JP2012256897A - 断熱構造体、加熱装置、加熱システム、基板処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】縦置きの加熱装置に使用される断熱構造体42であって、円筒形状に形成された側壁部43を有し、該側壁部43が内外複数層構造に形成されており、該側壁部の複数層のうちの外側に配置された側壁外層44の上部に設けられる冷却ガス供給口74と、前記側壁部の複数層のうちの内側に配置された側壁内層45と前記側壁外層との間に設けられる冷却ガス通路47と、前記側壁内層の内側に設けられる空間75と、前記冷却ガス通路から前記空間へ冷却ガスを吹出すように、前記側壁内層の前記冷却ガス供給口より下方に設けられる複数の吹出孔78と、前記側壁内層の内周面の前記吹出孔の対向する位置に設けられ、前記冷却ガス通路側から前記空間側に向けて開口面積が広くなるように形成される切欠部79と、を有する断熱構造体。
【選択図】図2
Description
詳しくは、急冷技術に関する。
本発明は、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法に使用されるCVD装置や拡散装置、酸化装置およびアニール装置等の熱処理装置(furnace )に利用して有効なものに関する。
バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置(以下、CVD装置という。)は、ウエハが搬入されるインナチューブおよびインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成されて縦形に設置されたプロセスチューブと、プロセスチューブによって形成された処理室に処理ガスとしての成膜ガスを供給するガス供給管と、処理室を真空排気する排気管と、プロセスチューブ外に敷設されて処理室を加熱するヒータユニットと、ボートエレベータによって昇降されて処理室の炉口を開閉するシールキャップと、シールキャップの上に垂直に設置されて複数枚のウエハを保持するボートと、を備えている。
そして、複数枚のウエハがボートによって垂直方向に整列されて保持された状態で処理室に下端の炉口から搬入(ボートローディング)され、シールキャップによって炉口が閉塞された状態で、処理室に成膜ガスがガス供給管から供給されるとともに、ヒータユニットによって処理室が加熱されることにより、ウエハの上にCVD膜が堆積される。
その結果、プロセスチューブ上下間の温度勾配は急峻になるために、プロセスチューブの温度が所期の値に到達する迄の時間が長くなってしまう。
また、プロセスチューブ上下間の温度勾配が急峻になると、ボート上部に保持されたウエハの温度履歴とボート下部に保持されたウエハの温度履歴との差が大きくなるために、ボート上部に保持された処理済みウエハの膜質と、ボート下部に保持された処理済みウエハの膜質とに差が発生してしまう。
縦置きの加熱装置に使用される断熱構造体であって、
円筒形状に形成された側壁部を有し、該側壁部が内外複数層構造に形成されており、
該側壁部の複数層のうちの外側に配置された側壁外層の上部に設けられる冷却ガス供給口と、
前記側壁部の複数層のうちの内側に配置された側壁内層と前記側壁外層との間に設けられる冷却ガス通路と、
前記側壁内層の内側に設けられる空間と、
前記冷却ガス通路から前記空間へ冷却ガスを吹出すように、前記側壁内層の前記冷却ガス供給口より下方に設けられる複数の吹出孔と、
を有する断熱構造体。
アウタチューブ12は石英(SiO2 )が使用されて、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に一体成形されている。
インナチューブ13は上下両端が開口した円筒形状に形成されている。インナチューブ13の筒中空部は後記するボートが搬入される処理室14を形成しており、インナチューブ13の下端開口はボートを出し入れするための炉口15を構成している。
後述するように、ボートは複数枚のウエハを長く整列した状態で保持するように構成されている。したがって、インナチューブ13の内径は取り扱うウエハの最大外径(例えば、直径300mm)よりも大きくなるように設定されている。
マニホールド16がCVD装置の筐体2に支持されることによって、プロセスチューブ11は垂直に据え付けられた状態になっている。
