JP2012253259A - 研磨方法及び酸性研磨液 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 155
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 title claims abstract description 19
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 34
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 claims description 3
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 claims description 3
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 claims description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 34
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 29
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 8
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 2
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N iron(2+);dinitrate Chemical compound [Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005231 Edge Defined Film Fed Growth Methods 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【解決手段】 CMP研磨加工におけるSiCウェーハを研磨する方法であって、ウェーハの一方の面を保持部材で保持するステップと、研磨液を放出する溝が複数設けてある固定砥粒研磨パッドをウェーハの他方の面に当接させるステップと、該研磨パッドと該ウェーハをそれぞれ回転させながら相対的に0.8〜1.5kgf/cm2の圧力で押し付けて摺動させる研磨ステップとから構成され、該研磨ステップにおいて過マンガン酸カリウム(KMnO4)と酸化性無機塩を混合させた酸性研磨液を用いる。固定砥粒研磨パッドと酸性研磨液でウェーハを研磨することで、高研磨レートを達成できるとともに良好な研磨面を得ることができ、生産性の向上が図ることができる。
【選択図】図4
Description
(1)保持ステップ
図2に示すように、多孔質保持部材4でSiCウェーハ2の非研磨面2aを保持するためには、SiCウェーハ2の非研磨面2aに保護テープ2cを貼り付け、図示しない吸引源から発生する吸引力によって、当該吸引口5および多孔質保持部材4の孔を通じて保護テープ2cを多孔質保持部材4に吸着させる。これにより、SiCウェーハ2は、研磨加工時にチャックテーブル3からずれることなく安定的に保持される。
次に、図3に示すように、スピンドル6及びチャックテーブル3を矢印A、B方向にそれぞれ回転駆動させるとともに、固定研磨砥粒パッド11を矢印D方向に下降させて、固定研磨砥粒パッド11の下部をSiCウェーハ2の研磨面2bに当接させる。これにより、SiCウェーハ2を固定砥粒研磨パッド11と多孔質保持部材4で挟みこむ。
図4に示すように、スピンドル6及びチャックテーブル3を回転させながら、SiCウェーハ2の研磨面2bを良好な平坦面にするために、研磨手段14から例えば0.8〜1.5kgf/cm2の圧力をかけて、SiCウェーハ2の研磨面2bを押圧する。
まず、図1に示す研磨加工装置1によって、表1に示すSiCウェーハの研磨条件で、上記各ステップからなる研磨実験を行った。また、研磨レートの変化を確認した実験結果を表2に示す。
[表3]
過マンガン酸カリウムを0.5%固定
(研磨液中にコロイダルシリカなし)
[表4]
硝酸セリウムアンモニウム0.16%固定
(研磨液中にコロイダルシリカなし)
2:SiCウェーハ
2a:非研磨面
2b:研磨面
2c:保護テープ
3:チャックテーブル
4:多孔質保持部材
5:吸引口
5a:連結口
6:スピンドル
6a:マウント
7:ボルト
8:研磨液供給口
8a:連結口
9:基台
10:研磨ホイール
11:固定砥粒研磨パッド
12:供給溝
13:酸性研磨液
14:研磨手段
Claims (2)
- CMP研磨加工においてSiCウェーハを研磨する方法であって、
ウェーハの一方の面を保持部材で保持するステップと、
イソシアネートとポリオールとからなるポリウレタン樹脂で構成される母材と砥粒とからなり中心部から外周部に向け研磨液を放出する溝が複数設けてある固定砥粒研磨パッドをウェーハの他方の面に当接させるステップと、
該固定砥粒研磨パッドから研磨液が放出されるとともに該研磨パッドと該ウェーハとをそれぞれ回転させながら相対的に0.8〜1.5kgf/cm2の圧力で押し付けて摺動させる研磨ステップとから構成され、
該研磨ステップにおいて過マンガン酸カリウム(KMnO4)と酸化性無機塩を混合させた酸性研磨液を用いることを特徴とする研磨方法。 - 過マンガン酸カリウム(KMnO4)と酸化性無機塩とを混合させたことを特徴とする酸性研磨液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011126211A JP5913839B2 (ja) | 2011-06-06 | 2011-06-06 | 研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011126211A JP5913839B2 (ja) | 2011-06-06 | 2011-06-06 | 研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012253259A true JP2012253259A (ja) | 2012-12-20 |
JP5913839B2 JP5913839B2 (ja) | 2016-04-27 |
Family
ID=47525792
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011126211A Active JP5913839B2 (ja) | 2011-06-06 | 2011-06-06 | 研磨方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5913839B2 (ja) |
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- 2011-06-06 JP JP2011126211A patent/JP5913839B2/ja active Active
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140523 |
|
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