14]
前記式VIIおよびVIIIを有するα,β−不飽和カルボン酸誘導体の二重結合を還元して対応するγ−アミノ酸誘導体を得る工程をさらに含む、[8]に記載の方法。
[15]
前記式VIIおよびVIIIを有するβ−不飽和カルボン酸誘導体を分離する工程をさらに含む、[8]に記載の方法。
[16]
エナンチオマーに富むα,β−不飽和カルボン酸誘導体を含む組成物であって、前記α,β−不飽和カルボン酸誘導体は、構造式II、III、VIIまたはVIII:
Figure 2012508780

(式IIおよびIII中、R1はベンジル基、n−ブチル基、およびシクロヘキシル基からなる群より選択され;R2はベンジル基および水素から選択され;XR3はエトキシ基、アミド、およびtert−ブトキシ基からなる群より選択されるか、または式II中、NR1R2はフタルイミジル置換基であり;式VII中、R2はアルキル基であり、式VIII中、R1はベンジル基もしくはPMPである)
を有する、前記組成物。
[17]
[16]に記載の富化されたα,β−不飽和カルボン酸誘導体に対応するγ−アミノ酸誘導体。

Claims (17)

  1. パラジウム触媒によるα,β−不飽和カルボン酸誘導体のエナンチオ選択的なアリル位アミノ化のための方法であって、
    構造式I:
    Figure 2012508780

    を有するカルボン酸誘導体のラセミ混合物を、求核剤の存在下でキラルリガンドおよびパラジウム触媒と反応させて、式IIおよびIII:
    Figure 2012508780

    を有するエナンチオマーに富むα,β−不飽和カルボン酸誘導体を得る工程を含み、
    式I、IIおよびIII中において、R1は、ベンジル基、n−ブチル基、もしくはシクロヘキシル基であり;R2はベンジル基もしくは水素であり;XR3は、エトキシ基、アミン、もしくはtert−ブトキシ基であるか;または式IおよびIIIは上に挙げた通りであり、式II中、NR1R2はフタルイミジル置換基である、前記方法。
  2. 前記パラジウム触媒が[Pd(アリル)Cl]である、請求項1に記載の方法。
  3. 前記キラルリガンドが構造式IV:
    Figure 2012508780

    を有する、請求項1または2に記載の方法。
  4. 前記キラルリガンドが構造式V:
    Figure 2012508780

    を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
  5. 前記求核剤がフタルイミドカリウムであるか、または求核剤が式R1R2NHを有し、式中、R1はベンジル基、n−ブチル基、およびシクロヘキシル基からなる群より選択され;R2はベンジル基および水素からなる群より選択される、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
  6. 前記式IIおよびIIIを有するα,β−不飽和カルボン酸誘導体の二重結合を還元して対応するγ−アミノ酸誘導体を得る工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
  7. 前記式IIおよびIIIを有するβ−不飽和カルボン酸誘導体を分離する工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
  8. パラジウム触媒によるα,β−不飽和カルボン酸誘導体のエナンチオ選択的なアリル位アミノ化のための方法であって、
    式VI:
    Figure 2012508780

    を有するカルボン酸誘導体のラセミ混合物を、求核剤の存在下でキラルリガンドおよびパラジウム触媒と反応させて、式VIIおよびVIII:
    Figure 2012508780

    (式VII中、R2はアルキル基であり、式VIII中、R1はベンジル基または4−メトキシ−フェニルである)
    を有するエナンチオマーに富むα,β−不飽和カルボン酸誘導体を得る工程を含む、前記方法。
  9. 前記パラジウム触媒が[Pd(アリル)Cl]である、請求項に記載の方法。
  10. 前記キラルリガンドが構造式IV:
    Figure 2012508780

    を有する、請求項に記載の方法。
  11. 前記キラルリガンドが構造式V:
    Figure 2012508780

    を有する、請求項に記載の方法。
  12. 前記求核剤がフタルイミドカリウムであるか、または求核剤が式R1R2NHを有し、式中、R1はベンジル基、n−ブチル基、およびシクロヘキシル基からなる群より選択され;R2はベンジル基または水素からなる群より選択される、請求項6〜9のいずれか一項に記載の方法。
  13. R2がエチルまたはメチルである、請求項に記載の方法。
  14. 前記式VIIおよびVIIIを有するα,β−不飽和カルボン酸誘導体の二重結合を還元して対応するγ−アミノ酸誘導体を得る工程をさらに含む、請求項に記載の方法。
  15. 前記式VIIおよびVIIIを有するβ−不飽和カルボン酸誘導体を分離する工程をさらに含む、請求項8に記載の方法。
  16. エナンチオマーに富むα,β−不飽和カルボン酸誘導体を含む組成物であって、前記α,β−不飽和カルボン酸誘導体は、構造式II、III、VIIまたはVIII:
    Figure 2012508780

    (式IIおよびIII中、R1はベンジル基、n−ブチル基、およびシクロヘキシル基からなる群より選択され;R2はベンジル基および水素から選択され;XR3はエトキシ基、アミン、およびtert−ブトキシ基からなる群より選択されるか、または式II中、NR1R2はフタルイミジル置換基であり;式VII中、R2はアルキル基であり、式VIII中、R1はベンジル基もしくは4−メトキシ−フェニルである)
    を有する、前記組成物。
  17. 請求項16に記載の富化されたα,β−不飽和カルボン酸誘導体に対応するγ−アミノ酸誘導体。
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