図1に示されているように、マニホールド16の側壁の上部には排気管18の一端が接続されており、排気管18は排気路17の最下端部に通じた状態になっている。
排気管18の他端には圧力コントローラ21によって制御される排気装置19が接続されており、排気管18の途中には圧力センサ20が接続されている。
圧力コントローラ21は圧力センサ20からの測定結果に基づいて排気装置19をフィードバック制御するように構成されている。
ガス導入管22から炉口15に導入されたガスは、インナチューブ13の処理室14内を流通して排気路17を通って排気管18によって排気される。
ボートエレベータ26はモータ駆動の送りねじ軸装置およびベローズ等によって構成されており、ボートエレベータ26のモータ27は駆動コントローラ28によって制御されるように構成されている。
シールキャップ25の中心線上には回転軸30が配置されて回転自在に支持されており、回転軸30は駆動コントローラ28によって制御されるモータ29により回転駆動されるように構成されている。
回転軸30の上端にはボート31が垂直に支持されている。
ボート31は三本の保持部材34の同一段の保持溝35間にウエハ1を挿入されることにより、複数枚のウエハ1を水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するようになっている。
ボート31と回転軸30との間には断熱キャップ部36が配置されている。
回転軸30はボート31をシールキャップ25の上面から持ち上げた状態に支持することにより、ボート31の下端を炉口15の位置から適当な距離だけ離すように構成されている。断熱キャップ部36は炉口15の近傍を断熱するようになっている。
ヒータユニット40はケース41を備えている。ケース41はステンレス鋼(SUS)が使用されて上端閉塞で下端開口の筒形状、好ましくは円筒形状に形成されている。ケース41の内径および全長はアウタチューブ12の外径および全長よりも大きく設定されている。
本実施の形態に係る断熱構造体42は、筒形状好ましくは円筒形状に形成されており、その円筒体の側壁部43が内外二重の複数層構造に形成されている。すなわち、断熱構造体42は側壁部43のうち外側に配置された側壁外層44と、側壁部のうち内側に配置された側壁内層45とを備えている。
側壁外層44の内径は円筒体である側壁内層45の外径より大きく設定されており、側壁外層44の内周面と側壁内層45の外周面との間に形成される隙間によって冷却ガス通路47が形成されている。
側壁外層44の内周面には上端から下端まで達するように複数(図3においては、12本)の区画壁48が側壁外層44の円周方向に沿って等間隔に配置されている。各区画壁48は側壁外層44の径方向内側に突き出しており、その先端面は側壁内層45の外周面に接している。したがって、冷却ガス通路47は複数の区画壁48によって複数(図3においては、12箇所ある空間)に区画されていることで、それぞれ冷却ガス通路空間49を形成している。複数の冷却ガス通路空間49の水平方向の流路断面積はそれぞれ複数の区画壁48の水平方向の断面積それぞれより大きく形成されている。
断熱ブロック50は短尺の中空円筒形状として略ドーナツ型で形成されている。断熱ブロック50は好ましくは、繊維状または球状のアルミナやシリカ等の材料が用いられる。例えば、絶縁材(insulating material )としても機能する断熱材が使用されて、バキュームフォーム法の成形型によって一体成形されている。
断熱ブロック50の下端部の内周側には、結合雄部(凸部)52が断熱ブロック50の内周の一部を円形リング形状に切り欠かれた状態に形成されている。また、断熱ブロック50の上端部の外周側には、結合雌部(凹部)53が断熱ブロック50の外周の一部を円形リング形状に切り欠かれた状態に形成されている。
断熱ブロック50の上端部の内周側には、内側方向に突き出た突出部51aが形成されている。
一つの断熱ブロック50の結合雄部52と他の断熱ブロック50の結合雌部53とが上下に重なり合うことにより、結合される。これにより、隣り合う上下の断熱ブロック50の突出部51a間に、発熱体を取り付けるための取付溝(凹部)54が側壁内層45の内周面を円形リング状に切り欠かれた状態となるように、一定深さ一定高さに形成されることになる。取付溝54はそれぞれの断熱ブロック50に対し一つずつ対応し、一つの閉じた円形状となっている。
