JP2012254901A - 常磁性ガーネット単結晶及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】GGG結晶又はSGGG結晶からなる基板上に、LPE法で育成したTGG結晶である。前記TGG結晶は、組成Tb3 Mx Ga5-x O12で表され、MがSc、Inから選ばれる少なくとも1種の3価元素であって、基板がGGGの場合には0.1≦x≦0.5を満たし、基板がSGGGの場合は0.9≦x≦1.65を満たしており、且つ前記基板と育成したTGG結晶の垂直方向の格子定数差を±0.02Å以下とする。必要なガーネット原料と、PbO及びB2 O3 をフラックスとする融液の表面に、基板の片面を接触させ、850〜980℃でTGG結晶をLPE成長させる。融液中に、SiO2 、GeO2 、TiO2 から選ばれる1種以上の酸化物、あるいはCeO2 が含まれていてもよい。必要に応じて、育成したTGG結晶を還元処理する。
【選択図】なし
Description
Tb4 O7 、Sc2 O3 、及びGa2 O3 をガーネット原料とし、PbOとB2 O3 をフラックスとする出発原料を白金坩堝に入れ、縦型の抵抗加熱炉中で、1100℃で5時間加熱溶融し、その後、同じ1100℃で1時間攪拌した。次いで880℃に降温し、格子定数が12.38ÅのGGG基板(Gd3 Ga5 O12)の小片を40rpmで回転させながら2分間浸して引き上げ、炉から取り出した。続いて、直径3インチ、厚み500μmのGGG基板を炉に入れ、片面を白金坩堝内メルト液面に浸し、40rpmで回転させた。所定時間経過後、メルト液面より10mm引き上げて切り離し、そのまま炉の中で室温まで冷却した。その後、GGG基板を炉から取り出し酸洗浄した。
実施例1〜5と同様に、LPE法によりTGG結晶の育成を行った。比較例1は出発原料にSc2 O3 を含まないものである。また、比較例2は実施例1よりもSc2 O3 濃度が低く、比較例3は実施例5よりもSc2 O3 濃度が高い。検査結果を前記表1に実施例1〜5と併せて示す。比較例1〜3では、育成されたTGG結晶とGGG基板の格子定数差はいずれも、±0.02Åを超えており、育成した結晶には欠陥や亀裂が多数認められた。
出発原料がTb4 O7 、In2 O3 、Ga2 O3 、PbO、B2 O3 である以外は実施例1〜5と同様の手法でTGG結晶を育成した。育成したTGG結晶の検査結果を表3に示す。
実施例6〜8と同様に、LPE法によるTGG結晶の育成を行った。比較例4は実施例6よりもIn2 O3 濃度が低く、比較例5は実施例8よりもIn2 O3 濃度が高い。検査結果を前記表3に実施例6〜8と併せて示す。いずれも、育成されたTGG結晶とGGG基板の格子定数差は±0.02Åを超えており、育成された結晶には欠陥や亀裂が多数認められた。
出発原料がTb4 O7 、Sc2 O3 、In2 O3 、Ga2 O3 、PbO、B2 O3 である以外は実施例1〜5と同様の手法によってTGG結晶を育成した。つまり、Sc2 O3 とIn2 O3 の同時添加の例である。育成したTGG結晶の検査結果を表4に示す。いずれも格子定数差が±0.02Å以内であり、欠陥、亀裂の少ない良好なTGG結晶が得られた。また、波長1064nmにおける光学特性も、透過率は80%を超えており、ベルデ定数は0.12min/(Oe・cm)、消光比40dBであって、いずれも良好であった。
Tb4 O7 、Sc2 O3 、Ga2 O3 、PbO、B2 O3 からなる出発原料を白金坩堝に入れ、縦型の抵抗加熱炉中で、1100℃で5時間加熱溶融し、その後、同じ1100℃で1時間攪拌した。次いで、960℃に降温し、格子定数が12.496ÅのSGGG基板[(CaGd)3 (MgZrGa)5 O12]の小片を40rpmで回転させながら2分間浸し引き上げ、炉から取り出した。続いて、直径3インチ、厚み500μmのSGGG基板を炉に入れ、片面を白金坩堝内メルト液面に浸し、40rpmで回転させた。所定時間経過後、メルト液面より10mm引き上げて切り離し、そのまま炉の中で室温まで冷却した。その後、SGGG基板を炉から取り出し酸洗浄した。SGGG小片、及び3インチSGGG基板には、その(111)面上に組成がTb3 Scx Ga5-x O12で表されるTGG結晶が成長していた。この作業を、主に出発原料のSc2 O3 濃度を変えて繰り返し行った。実施例12から14に向かって、Sc2 O3 濃度が高くなっている。
