JP2012253240A - Czts系薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】CZTS系薄膜太陽電池は、基板(1)上に金属裏面電極層(2)を形成し、この金属裏面電極層(2)上に、少なくともCu、Sn、Znを含む金属プリカーサ膜(30)を形成し、金属プリカーサ膜(30)を形成した基板(1)をアニールし、アニール後の基板(1)を硫化および/またはセレン化してp型CZTS系光吸収層(3)を形成し、このp型CZTS系光吸収層(3)上にn型透明導電膜(5)を形成する、各ステップを備える。
【選択図】図3
Description
2 金属裏面電極層
3 p型CZTS系光吸収層
4 n型高抵抗バッファ層
5 n型透明導電膜
Claims (4)
- 基板上に金属裏面電極層を形成し、
前記金属裏面電極層上に、少なくともCu、Sn、Znを含む金属プリカーサ膜を形成し、
前記金属プリカーサ膜を形成した前記基板をアニールし、
前記アニール後の基板を硫化および/またはセレン化してp型CZTS系光吸収層を形成し、
前記p型CZTS系光吸収層上にn型透明導電膜を形成する、各ステップを備える、CZTS系薄膜太陽電池の製造方法。 - 請求項1に記載の方法において、前記金属プリカーサ膜のアニールを大気中または不活性ガス雰囲気中で実行することを特徴とする、CZTS系薄膜太陽電池の製造方法。
- 請求項2に記載の方法において、前記不活性ガスは窒素ガスであることを特徴とする、CZTS系薄膜太陽電池の製造方法。
- 請求項1乃至3の何れか1項に記載の方法において、前記金属プリカーサ膜のアニールは、雰囲気温度250℃以上でかつ30分以上に亘って実行することを特徴とする、CZTS系薄膜太陽電池の製造方法。
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