取付溝54はその上下方向の幅が円筒形状の側壁内層45の外径方向(円筒の中心と反対方向)すなわち溝底54aに近づくに従って漸次狭くなるように形成されている。
すなわち、取付溝54の上下に位置する突出部51aの側壁同士すなわち、一対の側壁にはテーパ面54b、54cが形成されており、両テーパ面54b、54c間の距離は取付溝54の溝底54aに近づくほど小さくなっている。
発熱体56は、図4(a)に示されているように、断面が長方形で形成された平板状に形成されており、上側波部56aと上側隙間56cおよび下側波部56bと下側隙間56dがそれぞれ交互に形成されて、波形状になっている。これらはプレス加工やレーザ切断加工等によって一体成形される。
発熱体56は断熱ブロック50の内周に沿って、環状すなわち円形リング形状に設けられている。
発熱体56が形成する円形リング形状の外径は、取付溝54の内径(内周面の直径)よりも若干だけ小径である。また、発熱体56が形成する円形リング形状の内径は、突出部51aの内径より若干だけ大径である。
なお、取付溝54と発熱体56の断面の長辺が平行となるように発熱体56は配置されている。
発熱体56の環状部57は断熱ブロック50の取付溝54毎に設けられている。
すなわち、環状部57は、突出部51aにより、上下に隣合う他の発熱体56の環状部57と隔離されて設けられている。
図4(a)(b)に示されているように、複数個の保持具55、55が上側隙間56cの下端から下側隙間56dの上端に至るまで跨がるようにそれぞれ配置され、取付溝54から断熱ブロック50内に所定の長さだけ挿入される。このようにして、取付溝54の内周面から離された状態で発熱体56は保持されている。
一対の給電部58、58の先端部には一対の接続部59、59が互いに逆方向となるように、給電部58、58の延在方向とは直角にそれぞれ屈曲されて形成されている。
一対の給電部58、58に対応する断熱ブロック50には、一対の挿入溝60、60がそれぞれ形成されている。両挿入溝60、60は取付溝54内周面から半径方向に断熱ブロック50の外周面にかけて達するように形成されている。
両給電部58、58は両挿入溝60、60にそれぞれ挿入されている。
上段の一対の接続部59、59のうち一方の接続部59には給電端子61が溶接されており、他方の接続部59には渡り線62の上端部が溶接されている。渡り線62の下端部は隣接する直ぐ下段の一方の接続部59に接続されている。
ヒータユニット40の側壁部には処理室14の温度を計測する熱電対65が複数本、上下方向に間隔を置いて配されて、それぞれ径方向に挿入されている。各熱電対65は計測結果を温度コントローラ64にそれぞれ送信するようになっている。
温度コントローラ64は熱電対65からの計測温度によって発熱体駆動装置63をフィードバック制御するようになっている。
かつまた、温度コントローラ64は複数の発熱体56を一つの制御範囲として一つの制御ゾーンを構成し、該制御ゾーンを複数の制御ゾーン例えば四つの制御ゾーンを構成するように接続されている。
側壁外層44のダクト71に対向する位置には冷却ガス供給口74が複数個、円周方向に均等に配置されて設けられている。複数個の冷却ガス供給口74は複数個の区画壁48を避けるように冷却ガス通路47に対向する位置にそれぞれ配置されている。
すなわち、複数個の冷却ガス供給口74は冷却ガス通路47の複数個の冷却ガス通路空間49それぞれに対応するように配置されており、それぞれが連通している。
側壁内層45には、円柱状に開孔された支持孔76(図5参照)が冷却ガス供給口74より下方となる位置に複数個設けられている。各支持孔76には側壁内層45の材料とは別体の絶縁部材として円筒形状のノズル77がそれぞれ挿入されている。
図5に示されているように、ノズル77の中空部により、冷却ガス通路47から内側空間75へ冷却ガスを吹き出す吹出孔78が形成されている。
なお、支持孔76には側壁内層45の外周面側に段状に凹面76aが設けられている。また、ノズル77には、凹面76aに嵌合するように凸面77aが設けられている。すなわち、ノズル77が支持孔76に確実に嵌め込まれるように、移動防止部が設けられている。これにより、ノズル77が冷却ガスの流れに従って内側空間75側に移動しないようにしている。
好ましくは、ノズル77は側壁内層45の材料よりもアルミナ成分の含有率の高いセラミック材によって形成されると、耐久性に優れてよい。
さらに、好ましくは、ノズル77は、側壁内層45の材料よりも高い密度を有する材料とすると、耐久性に優れてよい。