実施例12〜14と同様に、LPE法によるTGG結晶の育成を行った。比較例6は実施例12よりもSc2 O3 濃度が低く、比較例7は実施例14よりもSc2 O3 濃度が高くなっている。これらの場合も、検査結果を前記表5に実施例12〜14と併せて示す。いずれも育成したTGG結晶とSGGG基板の格子定数差は±0.02Åを超えており、TGG結晶には欠陥や亀裂が多数生じていた。
出発原料が、Tb4 O7 、In2 O3 、Ga2 O3 、PbO、B2 O3 である以外は実施例12〜14と同様である。育成したTGG結晶の検査結果を表6に示す。いずれも格子定数差が±0.02Å以内であり、欠陥や亀裂の少ない良好なTGG結晶が得られた。また、波長1064nmにおける光学特性も、透過率は80%を超えており、ベルデ定数は0.12min/(Oe・cm)、消光比40dBであって、いずれも良好であった。
実施例12〜14と同様に、LPE法によるTGG結晶の育成を行った。比較例8は実施例15よりもIn2 O3 濃度が低く、比較例9は実施例17よりもIn2 O3 濃度が高くなっている。検査結果を前記表6に実施例15〜17と併せて示す。いずれも、育成されたガーネット結晶とSGGG基板の格子定数差は±0.02Åを超えており、育成された結晶には欠陥や亀裂が多数生じていた。
出発原料が、Tb4 O7 、Sc2 O3 、In2 O3 、Ga2 O3 、PbO、B2 O3 である以外は実施例12〜14と同様である。つまり、Sc2 O3 とIn2 O3 の同時添加の例である。育成したTGG結晶の検査結果を表7に示す。いずれの例も、格子定数差は±0.02Å以内であり、欠陥、亀裂の少ない良好なTGG結晶が得られた。また、波長1064nmにおける光学特性も、透過率は80%を超えており、ベルデ定数は0.12min/(Oe・cm)、消光比40dBであり、いずれも良好であった。
実施例3で作製した3mm角チップを、水素含有量が2.7vol%の窒素雰囲気中で温度を変えて、6時間保持し還元処理した。還元処理後、波長532nmにおける透過率を測定した。結果を表8に示す。実施例21〜24では、波長532nmの透過率が向上した。特に還元温度が550〜800℃では波長532nmの透過率が大幅に向上した。これに対し、比較例10ではあまり変わらなかった。
実施例3で作製した3mm角チップを、水素と窒素の混合ガス中で、混合ガス中の水素濃度を変えて、温度700℃、保持時間6時間で還元処理した。還元処理後、波長532nmにおける透過率を測定した。結果を表9に示す。実施例25〜27では、波長532nmの透過率が大きく向上した。これに対し、比較例11ではあまり変わらなかった。また、比較例12では、膜表面が荒れていた。このことから、水素濃度は0.5vol%以上6vol%以下が適当である。
実施例3を基にして、原料にCeO2 を添加した。即ち、Tb4 O7 、Sc2 O3 、Ga2 O3 、PbO、B2 O3 からなる出発原料にCeO2 を0.2wt%添加し、白金坩堝に入れ、縦型の抵抗加熱炉中で、1100℃で5時間加熱溶融し、その後、同じ1100℃で1時間攪拌した。次いで、880℃に降温し、格子定数が12.38ÅのGGG基板の小片を40rpmで回転させながら2分間浸し引き上げ炉から取り出した。続いて、直径3インチ、厚み500μmのGGG基板を炉に入れ、片面を白金内メルト液面に浸して40rpmで65時間回転させた。その後、メルト液面より10mm引き上げて切り離し、そのまま炉の中で室温まで冷却した。その後、GGG基板を炉から取り出し酸洗浄した。3インチGGG基板には、その(111)面上に組成がTb3 Sc0.35Ga4.65O12で表されるガーネット結晶が2.4mm成長しており、亀裂や欠陥が無く、殆ど着色していないTGG結晶が得られた。