さらに、好ましくは、ノズル77は、高い硬度を有する材料とすると、耐久性に優れてよい。
さらに、好ましくは、ノズル77は、側壁内層45の材料よりも高い曲げ強度を有する材料とすると、耐久性に優れてよい。
突出部51aには、ノズル77の吹出孔78が対向する位置に切欠部79が形成されている。切欠部79は冷却ガス通路空間49側から内側空間75側に向けて漸次開口面積が広くなるようにテーパ形状に形成されている。
図6に示されているように、吹出孔78を形成するノズル77は冷却ガス通路空間49に対し列状に配置されており、複数列ずつ設けられている。ノズル77は冷却ガス通路空間49の円周方向中央より両方の区画壁48、48の側にそれぞれ偏って列状に設けられている。
ノズル77は冷却ガス通路空間49に対し2列設けられている。
複数本のノズル77の吹出孔78の開口断面積は、略同じサイズで形成されている。
複数本のノズル77は区画壁48が設けられている位置を避けるように、冷却ガス通路47に対向する位置にそれぞれ設けられている。
また、複数本のノズル77は吹出孔78から吹出された冷却ガスが発熱体56を避けて吹き出されるように配置されている。
ノズル77は円周方向に略均等に設けられた複数の冷却ガス通路空間49のうち一対の給電部58、58近傍の冷却ガス通路空間49に最も多く配置されている。
複数の制御ゾーンのうち最上段の制御ゾーンに設けられた複数のノズル77の吹出孔78の総開口面積より、 複数の制御ゾーンのうち最下段の制御ゾーンに設けられた複数のノズル77の吹出孔78の総開口面積が大きく設定されている。
本実施の形態では、最上段の制御ゾーンUより、最下段の制御ゾーンLに設けられた吹出孔78の総開口面積が大きく設定されている。
複数の制御ゾーンが4段以上設けられた場合においては、4段以上の制御ゾーンのうち最上段から2段の制御ゾーンに設けられた複数のノズル77の吹出孔78の総開口面積よりも、4段以上の制御ゾーンのうち最下段から2段の制御ゾーンに設けられた複数のノズル77の吹出孔78の総開口面積が大きく設定されている。
本実施の形態では、一段目の制御ゾーンUおよび二段目の制御ゾーンCUより、四段目の制御ゾーンCLおよび五段目の制御ゾーンLに設けられた吹出孔78の総開口面積が大きく設定されている。
複数の制御ゾーンのうち最上段の制御ゾーンに設けられたノズル77の吹出孔78の衝突噴流量より、 複数の制御ゾーンのうち最下段の制御ゾーンに設けられたノズル77の吹出孔78の衝突噴流量が大きく設定されている。
本実施の形態では、最上段の制御ゾーンUより、最下段の制御ゾーンLに設けられた吹出孔78の衝突噴流量が大きく設定されている。
複数の制御ゾーンが4段以上設けられた場合においては、4段以上の制御ゾーンのうち最上段から2段の制御ゾーンに設けられたノズル77の吹出孔78の衝突噴流量より、4段以上の制御ゾーンのうち最下段から2段の制御ゾーンに設けられたノズル77の吹出孔78の衝突噴流量が大きく設定されている。
本実施の形態では、一段目の制御ゾーンUおよび二段目の制御ゾーンCUより、四段目の制御ゾーンCLおよび五段目の制御ゾーンLに設けられたノズル77の吹出孔78の衝突噴流量が大きく設定されている。
図2および図6に示されているように、吹出孔78は少なくとも、ボート31に載置される製品ウエハがある領域ARの最上段と略同じ高さから製品ウエハがある領域ARの最下段まで、設けられている。
天井壁部80には内側空間75の雰囲気を排気する排気経路の一部としての排気孔81が形成されており、排気孔81の上流側端である下端は内側空間75に通じている。
排気孔81の下流側端は排気ダクト82に接続されている。
上限に達したシールキャップ25はマニホールド16に押接することにより、プロセスチューブ11の内部をシールした状態になる。ボート31はシールキャップ25に支持されたままの状態で処理室14に存置される。
また、温度コントローラ64がシーケンス制御することで側壁発熱体56によってプロセスチューブ11の内部が、目標温度に加熱される。
プロセスチューブ11の内部の実際の上昇温度と、温度コントローラ64のシーケンス制御の目標温度との誤差は、熱電対65の計測結果に基づくフィードバック制御によって補正される。
また、ボート31がモータ29によって回転される。
ガス導入管22によって導入された原料ガスは、インナチューブ13の処理室14内を流通して排気路17を通って排気管18によって排気される。
処理室14を流通する際に、原料ガスが所定の処理温度に加熱されたウエハ1に接触することによる熱CVD反応により、ウエハ1にはCVD膜が形成される。
同時に、冷却ガスとしての冷却エア90が給気管73から冷却ガス導入口72に供給される。供給された冷却エア90は環状のダクト71内で全体的に拡散し、複数個の冷却ガス供給口74から冷却ガス通路47の複数個の冷却ガス通路空間49に流れ込む。
各冷却ガス通路空間49に流れ込んだ冷却エア90は各冷却ガス通路空間49を流下し、各冷却ガス通路空間49に配置されたノズル77の吹出孔78から内側空間75にそれぞれ吹き出す。
吹出孔78から内側空間75に吹き出した冷却エア90は排気孔81および排気ダクト82によって排気される。
なお、内側空間75は処理室14から隔離されているために、冷却ガスとして冷却エア90を使用することができる。
しかし、冷却効果をより一層高めるためや、エア内の不純物による高温下での発熱体の腐蝕を防止するために、窒素ガス等の不活性ガスを冷却ガスとして使用してもよい。
この冷却により、例えば、シリコン窒化膜であればNH4 Clの付着を防止することができる150℃程度にアウタチューブ12の温度を維持することができる。
その後、断熱構造体42の熱を吸収しつつ冷却ガス通路47の各冷却ガス通路空間49を下降して行くために、冷却エア90は徐々に熱上昇し、下降するに従って徐々に冷却効果が小さくなる。
しかし、断熱構造体42は、下端側に近づくに従って蓄積された熱量が少ないため、冷却エア90の冷却効果が少ないことで、かえって、断熱構造体42全体的に均一に冷却することができる。
また、冷却ガス通路47の各冷却ガス通路空間49を断熱構造体42を冷却しながら流下した冷却エア90は、各冷却ガス通路空間49に配置されたノズル77の吹出孔78から径方向内向きに吹き出してプロセスチューブ11のアウタチューブ12の表面に衝突噴流(図7参照)の状態で吹き当たるので、アウタチューブ12すなわちプロセスチューブ11を全体的に均一に冷却することができる。
室温および大気中での衝突噴流による熱伝達率hは次式(1)で表される。
h=Nu・λ/d・・・(1)
式(1)中、λは空気の熱伝導率である。dは吹出孔78の口径である。Nuはヌセルト数である。
したがって、熱伝達率hはヌセルト数Nuに依存する。
ヌセルト数Nuは、吹出孔の口径d、吹出孔からアウタチューブ12までの距離Lの関係の場合、 次式(2)のような関係にある。
Nu=α・Re1/2 ・Pr 2/5・・・(2)
式(2)中、Reはレイノズル数、Prはプラントル数である。プラントル数Prは室温での空気の物性値であり、プラントル数Pr=0.71とする。
レイノズル数Reは次式(3)で表すことができる。
レイノズル数:Re=U・L/ν・・・(3)
式(3)中、Uは吹出孔からの噴流の流速、νは室温での空気の動粘係数であり。
式(3)のレイノズル数Reから、熱伝達率hは吹出孔からの噴流の流速Uの平方根に比例することになる。
流速Uは噴流の軌道の圧力差から計算することができ、吹出孔の吹き出す側(上流側)と吹き出される側(下流側)との間の圧力差が大きい程、流速Uは大きくなる。
そこで、 最適な熱伝達率hの分布を考えることにより、 最適な吹出孔の数を推測することができる。
本実施の形態においては、冷却ガスは側壁上部に設けられている冷却ガス供給口74から冷却ガス通路空間49に流れ込み、その後、冷却ガス通路空間49を下側に向いて冷却ガスが流れる。上側の吹出孔78の数が少なくされているので、冷却ガス通路空間49は上側の吹出孔78の総開口面積より充分大きくなり、下側に向いた冷却ガスの流れは維持され易く、冷却ガス通路空間49の上側より下側の方が圧力が大きくなる。そのため、冷却ガス通路空間49の下側の一つの吹出孔78から吹き出される冷却ガスの衝突噴流量を大きくすることができる。
局所的に温度が下がってしまうため、ウエハの処理状態に悪影響を及ぼしてしまう。また、冷却ガス導入口をヒータユニットの下部に設ける場合、冷却ガス導入口による放熱に加え、ヒータユニットの下端部にあるヒータユニットの開口部や炉口の影響を防ぐよう、ボートとシールキャップとの間に断熱筒や断熱板を設ける放熱対策が一般的に実施されているが、それでも足りず、
放熱してしまう。そのため、この放熱した熱を補うために、ヒータユニットの下部に配置された発熱体に過度に電力が供給される状態すなわち過負荷状態が頻繁になり易く断線し易くなってしまう。