添加CeO2 濃度が0.6wt%である以外は実施例29と同様にして結晶育成を行った。ところが、1100℃にしても不溶物があり、育成を断念した。
実施例3を基にして、原料にSiO2 を添加した。即ち、Tb4 O7 、Sc2 O3 、Ga2 O3 、PbO、B2 O3 からなる出発原料にSiO2 を添加し、白金坩堝に入れ、縦型の抵抗加熱炉中、1100℃で5時間加熱溶融し、その後、同じ1100℃で1時間攪拌した。次に育成温度まで降温し、格子定数が12.38ÅのGGG基板の小片を40rpmで回転させながら2分間浸し引き上げ、炉から取り出した。ここで育成温度とは、GGG基板と育成したTGG結晶の格子定数が合う温度を指す。続いて、直径3インチ、厚み500μmのGGG基板を炉に入れ、片面を白金内メルト液面に浸し、40rpmで所定時間回転させた。その後、メルト液面より10mm引き上げて切り離し、そのまま炉の中で室温まで冷却した。その後、GGG基板を炉から取り出し酸洗浄した。3インチGGG基板には、その(111)面上に組成がTb3 Sc0.35Ga4.65O12で表されるガーネット結晶が成長しており、亀裂や欠陥のないTGG結晶が得られた。検査結果を表10に示す。また、3インチGGG基板付TGG結晶を3mm角に切断し、研磨によりGGG基板を削除して3mm角面の両面を鏡面加工した。次に3mm角面に垂直方向に光を通し、透過率を測定したところ、表11に示すように、波長532nmの透過率が60%以上であり良好であった。
Tb4 O7 、Sc2 O3 、Ga2 O3 、PbO、B2 O3 からなる出発原料にSiO2 を3wt%添加し、白金坩堝に入れ、縦型の抵抗加熱炉中、1100℃で5時間加熱溶融し、その後、同じ1100℃で1時間攪拌した。次いで850℃まで降温し、格子定数が12.38ÅのGGG基板の小片を40rpmで回転させながら2分間浸し引き上げ、炉から取り出した。ところが、結晶は成長しておらず、GGG基板が一部溶融して薄くなっていた。このため、育成を断念した。
b 還元温度450℃での曲線。
c 還元温度700℃での曲線。
Claims (6)
- GGG結晶からなる基板上に、LPE法で育成したTGG結晶であって、前記TGG結晶は、組成Tb3 Mx Ga5-x O12で表され、前記MがSc、Inから選ばれる少なくとも1種の3価元素であって0.1≦x≦0.5を満たしており、且つ前記基板のGGG結晶と育成したTGG結晶の垂直方向の格子定数差が±0.02Å以下となっていることを特徴とする常磁性ガーネット単結晶。
- SGGG結晶からなる基板上に、LPE法で育成したTGG結晶であって、前記TGG結晶は、組成Tb3 Mx Ga5-x O12で表され、前記MがSc、Inから選ばれる少なくとも1種の3価元素であって0.9≦x≦1.65を満たしており、且つ前記基板のSGGG結晶と育成したTGG結晶の垂直方向の格子定数差が±0.02Å以下となっていることを特徴とする常磁性ガーネット単結晶。
- 請求項1又は2記載の常磁性ガーネット単結晶を製造する方法であって、Tb4 O7 、Ga2 O3 、及びM2 O3 (但し、MはSc、Inから選ばれる少なくとも1種)をガーネット原料とし、PbO及びB2 O3 をフラックスとする融液の表面に、前記基板の片面を接触させ、850〜980℃でTGG結晶をLPE成長させる常磁性ガーネット単結晶の製造方法。
- 前記融液中に、SiO2 、GeO2 、TiO2 から選ばれる1種以上の酸化物が含まれており、その重量濃度の合計が0.5wt%以下であるように調整されている請求項3記載の常磁性ガーネット単結晶の製造方法。
- 前記融液中に、CeO2 が含まれており、その重量濃度が0.2wt%以下であるように調整されている請求項3記載の常磁性ガーネット単結晶の製造方法。
- 請求項3記載の常磁性ガーネット単結晶の製造方法によりLPE成長させたTGG結晶を、水素0.5〜6vol%を含む窒素との混合雰囲気下、450〜800℃で還元処理する常磁性ガーネット単結晶の製造方法。
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