本実施の形態においては、ヒータユニットに冷却ガスを流す冷却ガス導入口を上端部に配置したので、 最も熱の篭もり易い断熱構造体上部を効果的に冷却することができ、
しかも、下部に配置された発熱体の過負荷状態を解消することができる。
複数の吹出孔の口径を全て略同じとすることにより、冷却効率を制御し易くでき、 複雑な制御を必要とせずに効果的に冷却することができる。
最適な熱伝達率の分布や最適な吹出孔の数を設定し易くなる。
好ましくは、 吹出孔は少なくともそれぞれの区画壁近傍に1列ずつ設けるとよい。
(1)縦置きの加熱装置に使用される断熱構造体であって、
円筒形状に形成された側壁部を有し、該側壁部が内外複数層構造に形成されており、
該側壁部の複数層のうちの外側に配置された側壁外層の上部に設けられる冷却ガス供給口と、
前記側壁部の複数層のうちの内側に配置された側壁内層と前記側壁外層との間に設けられる冷却ガス通路と、
前記側壁内層の内側に設けられる空間と、
前記冷却ガス通路から前記空間へ冷却ガスを吹出すように、前記側壁内層の前記冷却ガス供給口より下方に設けられる複数の吹出孔と、
を有する断熱構造体。
(2)前記側壁外層と前記側壁内層との間に複数の区画壁が円周方向に沿って設けられており、前記冷却ガス通路が該複数の区画壁によって複数に区画されている前記(1)の断熱構造体。
(3)前記側壁外層と前記側壁内層との間に複数の区画壁が円周方向に沿って設けられており、前記冷却ガス通路が該複数の区画壁によって複数の冷却ガス通路空間に区画されており、該複数の冷却ガス通路空間の断面積それぞれは前記区画壁それぞれの断面積より大きく形成されている前記(1)の断熱構造体。
(4)前記吹出孔は前記冷却ガス通路が前記区画壁で区画された複数の冷却ガス通路空間それぞれに複数列ずつ設けられている前記(2)の断熱構造体。
(5)前記側壁外層と前記側壁内層との間に複数の区画壁が円周方向に沿って設けられており、前記冷却ガス通路が該複数の区画壁によって複数の冷却ガス通路空間に区画されており、前記吹出孔は前記冷却ガス通路空間の円周方向中央より該冷却ガス通路空間を形成する両方の区画壁の側にそれぞれ偏って列状に設けられている前記(1)の断熱構造体。
(6)前記吹出孔は前記冷却ガス通路が前記区画壁で区画された複数の冷却ガス通路空間に対し2列ずつ設けられている前記(2)の断熱構造体。
(7)前記複数の吹出孔の開口断面積はそれぞれ略同じサイズで形成されている前記(1)の断熱構造体。
(8)前記区画壁が円周方向に略均等に複数配置されている前記(2)(3)の断熱構造体。
(9)前記複数の吹出孔は前記区画壁が設けられている位置を避けるように前記冷却ガス通路に対向する位置にそれぞれ複数設けられる前記(2)の断熱構造体。
(10)前記ガス供給口は前記区画壁が設けられている位置を避けるように前記冷却ガス通路に対向する位置に設けられる前記(2)の断熱構造体。
(11)前記側壁内層の内周に沿った環状形状の環状部と、該環状部の端部に設けられた一対の給電部とを有している発熱体が上下方向に複数設けられ、
前記複数の発熱体のうちの隣接する前記給電部同士が接続されて形成される制御ゾーンが上下方向に複数設けられており、 前記吹出孔が吹出された冷却ガスが前記発熱体を避けて吹出されるように配置されている前記(2)の断熱構造体。
(12)前記複数の制御ゾーンのうち最上段の制御ゾーンに設けられた前記複数の吹出孔の総開口面積より、 前記複数の制御ゾーンのうち最下段の制御ゾーンに設けられた前記複数の吹出孔の総開口面積が大きく設定されている前記(11)の断熱構造体。
(13)前記複数の制御ゾーンを4段以上有し、 前記複数の制御ゾーンのうち最上段から2段の制御ゾーンに設けられた前記複数の吹出孔の総開口面積よりも、前記複数の制御ゾーンのうち最下段から2段の制御ゾーンに設けられた前記複数の吹出孔の総開口面積が大きく設定されている前記(11)の断熱構造体。
(14)前記複数の制御ゾーンのうち最上段の制御ゾーンに設けられた前記吹出孔の衝突噴流量より、 前記複数の制御ゾーンのうち最下段の制御ゾーンに設けられた前記吹出孔の衝突噴流量が大きく設定されている前記(11)の断熱構造体。
(15)前記複数の制御ゾーンを4段以上有し、 前記複数の制御ゾーンのうち最上段から2段の制御ゾーンに設けられた前記吹出孔の衝突噴流量より、前記複数の制御ゾーンのうち最下段から2段の制御ゾーンに設けられた前記吹出孔の衝突噴流量が大きく設定されている前記(11)の断熱構造体。
(16)前記吹出孔は前記側壁内層とは別体の絶縁部材の中空部によって形成されており、該絶縁部材は前記側壁部に支持されている前記(1)の断熱構造体。
(17)前記吹出孔は前記側壁内層とは別体の略円筒形状の絶縁部材によって形成されており、該絶縁部材は略円形の支持孔に支持されている前記(1)の断熱構造体。
(18)前記絶縁部材が、前記空間側に移動しないように移動防止部を有している前記(16)の断熱構造体。
(19)前記絶縁部材が、 前記側壁部の材料よりも高い密度を有する材料によって形成されている前記(16)(17)(18)の断熱構造体。
(20)前記絶縁部材が、 前記側壁部の材料よりも高い硬度を有する材料によって形成されている前記(16)(17)(18)の断熱構造体。
(21)前記絶縁部材が、 前記側壁部の材料よりも高い曲げ強度を有する材料によって形成されている前記(16)(17)(18)の断熱構造体。
(22)前記絶縁部材が、 前記側壁部の材料よりもアルミナ成分の含有率の高いセラミック材によって形成されている前記(16)(17)(18)の断熱構造体。
(23)前記側壁内層は内周面に発熱体を収納するための円筒形状に形成された取付溝を上下方向に複数有し、 該複数の発熱体が前記複数の取付溝内にそれぞれ収納されるように設けられており、前記複数の絶縁部材が前記複数の取付溝を形成する内側突出し部に配置されている前記(11)の断熱構造体。
(24)前記内側突出し部は前記絶縁部材が配置される箇所を前記取付溝の底面と同じ面まで抉られており、 前記絶縁部材が前記側壁内層外周面から前記側壁内層取付溝の底面と同じ面まで配置されている前記(23)の断熱構造体。
(25)前記冷却ガス供給口は、円周方向に均等に複数設けられている前記(1)の断熱構造体。
(26)前記側壁部の上端側に天井部が備えられており、該天井部には前記空間から前記冷却ガスを排気するための排気孔が設けられている前記(1)の断熱構造体。
(27)前記冷却ガス供給口に前記冷却ガスを供給する環状のダクトを有し、該ダクトに冷却ガスを供給する冷却ガス導入口を有する前記(25)の断熱構造体。
(28)前記(1)の断熱構造体を備える加熱装置。
(29)前記(28)の加熱装置の排気孔に接続され、 該排気孔の下流側に設けられる排気装置を備える加熱システム。
(30)前記(28)の加熱装置と、 該加熱装置の内部で基板を処理する処理室とを備える基板処理装置。
(31)前記(29)の加熱装置システムと、 該加熱装置の内部で基板を処理する処理室とを備える基板処理装置。
(32)前記(30)の基板処理装置を用いて処理する半導体装置の製造方法であって、 前記加熱装置の発熱体が基板を加熱するステップと、前記排気装置が前記加熱装置内を冷却するステップとを有する半導体装置の製造方法。
Claims (11)
- 縦置きの加熱装置に使用される断熱構造体であって、
円筒形状に形成された側壁部を有し、該側壁部が内外複数層構造に形成されており、
該側壁部の複数層のうちの外側に配置された側壁外層の上部に設けられる冷却ガス供給口と、
前記側壁部の複数層のうちの内側に配置された側壁内層と前記側壁外層との間に設けられる冷却ガス通路と、
前記側壁内層の内側に設けられる空間と、
前記冷却ガス通路から前記空間へ冷却ガスを吹出すように、前記側壁内層の前記冷却ガス供給口より下方に設けられる複数の吹出孔と、
前記側壁内層の内周面の前記吹出孔の対向する位置に設けられ、前記冷却ガス通路側から前記空間側に向けて開口面積が広くなるように形成される切欠部と、
を有する断熱構造体。 - 前記側壁外層と前記側壁内層との間に複数の区画壁が円周方向に沿って設けられており、前記冷却ガス通路が該複数の区画壁によって複数に区画されている請求項1の断熱構造体。
- 前記複数の吹出孔の開口断面積はそれぞれ略同じサイズで形成されている請求項1の断熱構造体。
- 前記区画壁が円周方向に略均等に複数配置されている請求項2の断熱構造体。
- 前記吹出孔は前記側壁内層とは別体の絶縁部材の中空部によって形成されており、該絶縁部材は前記側壁部に支持されている請求項1の断熱構造体。
- 前記側壁部の上端側に天井部が備えられており、該天井部には前記空間から前記冷却ガスを排気するための排気孔が設けられている請求項1の断熱構造体。
- 請求項1の断熱構造体を備える加熱装置。
- 請求項7の加熱装置の排気孔に接続され、 該排気孔の下流側に設けられる排気装置を備える加熱システム。
- 請求項7の加熱装置と、 該加熱装置の内部で基板を処理する処理室とを備える基板処理装置。
- 請求項8の加熱装置システムと、 該加熱装置の内部で基板を処理する処理室とを備える基板処理装置。
- 基板をプロセスチューブに搬入する工程と、
円筒形状で内外複数層構造に形成された側壁部を有する断熱構造体の前記側壁部の複数層のうちの外側に配置された側壁外層の上部に設けられる冷却ガス供給口から、前記側壁部の複数層のうちの内側に配置された側壁内層と前記側壁外層との間に設けられる冷却ガス通路へ冷却ガスを供給するとともに、前記側壁内層の前記冷却ガス供給口より下方に設けられる複数の吹出孔から前記側壁内層の内周面の前記吹出孔の対向する位置に設けられて前記冷却ガス通路側から前記側壁内層の内側に設けられる空間側に向けて開口面積が広くなるように形成される切欠部を介して前記冷却ガスを吹出すことで前記空間内に配置された前記プロセスチューブを冷却する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
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Citations (7)
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---|---|---|---|---|
JPS62167880A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-24 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 管内外面のコ−テイング装置 |
JPH04369215A (ja) * | 1991-06-17 | 1992-12-22 | Riken Corp | 縦型電気炉 |
JP2000235954A (ja) * | 1999-02-15 | 2000-08-29 | Hiroshima Nippon Denki Kk | ガス吹き出し部材 |
JP2002075978A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-03-15 | Sharp Corp | 縦型反応炉 |
JP2005183823A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2005217335A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2005286051A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
-
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62167880A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-24 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 管内外面のコ−テイング装置 |
JPH04369215A (ja) * | 1991-06-17 | 1992-12-22 | Riken Corp | 縦型電気炉 |
JP2000235954A (ja) * | 1999-02-15 | 2000-08-29 | Hiroshima Nippon Denki Kk | ガス吹き出し部材 |
JP2002075978A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-03-15 | Sharp Corp | 縦型反応炉 |
JP2005183823A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2005217335A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2005286051A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
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